KR100661668B1 - 온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기 - Google Patents

온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기는 플래시 메모리의 포스트 프로그램시 온도증가에 비례하는 전류를 생성시키는 온도감지부, 온도감지부에서 생성된 전류에 따라 스위칭신호를 발생시키는 신호발생부 및, 메인 전압과 기준 전압을 비교하고 메인 전류와 기준 전류를 각각 출력하는 감지 증폭부를 포함하며, 감지 증폭부는 상기 메인 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 그 차를 증폭하는 차동 증폭기와 스위칭신호에 따라 감지증폭부의 로드비를 변화시켜 상기 기준 전압을 제어하는 로드비 변환수단을 포함하여 구성된다.
감지 증폭기

Description

온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기{Sense amplifier for a flash memory having a temperature sense circuit}
도 1은 종래의 감지증폭기의 회로도.
도 2는 본발명에 따른 온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기의 회로도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100:감지증폭부 110:차동증폭부
210:온도감지부 220:신호발생부
I1, I2:인터버 P1 ~ P4, N1, N2, Q:트랜지스터
본 발명은 플래시 메모리에 관한 것으로, 상세하게는 온도감지회로를 이용하여 고온에서의 프로그램 효율을 증가시킬 수 있는 온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기에 관한 것이다.
일반적으로 플래시 메모리에서는 소거 단계 후 포스트 프로그램(POST-PROGRAM)단계를 거치게 된다. 포스트 프로그램 단계에서는 과소거(OVER ERASE)된 셀을 게이트 바이어스 0볼트에서 전류가 흐르지 않도록 하는데, 모든 셀의 문턱전압(Vt)을 약 1볼트 정도의 일정한 레벨로 유지시킨다.
종래의 칩구조에서는 읽기속도를 향상시키기 위하여 NOR 셀구조를 사용하면서 512개 이상의 셀이 연결되는 컬럼(COLUMN)구조를 사용한다. 이때 512개 이상의 셀이 달린 스트링에서 포스트 프로그램 후 모든 셀의 전압을 0볼트로 가져간다 하여도 각 셀의 누설(LEAKAGE)성분이 모여 한 스트링에서 흐르는 전류, 즉 누설전류(LEAKAGE CURRENT)가 흐르게 된다.
따라서 누설전류는 고온에서 더욱 증가하게 되는데, 고온에서는 문턱전압(Vt) 또한 낮아지기 때문에 누설전류의 증가는 문제점으로 대두된다.
포스트 프로그램 검증시에는 레퍼런스셀의 전류를 일정한 레벨, 예를 들면 3㎂로 고정시키고, 그 이하의 전류가 흐르면 포스트 프로그램이 되었다고 판단하여 검증을 완료한다. 즉, 일정한 레벨의 전류만을 허용함으로써 셀의 문턱전압(Vt)이 과다하게 상승하는 것을 방지하는 것이다.
도 1에 종래의 플래시메모리에 적용되는 감지 증폭기가 도시되어 있다.
차동증폭부(10)의 일측 입력단은 저항(R1)을 통하여 전원전압(Vcc)과 접속되며 메인전압(Vmain)을 입력받고, 타측입력단은 저항(R2)을 통하여 전원전압(Vcc)과 접속되며 레퍼런스 전압(Vref)을 입력받는다. 이때 저항(R1)과 저항(R2)의 저항값은 동일하다.
Imain은 메인셀의 전류이고, Iref는 레퍼런스 셀의 전류이다. 저항(R1)과 저항(R2)은 각각의 로드(LOAD)역할을 하며, Im, Ir은 로드차에 의한 오프셋 전류를 잡아주는 부분이다.
검증을 통과되는 시점은 Vmain > Vref가 되는 시점인데, 다음과 같이 변형시킬 수 있다.
Vcc - R1(Im + Imain) > Vcc - R2(Ir + Iref)
이때 R2를 (1/a)R1이라 하고, Ir을 bIm이라 하면(단 a, b는 상수),
Imain < (1/a)Iref + [(b/a)-1]Im 으로 표현된다.
일반적인 가정으로 a와 b를 같게 놓으면, 즉 로드비가 증가하는 양에 맞추어 오프셋 전류를 잡아주면 Im부분은 소거되고 오로지 메인쪽 셀에 대해 레퍼런스 셀의 로드가 얼마만큼 변화하였는가에 따라 verify pass되는 전류레벨이 달라진다.
즉, 레퍼런스 전류를 3㎂로 하였다면 로드비를 1:1, 즉 a=1로 하였을 때는 메인쪽이 3㎂에서 포스트 프로그램 검증이 패스될 것이고, 로드비를 1:2, 즉 a=2로 하였을 때는 1.5㎂에서 검증이 패스된다. 즉, 해당 컬럼에서 흐르는 기본 누설전류가 더 작아지게 된다.
고온에서 소거와 포스트 프로그램을 거친 후의 셀의 문턱전압(Vt)을 보면 저온에서는 누설전류 성분이 저온에 비해 많으므로 그 누설전류 성분을 이기고 가령 3㎂로 포스트 프로그램 검증을 패스시키려면 많은 프로그램 펄스를 받게 되어 문턱전압(Vt)자체도 상승하게 된다.
여기서 문제가 되는 것은 저온에서 소거와 포스트 프로그램을 거친 후의 셀의 문턱전압을 보면 저온에서의 누설전류 성분이 고온에 비해 작으므로 프로그램 펄스를 많이 받지않는다. 이러한 상태에서 고온으로 가져가면 고온으로 인하여 문 턱전압(Vt)도 낮아지고 누설전류량도 증가하여 셀의게이트 전압이 0볼트라 하더라도 각 컬럼에서는 이미 어느정도의 전류가 존재하게 된다.
이러한 원인으로 인하여 고온에서 프로그램을 진행하였을 때 셀의 드레인 전압이 컬럼을 통하여 인가되어 프로그램 되는데 위와 같은 전류성분으로 인해 드레인 전압이 강화되어 프로그램시간이 지연된다거나 혹은 실패(fail)로 되어버리는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은 감지증폭기의 로드비를 저온에서 증가시키는 반면 고온에서는 감소시켜 소거 셀의 문턱전압과 컬럼의 누설전류의 차를 감소시킬 수 있는 온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기는, 플래시 메모리의 포스트 프로그램시 온도증가에 비례하는 전류를 생성시키는 온도감지부, 온도감지부에서 생성된 전류에 따라 스위칭신호를 발생시키는 신호발생부 및, 메인 전압과 기준 전압을 비교하고 메인 전류와 기준 전류를 각각 출력하는 감지 증폭부를 포함하며, 감지 증폭부는 상기 메인 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 그 차를 증폭하는 차동 증폭기와 스위칭신호에 따라 감지증폭부의 로드비를 변화시켜 상기 기준 전압을 조절하는 로드비 변환수단을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하겠다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 감지 증폭기는 크게 나누어, 메인전압(Vmain)과 레퍼런스전압(Vref)의 차를 증폭하는 차동증폭부(110)와 스위칭신호에 의해 레퍼런스 저항(R4)의 저항값을 변화시키는 스위칭부인 트랜지스터(Q)를 구비하는 감지증폭부(100)와, 온도증가에 비례하는 전류를 생성시키는 온도감지부(210)와, 상기 온도감지부(210)에서 생성된 전류에 의한 전압에 따라 스위칭 신호를 발생시키는 신호발생부(220)로 구성된다.
차동증폭부(110)의 일측입력단은 저항(R3)을 통하여 전원전압(Vcc)과 접속되며 메인전압(Vmain)을 입력받고, 타측입력단은 저항(R4)을 통하여 전원전압(Vcc)과 접속되며 레퍼런스전압(Vref)을 입력받는다. 이때 저항(R4)에는 후술하는 스위칭부인 트랜지스터(Q)가 접속되는데 트랜지스터(Q)의 온/오프 동작에 따라 저항값이 변화한다. 최초에는 저항(R3)과 저항(R4)의 저항값은 동일하게 설정되어 있다. 즉, 로드비(load ratio)가 1:1이다.
전술한 감지증폭부(100)의 동작은 다음과 같다.
Imain은 메인셀의 전류이고, Iref는 레퍼런스 셀의 전류이다. 저항(R3)과 저항(R4)은 각각의 로드(LOAD)역할을 하며, Im, Ir은 로드차에 의한 오프셋 전류를 잡아주는 부분이다.
검증을 통과되는 시점은 Vmain > Vref가 되는 시점인데, 다음과 같이 변형시킬 수 있다.
Vcc - R3(Im + Imain) > Vcc - R4(Ir + Iref)
이때 R4를 (1/a)R3이라 하고, Ir을 bIm이라 하면(단 a, b는 상수),
Imain < (1/a)Iref + [(b/a)-1]Im 으로 표현된다.
일반적인 가정으로 a와 b를 같게 놓으면, 즉 로드비가 증가하는 양에 맞추어 오프셋 전류를 잡아주면 Im부분은 소거되고 오로지 메인쪽 셀에 대해 레퍼런스 셀의 로드가 얼마만큼 변화하였는가에 따라 검증을 통과하는 전류레벨이 달라진다.
즉, 레퍼런스 전류를 3㎂로 하였다면 로드비를 1:1, 즉 a=1로 하였을 때는 메인쪽이 3㎂에서 포스트 프로그램 검증을 패스할 것이고, 로드비를 1:2, 즉 a=2로 하였을 때는 1.5㎂에서 검증을 통과하게 된다. 즉, 해당 컬럼에서 흐르는 기본 누설전류가 더 작아지게 된다.
한편 본 발명에 따른 온도감지부(210)의 구성은 다음과 같다.
전원전압(Vcc)에 대하여 PMOS트랜지스터인 PMOS트랜지스터(P1) 및 PMOS트랜지스터(P2)가 병렬로 접속되는데, PMOS트랜지스터(P1) 및 PMOS트랜지스터(P2)의 드레인이 전원전압(Vcc)으로 접속된다. 또한 PMOS트랜지스터(P1) 및 PMOS트랜지스터(P2)의 소스는 상호 접속되며, 그 접속점은 PMOS트랜지스터(P1)의 게이트 및 NMOS 트랜지스터(N1)의 드레인과 접속된다.
그리고 PMOS트랜지스터(P2)의 게이트는 드레인이 전원전압(Vcc)으로 접속되는 PMOS트랜지스터(P3)의 소스와 게이트로 접속되는데, PMOS트랜지스터(P3)의 소스는 NMOS트랜지스터(N2)의 드레인으로 접속되며 NMOS트랜지스터(N2)의 게이트는 NMOS트랜지스터(N1)의 게이트와 접속됨과 동시에 NMOS트랜지스터(N1)의 드레인으로 접속된다. 또한 NMOS트랜지스터(N2)의 소스는 저항(R5)을 통하여 그라운드로 접속되며, NMOS트랜지스터(N1)의 소스 역시 그라운드로 접속된다.
한편 PMOS트랜지스터(P3)와 NMOS트랜지스터(N2)의 접속접은 PMOS트랜지스터(P4)의 게이트로 접속되는데, PMOS트랜지스터(P4)의 드레인은 전원전압(Vcc)으로 접속되고 소스는 저항(R6)을 통하여 그라운드로 접속된다.
PMOS트랜지스터(P4)와 저항(R6)의 접속점은 온도감지부(210)의 출력단이 되는데, 그 출력단은 인버터(I1 및 I2)가 직렬로 접속되는 신호발생부(220)의 입력단으로 접속된다. 그리고, 신호발생부(220)의 출력단은 스위칭부의 트랜지스터(Q)의 베이스로 접속된다.
스위칭부인 트랜지스터(Q)의 컬렉터는 저항(R4)의 가변단자에 접속되고, 트랜지스터(Q)의 에미터는 저항(R4)과 차동증폭부(110)의 접속점에 접속된다. 즉 가변저항(R4)은 트랜지스터(Q)의 온/오프 동작에 따라 다른 저항값을 가지게 된다.
본 발명에 따른 온도감지부(210)는 온도가 상승할수록 온도증가에 비례하여 전류를 생성하는데, 최종적으로 PMOS트랜지스터(P4)로 흐르는 전류가 증가하게 된다. PMOS트랜지스터(P4)로 흐르는 전류가 증가하게 되면 그에 따라서 저항(R6)에 걸리는 전압이 상승하게 된다.
PMOS트랜지스터(P4)로 흐르는 전류가 증가하여 저항(R6)에 걸리는 전압이 상승하면 신호발생부로 입력되는 전압이 증가하게 되는데, 인버터(I1)는 입력되는 전압의 레벨이 기준레벨보다 높아지면 로우신호를 출력하게 되고 다시 인버터(I2)의 출력신호는 로우신호에서 하이신호로 스위칭된다. 따라서 신호발생부(220)에서 출력되는 하이신호는 스위칭부의 트랜지스터(Q)의 베이스로 인가되어 트랜지스터(Q)를 턴-온시킨다.
트랜지스터(Q)가 턴-온되면 가변저항(R4)의 저항값은 감소되어 저항(R4)의 저항값이 저항(R3)의 저항값보다 작아지게 되는데, 그에 따라 감지증폭부(100)의 로드비(load ratio)가 변화되어 레퍼런스 전압(Vref)이 조절된다. 따라서, 포스트 프로그램 확인동작을 더 적은 전류량에서 가능하도록 한다.
결과적으로 고온으로 갈수록 컬럼에서 흐르는 누설전류와 문턱전압 저하로 인한 동작전류를 감소시킬 수 있어 플래시 메모리의 포스트 프로그램 단계에서 프로그램 특성을 개선시킬 수 있다.
본 발명에 따른 온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기에 의하면, 온도가 상승하더라도 온도감지부에 의한 감지증폭부의 로드비를 변화시킴으로서 컬럼에서 흐르는 누설전류와 문턱전압 저하로 인한 동작전류를 감소시킬 수 있어 고온에서의 프로그램 특성을 개선시켜 온도가 상승함에 따라서 발생하는 문제점을 해결할 수 있다.

Claims (4)

  1. 플래시 메모리의 포스트 프로그램시 온도증가에 비례하는 전류를 생성시키는 온도감지부,
    상기 온도감지부에서 생성된 상기 전류에 따라 스위칭신호를 발생시키는 신호발생부와,
    메인 전압과 기준 전압을 비교하여 그 차를 증폭하고 메인 전류와 기준 전류를 각각 출력하는 감지 증폭부를 포함하며,
    상기 감지 증폭부는 상기 메인 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 그 차를 증폭하는 차동 증폭기와 상기 스위칭신호에 따라 상기 감지증폭부의 로드비를 변화시켜 상기 기준 전압을 조절하는 로드비 변환수단을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 온도감지부는, 전압원과 제 1 노드간에 접속되며 소스가 상기 제 1 노드에 접속되는 제 1 PMOS트랜지스터,
    상기 제 1 PMOS트랜지스터에 병렬접속되는 제 2 PMOS트랜지스터,
    상기 전압원과 제 2 노드간에 접속되며 게이트가 상기 제 2 PMOS트랜지스터의 게이트 및 상기 제 2 노드에 접속되는 제 3 PMOS트랜지스터,
    상기 전압원과 출력단간에 접속되며, 게이트가 상기 제 2 노드에 접속되는 제 4 PMOS 트랜지스터,
    상기 제 1 노드와 그라운드 간에 접속되는 제 1 NMOS트랜지스터,
    상기 제 2 노드 및 제 3 노드간에 접속되며 게이트가 상기 제 1 NMOS트랜지스터의 게이트 및 상기 제 1 노드에 접속되는 제 2 NMOS트랜지스터,
    상기 제 3 노드 및 그라운드 간에 접속되는 제 1 저항, 및
    상기 출력단자 및 그라운드 간에 접속되는 제 2 저항을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 온도 감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지 증폭기.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 로드비 변환수단은 상기 스위칭신호에 따라 온 또는 오프되는 스위칭부, 및
    상기 스위칭부의 스위칭 동작에 따라 상기 기준 전압을 가변시키기 위한 가변저항을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 온도 감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지 증폭기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 신호 발생부는 직렬접속된 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 온도 감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지 증폭기.
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