KR100654277B1 - 플라즈마 방전소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 방전에 의해 이온을 발생시키는 플라즈마 방전소자에 있어서,고전압이 인가되는 고전압전극 및 접지전극 사이에 유전체가 위치하고,표면에 오염 방지를 위해 이산화티타늄 코팅층이 형성되며,상기 이산화티티늄 코팅층을 활성화시키기 위하여 자외선을 조사시키는 자외선 광원이 마련되는플라즈마 방전소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 유전체는,상기 이산화티타늄 코팅층이 외측면에 형성되고, 내측면과 상기 이산화티타늄 코팅층의 외측면에 상기 고전압전극과 상기 접지전극이 각각 마련되는 석영관인 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 자외선 광원은상기 석영관의 둘레를 따라 배열되어 상기 석영관과 나란하게 설치되는 복수의 자외선 램프인 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 자외선 광원은,상기 석영관의 외측을 감싸도록 설치되는 코일 형상의 자외선 램프인 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 유전체는,상기 고전압전극 및 상기 접지전극이 양측면에 각각 마련되고, 상기 고전압전극이 마련되는 측면에 상기 고전압전극의 외측면을 포함하여 상기 이산화티타늄 코팅층이 형성되는 세라믹판인 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 자외선 광원은,상기 세라믹판 외측에 상기 이산화티타늄 코팅층과 마주 보도록 설치되는 자외선 램프인 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전소자.
- 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,상기 이산화티타늄 코팅층의 표면에 상기 이산화티타늄의 활성화시 티타늄과 치환을 통해 활성화를 자극하는 3가 또는 5가 금속의 코팅층이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 3가 또는 5가 금속은,상기 3가 금속으로서 철이거나 상기 5가 금속으로서 바나듐인 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전소자.
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Cited By (2)
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KR100913343B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2009-08-20 | (주)수도프리미엄엔지니어링 | 회로부 삽입형 방전소자 |
KR102074223B1 (ko) * | 2018-09-10 | 2020-02-07 | (주)신우에이엔티 | 기판 처리 장치용 유기화합물 분해 제거 구조 |
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2005
- 2005-06-29 KR KR1020050057351A patent/KR100654277B1/ko active IP Right Grant
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WO2010074464A3 (ko) * | 2008-12-23 | 2010-09-30 | (주)수도프리미엄엔지니어링 | 고전압 회로부 삽입형 방전소자 |
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