KR100699815B1 - 두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드 - Google Patents

두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드 Download PDF

Info

Publication number
KR100699815B1
KR100699815B1 KR1020000080726A KR20000080726A KR100699815B1 KR 100699815 B1 KR100699815 B1 KR 100699815B1 KR 1020000080726 A KR1020000080726 A KR 1020000080726A KR 20000080726 A KR20000080726 A KR 20000080726A KR 100699815 B1 KR100699815 B1 KR 100699815B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
shower head
vapor deposition
chemical vapor
supplied
Prior art date
Application number
KR1020000080726A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020051489A (ko
Inventor
정원영
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020000080726A priority Critical patent/KR100699815B1/ko
Publication of KR20020051489A publication Critical patent/KR20020051489A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100699815B1 publication Critical patent/KR100699815B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45574Nozzles for more than one gas

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

증착되는 박막의 두께 균일성(thickness uniformity)을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드(shower head)에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 샤워헤드 본체, 상기 샤워헤드 본체와 연결되고 중앙부에 가스를 공급하는 제1 가스라인, 상기 샤워헤드 본체와 연결되고 가장자리에 가스를 공급하는 제2 가스공급라인, 상기 샤워헤드의 하단 중앙부에 형성되고 상기 제1 가스라인으로부터 가스를 공급받는 복수개의 제1 가스분사 구멍 및 상기 샤워헤드의 하단 가장자리에 형성되고 상기 제2 가스라인으로부터 가스를 공급받는 복수개의 제2 가스분사 구멍을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장비의 샤워헤드(shower head)를 제공한다. 따라서, 상기 제2 가스분사 구멍에 의해 웨이퍼 가장자리에 퇴적되는 박막의 두께 균일성을 개선할 수 있다.

Description

두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드{Shower head of Chemical Vapor Deposition equipment for improving a thickness uniformity}
도 1은 종래 기술에 의한 화학기상증착 장비의 샤워헤드를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 의한 화학기상증착 장비의 샤워헤드를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 배면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100: 샤워헤드 본체, 102: 제1 가스라인,
104: 제2 가스라인, 106: 제1 가스분사 구멍,
108: 제2 가스분사 구멍, 110: 웨이퍼,
112: 히터, 114: 가스흐름.
본 발명은 반도체 소자의 제조장비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학기 상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition) 장비에 관한 것이다.
화학기상증착법은 박막 증착 원료를 가스상태로 챔버(chamber)에 공급해서 기판 표면의 화학반응에 의해 반도체 기판 위에 원하는 박막을 퇴적하는 방법이다. 따라서, 같은 증착 원료로부터 조성이나 결정구조가 다른 재질을 갖는 박막을 얻을 수 있는 장점이 있는 특징이 있다. 이러한 화학기상증착법은 증착되는 박막의 두께 균일성을 확보하는 것이 대단히 중요하다.
도 1은 종래기술에 의한 화학기상증착 장비의 샤워헤드를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 화학기상증착 장비는 히터(18) 위에 반도체 기판인 웨이퍼(16)를 올려놓고 증착 가스를 기체상태로 분사(20)하여 원하는 박막을 퇴적한다. 이때, 샤워헤드의 구성은, 샤워헤드 본체(10), 중앙부에 형성된 제1 가스분사구멍(14), 상기 제1 가스분사 구멍(14)과 연결된 제1 가스라인(12)으로 이루어진다.
그러나 종래기술에 의한 화학기상증착 장비의 샤워헤드는 박막이 증착되는 웨이퍼(16)의 중앙부에서는 균일한 두께를 확보할 수 있으나, 가장자리에서는 박막이 퇴적되지 않는 문제점이 발생한다.
따라서, 균일한 박막 두께를 확보할 수 없기 때문에, 박막이 퇴적되는 동안에 웨이퍼의 가장자리는 위쪽으로 휨(warpage)이 발생하여 웨이퍼의 가장자리에 히터(18)가 직접 접촉되지 않는다. 이에 따라 히터(18)의 온도가 웨이퍼(16)의 가장자리에 직접적으로 영향을 주지 못하는 문제가 발생한다. 이러한 문제는 웨이퍼의 구경이 큰 12인치 웨이퍼에서는 더욱 심하게 발생한다.
따라서, 화학기상증착 장비의 제조회사에서는 히터의 구조 및 재질을 개선하거나, 히터에 설치된 히팅코일(heating coil)을 개선하거나, 샤워헤드의 홈 크기 및 개수를 개선하여 상술한 두께 균일성 문제를 해결하기 위한 많은 노력이 이루어지고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼의 가장자리에서도 퇴적되는 박막의 두께 균일성을 확보할 수 있는 화학기상증착 장비의 샤워헤드를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 샤워헤드 본체, 상기 샤워헤드 본체와 연결되고 중앙부에 가스를 공급하는 제1 가스라인, 상기 샤워헤드 본체와 연결되고 가장자리에 가스를 공급하는 제2 가스공급라인, 상기 샤워헤드의 하단 중앙부에 형성되고 상기 제1 가스라인으로부터 가스를 공급받는 복수개의 제1 가스분사 구멍 및 상기 샤워헤드의 하단 가장자리에 형성되고 상기 제2 가스라인으로부터 가스를 공급받는 복수개의 제2 가스분사 구멍을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장비의 샤워헤드(shower head)를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 제1 가스라인과 제2 가스라인에 공급되는 가스는 불활성가스 또는 공정가스로서 동일한 종류의 가스가 같은 양으로 공급되거나, 혹은 동일한 종류의 가스가 다른 양으로 공급될 수 있다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼의 가장자리에도 본 발명에 의한 제2 가스라인 및 제2 가스분사 구멍을 이용하여 가스를 흘려줌으로써, 웨이퍼 가장자리에 증착되는 박막의 두께 균일성(thickness uniformity)을 확보할 수 있다. 이로 인해 웨이퍼 휨(warpage)을 방지하고 히터의 온도가 웨이퍼 밑면에 균일하게 전달되도록 할 수 있다. 또한 제2 가스라인의 가스의 흐름을 제어하여 챔버 벽(wall)에 박막이 퇴적되는 문제를 억제할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 의한 화학기상증착 장비의 샤워헤드를 도시한 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 2의 배면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 화학기상증착 장비의 샤워헤드의 구성은, 샤워헤드 본체(100), 상기 샤워헤드 본체(100)에 연결된 제1 가스라인(102) 및 상기 제1 가스라인(102)에 연결되어 히터(112) 위에 있는 웨이퍼(110)의 중앙부에 가스를 분사하는 제1 가스분사 구멍(106)에, 추가로, 상기 제1 가스라인(102)과는 독립된 제2 가스라인(104) 및 상기 제2 가스라인(104)과 연결된 제2 가스분사 구멍(108)을 포함한다.
따라서, 상기 제2 가스라인(104) 및 제2 가스분사 구멍(108)을 통하여 공급되는 불활성가스(inert gas) 및 공정가스를 제어하여 웨이퍼 가장자리에도 박막이 균일하게 퇴적될 수 있도록 할 수 있으며, 챔버 벽(chamber wall)에 박막이 퇴적되는 문제를 억제할 수 있다. 이를 위해 상기 제2 가스라인(104)에는 상기 제1 가스 라인(102)에 공급되는 가스와 동일한 종류 및 동일한 양의 가스를 공급할 수 있으며, 다른 방법으로 동일한 가스를 공급하되 공급되는 양을 조절할 수도 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함이 명백하다.
따라서, 상술한 본 발명에 따르면, 첫째 웨이퍼 가장자리에서 휨(warpage)이 발생하는 문제를 방지하여 히터의 온도가 웨이퍼 배면에 균일하게 전달되도록 할 수 있다. 둘째, 웨이퍼에 퇴적되는 박막의 두께 균일성을 개선할 수 있다.

Claims (3)

  1. 샤워헤드 본체;
    상기 샤워헤드 본체와 연결되고 중앙부에 가스를 공급하는 제1 가스라인;
    상기 샤워헤드 본체와 연결되고 가장자리에 가스를 공급하고 상기 제1 가스라인과 동일 종류의 가스를 공급하는 제2 가스라인;
    상기 샤워헤드의 하단 중앙부에 형성되고 상기 제1 가스라인으로부터 가스를 공급받는 복수개의 제1 가스분사 구멍; 및
    상기 샤워헤드의 하단 가장자리에 형성되고 상기 제2 가스라인으로부터 가스를 공급받는 복수개의 제2 가스분사 구멍을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장비의 샤워헤드(shower head).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가스라인과 제2 가스라인에 공급되는 가스는 불활성가스 또는 공정가스로서 동일한 종류의 가스가 같은 양으로 공급되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장비의 샤워헤드(shower head).
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가스라인과 제2 가스라인에 공급되는 가스는 불활성가스 또는 공정가스로서 동일한 종류의 가스가 다른 양으로 공급되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장비의 샤워헤드(shower head).
KR1020000080726A 2000-12-22 2000-12-22 두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드 KR100699815B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000080726A KR100699815B1 (ko) 2000-12-22 2000-12-22 두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000080726A KR100699815B1 (ko) 2000-12-22 2000-12-22 두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020051489A KR20020051489A (ko) 2002-06-29
KR100699815B1 true KR100699815B1 (ko) 2007-03-27

Family

ID=27684940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000080726A KR100699815B1 (ko) 2000-12-22 2000-12-22 두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100699815B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101130045B1 (ko) * 2007-12-31 2012-03-26 (주)에이디에스 가스분사장치 및 이를 구비하는 박막증착장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100402332B1 (ko) * 2001-09-07 2003-10-22 주식회사 시스넥스 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게가열하는 수직형 화학기상증착 반응기
KR101352365B1 (ko) * 2006-08-09 2014-01-16 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
KR100931330B1 (ko) * 2007-11-06 2009-12-11 주식회사 케이씨텍 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치
US8628621B2 (en) 2007-12-31 2014-01-14 Jusung Engineering Co., Ltd. Gas injector and film deposition apparatus having the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284335A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Nec Corp 処理ガス供給構造及び成膜処理装置
KR20020002715A (ko) * 2000-06-30 2002-01-10 박종섭 샤워헤드
KR20020044735A (ko) * 2000-12-06 2002-06-19 서성기 박막증착용 반응용기

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284335A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Nec Corp 処理ガス供給構造及び成膜処理装置
KR20020002715A (ko) * 2000-06-30 2002-01-10 박종섭 샤워헤드
KR20020044735A (ko) * 2000-12-06 2002-06-19 서성기 박막증착용 반응용기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101130045B1 (ko) * 2007-12-31 2012-03-26 (주)에이디에스 가스분사장치 및 이를 구비하는 박막증착장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020051489A (ko) 2002-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100450068B1 (ko) Cvd 장치의 멀티섹터 평판형 샤워헤드
KR100791419B1 (ko) 축소된 접촉 면적을 가진 샤워헤드
US7942968B2 (en) Catalyst enhanced chemical vapor deposition apparatus
KR100436941B1 (ko) 박막 증착 장치 및 그 방법
KR100779445B1 (ko) Cvd 장치
KR100406173B1 (ko) 촉매 분사 수단을 구비한 히터 블록
KR100862658B1 (ko) 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치
KR20100061740A (ko) 화학기상증착 반응기 챔버
KR101554334B1 (ko) 샤워헤드 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치 및 박막증착방법
KR100413482B1 (ko) 화학적 강화제(ce) 처리 챔버
KR102102320B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법
KR20070088184A (ko) 샤워헤드 및 이를 구비한 원자층 증착설비
KR100284753B1 (ko) 성막장치
KR100699815B1 (ko) 두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드
KR20060107683A (ko) 화학 기상 증착 장치
KR20060114312A (ko) 화학기상증착장치의 샤워헤드
KR100980397B1 (ko) 유기금속가스의 농도분포조절이 가능한 화학기상증착반응기
KR100439949B1 (ko) 박막증착용 반응용기
TW202000975A (zh) 基板處理裝置及噴頭
KR100402332B1 (ko) 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게가열하는 수직형 화학기상증착 반응기
KR20090102955A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100517557B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치
KR20060100961A (ko) 샤워헤드 및 이를 구비한 원자층 증착설비
KR20010104572A (ko) 화학기상 증착장치
KR102514491B1 (ko) 싱글타입 고온용 서셉터

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110302

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee