KR100698504B1 - 화학 기상 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 화학 증기 기상 장치에 의하면, 기체 유입관과 기체 유출관이 동일한 위치에 이중 배관 형태로 구비됨으로써, 반응실 내의 기체가 기체 유출관쪽으로 편중되어 흐르는 것을 방지되고, 기체의 유동이 기판에 대하여 대칭적으로 유지되므로 샤워헤드 및 반응실을 종래보다 작게 구성할 수 있으므로 여러 종류의 공정기체들이 순차적으로 유입되는 공정에서 공정기체의 전환이 용이하다.
매엽식, 화학기상, 증착장치, 반응실, 샤워헤드, 플라즈마, 박막, 시분할, 주기적

Description

화학 기상 증착 장치{Chemical vapor deposition equipment}
도 1a 및 도 1b는 종래 매엽식 화학 기상 증착 장치를 도시한 개략도들이다.
삭제
도 2는 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략도이다.
도 3은 도 2에 따른 화학 기상 증착 장치의 분해 사시도이다.
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본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 특히 반응실내에서 기체의 유동이 편중되지 않도록 함으로써 균일한 박막을 얻을 수 있는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
반도체집적기술의 발달로 인하여 고순도, 고품질의 박막을 증착시키는 공정은 반도체 제조공정중에서 중요한 부분을 차지하게 되었다. 박막형성의 대표적인 방법으로 화학 기상 증착(Chemical Vapour Deposition, CVD)법과 물리 기상 증착(Physical Vapour Deposition, PVD)법이 있다. 스퍼터링(sputtering)법 등의 물리 기상 증착법은 형성된 박막의 단차피복성(step coverage)이 나쁘기 때문에 요철이 있는 표면에 균일한 두께의 막을 형성하는 데에는 사용할 수 없다. 화학 기상 증착법은 가열된 기판의 표면 위에서 기체상태의 물질들이 반응하고, 그 반응으로 생성된 화합물이 기판 표면에 증착되는 방법이다. 화학 기상 증착법은 물리 기상 증착법에 비하여 단차 피복성이 좋고, 박막이 증착되는 기판의 손상이 적고, 박막의 증착 비용이 적게 들며, 박막을 대량 생산할 수 있기 때문에 많이 적용되고 있다.
화학 기상 증착법에 적용되는 장비는 다수 개의 기판에 박막을 동시 증착하는 배치식(Batch Type)과 각각의 기판들에 순차적으로 박막을 증착하는 매엽식(Single Wafer Type)이 있다. 박막을 증착시키고자 하는 기판의 구경이 커지고 화학 기상 증착법으로 증착하는 박막의 종류가 다양해지기 때문에 매엽식이 많이 적용되고 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래 매엽식 화학 기상 증착 장치를 도시한 개략도들이다.
도 1a를 참조하면, 반응실(10)은 상부에는 공정기체를 공급하기 위한 유입구(20)가 있고 측면에는 반응실(10)내의 공정기체를 배기하기 위한 유출구(30)가 있다. 그리고, 반응실(10) 내부에는, 기판(40)이 안착된 기판 지지대(50)와, 상부는 유입구(20)와 연결되고 하부는 기판(40)에 공정기체를 분사하기 위한 분사홀이 형성된 샤워헤드(70)가 설치된다. 그리고, 기판 지지대(50)를 상하로 구동시키기 위한 기판 지지대 구동부(60)가 설치되며, 구동부(60)의 상부는 기판 지지대(50)와 연결되므로 구동부(60)의 소정영역은 반응실(10) 내부에 위치하게 된다.
여기서, 반응실(554) 내의 공정기체는 반응실(10)과 기판 지지대(50) 사이의 틈을 거쳐 유출구(30)로 배기된다. 이 때, 유출구(30)가 유입구(20)와 대칭을 이루지 못하고 한쪽으로 편향되어 있으므로 공정기체의 유동이 유출구(30) 쪽으로 편중된다.
이와 같이, 기판(40)에 박막을 증착할 때에 반응실(10) 내에서 공정기체의 유동이 한쪽으로 편중되면, 그 공정기체들이 기판(40) 전면에 걸쳐서 균일하게 공급되지 못하므로, 공정 기체의 공급이 부족한 기판(40) 부위에 박막이 얇게 증착될 우려가 있다. 따라서, 반응실(10) 내에서 공정기체의 편중 현상을 없애기 위해서는 유출구(30)를 박막이 증착되는 기판(40)으로부터 멀리 이격시켜야 한다. 그러나, 유출구(30)를 박막이 증착되는 기판(40)으로부터 멀리 이격시키는 경우에는 반응실(10)의 부피가 커지게 된다. 반응실(10)의 부피가 커지면, 공정에 소요되는 공정기체의 양이 증가하여 공정 비용이 증가하고, 증착 공정에서 반응실(10) 내의 공정 기체들을 전환하는 데에 시간이 오래 걸린다. 또한, 반응실(10)을 온벽(Warm Wall) 또는 열벽(Hot Wall)상태로 유지할 경우에 온도 편차가 심해지는 문제가 생긴다.
한편, 유출구(30)를 통하여 배기되는 공정기체에 기판 지지대(50) 및 기판 지지대 구동부(60)가 노출된다. 또한, 기판(40)과 기판 지지대(50)사이에는 미세한 틈새가 형성되어 있으므로 기판(40)의 뒷면도 공정기체에 노출된다.
이와 같이, 반응실(10) 내에서 기판(40)의 뒷면, 기판 지지대(50), 및 기판 구동부(60)가 공정기체에 노출되면, 그들에게 불필요한 박막이 증착되게 된다. 이렇게 불필요하게 증착된 막은 나중에 파티클(Particle)의 발생 원인이 될 뿐만 아니라, 반응실(10) 내부에 구비된 부품들의 오작동을 야기시켜 그 부품들의 수명을 단축시킨다.
도 1b는 도 1a에 의한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 유입구(20)와 유출구(30)가 대칭되도록 유출구(30)를 반응실(554)의 하부에 배치한 것이다. 여기서 도 1b와 동일한 참조번호는 도 1a와 동일한 구성요소를 나타내며 반복적인 설명은 생략한다.
도 1b를 참조하면, 도 1a의 경우와 달리 반응실(554) 내에서의 공정기체의 유동이 기판(40)에 대칭적으로 형성될 수 있지만, 여전히 기판(40)의 뒷면, 기판 지지대(50), 및 기판 구동부(60)가 공정기체에 노출되는 문제를 가지고 있다. 또한, 기판 지지대(50)의 구동에 필요한 최소한의 공간이 있기 때문에 반응실(10)을 작게 구성하기가 어렵다. 따라서, 증착 공정에서 공정 시간을 줄이기 어렵다.
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따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반응실 내에서 공정기체들의 편중현상을 없애고 공정기체들의 전환이 용이하게 되도록 함으로써 상술한 종래의 문제점을 해결할 수 있는 화학 기상 증착 장치를 제공하는 데 있다.
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상기 기술적 과제들을 달성하기 위한 본 발명의 화학 기상 증착 장치는, 기판이 수평 안착되어지는 기판 지지대와; 상기 기판 지지대와 함께 반응기 내부를 규정하며, 개구부가 형성된 상부면을 포함하는 반응기벽과; 상기 개구부에 틈이 생기도록 상기 개구부보다 작은 직경을 가지고 상기 개구부로 내삽되어 설치되는 기체 유입관과; 상기 기체 유입관의 끝단에 연결되고 상기 반응기벽으로부터 소정 거리가 이격되어 상기 반응기벽의 내부에 설치되되, 상기 기체 유입관을 통하여 유입되는 기체가 상기 기판 지지대 상에 균일하게 분사되도록 상기 기판 지지대의 대향면에 복수개의 분사홀을 갖는 샤워헤드와; 상기 반응실 내로 공급된 기체가 상기 반응기벽과 상기 기체 유입관 사이의 틈을 통해 배출되도록 상기 개부부에 설치되는 기체 유출관; 및 상기 반응실 내에 교류 전위파를 가하기 위해 상기 샤워헤드에 연결되도록 설치되는 접속단자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 반응기벽을 용도에 따라 온벽 또는 열벽으로 구성하기 위하여 상기 반응기벽을 둘러싸는 열선을 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 샤워헤드의 측면에 복수개의 분사홀을 더 구비할 수 있다.
나아가, 상기 샤워헤드는, 상부는 상기 기체 유입관과 연결되고 저면은 개방된 기체 분산판 보호벽과, 상기 기판과 대향하도록 상기 기체 분산판 보호벽의 저면에 연결되어 수평 설치되고 기체가 통과할 수 있는 상기 분사홀을 가지는 기체 분산판으로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 기체 분산판을 통하여 상기 반응실로 분사되는 기체가 상기 기판의 가운데 영역으로 유도되고 상기 기체 분산판과 상기 기판 표면 사이의 영역으로부터 벗어나는 기체의 유속이 조절되도록 상기 기체 분산판 보호벽의 내측벽에 기체 유동 가이드링을 더 구비할 수도 있다.
상기 반응실에 유입된 기체의 활성화를 위하여 상기 기판 지지대에 설치되는 플라즈마 전극을 더 구비할 수 있다.
상기 기판 지지대와 상기 반응기벽 사이에 기체 밀폐링을 더 구비할 수 있다.
더 나아가, 상기 기판 지지대 및 상기 반응기벽의 소정영역에 대하여 외관을 형성하는 반응기 몸체를 더 구비하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
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도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 3은 도 2에 따른 화학 기상 증착 장치의 분해 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(400)이 수평 안착되어지는 기판 지지대(300)에는 기판(400)을 가열할 수 있는 가열장치(미도시)가 내장되어 있다. 그리고, 기판(400)이 안착되어지는 면의 소정영역에는 플라즈마 전극(1010)이 설치되어 있으며, 외부로부터 고주파 전력을 인가 받는 제1 접속단자(910)가 플라즈마 전극(1010)과 연결된다. 이 때, 제1 접속단자(910)는 기판 지지대(300)를 관통하는 구멍에 삽입되어 설치된다.
세라믹으로 이루어진 반응기벽(100)은 상부에는 개구부가 형성되어 있고, 하부는 기판 지지대(300)와 연결되어 기판 지지대(300)와 함께 반응기 내부를 규정한다. 반응기벽(100)과 기판 지지대(300)의 연결 부위에서의 밀폐성을 확보하기 위하여 반응기벽(100)과 기판 지지대(300)의 연결 부위에 세라믹으로 이루어진 기체 밀폐링(600)을 더 구비할 수 있다. 기체 유입관(510)은 반응기벽(100) 상부에 형성된 개구부에 내삽되어지며, 개구부와의 사이에 틈(520a)이 생기도록 개구부보다 작은 직경을 갖는다.
샤워헤드(210, 220)는 기체 유입관(510)의 끝단에 연결되어 반응기벽(100) 내부에 설치되되, 반응기벽(100)의 개구부와 기체 유입관 사이의 틈(520a)이 반응실(554)과 이어지도록 한다. 여기서, 샤워헤드(210, 220)는 기체 분산판(210)과 기체 분산판 보호벽(220)으로 구성된다. 기체 분산판(210)은 기판(400)과 대향하도록 수평 설치되며 복수개의 분사홀을 가진다. 이 때, 기체 분산판(210)의 분사홀은 기판(400)의 대향면 및 기체 분산판(210)의 측면에 각각 형성함으로써 기체가 기판(400)에 균일하게 분사될 뿐 아니라 공정기체들의 전환이 용이하다. 기체 분산판 보호벽(220)은 하부가 개방된 원통형의 모양을 가지며, 상부는 기체 유입관(510)에 연결되고 하부에는 기체 분산판(520)이 설치된다. 이렇게 샤워헤드(210, 220)를 기체 분산판(210)과 기체 분산판 보호벽(220)으로 구성하게 되면, 기체 분산판(210)과 기체 분산판 보호벽(220)을 서로 다른 성질의 재질로 용이하게 제작할 수 있는 장점이 생긴다. 본 실시예에서는 기체 분산판(210)은 알루미늄으로 제작되고, 기체 분산판 보호벽(220)은 세라믹으로 제작된다. 기체 분산판 보호벽(220) 중에서 기체 유입관(510)에 연결된 부위는 내경이 점진적으로 확장되도록 설치된다. 따라서, 기체 유입관(510)에서 주입되는 기체는 주위로 쉽게 확산될 수 있게 된다. 그리고, 기체 분산판(210)과 기체 분산판 보호벽(220)이 연결되는 모서리에는 구멍을 형성함으로써 그 모서리에 공정기체가 누적되어 불필요한 박막이 형성되는 것을 방지한다.
기체 유출관(520)은 반응기벽(100)의 개구부와 기체 유입관(510) 사이의 틈(520a)에 연결되도록 설치되며, 기체 유출관(520)은 진공펌프(1400)에 연결된다. 따라서, 기체 분산판(210)을 통하여 반응실(554)로 분사된 공정기체는 반응기벽(100)과 기체 분산판 보호벽(220) 사이의 틈(520a)을 통하여 기체 유출관(520)으로 유출된다. 도 3에서 '→'는 공정기체의 흐름 방향을 나타낸 것이다.
기체 분산판(210)을 통하여 반응실(554)로 분사되는 기체가 기판(400)의 가운데 영역으로 유도될 수 있도록 하고, 기체 분산판(210)과 기판(400) 표면 사이의 영역으로부터 벗어나는 기체의 유속이 조절되도록 기체 분산판 보호벽(220)의 내측벽에 기체 유동 가이드링(700)이 부착되어 설치된다. 그리고, 반응기벽(100)을 용도에 따라 온벽 또는 열벽으로 구성할 수 있도록 반응기벽(100)의 측벽을 감싸는 열선(800)이 설치된다.
금속으로 된 블록(1020)은 기체 분산판(210)과 연결되면서 기체 분산판 보호벽(220)의 내측벽에 부착되어 설치되고, 외부로부터 고주파 전력을 인가받는 제2 접속단자(920)가 블록(1020)과 연결된다. 이 때, 제2 접속단자(920)는 반응기벽(100)과 기체 분산판 보호벽(220)을 관통하는 구멍(900a)에 삽입되어 설치된다. 제2 접속단자(920)를 통하여 기체 분산판(210)에 고주파 전력을 인가하면 반응실(554)내 존재하는 공정기체가 플라즈마로 변하고, 그 플라즈마에 의하여 기판(400)에 박막이 증착된다. 한편, 플라즈마 화학 기상 증착 공정으로 기판(400)에 금속성 박막을 증착하는 경우에 기체 분산판 보호벽(220)과 반응기벽(100) 사이에 형성된 틈(520a)에 금속성 박막이 증착되게 된다. 기체 분산판 보호벽(220)과 반응기벽(100) 사이에 형성된 틈(520a)에 증착된 박막은 전기적 누전의 원인이 되어 플라즈마가 발생하지 못하게 된다. 이를 방지하기 위하여 도면에 도시하지는 않았지만, 기체 분사구가 기체 유출관(520)에 마련되어 기체 분사구를 통하여 기체 분산판 보호벽(220)과 반응기벽(100) 사이에 형성된 틈(520a)에 외부에서 불활성 기체를 유입하도록 한다.
반응기 몸체(1100)는 반응기벽(100)의 소정영역 및 기판 지지대(300)를 둘러싸 외관을 형성하며, 개폐가 가능한 불활성기체 유입구(1110) 및 불활성기체 유출구(1120)와 투명창(1130)을 가진다. 그리고, 반응기 몸체(1100)는 상부 몸체(1100a)와 하부 몸체(1100b)로 이분되어 있고, 상부 몸체(1100a)와 하부 몸체(1100b)의 연결 부위에 밀폐성을 확보하기 위하여 오-링(O-ring; 1600)이 삽입되어 설치된다. 불활성기체 유입구(1110)를 통하여 반응기 하부 몸체(1100b)로 유입된 불활성 기체에 의하여 반응기 하부 몸체(1100b) 내부의 압력이 기판(400) 상부에 형성된 반응실(554)의 압력보다 높아지게 되면 반응실(554) 내의 기체가 밖으로 빠져나오지 못하게 된다.
한편, 참조 부호 'A'로 표시된 부분 즉, 기판(400)과 기판 지지대(300)의 접촉 부위 및 기판 지지대(300)와 후술되는 중앙지지핀(1310)의 접촉부위는 기계적인 조립으로 인하여 미세한 틈새가 형성된다. 이 틈새를 통하여 반응기 하부 몸체(1100b) 내부의 불활성 기체가 유입되면, 기판(400)과 기판 지지대(300) 사이에 불활성 기체 분위기가 형성되어 기판(400) 뒷면에 불필요한 박막이 형성되는 것이 방지된다. 그리고, 기판(400)의 움직임은 반응기 몸체(1100)에 형성된 투명창(1130)을 통하여 관찰할 수 있다.
상부 몸체(1100a)와 하부 몸체(1100b)를 연결, 고정시키기 위한 고정쇠(1400)와 고정쇠 홈(1410)은 하부 몸체(1100a)와 상부 몸체(1100b)에 각각 설치된다. 여기서 고정쇠(1400)는 공압실린더(1500)에 의해 공압으로 작동된다.
기판 지지대(300)를 구동하기 위한 기판 지지대 구동부는 반응기 몸체(1100)에 고정되어 있는 고정축(1210)과, 고정축(1210)을 축으로 하여 상하 이동이 가능한 이동판(1220)과, 이동판(1220)에 그 하부가 연결되어 이동판(1220)과 연동되는 구동축(1230)과, 구동축(1230)의 상부와 연결되어 구동축(1230)과 연동되는 연결판(1240)과, 연결판(1240)과 기판 지지대(300)가 연동되도록 그들을 연결하는 고정핀(1250)으로 구성된다. 이 때, 고정축(1210)의 상부는 반응기 몸체(1100) 하부에 고정되도록 설치하는 것이 바람직하다. 이동판(1220)이 상하로 이동하게 되면 구동축(1230), 연결판(1240), 및 기판 지지대(300)가 상하로 움직이게 된다.
기판 지지대(300)로부터 기판(400)을 용이하게 탈착하기 위하여 중앙지지핀 구동부가 설치된다. 중앙지지핀 구동부는 중앙지지핀(1310)과, 상부가 중앙지지핀(1310)과 연결되는 중앙축(1320)과, 중앙축(1320)을 반응기 몸체(1100)에 고정시키기 위한 밀봉조임새(1330)로 구성된다. 중앙지지핀(1310)은 기판 지지대(300)에 구멍을 형성하고 그 구멍에 삽입되어 설치된다. 이 때, 중앙축(1320)은 반응기 몸체(1100)를 관통하도록 구성하는 것이 바람직하다.
기판 지지대 구동부와 중앙지지핀 구동부의 작동은, 기판(400)에 박막을 증착하는 공정을 진행할 때에는 기판 지지대(300)가 상승하여 기체 밀폐링(600)과 기판 지지대(300)가 서로 접촉한다. 박막의 증착이 완료되면, 기판 지지대(300)는 하강하는데 기판(400)은 중앙지지핀(1310)에 의하여 지지되므로 기판(400)은 기판 지지대(300)와 분리된다. 이 때, 중앙지지핀 구동부의 밀봉조임새(1330)를 느슨하게 하고 중앙축(1320)과 중앙지지핀(1310)을 상하로 이동하여 기판(400)과 외부에 별도로 설치된 기판 이송 장치의 높이를 맞출 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치에 의하면, 기체 유입관(510)과 기체 유출관(520)이 동일한 위치에 이중 배관 형태로 구비되고, 반응실(554)이 작게 구성된다. 뿐만 아니라, 공정기체가 샤워헤드(210, 220)와 반응실(554) 내에서 유동하게 된다. 또한, 반응기벽(100)은 절연된 접속단자(920)와 세라믹으로 이루어진 기체 분산판 보호벽(220) 및 기체 밀폐링(600)에 의하여 반응실(554)과 전기적으로 분리됨으로써 전도성 있는 박막도 플라즈마 전력을 인가하여 용이하게 증착할 수 있다.
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상술한 바와 같이, 본 발명의 화학 증기 기상 장치에 의하면, 기체 유입관과 기체 유출관이 동일한 위치에 이중 배관 형태로 구비됨으로써, 반응실 내의 공정기체가 기체 유출관쪽으로 편중되어 흐르는 것을 방지할 수 있고, 반응실 내에서 공정기체의 유동이 기판에 대하여 대칭적으로 유지되어 기판에 균일한 박막을 증착할 수 있고 종래보다 공정기체의 효율이 향상된다. 그리고, 공정기체의 유동이 기판에 대하여 대칭적으로 유지되므로 샤워헤드 및 반응실을 종래보다 작게 구성할 수 있다. 따라서, 여러 종류의 공정기체들이 순차적으로 유입되는 공정에서 공정기체의 전환이 용이하다.
나아가, 공정기체가 2중 챔버 예컨대, 샤워헤드와 반응실 내에서 유동하게 되므로 기판 뒷면 및 기판 지지대에 불필요한 박막이 증착되는 것이 방지된다.
더 나아가, 플라즈마 발생 장치를 더 구비함으로써 반응실에 플라즈마를 발생시켜 공정기체를 활성화시킬 수 있다.
더 나아가, 주기적 화학 기상 증착이 이루어지는 장치의 배기부에서 오염 입자의 발생을 줄일 수 있다.
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본 발명은 상기 실시예들에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.

Claims (15)

  1. 기판이 수평 안착되어지는 기판 지지대;
    상기 기판 지지대와 함께 반응기 내부를 규정하며, 개구부가 형성된 상부면을 포함하는 반응기벽;
    상기 개구부에 틈이 생기도록 상기 개구부보다 작은 직경을 가지고 상기 개구부로 내삽되어 설치되는 기체 유입관;
    상기 기체 유입관의 끝단에 연결되고 상기 반응기벽으로부터 소정 거리가 이격되어 상기 반응기벽의 내부에 설치되되, 상기 기체 유입관을 통하여 유입되는 기체가 상기 기판 지지대 상에 균일하게 분사되도록 상기 기판 지지대의 대향면에 복수개의 분사홀을 갖는 샤워헤드;
    상기 반응실 내로 공급된 기체가 상기 반응기벽과 상기 기체 유입관 사이의 틈을 통해 배출되도록 상기 개구부에 설치되는 기체 유출관; 및
    상기 반응실 내에 교류 전위파를 가하기 위해 상기 샤워헤드에 연결되도록 설치되는 접속단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응기벽을 둘러싸도록 설치되는 열선을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 샤워헤드의 측면에 복수개의 분사홀을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 샤워헤드는, 상부는 상기 기체 유입관과 연결되고 저면은 개방된 기체 분산판 보호벽과, 상기 기판과 대향하도록 상기 기체 분산판 보호벽의 저면에 연결되어 수평 설치되고 기체가 통과할 수 있는 상기 분사홀을 가지는 기체 분산판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반응기벽 및 상기 기체 분산판 보호벽은 세라믹으로 이루어지고, 상기 기체 분산판은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 접속단자는 상기 반응기벽 및 상기 기체 분산판 보호벽을 관통하여 설치되고, 상기 기체 분산판과 상기 접속단자를 연결하면서 상기 기체 분산판 보호벽의 내측벽에 부착되어 설치되는 금속으로 된 블록을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 기체 분산판을 통하여 상기 반응실로 분사되는 기체가 상기 기판의 가운데 영역으로 유도되고 상기 기체 분산판과 상기 기판 표면 사이의 영역으로부터 벗어나는 기체의 유속이 조절되도록 상기 기체 분산판 보호벽의 내측벽에 기체 유동 가이드링을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반응실에 유입된 기체의 활성화를 위하여 상기 기판 지지대에 설치되는 플라즈마 전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판 지지대와 상기 반응기벽 사이에 기체 밀폐링을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 기판 지지대 및 상기 반응기벽의 소정영역을 둘러싸 외관을 형성하며, 개폐 가능한 기체 유출입구를 가진 반응기 몸체를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반응기 몸체에 투명창을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
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