KR100661273B1 - 고단차 산화막의 평탄화를 위한 화학기계적 연마조성물 - Google Patents

고단차 산화막의 평탄화를 위한 화학기계적 연마조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 기술 중 단차가 큰 요철부를 가지는 패턴 웨이퍼를 빠르게 연마하여 평탄화하는 공정에 사용되는 화학기계적 연마 조성물 및 이를 이용한 화학 기계적 연마 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 단차 제거 속도가 빠르며, 단차가 제거되어 평탄화된 이후에는 연마속도가 매우 느려지는 자동 연마정지 기능을 가지는 것으로서, i) 금속산화물 연마입자; ii) 아미노알콜로부터 선택되는 화합물 또는 그 혼합물; 을 함유하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물은 피연마막의 증착시간 단축 및 증착원료 절감과 화학기계적 연마 시간 단축 및 사용 슬러리 절감의 효과가 있으며, 이는 원료비 절감과 공정시간을 단축하여 생산성 향상을 할 수 있는 장점이 있다.
자동 연마 정지, 단차, 연마슬러리, 아미노알콜, 트리에탄올아민, 폴리아크릴산

Description

고단차 산화막의 평탄화를 위한 화학기계적 연마조성물{Abrasive composition for polishing of wafer}
도 1은 고단차를 갖는 반도체 기판의 단면도이고,
도 2는 연마시간에 따른 오목부와 볼록부의 평균두께를 도시한 것이고,
도 3은 볼록부의 두께의 피치와 패턴밀도에 따른 변화를 도시한 것이다.
*도면 주요부호의 상세한 설명*
10 - 기판 20 - 배선패턴 혹은 캐퍼시터
30 - 절연막 31 - 볼록부
32 - 오목부 33 - 이상적인 연마 정지면
본 발명은 단차가 큰 요철을 가진 반도체 소자 연마시에 사용되는 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물과 상기 조성물을 이용한 화학 기계적 연마 방법에 관한 것이다.
반도체 소자가 미세화, 고밀도화 됨에 따라 더욱 미세한 패턴 형성 기술이 사용되고 있으며, 그에 따라 반도체 소자의 표면 구조가 더욱 복잡해지고 표면 막들의 단차도 더욱 커지고 있다. 반도체 소자를 제조하는 데 있어서 기판상에 형성된 특정한 막에서의 단차를 제거하기 위한 평탄화 기술로서 CMP 공정이 이용된다. 특히, 층간 절연막 및 STI(Shallow Trench Isolation)용 절연막의 평탄화를 위한 공정 및 배선, 콘택 플러그, 비아 콘택 등과 같은 금속 도전막을 형성하기 위한 공정으로서 CMP 공정이 많이 사용되고 있다. CMP 공정이라 함은, 가공하고자 하는 웨이퍼의 표면과 연마패드를 접촉시킨 상태에서 슬러리를 이들 접촉부위에 공급하면서 웨이퍼와 연마패드를 상대적으로 이동시키면서 웨이퍼의 요철 표면을 화학적으로 반응시키면서 기계적으로 제거하여 평탄화시키는 광역 평탄화 기술이다.
CMP 공정에 있어서 연마속도, 연마표면의 평탄화도, 스크래치의 발생 정도가 중요하며, 이들은 CMP 공정조건, 슬러리의 종류, 연마패드의 종류 등에 의해 결정된다. 집적도가 높아지고 공정의 규격이 엄격해짐에 따라 단차가 매우 큰 절연막을 빠르게 평탄화할 필요성이 발생하고 있다. 예를 들면 DRAM의 경우에 캐퍼시터 형성 후 절연하기 위해 입힌 단차가 매우 큰 산화규소막을 화학기계적 연마하는 경우이다.
단차가 큰 피 연마막의 연마에 있어 단차를 빠르게 제거하고 단차가 제거된 이후에는 연마속도가 매우 느려져 자동 정지기능을 가지면 아래와 같이 원료비 절감과 공정시간을 단축하여 생산성 향상을 할 수 있다는 점에서 유리하다.
1) 피연마막의 증착시간 단축 및 증착원료 절감
2) 화학기계적 연마 시간 단축 및 사용 슬러리 절감
따라서 연마초기에는 단차제거 속도가 빠르고, 단차 제거 후에는 연마속도가 매우 느려져 자동정지 기능을 가진 연마제를 개발하는 것이 필요하다.
한편 반도체 기판의 산화막 연마용 조성물 중 첨가제로 인한 피막형성 기능을 가지거나, 이를 통한 추가적인 자동 연마정지 기능을 갖는 연마제 조성물에 대하여 한국공개특허공보 제2004-16154호에서 금속 산화물 연마 입자, 제거 속도 가속제, 1,000 내지 100,000의 분자량을 가지는 음이온성 폴리머 패시베이션제, 및 C1∼C12의 음이온성 패시베이션제를 포함하는 수용액이 공지되어 있고, 한국공개특허공보 제2001-7534에는 마이너스로 조정된 표면 전위를 갖는 연마 입자와, 수용성 고분자로 구성되는 계면 활성제를 함유하는 CMP 연마 방법이 공지되어 있으며, 한국공개특허공보 제1996-5827호에는 연마액으로 COOH(카르복시기), COOM1(M1은 카르복시기의 수소 원자 , 술폰기의 수소 원자와 치환하여 염을 형성할 수 있는 원자 또는 관능기)로 이루어지는 군으로 선정된 적어도 1개의 친수기(親水基)를 갖는 분자량 100 이상인 유기 화합물을 함유하는 연마 방법이 공지되어 있고, 한국공개특허공보 제1998-63482호에는 연마입자의 전하와 상이한 전하의 이온 잔기를 갖고, 연마 입자에 대하여 약 5 내지 약 50중량%의 농도를 갖는 약 500 내지 약 10,000의 분자량을 갖는 고분자전해질(polyelectrolyte)을 추가로 포함하는 연마 조성물이 공지되어 있으나, 상기의 공지된 연마제 조성물들의 자동 연마정지 기능이 뚜렷하지 않아 실제 반도체 제조공정에 적용하기가 어렵다.
한편 한국공개특허공보 제2003-53138호에는 흄드 실리카 및/또는 콜로이달 실리카, pH 조절제, 불소화합물, 포스페이트(Phosphate) 계열의 음이온첨가제, 트리에탄올아민 등의 아민(Amine) 계열의 첨가제, 산화제 및 물을 포함하는 연마조성물이 공지되어 있으나, 상기 연마조성물은 본 발명에서 추구하는 자동 연마정지 기능이 없을 뿐만 아니라 추가로 첨가되는 첨가제의 조성이 상이하다.
본 발명자들은 트리에탄올아민(TEA) 및 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올(DMAMP)과 같은 아미노 알코올을 함유하는 조성물이 연마 초기에 오목부의 연마와 단차 제거 후에 연마를 억제하는 자동정지 기능이 탁월함을 발견하기에 이르렀다.
따라서 본 발명의 목적은 연마 초기에 단차가 큰 요철을 가진 피 연마막에 대해 오목부는 거의 연마되지 않고 볼록부를 빠르게 제거함으로서 단차를 빠르게 제거하고, 단차가 제거된 이후에는 연마속도가 매우 느려져 자동 정지되는 연마조성물을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 자동 연마정지 기능을 갖게 되어 피연마막의 증착시간 단축 및 증착원료 절감과 화학기계적 연마 시간 단축 및 사용 슬러리 절감의 효과가 있는 연마제 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 반도체 소자 제조 기술 중 단차가 큰 요철부를 가지는 패턴 웨이퍼를 빠르게 연마하여 평탄화하는 공정에 사용되는 화학기계적 연마 조성물 및 이를 이용한 화학 기계적 연마 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 단차 제거 속도가 빠르며, 단차가 제거되어 평탄화된 이후에는 연마속도가 매우 느려지는 자동 연마정지 기능을 가지는 것으로서, i) 금속산화물 연마입자; ii) 하기 화학식 1의 아미노알콜 화합물로부터 선택되는 화합물 또는 그 혼합물; 을 함유하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure 112005022192027-pat00001
[상기 식에서 A는 C2-C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬렌이고, R1과 R2는 서로 독립적으로 수소 또는 -OH가 치환되거나 치환되지 않은 C1-C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬이다.]
본 발명에 따른 연마조성물은 산화막에 흡착하여 연마를 억제하는 작용을 하여 자동 연마정지 작용을 할 수 있는 화학 물질을 함유한다. 본 발명에 따른 연마조성물을 사용하여 고단차 산화막을 연마하면 연마 초기 볼록부는 물리적인 압력을 강하게 받아 연마입자의 연마 기능이 강하게 작용하여 연마가 빠르게 진행되나, 압 력을 적게 받는 오목부에는 피연마막에 흡착된 자동 연마정지 기능제가 피연마 막의 표면에 피막을 형성하여 연마를 억제하게 되므로 연마속도가 현저히 낮아진다. 연마가 계속 진행됨으로서 오목부와 볼록부의 단차는 작아지게 되고 단차가 소멸하게 되는데, 이때 압력에 의한 물리적인 연마 작용에 비해 피 연마막에 형성된 연마 억제 막의 기능이 커서 연마속도가 현저히 낮아지게 된다.
본 발명에 따른 연마조성물에 포함되는 상기 금속산화물 연마입자는 실리카, 산화세륨, 산화지르코늄 및 산화알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되나, 산화세륨은 실리카 입자나 산화알루미늄 입자에 비해 경도가 낮지만 Si와 Ce 원자 간에 Si-O-Ce 결합이 형성되는 화학적 연마 메커니즘에 의해 유리나 반도체 기판과 같은 규소를 포함하는 면의 연마속도가 매우 빨라 반도체 기판의 연마에 유리하기 때문에 산화세륨을 연마입자로 함유하는 것이 바람직하며, 산화세륨은 탄산세륨 수화물을 600℃ 내지 900℃에서 공기 중에서 하소하여 제조된 것을 사용하였다.
연마입자의 함유량은 충분한 단차제거 속도가 나올 수 있도록 하는 데 중요하며, 입자의 종류에 따라 동일 함량에서의 연마속도가 다르므로 사용량은 원하는 연마 속도에 따라 달리할 수 있으며, 산화세륨의 경우 연마입자의 함유량은 0.1 내지 20 중량%이며, 바람직하게는 0.5 내지 5 중량%이며 더욱 바람직하게는 1 내지 3 중량%이다. 함유량이 적으면 단차제거속도가 너무 느려지는 경향이 있으며, 많으면 자동연마정지기능을 얻기 위해 좀 더 많은 양의 자동 연마정지 기능제가 필요하다. 산화 세륨 연마입자의 크기는 스크래치와 연마속도를 고려하면 분산액 내의 입자입경이 50nm 내지 500nm 크기가 바람직하다.
본 발명에 따른 연마조성물은 자동 연마정지 기능제로서 화학식 1의 구조를 갖는 아미노알콜 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112005022192027-pat00002
[상기 식에서 A는 C2-C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬렌이고, R1과 R2는 서로 독립적으로 수소 또는 -OH가 치환되거나 치환되지 않은 C1-C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬이다.]
상기의 화학식 1 화합물은 트리에탄올아민, 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸아미노-2-프로판올, 3-디메틸아미노-1-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 2-디메틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-에탄올, 2-에틸아미노-1-에탄올, 1-(디메틸아미노)2-프로판올, 디에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-프로필디에탄올아민, N-이소프로필디에탄올아민, N-(2-메틸프로필)디에탄올아민, N-n-부틸디에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, 2-(디메틸아미노)에탄올, 2-디에틸아미노에탄올, 2-디프로필아미노에탄올, 2-부틸아미노에탄올, 2-t-부틸아미노에탄올, 2-아미노2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 또는 트리아이소프로판올아민 (TIPA)로 예시되며, 상기 화합물은 단독으로 또는 조합으로 사용될 수 있다.
자동 연마정지 기능을 가지는 연마 조성물에 포함되는 바람직한 화학식 1의 아미노알콜 화합물은 트리에탄올아민 또는 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시메틸)아미노메탄 또는 트리아이소프로판올아민, 또는 그 혼합물이다.
아미노알콜은 친수성과 염기성의 성질을 갖는 작용기인 아민기와 친수성이며 수소결합이 가능한 작용기인 히드록시기를 동시에 가지고 있는 화합물로서, 산화막의 표면에 흡착하는 기능을 하여 낮은 압력에서 연마를 억제하는 기능을 한다. 상기의 기능을 나타내는 것은 산화규소막이 음의 제타전위를 띠며, 아미노알콜은 약염기성, 중성 및 산성의 매우 넓은 pH 영역에서 양으로 하전되는 경향을 가져 서로 간에 인력이 작용하여 흡착되기 때문으로 생각된다.
본 발명에 따른 연마 조성물에서의 아미노알콜의 사용량은 연마입자의 함량과 크기 및 타 구성성분의 함량 및 pH에 따라 적정한 함량이 달라지며, 높은 단차제거속도와 자동연마정지 기능을 나타내기 위한 함량은 0.5 내지 15 중량%이며, 바람직하게는 1 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 2 내지 6 중량%이다. 자동 연마정지기능제의 함량이 너무 적으면 자동연마정지기능이 약하며, 너무 많으면 연마초기의 단차제거속도가 낮아진다.
본 발명에 따른 연마조성물은 상기의 연마 입자, 화학식 1의 아미노 알콜 및 이외에 pH 조절제, 고분자 유기산, 4급암모늄화합물, 계면활성제, 윤활제 등이 필요에 따라 추가 첨가될 수 있다. 본 발명은 연마 입자의 연마 기능에 아미노알콜의 평판 연마 속도 억제 기능이 결합되어 이루어진다.
본 발명에 따른 자동 연마정지 기능을 갖는 연마조성물은 넓은 범위의 pH에서 효과적이나, pH가 너무 낮거나 너무 높으면 단차제거속도가 낮아져 슬러리의 기능성이 떨어지며, 바람직한 pH 범위는 pH 4 내지 11이고, pH가 5 내지 8이 더욱 바람직하며, pH를 조절하기 위한 pH 조절제로는 연마조성물의 특성, 즉, 높은 단차제거속도 및 자동 연마정지 기능에 악영향을 미치지 않으면서 pH를 조절할 수 있는 질산 등의 무기산 또는 유기산으로부터 선택되는 산이나 무기 또는 유기염기이면 모두 사용 가능하다.
고분자 유기산은 연마속도 향상제로 사용되며 폴리아크릴산 또는 폴리 아크릴산 공중합체를 사용할 수 있다. 시판되는 폴리아크릴산 제품은 분자량이 명시되어 있지 않은 경우가 많으며, 주로 수용액의 형태로 판매되므로 제품마다 폴리아크릴산의 함량이 다르다. 본 발명에 따른 반도체 연마 슬러리용 첨가제에 함유되는 상기의 2.5% 폴리아크릴 산 수용액의 점도가 0.8 내지 20 cps인 것을 사용하였으며, 본 발명에서 사용한 폴리아크릴산의 예를 들면, 폴리아크릴산 2.5% 수용액의 점도는 폴리아크릴산 L이 1.67 cps, 폴리아크릴산 S가 1.21 cps인 일본순약사 제품을 사용하였다.
폴리아크릴산은 저점도의 폴리아크릴산 S와 고점도의 폴리아크릴산 L을 혼합하여 사용하면 효과가 우수하며 저점도의 폴리아크릴산과 고점도의 폴리아크릴산의 함유량은 저점도의 폴리아크릴산 5 내지 95 중량 %이고, 고점도의 폴리아크릴산 95 내지 5 중량%인 것이 바람직하다.
저점도의 폴리아크릴산만을 사용하였을 경우 연마 초기의 단차제거속도가 낮은 경향이 있으며 고점도의 폴리아크릴산만을 사용하였을 경우 단차제거속도는 크지만 단차가 제거된 이후의 연마속도가 커서 자동연마 정지 기능이 약화된다.
본 발명의 반도체 연마 슬러리용 첨가제에는 암모늄하이드록사이드, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드 또는 테트라부틸암모늄하이드록사이드 등으로부터 선택되는 4급 암모늄염을 추가로 포함될 수 있다.
기타 계면활성제와 윤활 기능을 돕는 윤활제가 포함될 수 있다. 이때, 분자량이 큰 양이온 계면활성제는 산화세륨 분산액과 섞일 때 빠르게 침강을 일으키는 문제점이 있으므로 음이온성 및 중성 계면활성제의 사용이 유리하다.
본 발명의 연마조성물을 화학기계적 연마에 사용하는 방법에 있어서 i) 금속산화물 연마입자 및 아미노알콜을 포함한 다른 첨가제들의 모든 구성 성분이 함유된 연마조성물을 제조 후 보관하다가 사용할 수 있으며, ii) 금속산화물 연마입자가 포함된 분산액과 아미노알콜 및 다른 첨가제가 포함된 연마첨가제 액을 분리하여 제조 후 보관하다가 사용 직전에 두 액을 적절한 비율로 혼합하여 연마조성물을 제조하고 사용할 수도 있다.
본 발명에 따른 자동 연마정지 기능을 갖는 바람직한 연마조성물은 전체 연마 조성물에 대하여 금속산화물 연마입자 0.1 내지 20 중량%, 아미노알콜 화합물 또는 그 혼합물 0.5 내지 15 중량% 인 것이며, 더욱 바람직하게는 전체 연마 조성물에 대하여 금속산화물 연마입자 0.5 내지 5 중량%, 화학식 1의 아미노알콜 화합물 또는 그 혼합물 1 내지 10 중량%, pH 4 내지 11 인 것이고, 특히 pH가 5 내지 8의 범위인 것이 가장 바람직하다. 또한 또 다른 연마 조성물로서 전체 조성물에 대하여 산화세륨 1 내지 3 중량%, 트리에탄올아민 2 내지 6 중량%, 폴리 아크릴산 0.1 내지 5 중량%이며, pH가 5 내지 8의 범위인 것이 가장 바람직하다.
이하, 실시 예에 의해 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 이는 발명의 구성 및 효과를 이해시키기 위한 것 일뿐, 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
[실시예 1]
탄산세륨 수화물을 750℃에서 4시간 동안 공기 중에서 하소하여 산화세륨 입자를 제조한 후 탈이온수와 소량의 분산제를 첨가하여 매체교반식 분말 분쇄기로 분쇄, 분산한 다음 탈이온수를 첨가하여 최종적으로 고형분 5%의 산화세륨 분산액을 얻었다. 분산액의 입자크기는 140nm이며, pH는 8.4였다. 자동연마 정지 기능을 가진 첨가제로서 트리에탄올 아민 및 타 아미노알콜을 질산으로 pH를 조절하여 연마첨가제를 제조한 후, 상기 제조한 산화세륨 연마 입자의 분산액과 혼합하여 연마액을 제조하였다. 그리고, pH 조절제인 질산의 사용없이 연마액을 제조하기도 하였다(실험번호 1-1 및 1-2). 산화세륨 입자의 농도는 1%로 고정하고 아미노알콜의 첨가량과 pH를 표 1에서와 같이 변화시켜 각각의 연마액을 제조하였다.
연마에 사용된 기판은 테트라에톡시 실란(TEOS)을 사용하여 플라즈마 CVD 법으로 제조한 산화규소막이 입혀진 것으로, Si 기판 위에 여러 가지 선폭과 밀도로 패턴을 형성한 후 약 20000Å두께의 산화규소막을 증착한 것이며, 요철부의 단차가 약 7000Å이었다. 또한 단차가 제거된 이후의 연마속도를 알아보기 위해 산화규소막이 상기와 같은 방법으로 증착된 평판 웨이퍼를 준비하였다. 이들을 각각 G&P Tech.사의 CMP 장비에서 정반 및 헤드의 회전속도가 93rpm 및 87rpm이고, 압력이 300 g/cm2 으로 조절하여 연마를 수행하였다. 연마 시 연마 조성액의 산화세륨의 함량은 1%이며, 공급속도는 200 mL/min 였다. 트리에탄올아민의 첨가량과 pH에 따른 패턴의 단차제거속도, 평판 웨이퍼의 연마속도 및 연마속도 비(단차제거속도/평판 웨이퍼)를 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure 112005022192027-pat00003
(TEA:트리에탄올아민, TIPA:트리아이소프로판올아민, Trizma:트리스(하이드록시메틸)아미노메탄)
표 1에서 알 수 있는 바와 같이 트리에탄올 아민 없이 산화세륨 연마입자만으로 연마한 경우(비교예 1-1) 패턴 웨이퍼의 단차 제거 속도가 평판웨이퍼의 연마속도보다 낮은 결과를 보이지만, 추가로 아미노알콜만을 첨가한 실험번호 1-1 과 1-2의 경우 단차가 제거된 이후의 연마속도, 즉 평판의 연마속도가 크게 감소하여 단차제거속도/평판연마속도의 비가 크게 증가하였다. 질산으로 pH를 조절한 실험번호 1-3 내지 1-10에서는 평판 웨이퍼의 연마속도가 크게 감소하고 단차 제거 속도는 증가하여 비교 예 1-1에 비해 속도비가 크게 증가함을 알 수 있다.
또한 트리에탄올 아민의 첨가량이 증가할수록 평판 웨이퍼의 연마속도는 낮아지다가, 일정량이상 첨가되면 평판웨이퍼의 연마속도가 매우 낮게 유지됨을 알 수 있고, 또한 pH가 4 내지 11의 범위에서 좋은 자동연마정지 기능을 보인다.
상기 실시예 1의 결과들은 아미노알콜을 첨가한 본 발명에 따른 연마 조성물이 패턴이 형성된 기판에서 단차가 제거된 이후 연마속도가 크게 감소하게 되어 연마가 자동 정지되는 기능이 있음을 의미하는 결과이다.
[실시예 2]
폴리 아크릴산(PAA)의 첨가 효과를 보기 위해 첨가량을 변화시키며 평가하였다. 연마액은 폴리 아크릴산을 첨가한 것과 pH를 6.9로 고정되도록 조절한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 연마제를 제조하였다.
폴리 아크릴산과 트리에탄올 아민의 농도는 표 2에 나타낸 바와 같으며, 연마조건은 상기 실시예 1과 동일 조건으로 연마하였다. 첨가한 폴리아크릴산은 일본순약사 제품을 사용하였으며 사용한 아크릴산은 2.5% 수용액의 점도가 1.67 cps인 폴리아크릴산 L과 1.21 cps인 폴리아크릴산 S를 3/7(=L/S)의 중량비로 혼합된 것을 사용하였다.
트리에탄올 아민과 폴리아크릴산의 첨가량에 따른 패턴의 단차제거속도, 평판 웨이퍼의 연마속도 및 연마속도 비를 표 2에 나타내었다.
[표 2]
Figure 112005022192027-pat00004
상기 표 2에서 알 수 있는 바와 같이 연마첨가제 중의 폴리아크릴산의 농도를 변화시켜 연마한 결과 폴리아크릴산이 첨가되면 단차제거속도가 향상되는 것을 알 수 있으며, 트리에탄올 아민 2.1%에 폴리아크릴산이 추가로 첨가되었을 때 단차제거속도는 크게 증가되었으며 평판웨이퍼의 연마속도는 감소되어 속도비가 증가되었다. 또한 폴리아크릴산과 트리에탄올 아민의 첨가량이 증가함에 따라서 연마속도 비(단차제거속도/평판연마속도)가 증가하는 것을 알 수 있다.
[실시예 3]
폴리아크릴 산의 첨가량이 일정할 때 트리에탄올 아민의 함량의존성을 확인하기 위하여 폴리 아크릴산의 농도를 1% 및 1.5%로 첨가하고 표 3에 기제된 바와 같이 트리에탄올아민의 양을 변화시킨 것 이외에 실시예 2와 동일한 조성으로 연마제를 제조하여 실시예 1과 동일한 연마 조건에서 연마하였다.
[표 3]
Figure 112005022192027-pat00005
표 3의 결과로부터 폴리아크릴산의 첨가량이 일정할 때 트리에탄올의 양이 증가되면 평판연마속도는 급격히 감소되고 단차제거속도와 평판웨이퍼의 연마속도비는 증가되는 경향을 알 수 있으며, 트리에탄올 아민의 양이 2.1% 이상 첨가되면 평판웨이퍼의 연마속도가 현저히 낮아져 단차가 제거된 이후 자동적으로 연마가 정 지되는 특성을 알 수 있다.
[실시예 4]
폴리아크릴산의 분자량에 따른 자동정지 기능의 특성을 확인하기 위하여 점도가 상이한 두 종류의 폴리 아크릴산을 표 4에 기재된바와 같이 혼합하고 트리에탄올아민을 첨가하여 pH 6.9의 연마 첨가제를 제조하였다. 연마조성물로 산화세륨 슬러리와 상기의 연마 첨가제를 혼합하여 산화세륨 입자 1%, 폴리아크릴산 1.3%, 트리에탄올 아민 2.2%가 되도록 제조한 후 상기 실시예와 동일한 조건으로 연마하였다.
[표 4]
Figure 112005022192027-pat00006
L: 폴리 아크릴산 L(2.5% 수용액 점도 1.67 cps)
S: 폴리 아크릴산 S(2.5% 수용액 점도 1.21 cps)
표 4의 결과들로부터 폴리아크릴산의 점도가 낮을 경우(평균분자량이 작을 경우) 평판 웨이퍼의 연마속도가 낮아져 자동연마 정지 기능이 뛰어나며, 고점도의 폴리아크릴 산을 많이 사용될 경우 단차가 제거된 이후의 연마속도, 즉, 평판 연마속도가 약간 빨라진다는 것을 알 수 있다. 이러한 결과들은 연마 목적에 따라 저점도의 폴리아크릴 산과 고점도의 폴리아크릴 산을 적절히 혼합하여 두 가지 기능, 즉, 단차제거 기능과 자동정지 기능의 적정점을 구현할 수 있음을 확인해주는 것이다.
[실시예 5]
연마조성물 중의 산화세륨 입자의 농도를 1.0%와 1.5%가 되도록 하고, 폴리아크릴산과 트리에탄올 아민의 양을 표 5와 같이 변화시켜 상기의 연마조건과 동일하게 연마하여 단차제거속도와 평판연마속도를 측정하였으며, 이에 따른 연마속도비(단차제거속도/평판연마속도)를 계산하였다.
[표 5]
Figure 112005022192027-pat00007
표 5에서 알 수 있는 바와 같이 산화세륨 입자의 농도가 1.0%에서 1.5%로 증가되면 속도비는 큰 변화없이 단차제거속도는 1000Å/min 이상 증가되며, 이는 산화세륨의 농도를 증가시키면 높은 단차제거속도를 요구하는 공정에 유리하다는 것을 의미한다.
[실시예 6]
다른 첨가제의 첨가효과를 확인하기 위해 폴리아크릴산에 아미노 알코올 및 암모늄하이드록사이드 유도체를 표 6과 같이 혼합하고 질산으로 pH가 6.9가 되도록 제조하였다. 이때 모든 연마액은 산화세륨 입자 1%, 폴리 아크릴 산 농도 1.5%가 되도록 혼합하여 연마조성물을 제조하고 상기 실시예 1과 동등한 조건에서 연마하여 단차제거 속도와 평판의 연마속도를 측정하였다.
[표 6]
Figure 112005022192027-pat00008
(TEA:트리에탄올아민, DMAMP:2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, TMAH:테트 라메틸암모늄히드록사이드, AMP: 2-아미노-2-메틸-1-프로판올)
상기 표 6에 나타낸 결과들에서 알 수 있는 바와 같이 아미노알콜이 함유되었을 때 단차제거 속도 및 연마 후기의 자동연마정지 기능이 양호함을 알 수 있으며, 또한 4급암모늄염인 테트라메틸 암모늄히드록사이드(TMAH)가 단독 혹은 아미노알콜에 추가로 첨가되는 경우도 단차제거 속도 및 연마 후기의 자동연마정지 기능이 양호함을 알 수 있다.
[실시예 7]
패턴 웨이퍼에서 피치 및 패턴 밀도 [볼록부 면적/(오목부 면적+볼록부 면적)]에 따른 효과를 보기위해 다양한 피치와 패턴 밀도를 가지는 패턴 웨이퍼를 평가하였다. 도 2는 연마시간에 따른 오목부와 볼록부의 평균 두께의 변화를 도시한 것이다. 실리카 슬러리는 실리카 함량이 11%인 것으로 반도체 제조공정에서 산화규소막을 연마하기 위해 사용되는 상용슬러리이다. 슬러리 A 조성물은 산화세륨 1%, 폴리아크릴산(L/S=3/7) 1.5%, 트리에탄올아민 2.52%로 구성된 연마조성물이며, 슬러리 B 조성물는 산화세륨이 1.5%이고 폴리아크릴산(L/S=3/7)이 1.7%, 트리에탄올아민이 2.38%인 연마조성물이다. 이들 슬러리의 연마조건은 실시예 1과 동일하게 하였다. 실리카 슬러리의 경우는 단차가 제거된 후에도 절연막의 두께가 빠르게 감소하는 것을 알 수 있으나, 슬러리 A와 B는 단차가 제거된 후에는 즉, 평탄화된 후에 절연막 두께가 감소하는 속도가 아주 느려짐을 알 수 있다.
또한, 180초 연마 후 볼록부의 두께가 피치와 패턴 밀도에 따라 어떻게 영향 받는지 평가하였다. 도 3에 도시된 결과들은 연마전은 피치나 패턴밀도에 따른 변화가 없이 동일한 두께를 가지나, 연마 후에 실리카 슬러리의 경우는 피치나 패턴밀도에 대한 의존성이 커 평탄화가 잘 이루어지지 않았음을 보여준다. 반면에 슬러리 A와 B 조성물의 경우는 두께가 반 정도만 감소하면서도 평탄화가 우수하게 이루어졌음을 보여준다.
본 발명에 따른 연마 조성물은 단차가 큰 피 연마막의 연마에 있어 단차를 빠르게 제거하고 단차가 제거된 이후에는 연마속도가 매우 느려짐에 따라 연마 자동 정지기능을 갖게 되어 피연마막의 증착시간 단축 및 증착원료 절감과 화학 기계적 연마 시간 단축 및 사용 슬러리 절감의 효과가 있으며, 이는 원료비 절감과 공정시간을 단축하여 생산성 향상을 할 수 있는 장점이 있다.

Claims (15)

  1. i) 입경이 50 내지 500nm인 산화세륨 0.5 ~ 5 중량%;
    ii) 하기 화학식 1의 아미노알콜 화합물로부터 선택되는 화합물 또는 그 혼합물 1 ~ 10 중량%;
    를 함유하는 pH가 5 내지 8인 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112006054413041-pat00009
    [상기 식에서 A는 C2-C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬렌이고, R1과 R2는 서로 독립적으로 수소 또는 -OH가 치환되거나 치환되지 않은 C1-C5의 직쇄 또는 측쇄의 알킬이다.]
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    화학식 1 화합물은 트리에탄올아민, 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸아미노-2-프로판올, 3-디메틸아미노-1-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 2-디메틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-에탄올, 2-에틸아미노-1-에탄올, 1-(디메틸아미노)2-프로판올, 디에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-프로필디에탄올아민, N-이소프로필디에탄올아민, N-(2-메틸프로필)디에탄올아민, N-n-부틸디에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, 2-(디메틸아미노)에탄올, 2-디에틸아미노에탄올, 2-디프로필아미노에탄올, 2-부틸아미노에탄올, 2-t-부틸아미노에탄올, 2-아미노2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리아이소프로판올아민에서 선택되는 어느 하나 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물.
  6. 제 5항에 있어서,
    화학식 1 화합물은 트리에탄올아민 또는 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 또는 트리아이소프로판올아민, 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 5항에 있어서,
    pH 조절제, 4급암모늄염, 고분자유기산, 계면활성제 및 윤활제로부터 선택되는 하나 이상을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물.
  10. 제 9항에 있어서,
    pH 조절제로는 무기산 또는 유기산인 것을 특징으로 하는 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물.
  11. 제 9항에 있어서,
    4급암모늄염은 암모늄하이드록사이드, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드 또는 테트라부틸암모늄하이드록사이드로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 자동 연마정지 기능 을 가지는 화학 기계적 연마 조성물.
  12. 제 9항에 있어서,
    고분자유기산은 폴리 아크릴산 또는 폴리 아크릴산 공중합체인 것을 특징으로 하는 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물.
  13. 제 9항에 있어서,
    전체 조성물에 대하여 산화세륨 1 내지 3 중량%, 트리에탄올아민 2 내지 6 중량%, 폴리 아크릴산 0.1 내지 5 중량% 인 것을 특징으로 하는 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물.
  14. 삭제
  15. 제 1항, 제 5항, 제 6항 또는 제 9항 내지 제 13항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물을 이용하여 기판을 연마하는 방법.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101406757B1 (ko) * 2012-12-24 2014-06-18 주식회사 케이씨텍 슬러리 조성물 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
KR101827366B1 (ko) * 2016-05-16 2018-02-09 주식회사 케이씨텍 고단차 연마용 슬러리 조성물
KR102169835B1 (ko) * 2016-06-22 2020-10-26 후지필름 가부시키가이샤 연마액, 화학적 기계적 연마 방법
CN106189873A (zh) * 2016-07-22 2016-12-07 清华大学 一种抛光组合物
CN109906257B (zh) * 2016-10-17 2021-11-09 Cmc材料股份有限公司 具有改善的凹陷及图案选择性的对氧化物及氮化物有选择性的化学机械抛光组合物
CN113637412A (zh) * 2017-04-17 2021-11-12 嘉柏微电子材料股份公司 自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法
CN109251673A (zh) * 2017-07-13 2019-01-22 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液
CN109251674B (zh) * 2017-07-13 2021-12-17 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液
CN109251676B (zh) * 2017-07-13 2021-07-30 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液
CN109251672B (zh) * 2017-07-13 2022-02-18 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液
CN114621685A (zh) * 2020-12-11 2022-06-14 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其使用方法
KR20220120864A (ko) * 2021-02-24 2022-08-31 에스케이하이닉스 주식회사 실리콘 산화막 연마용 cmp 슬러리 조성물

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990077428A (ko) * 1998-03-10 1999-10-25 포만 제프리 엘 복합물질기판의기계화학적폴리싱방법과개선된선택성을갖는슬러리
KR20020031317A (ko) * 2000-10-23 2002-05-01 도키와 후미카츠 연마액 조성물
KR20050005562A (ko) * 1999-07-13 2005-01-13 카오카부시키가이샤 연마액 조성물

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6299659B1 (en) * 1998-08-05 2001-10-09 Showa Denko K.K. Polishing material composition and polishing method for polishing LSI devices
US6740589B2 (en) * 2000-11-30 2004-05-25 Showa Denko Kabushiki Kaisha Composition for polishing semiconductor wafer, semiconductor circuit wafer, and method for producing the same
US20040159050A1 (en) * 2001-04-30 2004-08-19 Arch Specialty Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing conductive and non-conductive layers on semiconductor wafers
US20030104770A1 (en) * 2001-04-30 2003-06-05 Arch Specialty Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing conductive and non-conductive layers on semiconductor wafers
US20040211337A1 (en) * 2001-08-20 2004-10-28 Lee In Yeon Polishing slurry comprising silica-coated ceria
US7300601B2 (en) * 2002-12-10 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990077428A (ko) * 1998-03-10 1999-10-25 포만 제프리 엘 복합물질기판의기계화학적폴리싱방법과개선된선택성을갖는슬러리
KR20050005562A (ko) * 1999-07-13 2005-01-13 카오카부시키가이샤 연마액 조성물
KR20020031317A (ko) * 2000-10-23 2002-05-01 도키와 후미카츠 연마액 조성물

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1019990077428 *

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