KR100711525B1 - 저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법 - Google Patents

저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100711525B1
KR100711525B1 KR1020050052149A KR20050052149A KR100711525B1 KR 100711525 B1 KR100711525 B1 KR 100711525B1 KR 1020050052149 A KR1020050052149 A KR 1020050052149A KR 20050052149 A KR20050052149 A KR 20050052149A KR 100711525 B1 KR100711525 B1 KR 100711525B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
differential
output
terminal
common mode
power supply
Prior art date
Application number
KR1020050052149A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060065463A (ko
Inventor
김귀동
권종기
김종대
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to US11/292,673 priority Critical patent/US7268623B2/en
Priority to JP2005358124A priority patent/JP4416728B2/ja
Publication of KR20060065463A publication Critical patent/KR20060065463A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100711525B1 publication Critical patent/KR100711525B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018521Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
    • H03K19/018528Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS with at least one differential stage
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00Baseband systems
    • H04L25/02Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/0264Arrangements for coupling to transmission lines
    • H04L25/0272Arrangements for coupling to multiple lines, e.g. for differential transmission

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명의 저전압 차동신호 구동회로는, 전원전압 단자와 접지 단자 사이에 설치되며 제1 및 제2 차동 입력 신호에 따라 제1 및 제2 출력 단자로 제1 및 제2 차동 출력 신호를 각각 출력하는 차동 신호 출력부, 및 상기 제1 및 제2 차동 출력 신호의 DC 옵셋 전압에 따라 커먼모드 전압을 생성하는 커먼모드 전압 생성부를 포함하며, 상기 차동 신호 출력부는, 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 일정한 크기로 유지시키는 전류원, 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호가 일정한 DC 옵셋 전압을 갖도록, 상기 커먼모드 전압에 따라 상기 전원전압 단자와 상기 제 1 출력 단자 사이의 저항 및 상기 전원전압 단자와 상기 제 2 출력 단자 사이의 저항을 조절하는 가변부하부, 및 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 상호 궤환시키는 양궤환 래치를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 저전압 차동신호 구동회로는 낮은 공급전원에서 고속으로 동작이 가능하고, 공급전원과 동작온도 및 제조공정 등의 변화에 대하여 안정된 신호 잡음 특성과 차동 출력 신호의 크기를 제공하여, 저전압 동작환경에 적용이 용이하다.
저전압, 차동신호, 공급전원, 동작온도, 귀환, 위상, 옵셋, 커먼모드

Description

저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법{LOW VOLTAGE DIFFERENTIAL SIGNALLING DRIVER CIRCUIT AND CONTROL METHOD}
도 1은 일반적인 저전압 차동신호 구동회로의 회로도이다
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저전압 차동신호 구동회로의 회로도이다.
도 3은 도 2에 도시된 저전압 차동신호 구동회로의 주파수 응답 특성을 나타낸 특성 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
200 : 저전압 차동신호 구동회로
210 : 차동 증폭 신호 발생부
220 : 커먼모드 전압 생성부
221 : 커먼모드 귀환부
222 : 기준전압 발생부
본 발명은 저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법에 관한 것으로, 일정한 DC 옵셋을 갖는 차동 증폭 신호들을 출력하고 저전압에서 고속 동작이 가능한 저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법에 관한 것이다.
일반적으로 저전압 차동신호 구동회로는 고용량 정보 저장 기기, 고성능 컴퓨터 기기, 정보통신 가전 기기, 고속 유선 정보통신 기기 등의 분야에서 전자장치들간의 정보 데이터를 고속(예를 들어, 200MHz 이상)으로 정합하는 데 사용되고 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 저전압 차동신호 구동회로를 설명하기 위한 회로도이다. 도 1을 참조하면, 저전압 차동신호 구동 회로는 구동전류의 크기를 정의하는 전류원(IS), 차동 디지털 신호를 입력에 따라 구동전류의 흐름을 개폐하는 전류 개폐기(SW1 내지 SW4), 출력 정합 임피던스(RO), 차동 출력신호(VON, VOP)의 DC 옵셋을 감지하여 가변 부하(RL)의 크기를 조정하는 커먼모드 귀환부(Common-Mode Feedback Block; CMFB)로 이루어진다.
도 1에 도시된 저전압 차동신호 구동회로가 CMOS 제조 공정기술으로 제조될 경우, 전류원(IS)은 nMOSFET 소자, 전류 개폐기(SW1 내지 SW4)는 nMOSFET 소자 또는 pMOSFET 소자, 가변부하(RL)는 pMOSFET 소자 등으로 이루어진다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 저전압 차동신호 구동회로는 대체로 4개의 MOSFET이 직렬로 연결되는 구조로서, 구동전류의 개폐 시 발생하는 스위칭(switching) 잡음과 스윗칭 이득의 불균형에 기인한 위상 잡음 특성 등이 좋지 않고, 4단의 직렬구조와 4개의 개폐기 구조 등으로 인하여 낮은 공급전원과 고속 동작에 제한을 받는 단점이 있다.
이에 대하여, 본 발명이 제시하는 저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법은 전원전압 단자와 접지 단자 사이에 접속되어 차동 증폭 신호들을 출력하는 차동 증폭 신호 발생부와, 차동 증폭 신호들에 따라 커먼모드 전압을 생성하는 커먼모드 전압 생성부와, 전원전압 단자 및 차동 증폭 신호 발생부의 출력 단자들 사이에 접속되며 커먼모드 전압에 따라 저항이 변하는 가변부하 소자들을 포함하며, 낮은 공급전원에서 고속으로 동작이 가능하고, 공급전원과 동작온도 및 제조공정 등의 변화에 대하여 안정된 신호 잡음 특성과 차동 출력 신호의 크기를 제공하여, 저전압 동작환경에 적용이 용이하다.
본 발명의 실시예에 따른 저전압 차동신호 구동회로는, 전원전압 단자와 접지 단자 사이에 설치되며, 제1 및 제2 차동 입력 신호에 따라 제1 및 제2 출력 단자로 제1 및 제2 차동 출력 신호를 각각 출력하는 차동 신호 출력부; 및 상기 제1 및 제2 차동 출력 신호의 DC 옵셋 전압에 따라 커먼모드 전압을 생성하는 커먼모드 전압 생성부를 포함하며, 상기 차동 신호 출력부는, 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 일정한 크기로 유지시키는 전류원; 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호가 일정한 DC 옵셋 전압을 갖도록, 상기 커먼모드 전압에 따라 상기 전원전압 단자와 상기 제 1 출력 단자 사이의 저항 및 상기 전원전압 단자와 상기 제 2 출력 단자 사이의 저항을 조절하는 가변부하부; 및 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 상호 궤환시키는 양궤환 래치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기에서, 상기 차동 신호 출력부는, 상기 제 1 및 제 2 차동 입력 신호에 따라 상기 전류원의 전류 패스를 개폐하는 전류 패스 개폐단을 더 포함하며, 상기 전류 패스 개폐단은, 상기 제1 출력 단자와 제1 노드 사이에 접속되며 상기 제1 입력 신호가 입력되는 제3 MOSFET 소자와, 상기 제2 출력 단자와 상기 제1 노드 사이에 접속되며 상기 제2 입력 신호가 입력되는 제4 MOSFET 소자를 포함한다. 또한, 상기 양궤환 래치는, 상기 전원전압 단자와 상기 제1 출력 단자 사이에 접속되며 게이트가 상기 제2 출력 단자에 접속된 제1 MOSFET 소자와, 상기 전원전압 단자와 상기 제2 출력 단자 사이에 접속되며 게이트가 상기 제1 출력 단자에 접속된 제2 MOSFET 소자를 포함한다. 또한, 상기 커먼모드 전압 생성부는, 제1 기준 전압을 생성하는 기준전압 발생부 및 상기 기준 전압, 상기 제1 및 제2 차동 출력 신호에 따라 상기 커먼모드 전압을 생성하는 커먼모드 귀환부를 포함하며, 상기 기준전압 발생부가 제2 기준 전압을 생성하여 상기 전류원이 일정한 전류를 생성할 수 있도록 상기 전류원으로 상기 제2 기준 전압을 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 제어방법은, 제 1 및 제 2 차동 입력 신호에 따라 제 1 및 제 2 출력 단자로 일정한 크기를 갖는 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 각각 출력하는 차동신호 구동회로의 제어방법에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호의 전압에 따라 커먼모드 전압을 생성하는 단계; 상기 제 1 및 제 2 차동 출력신호가 일정한 DC 옵셋을 갖도록, 상기 커먼모드 전압에 따라 상기 전원전압 단자와 상기 제 1 출력 단자 사이의 저항 및 상기 전원전압 단자와 상기 제 2 출력 단자 사이의 저항을 조절하는 단계; 및 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호의 위상 옵셋을 제거하고 출력 이득을 향상시키며 위상 잡음을 제거하도록, 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 상호 양궤환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
삭제
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저전압 차동신호 구동회로를 설명하기 위한 회로도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 저전압 차동신호 구동회로는 차동 증폭 신호 발생부(210), 커먼모드 전압 생성부(220), 가변부하부(230)를 포함하며, 차동 증폭 신호 발생부(210)와, 가변 부하부(230)를 묶어 차동 신호 출력부라 한다.
차동 증폭 신호 발생부(210)는 전원전압 단자와 접지 단자 사이에 설치되며, 제1 및 제2 차동 입력 신호(IN 및 IP)에 따라 제1 및 제2 출력 단자(OUTN 및 OUTP)로 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)를 각각 출력한다.
이러한 차동 증폭 신호 발생부(210)는 전원전압 단자와 제1 출력 단자(OUTN) 사이에 접속되며, 게이트가 제2 출력 단자(OUTP)에 접속된 제1 MOSFET 소자(P1)와, 전원전압 단자와 제2 출력 단자(OUTP) 사이에 접속되며, 게이트가 제1 출력 단자(OUTN)에 접속된 제2 MOSFET 소자(P2)와, 제1 출력 단자(OUTN)와 제1 노드(Nd1) 사이에 접속되며 제1 차동 입력 신호(IN)가 입력되는 제3 MOSFET 소자(N1)와, 제2 출력 단자(OUTP)와 제1 노드(Nd1) 사이에 접속되며 제2 차동 입력 신호(IP)가 입력되는 제4 MOSFET 소자(N2), 제 1 출력 단자(OUTN)와 제 2 출력단자(OUTP) 사이에 접속된 차동 출력저항(RLOAD), 및 제1 노드(Nd1)와 접지 단자 사이에 접속되는 전류원(ISS)을 포함한다.
커먼모드 전압 생성부(220)는 제1 및 제2 차동 증폭 신호(IN 및 IP)에 따라 커먼모드 전압(VCOM)을 생성한다. 이러한 커먼모드 전압 생성부(220)는 동작 온도, 공급 전원 및 제조 공정 등의 변화에 대하여 안정된 값을 갖는 제1 및 제2 기준 전압(VREF 및 VIBB)을 생성하는 기준전압 발생부(222)와, 제1 기준 전압(VREF), 상기 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)에 따라 커먼모드 전압(VCOM)을 생성하는 커먼모드 귀환부(221)를 포함한다.
가변부하부(230)는 상기 제 1 및 제 2 차동 증폭 신호가 일정한 DC 옵셋 전압을 갖도록, 상기 커먼모드 전압에 따라 상기 전원전압 단자와 상기 제 1 출력 단자 사이의 저항 및 상기 전원전압 단자와 상기 제 2 출력 단자 사이의 저항을 조절 한다. 가변부하부(230)는 제 1 가변부하 소자(P3) 및 제 2 가변부하 소자(P4)를 포함한다. 제1 가변부하 소자(P3)는 전원전압 단자와 차동 증폭 신호 발생부(210)의 제1 출력 단자(OUTN) 사이에 접속되며 커먼모드 전압(VCOM)에 따라 저항이 변한다. 그리고, 제2 가변부하 소자(P4)는 전원전압 단자와 차동 증폭 신호 발생부(210)의 제2 출력 단자(OUTP) 사이에 접속되며 커먼모드 전압(VCOM)에 따라 저항이 변한다.
이렇게 제1 및 제2 차동 증폭 신호에 따라 생성된 커먼모드 전압에 의해 제1 및 제2 가변부하 소자의 저항이 변하여 제1 및 제2 차동 증폭 신호가 일정한 DC 옵셋 전압을 갖는다.
각 구성 요소에 대한 구성과 동작을 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 차동 증폭 신호 발생부(210)는 제1 및 제2 차동 입력 신호(IN 및 IP)에 따라 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)를 각각 출력한다.
이러한 차동 증폭 신호 발생부(210)에서, 제1 및 제2 MOSFET 소자(P1 및 P2)는 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)를 상호 양 귀환시키는 양 귀환 pMOSFET 래치단이 되며, pMOSFET 소자로 구현할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 MOSFET 소자(P1 및 P2)의 소스와 기판(벌크)에는 전원전압이 공급된다. 이러한 양 귀환 pMOSFET 래치단(P1 및 P2)은 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)의 위상 옵셋을 제거하고 차동 출력 이득을 상승시키며 차동 출력신호의 위상 잡음을 억제하는 역할을 한다.
그리고, 제3 MOSFET 소자 및 제4 MOSFET 소자(N1 및 N2)는 제1 및 제2 차동 입력 신호(IN 및 IP)에 따라 전류 패스를 개폐하는 전류 패스 개폐단이 되며, 제3 MOSFET 소자(N1) 및 제4 MOSFET 소자(N2)는 nMOSFET 소자로 구현할 수 있다.
이러한 전류 패스 개폐단(N1 및 N2)은 제1 및 제2 차동 입력 신호(IN 및 IP)에 따라 출력 구동전류(IBB)를 제1 및 제2 출력 단자(OUTN 및 OUTP) 사이에 접속된 차동 출력저항(RLOAD)을 통하여 개폐시킨다. 전류 패스 개폐단(N1 및 N2)의 또 다른 구조적인 특징은 차동 입력 신호(IN 및 IP)에 대하여 단일 nMOSFET 소자(N1 및 N2)를 전류 개폐기로 사용하고 nMOSFET 소자(N1 및 N2)의 소스를 전류원(ISS)에 공통으로 결선시킴으로써, 입력 용량 부하의 최소화에 의한 고속 동작과 스윗칭 잡음의 최소화를 용이하게 한다.
커먼모드 전압 생성부(220)의 기준전압 발생부(222)는 공급전원과 동작온도 및 제조 공정 등의 변화에 대하여 안정된 값을 갖는 제1 및 제2 기준 전압(VREF 및 VIBB)을 각각 생성한다. 그리고, 커먼모드 귀환부(221)는 제1 및 제2 차동 증폭 신호(IN 및 IP)에 따라 커먼모드 전압(VCOM)을 생성한다. 이때, 커먼모드 귀환부(221)는 제1 기준 전압(VREF)을 이용하여 커먼모드 전압(VCOM)을 생성하기 때문에, 커먼모드 전압(VCOM)도 공급전원과 동작온도 및 제조 공정 등의 변화에 대하여 안정되게 동작한다. 보다 구체적으로, 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)의 DC 옵셋이 기 준 전압(VREF)보다 높은 경우에는, 커먼모드 귀환부(221)는 커먼모드 전압(VCOM)을 증가시키고, 이에 따라 제1 가변부하 소자(P3) 및 제2 가변부하 소자(P4)의 저항이 증가되어, 결과적으로 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)의 DC 옵셋이 낮아지게 된다. 또한, 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)의 DC 옵셋이 기준 전압(VREF)보다 낮은 경우에는, 커먼모드 귀환부(221)는 커먼모드 전압(VCOM)을 감소시키고, 이에 따라 제1 가변부하 소자(P3) 및 제2 가변부하 소자(P4)의 저항이 감소되어, 결과적으로 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)의 DC 옵셋이 높아지게 된다. 커먼모드 귀환부(221)는 이와 같은 방식으로 동작하여, 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)의 DC 옵셋을 일정한 전압 레벨로 유지하게 된다.
한편, 차동 증폭 신호 발생부(210)의 전류원(ISS)이 동작 온도, 공급 전원 및 제조 공정 등의 변화에 대하여 안정된 전류를 출력할 수 있도록 제2 기준 전압(ViBB)이 전류원(ISS)으로 인가된다. 이로 인해, 전류원(ISS)이 공급전원과 동작온도 및 제조 공정 등의 변화에 무관하게 안정된 출력 구동 전류(IBB)를 공급함으로써, 안정된 차동 출력 신호의 크기를 제공할 수 있다.
커먼모드 전압(VCOM)은 전원전압 단자와 차동 증폭 신호 발생부(210)의 제1 및 제2 출력 단자(OUTN 및 OUTP) 사이에 각각 접속된 제1 및 제2 가변부하 소자(P3 및 P4)로 인가된다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 제1 및 제2 가변부하 소자(P3 및 P4)의 게이트에는 커먼모드 전압(VCOM)이 인가되고, 소스와 기판(벌크)에는 전원전압이 인가되며, 드레인은 제1 및 제2 출력 단자(OUTN 및 OUTP)에 각각 접속된다. 제1 및 제2 가변부하 소자(P3 및 P4)가 상기의 구조로 접속됨에 따라, 커먼모드 전압(Vcom)에 의해 채널(channel)저항이 가변되면서 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)의 DC 옵셋 크기를 일정하게 유지시킨다. 이때, 커먼모드 전압(VCOM)이 공급전원과 동작온도 및 제조 공정 등의 변화에 대하여 안정된 값을 갖기 때문에, 제1 및 제2 차동 증폭 신호(VON 및 VOP)의 DC 옵셋 크기도 이들의 변화에 대하여 안정된 값을 갖게 된다.
상기의 구조로 이루어진 저전압 차동신호 구동회로(200)를 살펴보면, 제1 및 제2 가변부하 소자(P3 및 P4)와 양 귀환 pMOSFET 래치단(P1 및 P2)이 전원전압 단자와 출력 단자(OUTN 및 OUTP) 사이에 병렬로 접속되기 때문에, 이들과 전류 패스 개폐단(N1 및 N2) 및 전류원(ISS)이 전원전압 단자와 접지 단자 사이에 직렬 3단 구조로 접속된다. 따라서, 낮은 공급전원에서 동작이 용이하게 된다.
도 3은 도 2에 도시된 저전압 차동신호 구동회로의 주파수 응답 특성을 나타낸 특성 그래프이다. 도 3에서 가로축은 차동 입력신호의 동작 주파수를 나타내고 세로축은 차동 출력 신호의 주파수 이득을 나타낸다. 동작전압은1.5V, 차동출력 저항 RO 는 100Ω, 출력 단자 VON, VOP에서의 부하는 3pF으로 하였다.
도 3을 참조하면, 본 발명에서 제시하는 저전압 차동신호 구동회로의 경우, 차동 출력 신호의 주파수 이득이 3dB 낮아지는 차동 입력신호의 동작 주파수는 1.97GHz이다. 이는 낮은 공급 전압에서도 수 GHz의 고속 동작이 가능함을 나타낸다. 또한, 본 발명의 저전압 차동신호 구동회로는 일정한 DC 옵셋(예를 들면, 1.2V 내지 1.3V)과 차동 신호크기(예를 들면, 300mV 내지 400mV)를 안정적으로 출력할 수 있다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법은 낮은 공급전원에서 고속으로 동작이 가능하고, 공급전원과 동작온도 및 제조공정 등의 변화에 대하여 안정된 신호 잡음 특성과 차동 출력 신호의 크기를 제공할 수 있으며, 저전압 동작환경에 적용이 용이하다.

Claims (13)

  1. 전원전압 단자와 접지 단자 사이에 설치되며, 제1 및 제2 차동 입력 신호에 따라 제1 및 제2 출력 단자로 제1 및 제2 차동 출력 신호를 각각 출력하는 차동 신호 출력부; 및
    상기 제1 및 제2 차동 출력 신호의 DC 옵셋 전압에 따라 커먼모드 전압을 생성하는 커먼모드 전압 생성부를 포함하며,
    상기 차동 신호 출력부는,
    상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 일정한 크기로 유지시키는 전류원;
    상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호가 일정한 DC 옵셋 전압을 갖도록, 상기 커먼모드 전압에 따라 상기 전원전압 단자와 상기 제 1 출력 단자 사이의 저항 및 상기 전원전압 단자와 상기 제 2 출력 단자 사이의 저항을 조절하는 가변부하부; 및
    상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 상호 궤환시키는 양궤환 래치를 포함하는 것을 특징으로 하는 차동신호 구동회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 차동 신호 출력부는,
    상기 제 1 및 제 2 차동 입력 신호에 따라 상기 전류원의 전류 패스를 개폐하는 전류 패스 개폐단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차동 신호 구동회로.
  3. 삭제
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 양궤환 래치는,
    상기 전원전압 단자와 상기 제1 출력 단자 사이에 접속되며, 게이트가 상기 제2 출력 단자에 접속된 제1 MOSFET 소자; 및
    상기 전원전압 단자와 상기 제2 출력 단자 사이에 접속되며, 게이트가 상기 제1 출력 단자에 접속된 제2 MOSFET 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 차동 신호 구동회로.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 전류 패스 개폐단은,
    상기 제1 출력 단자와 제1 노드 사이에 접속되며 상기 제1 입력 신호가 입력되는 제3 MOSFET 소자;
    상기 제2 출력 단자와 상기 제1 노드 사이에 접속되며 상기 제2 입력 신호가 입력되는 제4 MOSFET 소자를
    포함하는 것을 특징으로 하는 차동신호 구동회로.
  6. 삭제
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 커먼모드 전압 생성부는,
    제1 기준 전압을 생성하는 기준전압 발생부 및 상기 기준 전압, 상기 제1 및 제2 차동 출력 신호에 따라 상기 커먼모드 전압을 생성하는 커먼모드 귀환부를 포함하며,
    상기 기준전압 발생부가 제2 기준 전압을 생성하여 상기 전류원이 일정한 전류를 생성할 수 있도록 상기 전류원으로 상기 제2 기준 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 차동 신호 구동 회로.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 1 및 제 2 차동 입력 신호에 따라 제 1 및 제 2 출력 단자로 일정한 크기를 갖는 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 각각 출력하는 차동신호 구동회로의 제어방법에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호의 전압에 따라 커먼모드 전압을 생성하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 차동 출력신호가 일정한 DC 옵셋을 갖도록, 상기 커먼모드 전압에 따라 상기 전원전압 단자와 상기 제 1 출력 단자 사이의 저항 및 상기 전원전압 단자와 상기 제 2 출력 단자 사이의 저항을 조절하는 단계; 및
    상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호의 위상 옵셋을 제거하고 출력 이득을 향상시키며 위상 잡음을 제거하도록, 상기 제 1 및 제 2 차동 출력 신호를 상호 양궤환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차동신호 구동회로의 제어방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
KR1020050052149A 2004-12-10 2005-06-17 저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법 KR100711525B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/292,673 US7268623B2 (en) 2004-12-10 2005-12-02 Low voltage differential signal driver circuit and method for controlling the same
JP2005358124A JP4416728B2 (ja) 2004-12-10 2005-12-12 低電圧差動信号の駆動回路及び制御方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040104312 2004-12-10
KR20040104312 2004-12-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060065463A KR20060065463A (ko) 2006-06-14
KR100711525B1 true KR100711525B1 (ko) 2007-04-27

Family

ID=37160721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050052149A KR100711525B1 (ko) 2004-12-10 2005-06-17 저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100711525B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100997391B1 (ko) * 2008-11-12 2010-11-30 (주)에이디테크놀로지 차동신호 생성회로

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0779121A (ja) * 1993-08-09 1995-03-20 Motorola Inc 広い同調範囲の演算トランスコンダクタンス増幅器
JPH09153747A (ja) * 1995-11-29 1997-06-10 Nec Corp 差動増幅器の同相電圧帰還回路
KR20010067342A (ko) * 1999-10-25 2001-07-12 윌리엄 비. 켐플러 저전압 광대역 연산 증폭기

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0779121A (ja) * 1993-08-09 1995-03-20 Motorola Inc 広い同調範囲の演算トランスコンダクタンス増幅器
JPH09153747A (ja) * 1995-11-29 1997-06-10 Nec Corp 差動増幅器の同相電圧帰還回路
KR20010067342A (ko) * 1999-10-25 2001-07-12 윌리엄 비. 켐플러 저전압 광대역 연산 증폭기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100997391B1 (ko) * 2008-11-12 2010-11-30 (주)에이디테크놀로지 차동신호 생성회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060065463A (ko) 2006-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4416728B2 (ja) 低電圧差動信号の駆動回路及び制御方法
US20080048736A1 (en) Differential circuit and output buffer circuit including the same
JPWO2008065762A1 (ja) 演算増幅器
US7782142B2 (en) High speed differential to single ended converting circuit
US6760381B2 (en) High-voltage differential driver using stacked low-breakdown transistors and nested-miller compensation
US7733182B2 (en) Hybrid class AB super follower
KR100656333B1 (ko) 자동 스위칭 기능을 갖는 전력증폭기
US7602248B2 (en) Power amplifier and its idling current setting circuit
US6741130B2 (en) High-speed output transconductance amplifier capable of operating at different voltage levels
JPH10173445A (ja) 増幅器
US8963638B2 (en) Operational amplifier circuit
CN102354241A (zh) 电压/电流转换电路
KR100462467B1 (ko) 자동이득제어의 가변이득증폭회로
US9136806B2 (en) Amplifier circuit
US5039953A (en) Class AB CMOS output amplifier
EP2154783B1 (en) Amplifying circuit
KR100711525B1 (ko) 저전압 차동신호 구동회로 및 제어방법
US10840863B2 (en) AC-coupled chopper signal for a high-impedance buffer
US7688145B2 (en) Variable gain amplifying device
JP2009522943A (ja) 高電力スイッチングのための方法及びシステム
US11095258B2 (en) Class AB amplifier and operational amplifier
US8427237B2 (en) Common-mode feedback circuit
KR100885337B1 (ko) 스위치 모드 회로에서 출력 임피던스 정합을 위한 회로 및방법
US6188284B1 (en) Distributed gain line driver amplifier including improved linearity
US7514877B2 (en) Display panel driving circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110411

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee