KR100720215B1 - 포토마스크 수정장치 - Google Patents

포토마스크 수정장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 2차 이온 검출기(130)는 포토마스크상의 결함을 촬상하여, 화상정보를 출력한다. CPU(140)는 이 화상정보를 모니터(150)에 표시시킨다. 오퍼레이터는 입력부(160)를 이용하여 표시된 결함에 대응하는 패턴을 메모리(120)에 등록된 결함 패턴에서 선택함과 동시에, 수정영역의 지정, 정상영역과 결함과의 경계선을 정하는 좌표 지정 등을 행한다. CPU(140)는 이들 입력정보를 이용하여 결함영역을 자동적으로 판단하고, 판단결과를 집속 이온 빔 장치(110)로 보낸다. 집속 이온 빔 장치(110)는 이 판단결과가 나타내는 영역에 대해 에칭처리 또는 퇴적처리를 행함으로써 포토마스크를 수정한다.

Description

포토마스크 수정장치{PHOTOMASK CORRECTION DEVICE}
본 발명은 예를 들면 반도체 리소그래피 공정에서 사용되는 포토마스크를 수정하기 위한 포토마스크 수정장치에 관한 것이다.
반도체 프로세스의 포트리소그래피 공정에서 예컨대 포토레지스트 등에 대한 패턴 노광을 행하기 위해, 포토마스크를 사용한다. 즉, 포토레지스트 등의 피가공막에 포토마스크를 통하여 빛을 조사함으로써, 원하는 패턴 노광을 행할 수 있다.
포토마스크는 투명기판의 표면에 차폐막 패턴을 형성함으로써 제작된다. 차폐막이 형성된 부분은 빛이 차폐되므로, 포토레지스트 등에 대한 노광이 행해지지 않는다.
포토마스크를 제작할 때에는 투명기판의 표면에 결함이 형성되는 경우가 있다. 이 때의 결함으로는 백결함과 흑결함이 있다. 백결함이란, 차폐막을 형성해야함에도 불구하고, 차폐막이 형성되지 않은 영역을 말한다. 한편, 흑결함이란 차폐막을 형성하지 않아야함에도 불구하고, 차폐막이 형성되어 버린 영역을 말한다.
백결함이나 흑결함을 수정하는 장치로는 예를 들면 집속 이온 빔 장치를 사용할 수 있다.
종래, 이러한 종류의 수정장치를 이용하여 수정을 행하는 경우, 우선, 오퍼 레이터가 포토마스크의 관찰영역을 지정하여, 모니터에 의한 관찰을 행한다. 결함이 발견되면, 오퍼레이터는 그 결함을 형성하는 영역을 좌표점 단위로 지정한다.
그리고, 결함이 백결함인 경우에는 오퍼레이터는 수정장치를 조작하여, 이러한 백결함 영역에 차폐막 형성재료를 퇴적한다. 수정장치로서 집속 이온 빔 장치를 사용하는 경우에는, 백결함에 이온 빔을 조사하면서, 차폐막의 원료 가스를 포토마스크상에 내뿜어 이러한 백결함 영역에 차폐막을 형성할 수 있다.
한편, 결함이 흑결함인 경우에는 오퍼레이터는 수정장치를 조작하여 이러한 흑결함 영역의 차폐막을 제거한다. 수정장치로서 집속 이온 빔장치를 사용하는 경우에는, 흑결함영역에 이온 빔을 조사하면서, 에칭 가스를 포토마스크상에 뿜어냄으로써, 이러한 흑결함을 에칭 제거할 수 있다.
이렇게 하여 결함을 수정함으로써, 신뢰성 높은 포토마스크를 제작하는 것이 가능해진다.
상술한 바와 같이, 종래의 포토마스크 수정기술에서는 오퍼레이터가 모니터를 이용하여 결함을 형성하는 영역을 좌표점 단위로 포토마스크 수정장치에 입력할 필요가 있었다.
그러나, 차폐막의 정상영역과 결함이 겹쳐 형성된 경우에는, 정상영역과 결함영역의 경계를 모니터로 판정하는 것이 곤란하다. 이 때문에, 종래의 포토마스크 수정 기술로는 오퍼레이터의 작업부담이 방대하다는 결점이 있었다.
본 발명은 이러한 과제에 비추어 발명된 것으로, 결함수정시의 오퍼레이터의 작업부담을 경감시킬 수 있는 포토마스크 수정장치를 제공하는 것을 목적으로 한 다.
본 발명에 관한 포토마스크 수정장치는 포토마스크의 표면에 형성된 차폐막의 결함을 수정하는 포토마스크 수정장치에 있어서, 포토마스크의 결함과 정상영역의 배치관계를 1종류 또는 복수종류의 패턴으로서 기억하는 기억수단과, 포토마스크의 화상정보를 생성하는 촬상(撮像)수단과, 기억수단으로부터 입력된 패턴과, 촬상수단으로부터 입력된 화상정보를 이용하여 결함의 영역을 판정하는 판정수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 발명에 의하면, 차폐막의 결함과 정상영역의 배치관계를 나타내는 패턴과 화상정보를 이용하여 정상영역과 결함의 경계선을 인식할 수 있으므로, 결함수정의 작업부담을 경감시킬 수 있다.
도1은 실시 형태에 관한 포토마스크 수정장치의 구성을 개략적으로 도시하는 블록도,
도2는 본 실시 형태에서 사용하는 흑결함 패턴의 예를 나타내는 개념도,
도3은 실시 형태에 관한 포토마스크 수정장치의 동작을 설명하기 위한 개략 플로우챠트,
도4는 본 실시 형태에서 사용하는 모니터의 표시 화면예를 나타내는 개념도이다.
<발명의 실시형태>
이하, 본 발명의 실시 형태에 관해 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 도면 중, 각 구성성분의 크기, 형상 및 배치관계는 본 발명을 이해할 수 있는 정도로 개략적으로 나타낸 것에 불과하고, 또한, 이하에 설명하는 수치적 조건은 단순한 예시에 지나지않는다.
도1은 본 실시 형태에 관한 포토마스크 수정장치의 구성을 개략적으로 도시하는 블록도이다.
동 도면에 있어서, 집속 이온 빔 장치(110)는 포토마스크의 표면에 형성된 차폐막의 결함을 수정하기 위한 퇴적처리나 에칭처리를 행한다.
메모리(120)는 포토마스크 결함과 정상영역의 배치관계를 후술하는 바와 같은 복수 종류의 결함 패턴으로서 기억한다. 본 실시 형태에서는 결함 패턴으로서, 스폿(spot), 라인, 코너 및 브리지가 메모리(120)에 기억된다(후술의 도2 참조).
2차 이온 검출기(130)는 2차 이온을 검출함으로써 포토마스크의 화상정보를 생성한다.
CPU(Central Processing Unit)(140)는 메모리(120)로부터 결함 패턴을 입력하고, 또한, 2차 이온 검출기(130)로부터 포토마스크의 화상정보를 입력한다. 그리고, 후술하는 바와 같이, 결함 영역을 판별한다.
모니터(150)는 후술하는 바와 같이, 포토마스크의 화상과 결함 패턴의 화상을 표시한다.
입력부(160)는 오퍼레이터가 결함 패턴을 지정할 때나, 수정영역을 지정할 때 등에 사용된다. 입력부(160)로서는 키보드, 마우스 등을 사용할 수 있다.
도2는 메모리(120)에 등록되는 흑결함 패턴의 예를 나타내는 개념도이다.
도2(A)는 스폿·패턴을 나타내고 있다. 이 결함 패턴에서는 결함(211)과 정상영역(도시하지 않음)이 겹쳐져 있지 않다. 후술하는 바와 같이, 수정영역(212)은 오퍼레이터에 의해 지정된다.
도2(B)는 라인·패턴을 도시하고 있다. 이 결함 패턴에서는 정상영역의 라인·패턴(221)과 결함(222)이 겹쳐 형성된다. 후술하는 바와 같이, 수정영역(223)과 점(P1, P2)의 좌표는 오퍼레이터에 의해 지정된다.
도2(C)는 코너·패턴을 도시하고 있다. 이 결함 패턴에서는 정상 영역의 코너·패턴(231)과 결함(232)이 겹쳐 형성된다. 후술하는 바와 같이, 수정영역(233), 점(P3, P4, P5)의 좌표 및 코너 각도는 오퍼레이터에 의해 지정된다.
도2(D)는 브리지·패턴을 도시하고 있다. 이 결함 패턴에서는 정상영역의 2개의 라인·패턴(241, 242)과 결함(243)이 겹쳐 형성된다. 후술하는 바와 같이, 수정영역(244)과 점(P6, P7, P8, P9)의 좌표는 오퍼레이터에 의해 지정된다.
또한, 백결함의 결함 패턴도 차폐막의 유무가 역전하는 것을 제외하고, 도2에 도시한 흑결함의 결함 패턴과 거의 동일하다.
다음에, 본 실시 형태에 관한 포토마스크 수정장치를 이용하여 결함을 수정하는 순서에 대해 도3∼도7을 이용하여 설명한다.
우선, 오퍼레이터가 집속 이온 빔 장치의 스테이지(도시하지 않음)에 포토마스크를 배치한다.
다음에, CPU(140)가 결함검사장치(도시하지 않음)에서 결함이라고 생각되는 영역의 위치나 백결함·흑결함의 구별 등의 정보를 취득한다(도3의 단계 S301 참조). 여기서, 결함검사장치란, 광학계를 이용하여 포토마스크상의 결함을 검색하는 장치이다. 결함검사장치는 공지의 것이므로, 상세한 설명은 생략한다.
또한, CPU(140)는 결함검사장치로부터의 정보를 이용하여 최초에 수정할 결함을 선택한다. 그리고, 스테이지를 이용하여 포토마스크의 위치를 이동시키고(S302 참조), 또한, 선택된 결함을 2차 이온 검출기(130)로 촬상한다(S303 참조). 이 때, CPU(140)는 2차 이온 검출기(130)가 취득한 결함화상을 모니터(150)에 표시한다.
이어서, CPU(140)는 모니터(150)를 이용하여 에칭/퇴적의 선택을 오퍼레이터에게 요구한다(S304). 오퍼레이터는 모니터(150)의 표시화상을 이용하여 결함이 백결함인지 흑결함인지를 판단한다. 그리고, 오퍼레이터는 입력부(160)를 이용하여 백결함의 경우는 퇴적을, 흑결함의 경우는 에칭을, 각각 선택한다.
다음에, CPU(140)는 모니터(150)를 이용하여 이 결함이 결함 패턴(도2 참조)중 어느 것에 적용되는지 여부의 판단을 오퍼레이터에게 요구한다(S305). 오퍼레이터는 입력부(160)를 이용하여 이러한 판단의 결과를 CPU(140)에 입력한다.
여기서, 단계 S305에서 「적용된다」라고 판단된 경우, CPU(140)는 모니터(150)를 이용하여 이 결함에 대응하는 결함 패턴을 지정하도록 오퍼레이터에 대해 요구한다(S306). 오퍼레이터는 입력부(160)를 이용하여 메모리(120)에 등록된 스폿, 라인, 코너 및 브리지의 결함 패턴 중에서 어느 하나를 지정한다.
결함 패턴이 지정되면, CPU(140)는 수정영역 및 점좌표의 지정을 오퍼레이터 에게 요구한다(S307). 여기서, 결함 패턴으로서 코너·패턴이 지정된 경우는, CPU(140)에 의해 수정영역 및 점좌표에 추가하여 코너의 각도의 지정도 요구된다.
도4는 이 때의 모니터(150) 표시화면예를 도시하는 개념도이다. 도4는 단계 S304에서 에칭이 선택되어, 단계 S305에서 「적용된다」가 선택되고, 또한, 단계 S306에서 라인·패턴이 선택된 경우를 나타낸다. 도4에 도시한 바와 같이, 화면영역(401)에는 2차 이온 검출기(130)가 촬상된 화상이 표시되고, 또한, 화면영역(402)에는 오퍼레이터가 선택한 결함 패턴이 표시된다. 또한, 화면영역(403)에는 점좌표의 입력을 요구하는 취지의 표시가 되어 있다.
오퍼레이터는 예컨대, 수정영역의 대향하는 2정점의 좌표를 입력함으로써, 수정영역을 지정한다.
여기서, 결함 패턴이 스폿·패턴의 경우(도2(A) 참조), 수정영역(212)은 이 수정영역(212) 변과 정상영역 변의 교차가 존재하지 않도록, 오퍼레이터에 의해 지정된다.
또한, 라인·패턴의 경우(도2 (B) 참조), 수정영역(223)은 대향하는 2변(223a, 223b)이 정상 라인·패턴(221)의 변(221a)과 2점(즉 점P1, P2)에서 교차하도록 오퍼레이터에 의해 지정된다. 또한, 이들 점(P1, P2)의 좌표도, 오퍼레이터에 의해 지정된다.
코너·패턴의 경우(도2(C) 참조), 수정영역(233)은 인접하는 2변(233a, 233b)이 정상 라인·패턴(231)의 인접하는 2변(231a, 231b)과, 2점(즉 점(P3, P4))에서 교차하도록 오퍼레이터에 의해 지정된다. 또한, 이들 점(P3, P4)의 좌표도 오 퍼레이터에 의해 지정된다. 또한, 이 패턴의 경우, 점(P3, P4)의 좌표에 추가하여, 정상 라인·패턴(231)상의 다른 임의점(P5)과, 코너의 각도도 오퍼레이터에 의해 지정된다.
브리지·패턴의 경우(도2(D) 참조), 수정영역(244)은 대향하는 2변 (244a, 244b)이 정상 라인·패턴(241)과 2점(즉 점(P6, P7)에서 교차하고, 또한, 정상 라인·패턴(242)과 2점(즉 P8, P9)에서 교차하도록 오퍼레이터에 의해 지정된다. 또한, 이들 점(P6, P7, P8, P9)의 좌표도 오퍼레이터에 의해 지정된다.
또한, 백결함의 경우에 영역, 좌표 등을 지정하는 방법도 도2에 도시한 흑결함의 결함 패턴과 거의 같다.
수정영역이나 점좌표 등의 지정이 종료되면, 다음에 CPU(140)는 이들 지정정보를 이용하여 이하와 같이 하여, 에칭가공 또는 퇴적가공을 행하는 영역을 자동적으로 판단한다(S308).
스폿·패턴의 경우, 결함이 존재하는 영역을 그대로 가공영역으로 한다. 즉, 흑결함의 경우는 2차 이온 검출기(130)가 촬상된 화상정보를 이용하여 차폐막이 존재하는 영역을 수정영역에서 추출하여, 가공영역으로 한다. 또한, 백결함의 경우는 차폐막이 존재하지 않는 영역을 수정영역에서 추출하여 가공영역으로 한다.
라인·패턴의 경우, 우선, 점(P1, P2)을 통과하는 직선(도2의 변(221a)과 일치한다)을 구하고, 이 직선을 정상 패턴(221)과 결함(222)의 경계선으로 판단한다. 다음에, 이 경계선(221a)으로 수정영역(223)을 분할한다. 여기서, 흑결함의 경우에는 2개의 분할영역 중, 전역에 차폐막이 존재하는 쪽을 정상 패턴으로 판단한다. 그리고, 다른쪽 분할영역 중, 차폐막이 존재하는 영역을 가공영역으로 한다. 한편, 백결함의 경우에는 2개의 분할영역 중, 전역에 차폐막이 존재하지 않는 쪽을 정상 패턴으로 판단한다. 그리고, 다른쪽 분할영역 중, 차폐막이 존재하지 않는 영역을 가공영역으로 한다.
코너·패턴의 경우, 점(P3)을 통과하는 직선, 점(P4, P5)을 통과하는 직선 및 각도 정보를 이용하여 정상 패턴(221)과 결함(222)을 분할하는 경계선을 판단한다. 그리고, 흑결함의 경우에는 2개의 분할영역 중 전역에 차폐막이 존재하는 쪽을 정상 패턴으로 판단하고, 또한, 다른쪽 분할영역 중 차폐막이 존재하는 영역을 가공영역으로 한다. 한편, 백결함의 경우에는 2개의 분할영역 중 전역에 차폐막이 존재하지 않는 쪽을 정상 패턴으로 판단하고, 다른쪽 분할영역 중 차폐막이 존재하지 않는 영역을 가공영역으로 한다.
브리지·패턴의 경우, 점(P6, P7, P8, P9)을 정점으로 하는 직사각형 영역 이외의 영역을 정상 패턴으로 판단한다. 그리고, 흑결함의 경우에는 점(P6, P7, P8, P9)을 정점으로 하는 직사각형 영역 중, 차폐막이 존재하는 영역을 가공영역으로 한다. 한편, 백결함의 경우에는 이러한 직사각형 영역 중, 차폐막이 존재하지 않는 영역을 가공영역으로 한다.
가공영역이 결정되면, CPU(140)는 이 가공영역을 모니터(150)상에 표시하고, 오퍼레이터에게 확인을 구한다(S309). 오퍼레이터는 가공영역의 판단이 옳은지 여부를 모니터(150) 상에서 확인하고, 입력부(160)를 이용하여 확인결과를 CPU(140)에 입력한다.
가공영역의 판단이 옳은 경우, CPU(140)는 이 가공영역을 표시하는 정보를 집속 이온 빔 장치(110)로 보낸다.
최후에, 집속 이온 빔 장치(110)에 의해, 가공이 실행된다(S310). 이 가공에서는 흑결함의 경우에는 가공영역의 차폐막이 에칭에 의해 제거된다. 또한, 백결함의 경우에는 가공영역에 차폐막 형성재료가 퇴적된다.
한편, 단계 S305에서 오퍼레이터가 결함 패턴(도2 참조)중 어디에도 적용되지 않는 결함이라고 판단한 경우에는 단계 S306∼단계 S309는 실행되지 않는다. 이 경우에는 오퍼레이터는 종래와 동일한 수조작으로 가공영역을 지정한다(S311). 또한, 단계 S309에서 가공영역의 판단이 잘못된 입력이 행해진 경우도, 오퍼레이터는 종래와 같은 수조작으로 가공영역을 지정한다(S311). 수조작으로 둘러싸인 영역이 지정된 경우도, CPU(140)는 이 가공영역을 표시하는 정보를 집속 이온 빔 장치(110)로 보낸다. 그리고, 집속 이온 빔 장치(110)에 의해 가공이 실행되어(S310), 최초의 결함 수정을 종료한다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는 오퍼레이터가 수정영역의 대략적 지정, 0∼4점의 좌표 지정 및 각도 지정을 행하는 것만으로 포토마스크 수정을 행할 수 있다. 즉, 이 실시의 형태에 의하면, 오퍼레이터의 작업부담을 경감시키는 것이 가능하다.
이상 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 포토마스크 수정장치에 의하면, 결함수정시의 오퍼레이터 작업부담을 경감시킬 수 있다.

Claims (5)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 포토마스크의 표면에 형성된 차폐막의 결함을 수정하는 포토마스크 수정장치에 있어서,
    상기 포토마스크의 상기 결함과 정상영역의 배치관계를 1종류 또는 복수 종류의 패턴으로서 기억하는 기억수단과,
    상기 포토마스크의 화상정보를 생성하는 촬상수단(撮像手段)과,
    상기 기억수단으로부터 입력한 상기 패턴과, 상기 촬상수단으로부터 입력된 상기 화상정보를 이용하여 상기 결함을 이루는 영역을 판정하는 판정수단
    을 구비하고,
    상기 기억수단이, 상기 패턴으로서, 상기 결함을 포함하는 수정영역의 변과 상기 정상영역 변의 교차가 존재하지 않는 패턴과, 상기 수정영역의 대향하는 2변이 상기 정상영역의 1변과 각각 1점에서 교차하는 패턴과, 상기 수정영역의 인접하는 2변이 상기 정상영역의 인접하는 2변과 각각 1점에서 교차하는 패턴과, 상기 수정영역의 대향하는 2변이 두군데의 정상영역의 대향하는 변과 각각 2점에서 교차하는 패턴 중, 적어도 어느 하나를 기억하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 수정장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6791815B1 (en) * 2000-10-27 2004-09-14 Ion Systems Dynamic air ionizer and method
US6964031B2 (en) * 2001-09-29 2005-11-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask pattern generating method and manufacturing method of semiconductor apparatus
JP4137762B2 (ja) * 2003-10-21 2008-08-20 富士通株式会社 配線切断方法、及び配線切断装置
JP4851253B2 (ja) * 2006-07-05 2012-01-11 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置、及び描画装置におけるエラー検出方法
KR100899391B1 (ko) 2007-06-28 2009-05-27 주식회사 하이닉스반도체 부분 노광 장치 및 이를 이용한 포토마스크의 결함 수정방법
US8815474B2 (en) 2007-08-10 2014-08-26 Hitachi High-Tech Science Corporation Photomask defect correcting method and device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036410A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン検査装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60103617A (ja) * 1983-11-11 1985-06-07 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 欠陥検査修正装置
US5798193A (en) * 1997-05-16 1998-08-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to accurately correlate defect coordinates between photomask inspection and repair systems

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036410A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン検査装置

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