KR100649496B1 - 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 - Google Patents
질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 Download PDFInfo
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- 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;상기 p형 질화물 반도체층 상부에 형성된 언도프된 GaN층;상기 언도프된 GaN층 상에 형성되어 상기 언도프된 GaN층의 접합계면에 2차원 전자가스층을 제공하는 AlGaN층; 및상기 n형 질화물 반도체층과 상기 AlGaN층 상에 각각 접속되도록 형성된 n측 전극 및 p측 전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 언도프된 GaN층은 10∼100Å의 두께를 가짐을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 AlGaN층의 Al함량은 10∼50%임을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제3항에 있어서,상기 AlGaN층은 50∼250Å의 두께를 가짐을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 AlGaN층은 언도프된 AlGaN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제5항에 있어서,상기 AlGaN층은 n형 불순물이 도핑된 AlGaN층임을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 AlGaN층은 불순물로서 산소를 포함함을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 p측 전극과 상기 AlGaN층 사이에 ITO전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 언도프된 GaN층을 형성하는 단계;상기 언도프된 GaN층의 접합계면에 2차원 전자가스층이 제공되도록 상기 언도프된 GaN층 상에 AlGaN층을 형성하는 단계; 및상기 n형 질화물 반도체층과 상기 AlGaN층 상에 각각 접속된 n측 전극 및 p측 전극을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 언도프된 GaN층은 10∼100Å의 두께를 가짐을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 AlGaN층의 Al함량은 10∼50%임을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 AlGaN층은 50∼250Å의 두께를 가짐을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 AlGaN층에 도핑되는 언도프된 AlGaN층임을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 AlGaN층은 n형 AlGaN층임을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 AlGaN층은 불순물로서 산소를 포함함을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제15항에 있어서,상기 AlGaN층을 형성하는 단계 후에, 산소분위기에서 상기 AlGaN층을 어닐링하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 p측 전극 형성 전에, 상기 AlGaN층 상에 ITO전극을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 p측 전극은 상기 ITO전극 상에 형성됨을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
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