KR100714628B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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KR100714628B1
KR100714628B1 KR1020060024917A KR20060024917A KR100714628B1 KR 100714628 B1 KR100714628 B1 KR 100714628B1 KR 1020060024917 A KR1020060024917 A KR 1020060024917A KR 20060024917 A KR20060024917 A KR 20060024917A KR 100714628 B1 KR100714628 B1 KR 100714628B1
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윤재준
이준길
김창욱
조재우
신옥희
김영택
김홍민
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삼성전기주식회사
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Abstract

발광 다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명은 적어도 하나의 발광칩이 배치되는 캐비티를 구비하는 패키지 본체를 갖추고, 상기 발광칩과 기판사이를 전기적으로 연결하도록 상기 패키지 본체에 리드프레임을 구비하는 발광 다이오드 패키지에 있어서, 상기 리드 프레임은 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 제1,2 전극 리드와, 상기 제1,2 전극 리드로부터 연장되어 상기 기판의 상부면에 패턴인쇄된 랜드부와 전기적으로 연결되는 제1,2 랜드 리드를 갖추며, 상기 제1,2 랜드 리드는 상기 패키지 본체의 양측면으로부터 상기 제1,2 전극 리드의 길이방향으로 일정길이 연장되어 상기 패키지 본체의 양측면과 나란하도록 절곡되는 제1 절곡부와, 상기 제1 절곡부의 단부로부터 상기 제1,2 전극 리드의 폭방향으로 일정길이 연장되어 상기 패키지 본체의 전면과 나란하도록 절곡되는 제2 절곡부 및 상기 제2 절곡부의 단부로부터 연장되어 상기 랜드부에 전기적으로 연결되는 탑재 단자부를 포함함을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
다이오드, 발광칩, 리드 프레임, 전극 리드, 랜드 리드, 절곡부

Description

발광 다이오드 패키지{Light Emitting Diode Package}
도 1은 종래 발광다이오드 패키지가 백라이트 유닛에 채용되는 설치상태도이다.
도 2(a)(b)(c)는 종래 발광 다이오드 패키지의 평면도, 정면도 및 측면도이다.
도 3(a)(b)(c)는 종래 발광 다이오드 패키지에 구비되는 리드 프레임의 절곡포밍을 도시한 상태도이다.
도 4은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 5(a)(b)(c)는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도, 정면도 및 측면도이다.
도 6(a)(b)(c)는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지에 구비되는 리드 프레임의 절곡포밍을 도시한 상태도이다.
도 7은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지에 구비되는 리드 프레임의 절곡포밍전 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 발광칩 115 : 금속 와이어
120 : 패키지 본체 120a : 전면
120b,120c : 양측면 130 : 리드 프레임
131,132 : 전극 리드 133,134 : 랜드 리드
133a,134a : 제1 절곡부 133b,134b : 제2 절곡부
133c,134c : 탑재 단자부 X : 광추출방향
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세히는 리드부의 포밍시 기판에 형성된 패턴 형태에 따라 형상, 위치 및 길이를 자유롭게 변경하고, 리드부의 납땜시 발생되는 열이 패키지 본체로 전달되는 경로를 길게 하여 열적 손상을 최소화할 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 양공)를 만들어 내고, 이들의 재결합(再結合)에 의하여 전기 에너지를 빛 에너지로 바꾸어 주어 발광시키는 전자부품이다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때 보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다.
이러한 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있음으로 가전 제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기 등에 사용된다.
도 1은 종래 발광다이오드 패키지가 백라이트 유닛에 채용되는 설치상태도로써, 상기 백라이트 유닛(50)은 기판(52)상에 평탄한 도광판(54)이 배치되고, 그 일측면에는 복수의 발광 다이오드 패기지(1)가 어레이 형태로 배치된다.
상기 발광 다이오드 패키지(1)에서 도광판(54)으로 입사된 빛(L)은 도광판(54)의 밑면에 제공된 미세한 반사 패턴 또는 반사 시트(56)에 의해 상부로 반사되어 도광판(54)에서 출사된 다음 도광판(54) 상부의 LCD 패널(58)에 백라이트인 광원을 제공하게 된다.
여기서, 상기 발광 다이오드 패키지(1)는 외부면으로 노출되는 리드프레임의 랜드용 리드가 기판상에 납땜되어 전기적으로 연결된다.
도 2(a)(b)(c)는 종래 발광 다이오드 패키지를 도시한 평면도, 정면도 및 측면도로써, 도시한 바와같이, 종래의 발광 다이오드 패키지(1)는 발광칩(10)과 이를 수용하는 캐비티를 형성할 수 있도록 사출 성형되는 패키지 본체(20)를 구비하며, 상기 패키지 본체(20)의 사출 성형시 이에 일체로 구비되는 리드 프레임(30)은 상기 발광칩(10)이 상부면에 탑재되는 제1 전극 리드(31)와, 상기 발광칩(10)에 일단이 와이어 본딩된 금속 와이어(15)의 타단이 와이어 본딩되는 제2 전극 리드(32)를 구비한다.
상기 제1,2 전극 리드(31)(32)의 타단에 해당하는 제1,2 랜드 리드(33)(34)는 상기 기판(52)의 상부면과 대응하는 패키지 본체(20)의 전면(20a)에 배치되도록 절곡되어 포밍된다.
도 3(a)(b)(c)는 종래 발광 다이오드 패키지에 구비되는 리드 프레임의 절곡포밍을 도시한 상태도이다.
상기 리드 프레임(30)을 구성하는 제1,2 전극리드(31)(32)로부터 연장되는 제1,2 랜드 리드(33)(34)은 도 3(a)에 도시한 바와 같이, 상기 패키지 본체(20)의 전면(20a)을 통하여 전방으로 노출된다.
그리고, 상기 패키지 본체(20)의 전면(20a)에 'ㄱ'자형으로 노출되는 제1,2 랜드 리드(33)(34)의 단부(33a)(34a)는 도 3(b)에 도시한 바와 같이, 상기 발광칩(10)의 발광시 빛이 출사되는 광추출방향(X)으로 1차로 절곡된다.
연속하여, 상기 단부(33a)(34a)가 절곡된 제1,2 랜드 리드(33)(34)는 도 3(c)에 도시한 바와 같이, 패키지 본체(20)로부터 노출되는 부위(T)를 기준으로 하여 상기 기판(52)의 상부면에 패턴인쇄된 랜드부(미도시)와 대응하여 납땜되는 탑재 단자부(33b)(34b)를 구비하도록 상기 패키지 본체(20)의 전면(20a)측으로 2차로 절곡된다. 이때, 상기 제1,2 랜드 리드(33)(34)의 단부(33a)(33b)는 상기 패키지 본체(20)의 양측면(20b)(20c)에 각각 배치되는 것이다.
한편, 이러한 종래의 발광 다이오드 패키지(1)가 탑재되는 기판(52)의 회로패턴이 변경되어 상기 제1,2 랜드 리드(33)(34)의 탑재 단자부(33b)(34b)가 납땜되는 랜드부의 위치가 변경되는 경우, 변경된 랜드패턴에 맞추어 상기 제1,2랜드 리드(33)(34)의 형상을 가변시켜 탑재 단자부(33b)(34b)의 위치를 변경해야만 한다.
그러나, 상기 패키지 본체(20)의 전면(20a)으로 노출되는 제1,2 랜드 리드(33)(34)은 상기 패키지 본체(20)로부터 노출되기 시작하는 부위(T)를 기준으로 하 여 2차로 절곡되는 위치를 가변시킴으로서, 탑재 단자부(33b)(34b)의 위치를 광추출방향(X)으로만 가변시킬 수 있기 때문에, 광추출 방향(X)과 직교하는 좌측 또는 우측 방향으로 변경된 기판(52)의 랜드패턴에 맞추어 제1,2 랜드 리드(33)(34)의 탑재 단자부(33b)(34b)의 위치를 변경하여 조정하는 것이 곤란하였다.
또한, 상기 탑재 단자부(33b)(34b)의 위치를 광추출방향(X)으로 가변시키는 경우, 상기 기판의 랜드부와 납땜되는 탑재 단자부(33b)(34b)의 면적이 줄어들기 때문에, 탑재후 기판간의 접속면적이 축소되어 전기적인 접속신뢰성 및 기계적인 접착신뢰성을 저하시키게 된다.
그리고, 상기 탑재 단자부(33b)(34b)를 기판의 랜드부에 대응시켜 납땜하는 과정, 상기 발광칩(10)이 탑재되는 제1,2 전극 리드(31)(32)와 상기 제1,2 랜드 리드(33)(34)의 탑재 단자부(33b)(34b)간의 거리가 짧고, 탑재 단자부(33b)(34b)가 패키지본체(20)의 전면에 근접하기 때문에, 납땜시 발생된 열이 발광칩(10)까지 빠르게 전달되어 발광칩(10) 및 수지물로 이루어진 패키지본체(20)의 열적손상을 유발하게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로써, 그 목적은 기판의 랜드패턴의 다양한 설계변경시 이에 맞추어 랜드 리드의 형상, 길이 및 위치를 자유롭게 변경하여 설계자유도를 높일 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 랜드 리드의 절곡위치변경에 관계없이 탑재 단자부와 기판간의 접속면적을 일정하게 유지할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명의 또다른 목적은, 열이 리드프레임을 통하여 전달되는 경로를 보다 길게 연장하여 납땜시 열적손상을 최소화하고자 하는 발광 다이오드 패키지를 제공하고자 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 적어도 하나의 발광칩이 배치되는 캐비티를 구비하는 패키지 본체를 갖추고, 상기 발광칩과 기판사이를 전기적으로 연결하도록 상기 패키지 본체에 리드프레임을 구비하는 발광 다이오드 패키지에 있어서, 상기 리드 프레임은 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 제1,2 전극 리드와, 상기 제1,2 전극 리드로부터 연장되어 상기 기판의 상부면에 패턴인쇄된 랜드부와 전기적으로 연결되는 제1,2 랜드 리드를 갖추며, 상기 제1,2 랜드 리드는 상기 패키지 본체의 양측면으로부터 상기 제1,2 전극 리드의 길이방향으로 일정길이 연장되어 상기 패키지 본체의 양측면과 나란하도록 절곡되는 제1 절곡부와, 상기 제1 절곡부의 단부로부터 상기 제1,2 전극 리드의 폭방향으로 일정길이 연장되어 상기 패키지 본체의 전면과 나란하도록 절곡되는 제2 절곡부 및 상기 제2 절곡부의 단부로부터 연장되어 상기 랜드부에 전기적으로 연결되는 탑재 단자부를 포함함을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
바람직하게, 상기 제1,2 절곡부는 포밍시 절곡변형이 보다 용이하게 이루어질 수 있도록 상기 탑재 단자부의 폭보다 좁은 크기로 구비된다.
바람직하게는 상기 패키지 본체의 캐비티내에는 발광칩을 외부환경으로 부터 보호하도록 투명수지가 충진된다.
보다 바람직하게는 상기 투명수지에는 상기 발광칩의 발광시 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질이 포함된 형광체가 포함된다.
이하,본 발명에 대하여 첨부된 도면에 따라 보다 상세히 설명한다.
도 4은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이고, 도 5(a)(b)(c)는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도, 정면도 및 측면도이다.
본 발명의 발광 다이오드 패키지(100)는 도 4와 도 5(a)(b)(c)에 도시한 바와 같이, 기판에 인쇄된 랜드패턴의 다앙한 설계변경에 맞추어 리프 프레임의 포밍시 리드 프레임의 형상, 길이 및 위치를 변경할 수 있는 것으로, 이는 발광칩(110), 패키지 본체(120) 및 리드 프레임(130)를 포함하여 구성된다.
상기 발광칩(110)은 전원인가시 빛을 발생시키도록 리드 프레임(130)에 전기적으로 연결되도록 탑재되는 발광소자이다.
여기서, 상기 발광칩(110)은 활성층과 이를 감싸는 클래드층으로 이루어지는 GaAlAs계, 고밀도 광디스크의 적색 반도체 레이저소자에 사용되는 AlGaIn계, AlGaInP계, AlGaInPAs계와, 트랜지스터등의 전자 디바이스에 사용되는 GaN계등과 같은 재료를 이용하여 구성되지만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 반도체 재료로 다양하게 구성될 수 있다.
한편, 상기 발광칩(110)은 P극과 N극을 상,하부면에 각각 형성한 수직형 반도체 소자로 구비되는 것으로 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며 P극과 N극을 상부면에 동시에 형성한 수평형 반도체소자로 구비될 수도 있다.
이에 따라, 상기 발광칩(110)이 수직형으로 구비되는 경우, 이는 금속재를 매개로 하여 리드 프레임(130)의 제1 전극 리드(131)에 유테틱본딩(Eutectic Bonding), 솔더링(Soldering)되거나 전도성 접착제를 매개로 하여 제1 전극 리드(131)에 다이 본딩되고, 하나의 금속 와이어(115)를 매개로 하여 제2 전극 리드(132)와 전기적으로 연결된다.
또한, 상기 발광칩(110)이 수평형으로 구비되는 경우, 이는 상기 제1 전극 리드(131)상에 접착제를 매개로 탑재된 상태에서 2개의 금속 와이어(115)를 매개로 하여 상기 제 1,2 전극 리드(131)(132)와 전기적으로 각각 연결되는 와이어 본딩 구조를 갖는다.
상기 리드 프레임(130)의 제1 전극 리드(131)에 다이 본딩된 발광칩(110)은 금속 와이어(115)를 매개로 하여 상기 제1 전극 리드(131)와 일정간격을 두고 배치된 제2 전극 리드(132)에 와이어 본딩된다.
상기 패키지 본체(120)는 몸체 중앙에 상부로 개구된 일정 크기의 캐비티를 형성하도록 수지물로 사출 성형되는 구조물이며, 이러한 패키지 본체(120)에 형성된 캐비티의 바닥면에는 상기 발광칩(110)과 전기적으로 연결되는 리드 프레임 (130)의 제1,2 전극 리드(131)(132)가 노출된다.
또한, 상기 패키지 본체(120)의 캐비티의 내부면은 일정 각도로 경사진 경사면으로 구비하고, 상기 경사면에는 상기 발광칩(110)에서 발광된 빛을 반사하도록 반사물질이 고르게 도포된 반사부(117)를 구비한다.
여기서, 상기 발광칩(110)이 배치되는 패키지 본체(120)의 캐비티내에는 발광칩(110) 및 금속 와이어(115)을 외부환경으로 부터 보호할 수 있도록 투명수지가 충진된다.
그리고, 상기 투명수지에는 상기 발광칩(110)의 발광시 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질이 포함된 형광체가 포함되는 것이 바람직하다.
이러한 경우, 상기 발광칩(110)의 발광시 반도체소재의 차이에 따라 발생되는 R,G,B 파장대의 빛은 상기 투명수지에 포함된 형광체에 의해서 백색광으로 전환되어 백색광의 광원으로 제공되는 것이다.
상기 리드 프레임(130)은 상기 패키지 본체(120)의 성형시 그 내부에 고정되고 상기 패키지 본체(120)의 캐비티를 통하여 상부면 일부가 노출되어 상기 발광칩(110)이 탑재되는 한쌍의 제1,2 전극 리드(131)(132)와, 상기 제1,2 전극리드(131)(132)로부터 연장되어 상기 패키지 본체(120)의 좌우 양측면(120b)(120c)으로 각각 노출되어 기판에 패턴인쇄된 랜드단자부(미도시)와 전기적으로 접속되도록 납땜되는 한쌍의 제1,2 랜드 리드(133)(134)로 이루어지는 전도성 금속구조물로 구성된다.
이러한 상기 리드 프레임(130)은 구리, 니켈, 철중 어느 하나의 금속재 또는 이들을 적어도 하나이상 포함하는 합금재로 구성되고, 그 외부면은 니켈, 은, 금중 어느 하나의 금속재 또는 이들을 적어도 하나 이상 포함하는 합금재로 도금처리된다.
상기 패키지 본체(130)의 양측면(120b)(120c)으로부터 외부로 노출되는 제1,2 랜드 리드(133)(134)는 제1 절곡부(133a)(134a)와, 제2 절곡부(133b)(134b) 및 탑재부(133c)(134c)를 포함하여 구성된다.
상기 제1 절곡부(133a)(134a)는 상기 발광칩(110)에서 발생된 빛이 출사되는 광추출방향(X)과 직교하는 제1,2 전극 리드(131)(132)의 길이방향으로 상기 패키지 본체(120)로부터 멀어지도록 일정길이 연장된다.
상기 제1 절곡부(133a)(134a)의 길이중간의 임의위치에 형성되는 가상의 절곡선을 기준으로 하여 선단을 광추출방향(X)인 상방으로 90도 절곡하게 되면, 절곡부위는 상기 패키지 본체(120)의 양측면(120b)(120c)과 나란하게 된다.
여기서, 상기 제1 절곡부(133a)(134a)가 절곡되는 절곡선의 임의 위치에 따라서 상기 패키지 본체(120)의 전면(120a)에 위치되는 탑재부(133c)(134c)의 위치를 발광칩(110)측으로 근접시키거나 멀어지도록 변경할 수 있는 것이다.
즉, 상기 제1 절곡부(133a)(134a)의 절곡이 이루어지는 절곡선이 패키지본체(120)의 양측면(120b)(120c)에 근접하게 되면, 상기 탑재부(133c)(134c)의 위치는 패키지 본체(120)의 전면(120a)에서 발광칩(110)측으로 이동되는 반면에, 상기 제1 절곡부(133a)(134a)의 절곡이 이루어지는 절곡선이 제2 절곡부(133b)(134b)에 근접하게 되면, 상기 탑재부(133c)(134c)의 위치는 패키지 본체(120)의 전면(120a)에서 발광칩(110)으로부터 멀어지는 방향으로 수평 이동시킬 수 있는 것이다.
또한, 상기 제2 절곡부(133b)(134b)는 상기 제1 절곡부(133a)(134a)의 외측 단부로부터 상기 제1,2 전극 리드(131)(132)의 폭방향인 직각방향으로 일정길이 연장된다.
상기 제2 절곡부(133b)(134b)의 길이중간의 임의위치에 형성되는 가상의 절곡선을 기준으로 하여 선단을 패키지 본체(120)의 전면(120a)측으로 90도 절곡하게 되면, 절곡부위는 상기 패키지 본체(120)의 전면(120a)과 나란하게 된다.
여기서, 상기 제1 절곡부(133a)(134a)와 마찬가지로 상기 제2 절곡부(133b)(134b)가 절곡되는 절곡선의 임의 위치에 따라서 상기 패키지 본체(120)의 전면(120a)에 위치되는 탑재부(133c)(134c)의 위치를 광추출방향 또는 그 반대방향으로 변경할 수 있는 것이다.
즉, 상기 제2 절곡부(133b)(134b)의 절곡이 이루어지는 절곡선이 상기 제 1 절곡부(133a)(133a)에 근접하게 되면, 상기 탑재부(133c)(134c)의 위치는 패키지 본체(120)의 전면(120a)에서 광추출방향(X)으로 이동되는 반면에, 상기 제2 절곡부(133b)(134b)의 절곡이 이루어지는 절곡선이 탑재부(133c)(134c)에 근접하게 되면, 상기 탑재부(133c)(134c)의 위치는 패키지 본체(120)의 전면(120a)에서 광추출방향(X)의 정반대 방향으로 수직 이동시킬 수 있는 것이다.
상기 탑재 단자부(133c)(134c)는 상기 제2 절곡부(133b)(134b)의 외측단부로부터 직각방향으로 연장되어 상기 기판의 상부면에 패턴인쇄된 랜드부와 납땜재를 매개로 하여 전기적으로 연결된다.
여기서, 상기 제1,2 절곡부(133a)(134a)(133b)(134b)는 포밍시 절곡변형이 보다 용이하게 이루어질 수 있도록 상기 탑재 단자부(133c)(134c)의 폭보다 좁은 크기로 구비되는 것이 바람직하다.
상기한 구성의 발광 다이오드 패키지(100)는 제1,2 전극 리드(131)(132)와 제1,2 랜드 리드(133)(134)로 이루어진 리드 프레임(130)을 패키지 본체(120)에 일체화하면서 캐비티를 형성하도록 상기 패키지 본체(120)를 사출성형한다.
상기 패키지 본체(120)의 캐비티를 통하여 상부노출되는 제1 전극 리드(131)상에 발광칩(110)을 탑재하고, 이는 금속 와이어(115)를 매개로 제2 전극 리드(132)와 와이어 본딩하여 발광칩(110)을 리드 프레임(130)상에 전기적으로 연결한다.
이어서, 상기 패키지 본체(120)의 외부면으로 노출된 리드 프레임(130)을 절단하게 되면, 도 6(a)와 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 패키지 본체(120)의 양측면(120b)(120c)으로 노출되어 'ㄷ'자형의 랜드 리드(133)(134)를 구비하게 되며, 이들은 포밍전 동일한 평면상에 배치되는 제 1,2절곡부(133a)(134a)(133b)(134b) 및 탑재 단자부(133c)(134c)로 구성된다.
이러한 상태에서, 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 상기 제1 절곡부(133a)(134a)와 탑재 단자부(133c)(134c)사이를 연결하고 패키지 본체(110)의 양측면(120b)(102c)과 나란한 제2 절곡부(133b)(134b)의 길이중간에 결정된 임의 절곡선을 기준으로 하여 상기 탑재 단자부(133c)(134c)를 상방으로 접어 구부리면, 상기 탑재 단자부(133c)(134c)는 패키지 본체(120)의 전면(120a)에 위치된다.
연속하여, 상기 패키지 본체(110)의 양측면(120b)(102c)으로부터 노출되기 시작하는 상기 제1 절곡부(133a)(134a)의 길이중간에 결정된 임의 절곡선을 기준으로 하여 상기 제2 절곡부(133b)(134b)와 탑재 단자부(133c)(134c)를 상방으로 접어 구부리면, 탑재 단자부(133c)(134c)를 상기 패키지 본체(120)의 전면(120a)에 정위치시킬 수 있는 것이다.
이때, 상기 패키지 본체(120)의 전면(120a)에 위치되는 탑재 단자부(133c)(134)는 절곡이 이루어지는 제1 절곡부(133a)(134a)에서의 절곡선 위치에 따라 발광칩(110)에 근접하는 방향 또는 멀어지는 방향으로 가변시킬 수 있다.
이와 동시에, 상기 제2 절곡부(133b)(134b)에서의 절곡선 위치에 따라 광추출방향(X) 또는 그 반대방향으로 가변시킬 수 있는 것이다.
이에 따라, 상기 발광 다이오드 패키지(100)가 탑재되는 기판(52)의 패턴회로가 설계변경되거나 설계변경하고자 하는 경우, 설계변경된 랜드패턴에 맞추어 상기 제1,2 전극 리드(133)(134)의 탑재 단자부(133c)(134c)의 위치를 가변시켜 설계변경된 기판상에 발광 다이오드 패키지(100)를 탑재하는 작업을 보다 원활하게 수행할 수 있는 것이다.
또한, 상기 기판의 랜드부와 납땜접속되는 탑재 단자부(133c)(134c)의 접속면적은 제1,2 절곡부(133a)(134a)(133b)(134b)에 형성되는 절곡선의 변경에 관계없이 일정하게 유지하기 때문에, 기판과 발광 다이오드 패키지간의 전기적인 접속성능 및 기계적인 접착성능을 안정적으로 유지할 수 있는 것이다.
이와 더불어, 상기 기판의 랜드부에 상기 랜드 리드(133)(134)의 탑재 단자 부(133c)(134c)를 대응시켜 납땜하는 과정에서 발생된 열은, 제1,2 절곡부(133a)(134a)(133b)(134b)를 거쳐 발광칩(110)으로 전달되기 때문에 발광칩의 열적손상을 최소화할 수 있는 것이다.
또한 납땜이 이루어지는 부위와 패키지 본체(120)로부터 노출되기 시작하는 부위간의 거리가 멀기 때문에, 패키지 본체(120)의 열적손상도 최소화할 수 있는 것이다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀두고자 한다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 기판에 패턴인쇄되는 랜드부의 설계변경시 설계변경된 랜드부에 맞추어 이에 납땜되는 랜드 리드의 형상, 길이 및 위치를 자유롭게 변경할 수 있기 때문에, 리드 프레임의 설계 자유도를 높일 수 있고, 수요가의 다양한 요구에 신속하게 대응할 수 있다.
또한, 설계변경된 랜드부에 맞추어 이에 납땜되는 랜드 리드의 형상, 길이 및 위치를 변경하더라도 랜드부와 납땜되는 탑재 단자부의 접속면적을 일정하게 유지할 수 있기 때문에, 납땜후 기판과 패키지간의 전기적인 접속성능 및 기판과 패 키기간의 기계적인 접착성능을 안정적으로 유지할 수 있다.
그리고, 기판의 랜드부와 리드 프레임의 랜드 리드간의 납땜접속시 발생되는 열이 리드 프레임을 통하여 발광칩으로 전달되는 경로가 종래에 비하여 상대적으로 길기 때문에 발광칩, 패키지 본체의 열적손상을 최소화하여 제품의 신뢰성을 보장할 수 있는 효과가 얻어진다.

Claims (4)

  1. 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,
    적어도 하나의 발광칩이 배치되는 캐비티를 구비하는 패키지 본체를 갖추고, 상기 발광칩과 기판사이를 전기적으로 연결하도록 상기 패키지 본체에 리드프레임을 구비하는 발광 다이오드 패키지에 있어서,
    상기 리드 프레임은 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 제1,2 전극 리드와, 상기 제1,2 전극 리드로부터 연장되어 상기 기판의 상부면에 패턴인쇄된 랜드부와 전기적으로 연결되는 제1,2 랜드 리드를 갖추며,
    상기 제1,2 랜드 리드는 상기 패키지 본체의 양측면으로부터 상기 제1,2 전극 리드의 길이방향으로 일정길이 연장되어 상기 패키지 본체의 양측면과 나란하도록 절곡되는 제1 절곡부와, 상기 제1 절곡부의 단부로부터 상기 제1,2 전극 리드의 폭방향으로 일정길이 연장되어 상기 패키지 본체의 전면과 나란하도록 절곡되는 제2 절곡부 및 상기 제2 절곡부의 단부로부터 연장되어 상기 랜드부에 전기적으로 연결되는 탑재 단자부를 포함함을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1,2 절곡부는 포밍시 절곡변형이 보다 용이하게 이루어질 수 있도록 상기 탑재 단자부의 폭보다 좁은 크기로 구비됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 본체의 캐비티내에는 발광칩을 외부환경으로 부터 보호하도록 투명수지가 충진됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 투명수지에는 상기 발광칩의 발광시 백색광이 나타나도록 적어도 하나이상의 형광물질이 포함된 형광체가 포함됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
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