KR100684104B1 - 결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검사 장치 - Google Patents

결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검사 장치 Download PDF

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Abstract

결함을 효과적으로 검출할 수 있는 결함 검사 장치는, 기판을 지지하기 위한 제1 지지부, 제1 지지부에 인접하게 배치되며, 표준 시료를 지지하는 제2 지지부, 기판 및 표준 시료에 광들을 각각 조사하기 위한 광원부, 기판 및 표준 시료들로부터 반사된 광들을 각각 수집하기 위한 수광부, 반사광들에서 기판 및 표준 시료에 존재하는 결함들을 검출하기 위한 검출부, 표준 시료로부터 검출된 결함들에 대한 정보와 기 설정된 기준 결함 정보를 비교하여 검출 결과의 신뢰도를 산출하는 비교부, 그리고 신뢰도에 따라 기판에 대한 결함 검사 공정의 진행 여부를 결정하는 판단부를 포함한다. 표준 시료는 서로 다른 결함들을 각각 갖는 복수개의 단위 표준 시료들을 포함할 수 있고, 제1 지지부와 상기 제2 지지부는 일체로 형성될 수 있다. 표준 시료를 결함 검사 장치에 내장시켜 결함 검사 장치의 정상 작동 여부를 신속, 용이, 그리고 정확하게 확인할 수 있다.

Description

결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검사 장치{METHOD OF INSPECTING A DEFECT AND APPARATUS FOR INSPECTING A DEFECT USING THE SAME}
도 1은 종래의 결함 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검사 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시한 표준 시료를 설명하기 위한 확대 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 및 제2 지지부들을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검사 장치를 이용한 결함 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100：결함 검사 장치 110：광원부
115：제1 광학 부재 117：광 경로 변환 부재
120,220：제1 지지부 130,230：제2 지지부
140：제1 구동부 145：제2 구동부
150：수광부 160：검출부
170：비교부 180：메모리부
190：제어부 235：스테이지
S：표준 시료 S1,S2,S3,S4：단위 표준 시료
W：기판
본 발명은 결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검사 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 결함 검사 공정의 신뢰도를 확인하며 기판 상에 존재하는 파티클 및 스크래치(scratch)와 같은 결함을 신속 및 정확하게 검사할 수 있는 결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검사 장치에 관한 것이다.
현재의 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다. 반도체 장치의 고집적화 및 고성능화를 이루기 위해서 반도체 기판 상에 존재하는 결함을 검출하는 검사 공정을 필수적으로 수행하여야 한다. 예를 들어, 패터닝 공정 결과 반도체 기판 상에 형성된 미세 구조물에 파티클(particle), 브릿지(bridge), 함몰(collapse) 등의 결함이 발생할 수 있다. 또는 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정 결과 반도체 기판의 표면에 스크래치(scratch) 등의 결함이 발생할 수 있다. 이와 같은 결함들은 결함 검사 공정을 통하여 후속 공정에 영향 여부가 확인된다.
현재 일반적인 결함 검사 공정은 크게 다크 필드(dark field) 검사 방법과 브라이트 필드(bright field) 검사 방법으로 구분된다. 다크 필드 검사 방법은 광의 산란 원리를 이용하는 것이고, 브라이트 필드 검사 방법은 고속 현미경 개념을 이용하는 것이다. 다크 필드 및 브라이트 필드 검사 방법들은 모두 결함을 검출하기 위해서 이미지 데이터를 비교하는 방식을 이용하고 있다. 이는 반도체 기판 상에 존재하는 다이(die)들이 실질적으로 동일하다는 사실을 바탕으로, 서로 이웃하는 다이들로부터 획득한 이미지 데이터들을 비교한다. 이 결과, 차이가 발생되는 구역을 검출하고 이 구역에 결함이 존재하는 것으로 정의한다.
도 1은 종래의 결함 검사 방법을 설명하기 위한 순서도를 도시한 것으로서, 반도체 제조 공정 중 웨이퍼(wafer) 상의 결함을 검사하는 종래의 작업 순서를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 결함 검사 장치 안에 임의로 선택된 피검 웨이퍼를 로딩하고(S11), 피검 웨이퍼 상에 레이저 광을 조사한다(S12). 레이저 광은 피검 웨이퍼로부터 반사되고(S13), 피검 웨이퍼로부터 반사된 광은 광증배관(photo multiplier tube)에 수집된다(S14). 광증배관은 수집된 반사광의 세기에 따라 최적의 증폭 비를 산출하고(S15), 산출한 증폭 비에 따라 반사광을 증폭한다(S16). 증폭된 반사광을 디지털 신호로 변환하고(S17), 디지털 신호를 서버(server)에 저장한다(S18). 이후, 상기 디지털 신호를 기준 웨이퍼로부터 획득한 신호와 비교하여 피검체 상의 결함 유무 및 개수 등을 확인한다(S19). 이 경우, 결함 개수가 일정 개수를 넘어가게 되면(spec out), 반도체 제조 설비는 스펙 아웃에 의해 정지되고(spec out interlock), 해당 웨이퍼를 별도의 리뷰 설비로 옮겨 존재하는 결함들을 재검사 (review)한다. 여기서, 재검사란 검사 설비에서 얻어진 결함 위치 정보에 따라 별도의 재검 설비에서 해당 위치에 존재하는 결함 모양 및 형태 등을 육안으로 확인하는 공정을 의미한다. 재검사를 수행하는 설비로는 마이크로스코프(microscope) 또는 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope: SEM) 등이 있다.
전술한 바와 같은 일정 개수 이상의 피검 웨이퍼들을 검사한 다음에는, 결함 검사 공정의 신뢰도를 확인하기 위하여 결함 검사 장치로부터 피검 웨이퍼를 언로딩하고(S20), 표준 결함들을 인위적으로 형성한 검사용 웨이퍼를 결함 검사 장치 안에 로딩한다(S21). 검사용 웨이퍼 상에 레이저 광을 조사하고(S22), 검사용 웨이퍼로부터 반사된 레이저 광을 광증배관에 수집한다(S23). 광증배관은 수집된 반사광의 세기에 따라 최적의 증폭 비를 산출하고(S24), 산출한 증폭 비에 따라 반사광을 증폭한다(S25). 증폭된 반사광을 디지털 신호로 변환하고(S26), 디지털 신호를 서버(server)에 저장한다(S27). 이후, 상기 디지털 신호를 기 설정된 검사용 웨이퍼 정보와 비교하여 실질적인 일치 여부를 확인하여 결함 검사 장치의 이상 여부를 판별한다(S28). 상기 디지털 신호와 기 설정된 검사용 웨이퍼 정보는 동일한 검사용 웨이퍼로부터 획득된다. 따라서 결함 검사 장치가 정상적으로 작동될 경우, 상기 디지털 신호와 기 설정된 검사용 웨이퍼 정보는 일치하게된다. 하지만, 결함 검사 장치에 이상이 발생된 경우, 상기 디지털 신호와 기 설정된 검사용 웨이퍼 정보는 불일치할 것이며, 이로써 이 결과, 결함 검사 장치로부터 정확한 결함 검사 정보가 출력되는 지를 확인할 수 있다.
전술한 바와 같은 결함 공정을 수행하기 위한 일예로서, 케이엘에이-텐코어 사(KLA-Tencor Corp.)가 출원한 미국등록특허 제5,917,588호에는 명시야 조명 및 암시야 조명을 갖는 자동 검사 시스템이 개시되어 있다.
상기 공개특허를 포함한 종래의 일반적인 결함 검사 공정에서, 결함 검사 결과의 신뢰도 확인은 일정주기별로 수행된다. 이는 결함 검사 결과에 따라 후속 조치가 결정되게 되며, 불확실한 근거로 후속 조치를 결정할 경우 막대한 재정적 및 시간적 손실이 발생될 수 있기 때문이다. 하지만, 결함 검사 공정 중간마다 검사용 웨이퍼를 로딩하여 결함 검사 결과의 신뢰도를 확인하는 것은 막대한 시간적 및 재정적 손실을 초래하고 있다. 예를 들어, 검사용 웨이퍼를 수작업으로 결함 검사 장치에 로딩 및 언로딩 시에 결함 검사 장치의 손상 등과 같은 공정 사고가 발생될 수 있다. 또한, 수작업으로 데이터를 분석함으로써 데이터 분류 작업의 정확도가 불량하며, 측정 후 이상 여부를 판단하기까지 상당한 시간이 소요되고 있다.
과거 하나의 반도체 기판에서 수십 개 수준으로 발생되는 결함들은 현재 반도체 장치가 고성능 및 고집적화 됨에 따라 수백, 수천 개로 늘어나게 되었다. 하지만 결함 검사 방법 및 장치의 발전은 미약하여 결함 검출 시 소요되는 시간 및 비용은 꾸준히 증가하고 있다. 이와 유사하게, 결함 검사 결과의 신뢰도 확인에 소요되는 시간 및 비용도 꾸준히 증가하고 있는 실정이어서 이에 대한 대책마련이 시급하다.
본 발명은 전술한 바와 같은 종래 기술의 문제점들을 해소하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 일 목적은 피검체 상에 존재하는 결함을 신속 및 정확하게 검출 할 수 있는 결함 검사 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 결함 검사 방법을 이용하여 피검체 상에 존재하는 결함을 신속 및 정확하게 검출할 수 있는 결함 검사 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 관점에 따른 결함 검사 방법에 따르면, 결함 검사 장치에 기판을 로딩하고, 로딩된 기판에 인접하게 배치된 표준 시료 상의 표준 결함들에 대한 정보를 획득하고, 획득한 결함 검사 정보와 기 설정된 기준 결함 정보를 비교하여 결함 검사 장치의 이상 여부를 확인하고, 이상 여부에 따라 기판에 대한 결함 검사 공정을 수행한다. 이 경우, 기준 결함 정보는 표준 결함들에 대한 정보를 포함할 수 있다. 결함 검사 장치의 이상 여부를 확인하기 위해서는, 획득한 결함 검사 정보로부터 표준 결함들의 개수를 확인하고, 확인한 표준 결함들의 개수와 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 개수의 오차를 산출하고, 산출된 오차에 따라 결함 검사 장치의 이상 여부를 판단할 수 있다. 다르게는, 표준 시료로부터 반사된 광으로부터 표준 결함들의 신호 대 잡음비(signal to noise, S/N)를 산출하고, 산출한 신호 대 잡음비와 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 신호 대 잡음비를 비교하고, 비교 결과에 따라 결함 검사 장치의 이상 여부를 판단할 수 있다. 표준 결함들은 폴리스티렌 스피어 라텍스(polystyrene sphere latex, PSL)를 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 관점에 따른 결함 검사 장치는, 기판을 지지하기 위한 제1 지지부, 제1 지지부에 인접하게 배치되며, 표준 시료를 지지하는 제2 지지부, 기판 및 표준 시료에 광들을 각각 조사하기 위한 광원부, 기판 및 표준 시료들로부터 반사된 광들을 각각 수집하기 위한 수광부, 반사광들에서 기판 및 표준 시료에 존재하는 결함들을 검출하기 위한 검출부, 표준 시료로부터 검출된 결함들에 대한 정보와 기 설정된 기준 결함 정보를 비교하여 검출 결과의 신뢰도를 산출하는 비교부, 그리고 신뢰도에 따라 기판에 대한 결함 검사 공정의 진행 여부를 결정하는 판단부를 포함한다. 이 경우, 표준 시료는 서로 다른 결함들을 각각 갖는 복수개의 단위 표준 시료들을 포함할 수 있다. 제1 지지부와 상기 제2 지지부는 일체로 형성될 수 있다. 제1 지지부를 수평방향으로 이동시키기 위한 제1 구동부 및 제2 지지부를 수평방향으로 이동시키기 위한 제2 구동부가 더 구비될 수 있다.
본 발명에 따르면, 결함 검사 장치에 표준 시료를 내장시킴으로써 결함 검사 장치의 상태를 신속 및 용이하게 확인할 수 있다. 따라서 기판 상에 존재하는 결함들을 효과적으로 검출할 수 있으며, 결과적으로는 결함 검사 공정의 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 관점들에 따른 결함 검사 방법 및 이를 이용한 결함 검사 장치의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패드, 패턴 또 는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 영역, 패드, 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 패드, 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도를 도시한 것이고, 도 3은 도 2에 도시한 표준 시료를 설명하기 위한 개략적인 확대 평면도를 도시한 것이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 결함 검사 장치(100)는 광원부(110), 제1 지지부(120), 제2 지지부(130), 제1 구동부(140), 제2 구동부(145), 수광부(150), 검출부(160), 비교부(170), 메모리부(180) 및 제어부(190)를 포함한다.
광원부(110)는 제1 지지부(120) 상에 배치된 기판(W)과 제2 지지부(130) 상에 배치된 표준 시료(S) 상에 조사하기 위한 광을 생성한다. 예를 들어, 광원부(110)는 약 500~600nm 파장대역의 WLR광, 365~600nm 파장대역의 WL광, 약 350~450nm 파장대역의 BBUV광, 약 365nm 파장대역의 SUV광, 약 300~100nm 파장대역의 DUV광, 약 100nm 이하 파장대역의 EUV광 등을 생성할 수 있다. 광원부(110)로부터 생성된 광은 제1 광학 부재(115)를 경유하여 기판(W) 및 표준 시료(S)에 조명될 수 있다.
제1 광학 부재(115)는 광원부(110)로부터 생성된 광의 특성을 향상시키거나 특정 파장대역으로 필터링하기 위한 장치로서, 편광 플레이트나 애퍼처(aperture) 등을 포함할 수 있다. 또한, 광원부(110)로부터 생성된 광의 진행 경로 상에는 미러(mirror)나 프리즘(prism)과 같은 광 경로 변환 부재(117)가 더 배치될 수 있다.
광원부(110)로부터 생성된 광은 다양한 입사각으로 기판(W)과 표준 시료(S)에 조사될 수 있다. 예를 들어, 광의 입사각은 기판(W)의 수평면으로부터 10 내지 90도의 범위 내에서 선택될 수 있다. 광은 수평면에 대하여 수직(약 90도)하게 조사되는 것이 바람직하다.
광원부(110)로부터 생성된 광은 기판(W)과 표준 시료(S)에 선택적으로 조사될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 결함을 검사할 경우 광원부(110)로부터 생성된 광은 기판(W)에 조사되고, 결함 검사 공정의 신뢰도를 확인할 경우 광원부(110)로부터 생성된 광은 표준 시료(S)에 조사된다. 기판(W)과 표준 시료(S)를 선택적으로 조명하기 위하여, 광원부(110)로부터 생성된 광의 경로를 기판(W)과 표준 시료(S)에 대응하게 변경할 수 있다. 다르게는, 광원부(110)로부터 생성된 광을 두개의 스플릿 광들로 분할하고, 스플릿 광들을 기판(W)과 표준 시료(S)에 각각 조사할 수 있다. 또 다르게는, 두개의 광원을 포함하는 광원부(110)로부터 생성된 두개의 광들을 기판(W)과 표준 시료(S)에 각각 조사할 수 있다. 또 다르게는, 조명 대상이 광의 경로 상에 위치하도록 기판(W)과 표준 시료(S)의 위치를 변경할 수 있다. 이하, 기판(W)과 표준 시료(S)의 위치가 변경되는 경우에 대해서 설명하지만, 이로써 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아님을 밝혀둔다.
우선, 피검 대상이 되는 기판(W)과 표준 시료(S)에 대하여 설명하면, 기판(W) 상에는 소정의 가공 공정을 통하여 메모리용 또는 비 메모리용 미세 구조물들 이 반복적으로 또는 비 반복적으로 형성될 수 있다. 예들 들어, 메모리 칩(memory chip)의 경우, 한 다이(die)에서 70~80% 정도가 반복적으로 형성되는 셀들(cells)로 이루어지고, 나머지 20~30% 정도가 비 반복적으로 형성되는 페리(peri), S/A(sense amplifier), SWD(sub-word divider) 등으로 이루어진다. 비 메모리 칩이나 에스오씨(system on chip, SOC)의 경우, 에스램(SRAM), 디램(DRAM), 로직(LOGIC), 플래쉬 메모리(FLASH MEMORY)등이 비 반복적으로 형성된다. 이중에서, 각각의 에스램(SRAM) 영역, 디램(DRAM) 영역, 플래쉬 메모리(FLASH MEMORY) 영역 내에는 셀들이 반복적으로 형성된다. 즉, 메모리 칩(chip)이나 비 메모리 칩 모두 미세 구조물들이 반복적으로 형성되는 영역과 비 반복적으로 형성되는 영역이 존재한다. 반복 영역 및 비 반복 영역 모두에는 미세 구조물들이 다양한 피치 간격으로 형성될 수 있다.
전술한 바와 같은 미세 구조물들을 기판(W) 상에 형성할 경우, 파티클(particle), 스크래치(scratch), 보이드(void), 브릿지(bridge), 함몰(sink) 등과 같은 다양한 결함들이 기판(W) 상에는 존재할 수 있다. 일정 수준 이상의 결함들은 반도체 소자의 동작 불량을 야기할 수 있어, 기판(W) 상의 결함을 검출하는 검사(inspection) 공정은 필수적이다. 기판(W)은 결함 검사 장치(100)의 제1 지지부(120)에 배치되어 검사된다.
표준 시료(S)는 결함 검사 장치(100)의 정상 작동 여부를 확인하기 위하여 인위적으로 표준 결함들이 생성된 피검체이다. 표준 시료(S)는 서로 다른 표준 결함들이 각각 형성된 단위 표준 시료들(S1,S2,S3,S4)을 포함할 수 있다. 이 경우, 단위 표준 시료들(S1,S2,S3,S4)은 기판(W) 상에 형성된 다이 또는 칩(chip) 정도의 크기를 가질 수 있으며, 표준 시료(S) 상에 나란하게 배치된다. 단위 표준 시료들(S1,S2,S3,S4) 상에는 표준 결함들 중에서 선택한 관심 결함(defect of interest, DOI)들이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 단위 표준 시료(S1) 상에는 폴리스티렌 스피어 라텍스 파티클(polystyrene sphere latex, PSL)들이 다양한 크기로 형성될 수 있고, 제2 단위 표준 시료(S2) 상에는 보이드 결함들이 다양한 크기로 형성될 수 있으며, 제3 단위 표준 시료(S3) 상에는 브릿지 결함들이 다양한 크기로 형성될 수 있고, 제4 단위 표준 시료(S4) 상에는 함몰 결함들이 다양한 크기로 형성될 수 있다. 각각의 단위 표준 시료들(S1,S2,S3,S4)은 표준 시료(S) 상에 교체 배치될 수 있다.
표준 시료(S)는 표준 결함들에 대한 검사 공정이 완료된 후, 제2 지지부(130) 상에 배치된다. 표준 결함들에 검사 공정이란, 표준 시료(S) 상에 존재하는 표준 결함들의 정보를 미리 획득하기 위하여 수행된다. 예를 들어, 표준 결함들의 정보는 표준 결함의 개수, 표준 결함의 종류, 그리고 표준 결함으로부터 반사된 광의 명암(contrast), 극성(polarity), 사이즈(size), 통계치(statistical value), 배경 정보(background data), 신호 세기(signal intensity), 노이즈(noise), 신호 대 잡음비(signal to noise. S/N), 이들의 조합 등을 포함할 수 있다.
표준 결함들의 정보를 획득하기 위해서는, 결함 검사 장치(100)에서 기판(W)에 대하여 수행하는 결함 검사 공정과 실질적으로 동일하게 수행할 수 있다. 또는 마이크로스코프(microscope), 주사 전자 현미경(scanning electron microscope, SEM) 등과 같은 광학 검사 장비로 표준 시료(S)를 검사하여 표준 결함들의 정보를 획득할 수 있다.
표준 결함들에 검사 공정 결과, 표준 시료(S) 상에 존재하는 표준 결함들에 대한 정보들이 획득된다. 즉, 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함의 개수, 표준 결함의 종류, 그리고 표준 결함으로부터 반사된 광의 신호 등을 실질적으로 정확하게 알 수 있다. 표준 결함들에 대한 정보들은 메모리부(180)에 기억된다. 메모리부(180)에는 표준 결함들에 대한 정보들이 단위 표준 시료들(S1,S2,S3,S4) 별로 차트(chart)화되어 기억될 수 있다. 메모리부(180)에는 표준 결함들의 정보들은 결함 검사 장치(100)의 정상 작동 여부를 확인하기 위한 기준 결함 정보가 된다. 이하 설명하겠지만, 상기 기준 결함 정보는 결함 검사 장치(100)의 정상 작동 여부 즉, 결함 검사 공정의 신뢰도를 확인하기 위하여 이용된다. 기판(W)은 제1 지지부(120) 상에 배치되고, 표준 시료(S)는 제2 지지부(130) 상에 배치된다.
제1 지지부(120)와 제2 지지부(130)는 인접하게 배치된다. 제1 지지부(120)와 제2 지지부(130)는 기판(W)과 표준 시료(S)가 동일한 조건에서 검사되도록 동일한 수평면상에 배치되는 것이 바람직하다. 제1 지지부(120)에는 기판(W)을 수평방향으로 이동시키기 위한 제1 구동부(140)가 설치되고, 제2 지지부(130)에는 표준 시료(S)를 수평방향으로 이동시키기 위한 제2 구동부(145)가 설치된다.
제1 및 제2 구동부들(140,145)은 기판(W)과 표준 시료(S)를 선택적 조명하기 위하여, 제1 및 제2 지지부들(120,130)을 각각 이동시킨다. 예를 들어, 기판(W)의 결함을 검사할 경우 제1 지지부(120)가 광의 경로 상에 위치하여 기판(W)을 조명할 수 있고, 결함 검사 공정의 신뢰도를 확인할 경우 제1 지지부(120)는 후퇴하고 제2 지지부(130)가 광의 경로 상에 위치하여 표준 시료(S)를 조명할 수 있다. 즉, 광원부(110)의 변경 없이, 조명 대상물을 광 경로 상에 배치하여 기판(W)과 표준 시료(S)를 선택적으로 조명한다. 또한, 제1 및 제2 구동부들(140,145)은 기판(W)과 표준 시료(S)가 스캐닝 방식으로 조명되도록 제1 및 제2 지지부들(120,130)을 일정한 속도로 이동시킬 수도 있다. 제1 및 제2 지지부들(120,130)은 일체로 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 및 제2 지지부들을 설명하기 위한 개략적인 평면도를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 제1 및 제2 지지부들(220,230)은 스테이지(225) 상에 형성된다.
스테이지(225)는 기판(W)과 표준 시료(S)를 지지 및 이동시키기 위한 장치로서, 광 경로 상에 배치된다. 스테이지(225) 상면은 크게 기판(W)이 배치되는 제1 지지부(220)와 표준 시료(S)가 배치되는 제2 지지부(230)로 구획된다.
제1 지지부(220)는 스테이지(225)의 중심부에 형성되고, 제2 지지부(230)는 스테이지(225)의 주연부위에 형성된다. 제1 지지부(220)와 제2 지지부(230)는 기판(W)과 표준 시료(S)가 동일한 조건에서 검사되도록 동일한 높이로 스테이지(225) 상에 형성되는 것이 바람직하다.
표준 시료(S)는 제2 지지부(230)에 탈착 가능하게 고정된다. 즉, 표준 시료(S)는 제2 지지부(230) 상에 용이하게 교체 배치될 수 있다. 이 경우, 표준 시료 (S)는 상기 실시예에서 설명한 단위 표준 시료들(S1,S2,S3,S4)을 포함할 수 있다.
스테이지(225)의 하부에는 수평 운동력을 제공하는 구동부(도시되지 않음)가 설치된다. 스테이지(225)는 기판(W)과 표준 시료(S)를 선택적 조명하기 위하여, 제1 또는 제2 지지부들(220,230)을 광의 경로 상에 위치시킨다. 스테이지(225)는 제1 및 제2 지지부들(220,230)에 대한 좌표 정보를 이용하여 제1 또는 제2 지지부들(220,230)을 정확하게 광의 경로 상에 선택적으로 위치시킬 수 있다.또한, 스테이지(225)는 기판(W)과 표준 시료(S)가 스캐닝 방식으로 조명되도록 일정한 속도로 이동할 수 있다.
제1 및 제2 지지부들(120,130.220.230)은 전술한 두 실시예외에도 다양하게 변형될 수 있다. 이들을 다 설명하는 것은 실질적으로 어렵지만, 결함 검사 장치에 결함 검사 공정의 신뢰도를 확인하기 위한 표준 시료가 내장된 기술은 모두 본 발명의 범주에 속할 것이다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(W)에 조사된 광은 기판(W) 상에 존재하는 미세 구조물 및 결함의 형상, 위치 등에 대한 정보가 반영되어 반사되고, 표준 시료(W)에 조사된 광은 표준 시료(W) 상에 존재하는 결함의 형상, 위치 등에 대한 정보가 반영되어 반사된다. 기판(W) 및 표준 시료(S)들로부터 반사된 광들은 수광부(150)에 수집된다.
수광부(150)는 반사광에 대응하는 신호를 발생시키기 위한 장치로서, 광원부(110)와 서로 나란한 수직축선 상에 각기 배치된다. 즉, 광원부(110)는 수직 방향으로 광을 조사할 수 있고, 수광부(150)는 수직방향으로 반사되는 광을 수집할 수 있다.
수광부(150)는 반사광의 세기(intensity)에 대응하는 전압을 출력할 수 있다. 수광부(150)는 PMT(Photo Multiplier Tube), 포토다이오드(photo diode), 포토 트랜지스터(photo transistor), 광전관(photoelectric tube) 등을 포함할 수 있다. 이 경우, 수광부(150)의 전방부에는 반사광에 포함된 노이즈 성분을 제거하기 위한 제2 광학 부재(155)가 배치될 수 있다. 제2 광학 부재(155)는 편광 플레이트나 애퍼처(aperture) 등을 포함할 수 있다.
수광부(150)는 수집된 반사광을 증폭시킨다. 일반적으로 기판(W)으로부터 반사된 광의 세기는 미약하기 때문에 증폭 과정이 필요하다. 증폭비는 수광부(150)에 공급되는 전압의 세기로서 조절할 수 있다. 수광부(150)는 증폭된 광의 세기에 대응하는 광전자를 발생시켜 광전류를 생성한다.
광을 이용하여 기판(W)을 스캐닝 할 경우, 기판(W)으로부터 연속적으로 광이 반사된다. 수광부(150)는 기판(W)으로부터 연속적으로 반사되는 광을 수집하여 광전류를 연속적으로 출력한다. 광전류의 세기는 반사광의 강도(intensity)와 비례하여 변화된다. 따라서 광전류의 변화로부터 반사광의 강도 변화를 알 수 있다. 수광부(150)로부터 출력되는 광전류는 반사광의 강도를 나타내는 반사 신호가 되며, 반사광의 강도는 절대 단위를 갖는 반사도로서 표현될 수 있다.
기판(W)으로부터 반사되는 광은 기판(W) 상에 형성된 막의 특성, 상기 막 상에 형성된 미세 구조물, 상기 막 또는 미세 구조물에 존재하는 결함 등에 따라서 다르게 반사된다. 예를 들어, 피검체의 일 평면에 광이 조사되면, 원칙적으로 입사 각과 동일한 반사각으로 반사된다. 그러나 피검체 상에 미세한 파티클(particle)이 존재하면, 미세한 파티클에 조사된 광의 일부는 산란된다. 파티클이 구형임을 가정하면, 반사광의 강도는 입사각의 강도에 의해 하기의 수학식 1과 같이 표현된다.
Figure 112005042693700-pat00001
상기 수학식 1에서, Is는 반사광의 강도, Ii는 입사광의 강도(intensity), λ는 입사광의 파장(incident beam wavelength), n은 파티클의 굴절율(particle refractive index), R은 반사광이 측정되는 위치로부터의 거리(즉, 피검체와 수광부와의 거리), a는 파티클의 직경(particle diameter), θ는 입사각(incident angle)으로 각기 정의된다.
상기 수학식 1을 따르면, 기판(W) 상에 형성된 막의 특성, 상기 막 상에 형성된 미세 구조물, 상기 막 및 미세 구조물에 존재하는 결함 등에 따라서 반사광의 강도가 달라짐을 확인할 수 있다. 따라서 수광부(150)로부터 출력되는 반사 신호를 이용하면, 기판(W) 상에 형성된 막, 미세 구조물, 결함 등에 대한 특성 정보를 획득할 수 있다.
검출부(160)는 수광부(150)로부터 제공된 반사 신호들을 분석하여 기판(W) 및 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함을 검출하기 위한 장치로서, 기판(W) 및 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함들의 개수를 각각 확인하기 위한 처리 모듈(165)을 포함한다.
처리 모듈(165)은 반사 신호에서 기 설정값이상 변화되는 피크점들을 카운트하여 기판(W) 및 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함들의 개수를 각각 산출할 수 있다. 또한, 처리 모듈(165)은 반사 신호에서 명암(contrast), 극성(polarity), 사이즈(size), 통계치(statistical value), 배경 정보(background data), 신호 세기(signal intensity), 노이즈(noise), 신호 대 잡음비(signal to noise. S/N), 이들의 조합 등으로 이루어진 결함 정보를 획득하여 기판(W) 및 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함을 검출한다. 검출부(160)에 대한 기술은 이미 많은 공개 공보에 개시되어 있는바 더 이상의 자세한 설명은 생략하지만, 당업자라면 이를 용이하게 이해할 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 기판(W)에 대한 결함 검사 결과의 신뢰도는 표준 시료(S)로부터 반사된 광을 이용하여 확인할 수 있다.
비교부(170)는 검출부(160)로부터 제공된 표준 시료(S)의 결함 정보와 메모리부(180)에 기억된 기준 결함 정보를 비교하여 검출 결과의 신뢰도를 산출한다. 이 경우, 기준 결함 정보는 표준 시료(S)를 미리 정밀 검사하여 획득되며, 그 신뢰도는 거의 100%에 가깝다.
비교부(170)는 현재 결함 검사 장치(100)에서 획득한 표준 시료(S)의 결함 검사 정보와 기 설정된 기준 결함 정보의 실질적인 일치 여부에 따라 결함 검사 장치(100)의 이상 발생 여부를 판단한다.
비교부(170)는 다양한 방법을 통하여 결함 검사 장치(100)의 이상 발생 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 비교부(170)는 검출부(160)로부터 제공된 표준 시 료(S) 상에 존재하는 결함들의 사이즈들을 산출하고, 상기 산출한 사이즈와 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 사이즈의 오차를 산출하고, 상기 오차에 따라 결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 판단한다. 예를 들어, 기준 결함의 사이즈가 200㎚인 경우, 허용 오차 범위는 ±3nm로 설정할 수 있다. 검출부(160)로부터 제공된 결함들이 90% 이상 상기 허용 오차 범위에 존재할 경우, 결함 검사 장치(100)는 정상인 것으로 판단할 수 있다. 다르게는, 비교부(170)는 검출부(160)로부터 제공된 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함들의 개수와, 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 개수의 오차를 산출하고, 상기 오차에 따라 결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 판단할 수 있다. 기준 결함들의 개수가 1000개인 경우, 허용 오차 개수를 ㅁ 100개로 설정할 수 있다. 검출부(160)로부터 제공된 결함들의 개수가 상기 허용 오차 개수를 만족할 경우, 결함 검사 장치(100)는 정상인 것으로 판단할 수 있다. 또 다르게는, 비교부(170)는 검출부(160)로부터 제공된 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함들의 신호 대 잡음비(signal to noise, S/N)를 산출하고, 상기 산출한 신호 대 잡음비와 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 신호 대 잡음비를 비교하여 일치 정도에 따라 결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 판단할 수 있다. 이 경우, 신호 대 잡음비의 대상은 관심 결함(defect of interest, DOI)으로 선택할 수 있다. 이 외에도, 표준 결함으로부터 반사된 광의 명암(contrast), 극성(polarity), 사이즈(size), 통계치(statistical value), 배경 정보(background data), 신호 세기(signal intensity), 노이즈(noise), 신호 대 잡음비(signal to noise. S/N), 이들의 조합을 기준으로 표준 시료(S)의 결함 검사 정보와 기 설정된 기준 결함 정보 의 실질적인 일치 여부를 확인하여 결함 검사 장치(100)의 이상 발생 여부를 판단할 수 있다. 비교부(170)는 결함 검사 장치(100)의 상태를 제어부(190)에 제공한다.
제어부(190)는 결함 검사 장치(100)에서 수행되는 일련의 결함 검사 공정들을 전체적으로 통제하기 위한 장치로서, 비교부(170)는 결함 검사 장치(100)의 상태에 따라 기판(W)에 대한 결함 검사 공정의 수행여부를 결정한다. 결함 검사 장치(100)가 정상 상태로 판정된 경우, 제어부(190)는 기판(W)에 대한 결함 검사 공정이 수행되도록 결함 검사 장치(100)를 통제하지만, 결함 검사 장치(100)가 비정상 상태로 판정된 경우, 기판(W)에 대한 결함 검사 공정을 일시 중지시키고 워닝 신호를 방출하여 결함 검사 장치(100)의 비정상 상태를 표시한다. 또한, 제어부(190)는 전술한 바와 같은 결함 검사 장치(100)의 상태 확인 공정이 일정한 주기로 자동으로 수행되도록 결함 검사 장치(100)를 통제할 수 있다. 하지만, 제어부(190)에 무관하게 결함 검사 장치(100)의 상태 확인 공정을 수행할 수도 있을 것이다.
표준 시료(S)의 결함 검사 정보와 기 설정된 기준 결함 정보는 동일한 피검 대상으로부터 획득한 것들이기 때문에 결함 검사 장치(100)에 이상이 발생되지 않은 경우, 두 정보들은 실질적으로 일치하는 것이 당연하다. 전술한 실시예들은 두 정보들의 실질적인 일치 여부에 따라 결함 검사 장치(100)의 정상 작동 여부를 확인한다. 표준 시료(S)는 결함 검사 장치에 내장되어 전술한 바와 같은 결함 검사 장치(100)의 정상 작동 여부를 신속, 용이, 그리고 정확하게 확인할 수 있다. 따라서 결함 검사 장치(100)의 이상 상태에 신속하게 대처할 수 있으며, 결과적으로는 결함 검사 공정의 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검사 장치를 이용한 결함 검사 방법을 설명하기 위한 순서도를 도시한 것이다.
도 5를 더 참조하면, 표준 시료(S)가 내장된 결함 검사 장치(100)에 기판(W)을 로딩한다(S110). 표준 시료(S)는 결함 검사 장치(100)의 정상 작동 여부를 확인하기 위하여 인위적으로 표준 결함들이 생성된 피검체로서, 서로 다른 표준 결함들이 각각 형성된 단위 표준 시료들(S1,S2,S3,S4)을 포함할 수 있다. 단위 표준 시료들(S1,S2,S3,S4) 상에는 표준 결함들 중에서 선택한 관심 결함(defect of interest, DOI)들이 형성될 수 있다. 각각의 단위 표준 시료들(S1,S2,S3,S4)은 표준 시료(S) 상에 교체 배치될 수 있다. 표준 시료(S)는 기판(W)을 로딩한 후에 표준 시료(S) 상에 교체 배치될 수도 있다.
결함 검사 장치(100)를 이용하여 표준 시료(W) 상의 표준 결함들에 대한 정보를 획득한다(S115). 표준 결함들에 대한 정보를 획득하기 위해서는(S115), 광원부(110)로부터 제1 광을 생성하고(S117), 제1 광을 이용하여 표준 시료(S)를 스캐닝한다(S120). 표준 시료(S)로부터 반사된 제1 광을 수집하여 제1 반사 신호를 획득하고(S125). 획득한 제1 반사 신호를 분석한다(S130). 이 경우, 광원부(110)로부터 생성된 제1 광의 경로를 표준 시료(S)의 위치에 대응하게 변경하거나, 표준 시료(S)가 제1 광 경로 상에 위치하도록 이동시킬 수 있다. 본 실시에에서는, 광의 산란 원리를 이용하는 다크 필드(dark field) 검사 방법으로 표준 시료(S)를 검사하는 경우에 대해서만 설명하지만, 고속 현미경 개념을 이용하는 브라이트 필드 (bright field) 검사 방법으로도 표준 시료(S)를 검사할 수 있다.
이어서, 획득한 결함 검사 정보와 기 설정된 기준 결함 정보를 비교하여 결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 확인한다(S135). 이 경우, 기준 결함 정보는 표준 결함들에 대한 정보를 포함할 수 있고, 표준 시료(S)를 미리 정밀 검사하여 메모리부(180)에 기억되어 있다. 기준 결함 정보로서는 결함의 개수, 결함의 종류, 그리고 결함으로부터 반사된 광의 신호 등으로 구성될 수 있다.
결함 검사 장치(100)의 이상 여부는 다양하게 판단할 수 있다. 예를 들어, 검출부(160)로부터 제공된 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함들의 피크 포인트(peak point) 사이즈들을 산출하고, 상기 산출한 피크 포인트(peak point) 사이즈와 기준 결함 정보에 포함된 기준 피크 포인트 사이즈의 오차를 산출하고, 상기 오차에 따라 결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 판단할 수 있다. 또는, 검출부(160)로부터 제공된 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함들의 신호 대 잡음비(signal to noise, S/N)를 산출하고, 상기 산출한 신호 대 잡음비와 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 신호 대 잡음비를 비교하여 일치 정도에 따라 결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 판단할 수 있다. 이 외에도, 표준 결함으로부터 반사된 광의 명암(contrast), 극성(polarity), 사이즈(size), 통계치(statistical value), 배경 정보(background data), 신호 세기(signal intensity), 노이즈(noise), 신호 대 잡음비(signal to noise. S/N), 이들의 조합을 기준으로 표준 시료(S)의 결함 검사 정보와 기 설정된 기준 결함 정보의 실질적인 일치 여부를 확인하여 결함 검사 장치(100)의 이상 발생 여부를 판단할 수 있다.
이어서, 결함 검사 장치(100)의 이상 여부에 대한 결함 검사 공정의 진행 여부를 결정한다(S140). 예를 들어, 기준 결함의 사이즈가 200㎚이고, 허용 오차 범위를 ㅁ 3nm로 설정하면, 검출부(160)로부터 제공된 결함들이 90% 이상 상기 허용 오차 범위에 존재할 경우, 결함 검사 장치(100)는 정상 상태로 간주할 수 있다. 다르게는, 표준 시료(S) 상에 존재하는 결함들의 신호 대 잡음비(signal to noise, S/N)와 기준 결함들의 신호 대 잡음비가 80% 이상 일치 할 경우, 결함 검사 장치(100)는 정상 상태로 간주할 수 있다.
전술한 바와 같이, 결함 검사 장치(100)가 정상 상태인 경우, 로딩된 기판(W)에 대한 결함 검사 공정을 진행한다. 결함 검사 공정은 광원부(110)로부터 제2 광을 생성하고(S145), 제2 광을 이용하여 기판(S)을 스캐닝한다(S150), 기판(S)으로부터 반사된 제2 광을 수집하여 제2 반사 신호를 획득하고(S155), 제2 반사 신호를 분석하여 기판(S) 상에 존재하는 결함들을 검출한다(S160). 이 경우, 기판(S)에 대한 결함 검사 공정은 전술한 표준 시료(S)의 결함 검사 공정(S115)과 실질적으로 동일한 조건으로 수행하는 것이 바람직하다. 즉, 제1 광과 실질적으로 동일한 제2 광을 이용하여 기판(S)을 스캐닝하고, 반사 신호를 획득하고. 획득한 반사 신호를 분석하여 기판(S) 상에 존재하는 결함들을 검출한다(S160). 이 경우, 기판(S)을 광원부(110)로부터 생성된 제2 광의 경로 상에 위치하도록 이동시키거나, 제2 광 경로를 기판(S)의 위치에 대응하게 변경할 수 있다.
만약, 전술한 바와 같이, 결함 검사 장치(100)에 비정상 상태로 판정된 경우, 로딩된 기판(W)에 대한 결함 검사 공정은 일시 중지하고(S165), 결함 검사 장 치(100)를 신속하게 정비한다(S170).
전술한 바와 같은, 결함 검사 장치(100)의 이상 여부는(S135), 일정 주기별로 또는 임의로 수행할 수 있다. 예를 들어, 100매의 기판(W)에 대한 결함 검사 공정을 수행한 다음에 결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 확인하거나, 12시간 간격으로 일정 시간마다 결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 확인하거나, 임의의 시각에 결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 확인할 수 있다.
결함 검사 장치(100)의 이상 여부를 확인한 다음 기판(W)의 결함 검사 공정을 수행함으로써, 결함 검사 결과는 높은 신뢰도를 갖는다. 따라서 이 결과에 따라 기판 가공 공정의 이상 발생 여부도 정확하게 확인할 수 있으며, 최종적으로는 우수한 반도체 장치를 제조할 수 있다.
본 발명에 따르면, 결함 검사 장치에 표준 시료를 내장시킴으로써 결함 검사 장치의 상태를 신속 및 용이하게 확인할 수 있다. 따라서 기판 상에 존재하는 결함들을 효과적으로 검출할 수 있으며, 결과적으로는 결함 검사 공정의 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 결함 검사 장치의 고장에 신속하게 대처할 수 있어, 재정적 및 시간적 손실을 크게 절감할 수 있으며, 결함 검사 장치의 고장 여부를 자동으로 확인할 수 있어 결함 검사 공정의 효율을 극대화 시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (22)

  1. 결함 검사 장치에 기판을 로딩하는 단계;
    상기 로딩된 기판에 인접하게 배치된 표준 시료 상의 표준 결함들에 대한 정보를 획득하는 단계;
    상기 획득한 결함 검사 정보로부터 상기 표준 결함들의 개수를 확인하는 단계;
    상기 확인한 표준 결함들의 개수와 기 설정된 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 개수의 오차를 산출하는 단계;
    상기 오차에 따라 상기 결함 검사 장치의 이상 여부를 판단하는 단계; 및
    상기 이상 여부에 따라 상기 기판에 대한 결함 검사 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기준 결함 정보는 상기 표준 결함들에 대한 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 획득한 결함 검사 정보는 상기 표준 시료로부터 반사된 광의 신호를 포함하며,
    상기 표준 결함들의 개수를 확인하는 단계는 상기 반사광 신호의 피크점들의 개수를 카운트하여 획득하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 확인하는 단계는,
    상기 획득한 결함 검사 정보와 기 설정된 기준 결함 정보의 실질적인 일치 여부에 따라 상기 결함 검사 장치의 이상 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 수행하는 단계는,
    광을 이용하여 상기 기판을 스캐닝 하는 단계;
    상기 기판으로부터 반사된 광을 수집하는 단계; 및
    상기 반사광으로부터 상기 기판 상에 존재하는 결함들에 대한 정보를 획득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 표준 결함들은 폴리스티렌 스피어 라텍스(polystyrene sphere latex, PSL)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  11. 기판을 지지하기 위한 제1 지지부;
    상기 제1 지지부에 인접하게 배치되며, 표준 시료를 지지하는 제2 지지부;
    상기 기판 및 상기 표준 시료에 광들을 각각 조사하기 위한 광원부;
    상기 기판 및 상기 표준 시료들로부터 반사된 광들을 각각 수집하기 위한 수광부;
    상기 반사광들에서 상기 기판 및 표준 시료에 존재하는 결함들을 검출하기 위한 검출부;
    상기 표준 시료로부터 검출된 결함들에 대한 정보와 기 설정된 기준 결함 정보를 비교하여 상기 검출 결과의 신뢰도를 산출하는 비교부; 그리고
    상기 신뢰도에 따라 상기 기판에 대한 결함 검사 공정의 진행 여부를 결정하는 판단부를 구비하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 표준 시료는 서로 다른 결함들을 각각 갖는 복수개의 단위 표준 시료들을 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 표준 시료는 상기 기판의 주연 부위에 배치되는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 지지부를 수평방향으로 이동시키기 위한 제1 구동부; 및
    상기 제2 지지부를 수평방향으로 이동시키기 위한 제2 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 검출부는,
    각각의 반사광에서 광도가 기 설정값이상 변화되는 피크점들을 카운트하여 상기 기판 및 상기 표준 시료에 존재하는 결함들의 개수를 각각 확인 하는 처리 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 비교부는,
    상기 표준 시료에 존재하는 결함들의 개수와 상기 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 개수의 오차를 산출하고, 상기 오차에 따라 상기 결함 검사 장치의 이상 여부를 판단하는 연산 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 비교부는,
    상기 표준 시료에 존재하는 결함들의 신호 대 잡음비(signal to noise, S/N)를 산출하고, 상기 산출한 신호 대 잡음비와 상기 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 신호 대 잡음비를 비교하여 상기 결함 검사 장치의 이상 여부를 판단하는 연산 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  19. 제 11 항에 있어서, 상기 기준 결함 정보를 기억시켜두기 위한 메모리부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  20. 제 11 항에 있어서, 상기 광원부와 상기 수광부는 서로 나란한 수직축선 상에 각기 배치되어 수직 방향으로 상기 광들을 조사하고 수직방향으로 상기 반사광들을 수집하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  21. 결함 검사 장치에 기판을 로딩하는 단계;
    광을 이용하여 상기 로딩된 기판에 인접하게 배치된 표준 시료를 스캐닝하는 단계;
    상기 표준 시료로부터 반사된 광을 수집하여 상기 표준 시료 상의 표준 결함들에 대한 정보를 획득하는 단계;
    상기 반사광으로부터 상기 표준 결함들의 신호 대 잡음비(signal to noise, S/N)를 산출하는 단계;
    상기 산출한 신호 대 잡음비와 기 설정된 기준 결함 정보에 포함된 기준 결함들의 신호 대 잡음비를 비교하는 단계;
    상기 비교 결과에 따라 상기 결함 검사 장치의 이상 여부를 판단하는 단계; 및
    상기 이상 여부에 따라 상기 기판에 대한 결함 검사 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 산출하는 단계는,
    상기 표준 결함들 중에서 선택한 적어도 하나의 관심 결함(defect of interest, DOI)에 대하여 신호 대 잡음비를 산출하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
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