KR100685918B1 - 유리기판 식각장치 및 이를 이용한 유리기판 식각방법 - Google Patents

유리기판 식각장치 및 이를 이용한 유리기판 식각방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 식각시간을 감소시킬 수 있는 유리기판 식각장치 및 이를 이용한 유리기판 식각방법을 제공하기 위한 것으로, 상기 유리기판 식각장치는 식각기; 상기 식각기에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부; 증류수를 제공하는 DI공급부 및 식각용액의 원액을 공급하는 식각원액공급부; 상기 DI공급부와 식각원액공급부로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하는 식각용액믹싱부; 상기 식각용액믹싱부에 의해 믹싱된 식각용액을 가열하는 식각용액가열부를 포함하여 구성되며, 기판을 식각하기 위한 식각용액을 가열하는 가열장치를 추가하였기 때문에 상온보다 빠른 발열반응이 일어나 식각 속도가 빨라진다.
발열반응

Description

유리기판 식각장치 및 이를 이용한 유리기판 식각방법{Etching Device for Glass Substrate and method for etching the Glass Substrate using the same}
도1은 종래 기술에 따른 유리기판 식각장치의 블록 다이어그램
도2는 상기 도1의 블록 다이어그램을 기초로 한 종래 기술에 따른 유리기판 식각장치를 도시한 도면
도3은 본 발명에 따른 유리기판 식각장치의 블록 다이어그램
도4는 상기 도1의 블록 다이어그램을 기초로 한 본 발명에 따른 유리기판 식각장치를 도시한 도면
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 식각기 2 : 식각용액재생부
3 : DI공급부 4 : 식각원액공급부
5 : 식각용액믹싱부 8 : 식각용액가열부
6 : 세정부 7 : 건조부
1a : 식각용기 1b : 공급관
2a : 필터 5a : 농도측정장치
2b : 저장탱크
본 발명은 유리기판 식각(etching)장치에 관한 것으로, 특히 가열(heating)장치를 이용한 유리기판 식각장치 및 이를 이용한 유리기판 식각방법에 관한 것이다.
근래에 LCD(Lipuid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electroluminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등 여러 가지 평판표시장치가 연구되고 있다. 그 중에서도 LCD가 여러 가지의 단점에도 불구하고 화질이 우수하며 저전력을 사용한다는 점에서 활발히 연구되고 있다.
이 LCD를 채용한 휴대용 텔레비젼이나 노트북 컴퓨터가 현재 시중에 시판되고 있지만, 아직도 해결해야 할 문제가 여러 가지 존재하는 실정이다. 특히, 휴대용 텔레비젼이나 노트북 컴퓨터 등은 사용자가 항상 휴대하고 다니기 때문에 크기나 중량을 줄이는 것이 LCD개발의 주요한 요건이 되고 있다.
상기와 같은 LCD의 크기나 무게를 줄이기 위해서는 여러 가지 방법이 적용될 수 있지만, 그 구조나 현재 기술상 LCD의 필수 구성요소의 중량이나 크기를 줄이는 것은 한계가 있다. 반면에 LCD의 가장 기본적인 구성요소인 유리기판은 기술이 진전되어 감에 따라 그 중량을 줄일 수 있는 여지가 남아 있다. 특히, 유리기판은 LCD를 구성하는 구조 중에서 가장 중량이 크기 때문에 그 중량을 줄이기 위한 연구가 계속되고 있다.
유리기판의 두께, 즉 중량을 줄이기 위해서 현재 사용되는 방법이 유리기판을 식각액이 채워진 용기에 담궈 이 식각액에 의해 유리기판의 표면을 식각하는 방법이다. 그러나 이러한 방법에서는 기판 자체의 불완전성에 의해 기판이 균일하게 식각되지 않고, 더욱이 식각과정에서 생성되는 불순물이 기판에 달라붙게 되어 기판의 표면이 울퉁불퉁하게 된다.
또한, 기판의 두께를 아주 얇게 식각하는 경우, 두께의 불균일에 의해 LCD제작과정에서 기판에 힘이 가해지면 기판에 금이 가며, 심지어는 기판 자체가 파손되는 요인이 된다.
이하 첨부된 도면은 종래 기술에 따른 유리기판 식각장치에 관한 것이다.
도1은 종래기술에 따른 유리기판 식각장치의 블록 다이어그램으로, 식각기(1)와, 상기 식각기(1)에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부(2)와, DI(증류수, Distilled water 또는 Deionized water)를 제공하는 DI공급부(3)와, 식각용액의 원액을 공급하는 식각원액공급부(4)와, 상기 DI공급부(3)와 식각원액공급부(4)로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부(2)로부터 정제된 식각용액을 공급받아 상기 식각기(1)에 식각용액을 제공하는 식각용액믹싱부(5)를 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 식각기(1)로부터 식각된 기판에 잔류하는 식각용액을 DI로 제거하는 세정부(6) 및 상기 세정된 기판을 건조시키는 건조부(7)를 더 포함하여 구성된다.
도2는 상기 도1의 블록 다이어그램을 기초로 한 종래기술에 따른 유리기판 식각장치를 도시한 것이다.
도2에 도시한 바와 같이, 밀폐된 식각용기(1a)와, 상기 식각용기(1a)와 적어도 하나의 관으로 연결되어 질소(N2) 또는 산소(O2)를 공급하는 공급관(1b)이 연결된 식각기(1)와, 일측에 형성되어 DI(증류수, Distilled water 또는 Deionized water)를 제공하는 DI공급부(3)와, 식각용액의 원액을 공급하는 식각원액공급부(4)와, 상기 DI공급부(3) 및 식각원액공급부(4)로부터 각각 DI 및 식각원액을 공급받고, 상기 식각용액재생부(2)로부터 정제된 식각용액을 제공받아 각각을 믹싱하여 상기 식각기(1)에 식각용액을 제공하는 식각용액믹싱부(5)를 포함하여 구성된다.
도1의 세정부(6) 및 건조부(7)는 도시하지 않았다.
상기 식각용액재생부(2)에 저장되어 정화된 식각용액은 식각용액믹싱부(5)에 공급되며, 식각용액 화합물을 공급하는 DI공급부(3)와 식각원액공급부(4)로부터 제공된 DI(증류수, Distilled water 또는 Deionized water) 및 식각원액과 혼합된다.
그리고, 상기 식각용액믹싱부(5)의 일측에는 농도측정장치(5a)가 있어 식각용액믹싱부(5) 내부의 농도를 측정하며, 이미 설정된 식각용액의 기준농도에 도달하면 DI공급부(3) 및 식각원액공급부(4)로부터 공급이 중단된다.
상기 식각용액믹싱부(5)로부터 식각용액이 식각기(1)의 식각용기(1a)로 유입되고, 상기 식각용기(1a)에서 식각될 기판과 식각용액 사이의 발열반응으로 기판이 식각된다.
그러나, 이상에서 설명한 종래의 유리기판 식각장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
상기 유리기판의 식각 공정은 상기 유리기판과 상기 식각용액의 발열반응에 의해 진행되는데, 종래의 유리기판 식각장치의 식각용액믹싱부는 상온에서 식각용액을 식각기에 공급하므로 상기 유리기판을 식각하는데 소요되는 시간이 오래 걸렸다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 유리기판을 식각하기 위한 식각용액 발열반응을 이용함으로써 일정한 온도에 도달해야만 일정한 두께로 식각되고, 화학반응 특성상 상온에서 반응을 시작하는 것보다 상온보다 높은 온도에서 시작하는 것이 반응시간이 훨씬 짧아지는 유리기판 식각장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유리기판 식각장치의 특징은 식각기; 상기 식각기에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부; DI(증류수, Distilled water 또는 Deionized water)를 제공하는 DI공급부 및 식각용액의 원액을 공급하는 식각원액공급부; 상기 DI공급부와 식각원액공급부로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하는 식각용액믹싱부; 상기 식각용액믹싱부에 의해 믹싱된 식각용액을 가열하는 식각용액가열부를 포함하여 구성되는데 있다.
또한, 이와 같이 구성된 본 발명에 따른 유리기판 식각장치를 이용한 유리기판 식각방법의 특징은 식각기; 상기 식각기에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부; 증류수를 제공하는 DI공급부 및 식각원액을 공급하는 식각원액공급부; 상기 DI공급부와 식각원액공급부로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하는 식각용액믹싱부; 상기 식각용액믹싱부에 의해 믹싱된 식각용액을 가열하는 식각용액가열부를 포함하여 구성되는 유리기판 식각장치에 있어서, 상기 식각기에 기판을 로딩하는 단계; 상기 식각기에 상기 식각용액가열부를 통해 가열된 식각용액을 공급하는 단계; 상기 식각기에 공급된 상기 식각용액의 온도를 측정하여 일정온도에 이르면, 상기 기판에 대한 식각을 중지하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
본 발명의 특징에 따른 작용은 기판의 식각공정은 식각용액과의 발연반응을 이용하기 때문에 기판을 식각하기 위한 식각용액을 가열하는 가열장치를 추가하여 발열이 일어나는 속도를 앞당겨 빠른 발열반응이 일어나도록 하여 기판의 식각 공정 시간이 대폭 줄어들고, 상기 식각 공정 시간의 단축을 위해 고농도의 식각용액이 필요한 기존 공정에 비해 기존과 같은 식각 공정 시간에 적은 농도의 식각용액이 필요하므로 식각원액을 줄여 경제적이다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 유리기판 식각장치의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도3은 본 발명에 따른 유리기판 식각장치의 블록 다이어그램으로, 식각기(1)와, 상기 식각기(1)에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부(2)와, DI(증류수, Distilled water 또는 Deionized water)를 제공하는 DI공급부(3)와, 식각용액의 원액을 공급하는 식각원액공급부(4)와, 상기 DI공급부(3)와 식각원액공급부(4)로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부(2)로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하는 식각용액믹싱부(5)와, 상기 식각용액믹싱부(5)에 의해 믹싱된 식각용액을 가열하는 식각용액가열부(8)를 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 식각기(1)로부터 식각된 기판에 잔류하는 식각용액을 DI로 제거하는 세정부(6) 및 상기 세정된 기판을 건조시키는 건조부(7)를 더 포함하여 구성된다. 상기의 식각용액은 HF(불산)용액을 포함한다.
도4는 상기 도3의 블록 다이어그램을 기초로 한 본 발명에 따른 유리기판 식각장치를 도시한 것이다.
도4에 도시한 바와 같이, 밀폐된 식각용기(1a)와, 상기 식각용기(1a)와 적어도 하나의 관으로 연결되어 질소(N2) 또는 산소(O2)를 공급하는 공급관(1b)이 연결된 식각기(1)와, 상기 식각기(1)에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하는 필터(2a)와, 상기 필터(2a)에 의해 정제된 식각용액을 저장하는 저장탱크(2b)로 구성된 식각용액재생부(2)와, 일측에 형성되어 DI(증류수, Distilled water 또는 Deionized water)를 제공하는 DI공급부(3)와, 식각용액의 원액을 공급하는 식각원액공급부(4)와, 상기 DI공급부(3) 및 식각원액공급부(4)로부터 각각 DI 및 식각원액을 공급받고, 상기 식각용액재생부(2)로부터 정제된 식각용액을 제공받아 각각을 믹싱하는 식각용액믹싱부(5)와, 상기 식각용액믹싱부(5)에 의해 믹싱된 식각용액을 가열하는 식각용액가열부(8)를 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 식각용액믹싱부(5)의 일측에는 농도측정장치(5a)가 있어 식각용액믹싱부(5) 내부의 농도를 측정하고, 그리고 상기 식각용액믹싱부(5)의 다른 일측에 식각용액을 일정한 온도로 유지하기 위하여, PCW(냉각수)관(도시하지 않음)이 설치되기도 한다.
상기 농도측정장치(5a)를 이용하여 HF 등의 식각용액의 농도를 일정하게 하는데, 그 이유는 질소(N2) 또는 산소(O2)의 기포에 의한 버블(Bubble)압과 함께 식각용액의 농도가 식각시간에 영향을 주므로(농도가 낮은 경우는 식각 시간이 길어지고, 농도가 높은 경우는 급격한 발열 및 화학반응에 의해 유리기판 표면에 불균일한 식각이 발생함) 식각용액의 농도를 일정하게 하기 위함이다.
또한, 상기 식각기(1)에는 식각용기(1a)에서 식각될 기판과 식각용액 사이에 발열반응으로 생기는 온도변화를 측정하기 위한 온도측정장치(1c)가 더 설치된다.
즉, 상기 식각용액은 상기 기판에 포함되어 있는 실리콘 산화물(SiO2)을 제거하는 것으로 상기 유리기판과 HF의 반응은 SiO2 + HF --> SiF4 + 2H2O + E로 표현될 수 있다. 여기서, E는 상기 기판이 식각될 때 발생하는 열을 나타낸다. 상기 기판을 식각할 때에는 열이 발생하게 되며, 상기 반응에서 발생한 열을 측정하면 상기 식각용액의 농도나 식각시간에 관계없이 삭각의 정도를 알 수 있다. 따라서 원하는 기판의 두께, 기판의 개수에 따라 반응하는 열의 온도를 계산하여 그 온도에 도달하면 식각을 멈추게 되어 균일한 두께로 식각된 기판을 얻을 수 있다.
그리고, 상기 필터(2a)는 저장탱크(2b)의 뒷단에 더 연결되기도 하며, 상기 저장탱크(2b)의 뒷단에 연결된 필터(2a)는 식각용액이 저장탱크(2b)에 저장되고 침전물(sludge)이 침적되면 상기 침전물을 제거하는 역할을 한다.
상기 필터(2a)는 저장탱크(2b)의 전, 후단 모두에 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
그리고, 상기 식각기(1)와, 식각용액가열부(8)와, 식각용액믹싱부(5) 및 식각용액재생부(2) 사이에는 서로 관으로 연결되어 식각용액이 이동하며, 관 사이에 적어도 하나의 펌프가 형성되기도 하여 식각용액이 이동한다.
도1의 세정부(6) 및 건조부(7)는 도시하지 않았다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 유리기판 식각장치의 메카니즘은 다음과 같다.
먼저, 식각용기(1a)에 유리기판(도시하지 않음)을 배치하고, 식각기(1)와 식각용액가열부(8)사이의 펌프(도시하지 않음)를 작동하면 압력에 의해 식각용액가열부(8)에 의해 가열된 식각용액이 관을 통해 식각용기(1a)로 공급되어 유리기판과 발열반응을 일으켜 유리기판이 식각된다. 이때 공급관(1b)으로부터 산소, 질소 혹은 수소도 함께 주입되어 이에 따라 기포가 발생하며, 상기 기포로 인해 유리기판의 표면에 달라붙은 불순물이 제거된다.
이 식각용액은 다시 관을 통해 유출되고 저장탱크(2b)로 유입되기 전에 정제되거나 이후에 정제되어 식각용액믹싱부(5)로 이동되며, 상기 정제된 식각용액과 함께 식각용액 화합물을 공급하는 DI공급부(3)와 식각원액공급부(4)로부터 제공된 DI(증류수, Distilled water 또는 Deionized water) 및 식각원액이 식각용액믹싱부(5)에 공급되어 혼합된다.
그리고, 상기 식각용액믹싱부(5)의 일측에 형성된 농도측정장치(5a)를 이용하여 식각용액믹싱부(5) 내부의 농도를 측정하여 이미 설정된 식각용액의 기준농도에 도달하면 DI공급부(3) 및 식각원액공급부(4)로부터 공급을 중단한다.
상기 일정농도에 다다른 식각용액을 관을 통해 식각용액가열부(8)로 유입하고, 상온보다 높은 온도로 가열하여, 가열된 식각용액을 식각기(1)의 식각용기(1a)로 펌프의 압력에 의해 다시 유입한다.
그러면, 상기 식각용기(1a)에서 식각될 기판과 식각용액 사이에 발열반응이 활발히 일어나 기판이 식각되고, 상기 발열반응으로 생기는 온도변화를 온도측정장치(1c)를 이용하여 식각용기(1a) 내부 온도를 측정하여 일정한 온도에 이르지 않으면 상기의 과정을 다시 수행하고, 일정한 온도에 이르면 자동적으로 식각을 중단한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 유리기판 식각장치 및 이를 이용한 유리기판 식각방법에는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 기판의 식각은 기판과 식각용액의 발열반응에 의해 일어나므로, 상기 기판을 식각하기 위한 식각용액을 가열하는 가열장치를 추가하였기 때문에 상온보다 빠른 발열반응이 일어나 식각 속도가 빨라진다.
둘째, 가열장치를 추가하였기 때문에 빠른 발열반응으로 인해 기판을 식각하기 위한 식각용액의 농도를 일정하게 유지하기 위해 필요한 식각원액의 양도 줄어들어 식각원액 면에서 경제적이다.
즉, 발열반응을 이용함으로써 일정한 온도에 도달해야만 일정한 두께로 식각되고, 화학반응 특성상 상온에서 반응을 시작하는 것보다 상온보다 높은 온도에서 시작하는 것이 반응시간이 훨씬 짧아진다. 이것은 식각장비의 성능과 관계가 있고, 상온의 식각용액을 가열장치를 이용하여 온도를 높여줌으로써 반응시간을 줄여 장비의 성능을 어느정도 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

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  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 식각기; 상기 식각기에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부; 증류수를 제공하는 DI공급부 및 식각원액을 공급하는 식각원액공급부; 상기 DI공급부와 식각원액공급부로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하는 식각용액믹싱부; 상기 식각용액믹싱부에 의해 믹싱된 식각용액을 가열하는 식각용액가열부를 포함하여 구성되는 유리기판 식각장치에 있어서,
    상기 식각기에 기판을 로딩하는 단계;
    상기 식각용액믹싱부에서 믹싱한 식각용액을 상기 식각용액가열부에서 가열하는 단계;
    상기 식각기에 상기 식각용액가열부를 통해 가열된 식각용액을 공급하는 단계;
    상기 식각기에 공급된 상기 식각용액과 상기 기판 사이의 발열반응으로 생기는 온도변화를 측정하여 상기 식각용액이 일정온도에 이르면, 상기 기판에 대한 식각을 중지하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각장치를 이용한 유리기판 식각방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 식각기에 공급된 식각용액의 농도를 일정하게 유지하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각장치를 이용한 유리기판 식각방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 식각기에 질소 또는 산소를 공급하여 기포를 발생시킴으로써 상기 기판 표면의 불순물을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 식각용액재생부에서 적어도 하나의 필터를 이용하여 상기 식각용액의 불순물을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 식각용액믹싱부에서 냉각수관을 이용하여 상기 식각용액을 일정한 온도로 유지하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 식각용액은 HF를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 식각기로부터 식각된 기판에 잔류하는 식각용액을 제거하는 세정단계 및 상기 세정된 기판을 건조시키는 건조단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각방법.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685918B1 (ko) * 2000-12-27 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유리기판 식각장치 및 이를 이용한 유리기판 식각방법
KR100652041B1 (ko) * 2000-12-29 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
GB0506834D0 (en) * 2005-04-05 2005-05-11 Rolls Royce Plc Core leaching
TWI262827B (en) * 2005-12-13 2006-10-01 Ind Tech Res Inst Cleaning device and method of bubble reaction
US20080217296A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-11 United Microelectronics Corp. Etching apparatus for semiconductor processing apparatus and method thereof for recycling etchant solutions
TWI349221B (en) * 2008-02-05 2011-09-21 Au Optronics Corp Sensing structure of a display
WO2013181213A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Corning Incorporated Systems and methods for acid-treating glass articles
CN104291687A (zh) * 2013-07-15 2015-01-21 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 一种光学零件的化学抛光装置
JP2015185556A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 株式会社東芝 処理液管理装置、処理システム、及び被処理体の処理方法
US10663745B2 (en) 2016-06-09 2020-05-26 3M Innovative Properties Company Optical system
KR20180004707A (ko) 2016-06-09 2018-01-12 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 광학 시스템
CN109313287B (zh) 2016-06-09 2021-07-09 3M创新有限公司 显示***和光导

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000019079A (ko) * 1998-09-08 2000-04-06 구본준, 론 위라하디락사 유리기판의 식각장치
KR20000024808A (ko) * 1998-10-02 2000-05-06 최종관 Tft lcd용 글라스의 자동 에칭 장치 및 에칭방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482425A (en) * 1983-06-27 1984-11-13 Psi Star, Inc. Liquid etching reactor and method
US4907611A (en) * 1986-12-22 1990-03-13 S & C Co., Ltd. Ultrasonic washing apparatus
US4861490A (en) * 1987-08-21 1989-08-29 Phosphate Engineering & Construction Co., Inc. Removal of cationic impurities from inorganic solutions
JPH02138459A (ja) 1988-11-16 1990-05-28 Raimuzu:Kk 複合硬質材料及びその製造方法
JPH0679512B2 (ja) 1989-06-20 1994-10-05 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネルの製造方法
JP2722798B2 (ja) 1990-09-07 1998-03-09 カシオ計算機株式会社 薄型液晶表示素子の製造方法
JP2678326B2 (ja) 1992-03-06 1997-11-17 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子の製造方法
JP2678325B2 (ja) 1992-03-06 1997-11-17 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子の製造方法
US5277715A (en) * 1992-06-04 1994-01-11 Micron Semiconductor, Inc. Method of reducing particulate concentration in process fluids
JPH07168172A (ja) 1993-12-16 1995-07-04 Canon Inc 液晶表示装置及びその製造方法
KR0171092B1 (ko) * 1995-07-06 1999-05-01 구자홍 기판 제조방법
US6197209B1 (en) * 1995-10-27 2001-03-06 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method of fabricating a substrate
US6630052B1 (en) * 1996-06-26 2003-10-07 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Apparatus for etching glass substrate
US5779927A (en) * 1997-01-27 1998-07-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Modified reflux etcher controlled by pH or conductivity sensing loop
KR100252221B1 (ko) * 1997-06-25 2000-04-15 윤종용 반도체장치 제조용 습식 식각장치 및 습식 식각장치내의 식각액 순환방법
KR100234896B1 (ko) * 1997-07-29 1999-12-15 구본준 액정표시장치의 기판 평탄화 방법
JPH11226387A (ja) * 1998-02-13 1999-08-24 Karasawa Fine:Kk 流体による処理方法および装置
KR20000067106A (ko) * 1999-04-23 2000-11-15 구본준 유리기판 에칭장치
US5979474A (en) * 1998-05-12 1999-11-09 Sumitomo Sitix Corporation Cleaning equipment for semiconductor substrates
US6699400B1 (en) * 1999-06-04 2004-03-02 Arne W. Ballantine Etch process and apparatus therefor
US20020023663A1 (en) * 2000-02-22 2002-02-28 Macronix International Co., Ltd. Apparatus and method for preventing the re-adherence of particles in wafer-cleaning process
TW512131B (en) * 2000-06-08 2002-12-01 Mosel Vitelic Inc Apparatus and method for controlling boiling conditions of hot phosphoric acid solution with pressure adjustment
KR100685918B1 (ko) * 2000-12-27 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유리기판 식각장치 및 이를 이용한 유리기판 식각방법
KR100565741B1 (ko) * 2000-12-27 2006-03-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유리기판 식각장치
US6673195B2 (en) * 2001-03-30 2004-01-06 Industrial Technologies Research Institute Apparatus and method for etching glass panels

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000019079A (ko) * 1998-09-08 2000-04-06 구본준, 론 위라하디락사 유리기판의 식각장치
KR20000024808A (ko) * 1998-10-02 2000-05-06 최종관 Tft lcd용 글라스의 자동 에칭 장치 및 에칭방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020000019079
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US20050224462A1 (en) 2005-10-13
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US7361610B2 (en) 2008-04-22

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