JP4137762B2 - 配線切断方法、及び配線切断装置 - Google Patents
配線切断方法、及び配線切断装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4137762B2 JP4137762B2 JP2003361072A JP2003361072A JP4137762B2 JP 4137762 B2 JP4137762 B2 JP 4137762B2 JP 2003361072 A JP2003361072 A JP 2003361072A JP 2003361072 A JP2003361072 A JP 2003361072A JP 4137762 B2 JP4137762 B2 JP 4137762B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- cutting
- cut
- ion beam
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K17/00—Use of the energy of nuclear particles in welding or related techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
- H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
- H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/961—Ion beam source and generation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
近年、半導体集積回路(LSI)における高集積化及び高機能化が図られており、LSIの開発段階では、多くの回路論理の修正が必要となっている。具体的に、LSIにおいて論理ミスやレイアウトミスなどが原因で回路が正常に動作しない場合、ミスがあった箇所の配線を切断するために集束イオンビーム加工が用いられる。その集束イオンビームによる配線の切断を確実に行うための技術が望まれている。
「集束イオン・ビーム・テクニックを利用した、回路修正機能による迅速なデザイン・デバッグの実現」、[online]、平成11年6月23日、アイ・ビー・エム、[平成15年9月16日検索]、インターネット<URL:http://www-6.ibm.com/jp/chips/v5#1/mn51011.html>
請求項4に記載の発明では、切断対象となる配線が銅配線である。この銅配線はアルミニウム配線と比べると切断屑によるショートが問題となるため、上記のように未付着部を有するカット形成とすることより、その問題を確実に解消することができる。
図1は、配線切断装置としての集束イオンビーム加工装置(FIB装置)の概略構成を示すブロック図である。
(1)イオンビームB1による切断加工の形状をH形状とし、加工部30の内周壁面に切断屑19aが付着しない未付着部32a,33aを形成するようにした。この場合、切断屑19aによる電気的ショートを防止することができ、複雑なノウハウを必要とするガス支援エッチングを用いなくても、銅配線19を確実に切断できる。
・上記実施形態では、H形状の加工により銅配線19を切断するものであったが、それ以外にコ字状やZ形状の加工により銅配線19を切断してもよい。要は、銅配線19のカット形状として、切断屑19aが付着しない部位(未付着部)を有する形状であればよい。
18 半導体基板
19 銅配線
19a 切断屑
21 コントローラ
23 メモリ
24 入力部
31 第1の矩形部
32 第2の矩形部
32a,33a,36a 未付着部
33 第3の矩形部
B1 イオンビーム
Claims (9)
- 半導体基板に形成されている配線を集束イオンビーム加工により切断する配線切断方法であって、
前記集束イオンビームを走査して、前記配線を切断する矩形部と、該矩形部の両端に形成され、前記配線の切断屑が付着しない未付着部とを有するカット形状となるよう加工することを特徴とする配線切断方法。 - 前記カット形状は、前記配線を切断する第1の矩形部と、該第1の矩形部の両端にて該矩形部と交差するよう設けられた第2及び第3の矩形部とを有する形状であることを特徴とする請求項1に記載の配線切断装置。
- 前記カット形状がH形状であることを特徴とする請求項1に記載の配線切断方法。
- 前記配線は銅配線であることを特徴とする請求項1に記載の配線切断方法。
- 半導体基板に形成されている配線を集束イオンビーム加工により切断する配線切断装置であって、
前記配線の切断位置を設定するための入力部が設けられ、該切断位置に基づいて前記集束イオンビームの走査を制御するコントローラを備え、
前記コントローラは、前記集束イオンビームの走査を制御することにより、前記配線を切断する矩形部と、該矩形部の両端に形成され、前記配線の切断屑が付着しない未付着部とを有するカット形状となるよう加工することを特徴とする配線切断装置。 - 前記カット形状がH形状であることを特徴とする請求項5に記載の配線切断装置。
- 前記切断位置として、前記矩形部の両端に対応する2点の位置を設定することを特徴とする請求項5に記載の配線切断装置。
- 前記コントローラは、前記カット形状に応じたパターンデータを記憶するメモリを備え、該パターンデータを用いて前記集束イオンビームの走査を制御することを特徴とする請求項5に記載の配線切断装置。
- 前記メモリには、複数種類のカット形状に応じたパターンデータが記憶され、前記コントローラは前記配線の形成材料に応じて、前記カット形状を変更する機能を有することを特徴とする請求項8に記載の配線切断装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003361072A JP4137762B2 (ja) | 2003-10-21 | 2003-10-21 | 配線切断方法、及び配線切断装置 |
US10/708,587 US7037732B2 (en) | 2003-10-21 | 2004-03-12 | Method and device for cutting wire formed on semiconductor substrate |
KR1020040020732A KR101021837B1 (ko) | 2003-10-21 | 2004-03-26 | 배선 절단 방법, 배선 절단 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CNB2004100314471A CN100336177C (zh) | 2003-10-21 | 2004-03-31 | 用于切割在半导体衬底上形成的导线的方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003361072A JP4137762B2 (ja) | 2003-10-21 | 2003-10-21 | 配線切断方法、及び配線切断装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005129592A JP2005129592A (ja) | 2005-05-19 |
JP4137762B2 true JP4137762B2 (ja) | 2008-08-20 |
Family
ID=34509928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003361072A Expired - Fee Related JP4137762B2 (ja) | 2003-10-21 | 2003-10-21 | 配線切断方法、及び配線切断装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7037732B2 (ja) |
JP (1) | JP4137762B2 (ja) |
KR (1) | KR101021837B1 (ja) |
CN (1) | CN100336177C (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7169752B2 (en) * | 2003-09-30 | 2007-01-30 | New River Pharmaceuticals Inc. | Compounds and compositions for prevention of overdose of oxycodone |
JP2009124079A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造ライン |
JP5388509B2 (ja) | 2008-08-26 | 2014-01-15 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8637982B2 (en) | 2012-04-18 | 2014-01-28 | Sandisk Technologies Inc. | Split loop cut pattern for spacer process |
JP6549466B2 (ja) * | 2015-10-22 | 2019-07-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN112730006B (zh) * | 2021-02-05 | 2022-11-29 | 上海市计量测试技术研究院 | 一种孔面离子通道衬度试样的制备方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59168652A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 素子修正方法及びその装置 |
JP2569139B2 (ja) * | 1988-08-24 | 1997-01-08 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム加工方法 |
JPH0562638A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
US5821549A (en) * | 1997-03-03 | 1998-10-13 | Schlumberger Technologies, Inc. | Through-the-substrate investigation of flip-chip IC's |
TW400554B (en) * | 1997-07-25 | 2000-08-01 | United Microelectronics Corp | The removing method for the thin film layer involved in the semiconductor device |
JP3660113B2 (ja) * | 1997-11-13 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置、その製造方法および不良ビット救済システム |
US6467426B1 (en) * | 1999-04-21 | 2002-10-22 | Seiko Instruments Inc. | Photomask correction device |
US6407001B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-06-18 | Intel Corporation | Focused ion beam etching of copper |
US6653240B2 (en) * | 2001-01-12 | 2003-11-25 | International Business Machines Corporation | FIB/RIE method for in-line circuit modification of microelectronic chips containing organic dielectric |
US6514866B2 (en) * | 2001-01-12 | 2003-02-04 | North Carolina State University | Chemically enhanced focused ion beam micro-machining of copper |
EP1423870A2 (en) * | 2001-08-27 | 2004-06-02 | Nptest, Inc. | Process for charged particle beam micro-machining of copper |
KR100442868B1 (ko) * | 2002-01-23 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 퓨즈 형성방법 |
US6987067B2 (en) * | 2002-08-21 | 2006-01-17 | International Business Machines Corporation | Semiconductor copper line cutting method |
-
2003
- 2003-10-21 JP JP2003361072A patent/JP4137762B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-12 US US10/708,587 patent/US7037732B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-26 KR KR1020040020732A patent/KR101021837B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-03-31 CN CNB2004100314471A patent/CN100336177C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050038540A (ko) | 2005-04-27 |
KR101021837B1 (ko) | 2011-03-17 |
US20050085088A1 (en) | 2005-04-21 |
CN100336177C (zh) | 2007-09-05 |
CN1610067A (zh) | 2005-04-27 |
US7037732B2 (en) | 2006-05-02 |
JP2005129592A (ja) | 2005-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6088518A (en) | Method and system for porting an integrated circuit layout from a reference process to a target process | |
JP4137762B2 (ja) | 配線切断方法、及び配線切断装置 | |
KR20010007252A (ko) | 리페어용 퓨즈를 구비한 반도체 장치 및 퓨즈의 레이저트리밍 방법 | |
JP2005098885A (ja) | 集積回路パターン検証装置と検証方法 | |
CN105378565A (zh) | 使用直写光刻的集成电路制造 | |
CN112731866B (zh) | 多轴加工***及其加工方法、装置、计算机可读存储介质 | |
KR100235076B1 (ko) | 근접효과 및 현상처리에 의한 에러를 정정할 수 있는 고속마스크 패턴 형성방법 | |
US4527041A (en) | Method of forming a wiring pattern on a wiring board | |
JP2766576B2 (ja) | アライメント方法 | |
US6757629B2 (en) | Calibration plate having accurately defined calibration pattern | |
US4524280A (en) | Method for detecting displacement of semiconductor device | |
US6295631B1 (en) | Method for determining the compensation value of the width of a wire by measuring the resistance of the wire | |
US20030095699A1 (en) | Method for applying a defect finder mark to a backend photomask making process | |
JP4398061B2 (ja) | コンタクトプローブの製造方法 | |
JP2975843B2 (ja) | 測長用モニター | |
JP2007155701A (ja) | 半導体素子のcd測定方法及びその測定装置 | |
JP5098138B2 (ja) | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 | |
US7317523B2 (en) | Method for calibrating a metrology tool and a system | |
JP3001587B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
JP2667275B2 (ja) | 半導体装置の解析用試料製作方法および解析用試料の記号付け装置 | |
KR101304389B1 (ko) | 레이저 트리밍 방법 | |
JP4609992B2 (ja) | Fib自動加工時のドリフト補正方法及び装置 | |
JP2004030999A (ja) | 荷電粒子ビーム加工方法及びその装置 | |
JPH11307429A (ja) | パターン図形の分割方法 | |
JPH04280698A (ja) | プリント配線板の導電性パターンの切断方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080520 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080604 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140613 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |