KR100646451B1 - Semiconductoo Waper Abrasive Apparatus Having A Elaotic Pad - Google Patents
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Abstract
본 발명은 자기유변 탄성패드 하측에 다수의 전자석을 일렬 배치하여 각 전자석에 선택적으로 자기장을 발생시켜, 자기장에 대응하는 위치에 해당하는 자기유변 탄성패드의 다중영역별 압력을 조절하여 연마제와 접해있는 웨이퍼의 절연막의 중앙부 및 주변부간의 두께편차 없이 동일레벨로 연마함에 따라 반도체 소자의 불량률을 크게 낮출 수 있는 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.According to the present invention, a plurality of electromagnets are arranged in a row below a magnetorheological elastic pad to selectively generate a magnetic field in each electromagnet, and the pressure of the magnetorheological elastic pad corresponding to a position corresponding to the magnetic field is adjusted to contact the abrasive. The present invention relates to a semiconductor wafer polishing apparatus having a magnetorheological elastic pad capable of significantly lowering a defect rate of a semiconductor device by polishing at the same level without thickness variation between the center portion and the peripheral portion of the insulating film of the wafer.
상기 본 발명은 회전하는 회전플레이트에 도포된 연마제에 접하도록 웨이퍼 홀더에 파지된 상태로 회전하는 웨이퍼의 절연층을 연마하기 위한 연마장치에 있어서, 상기 플레이트 상에 안착 고정되는 다수의 세그먼트로 이루어진 자기유변 탄성패드와; 중앙부가 상기 웨이퍼 홀더의 중심축과 일치하도록 상기 회전플레이트 하부에 배치되며, 상기 자기유변 탄성패드에 의해 웨이퍼의 일부분 또는 전부분을 선택적으로 가압하기 위해 웨이퍼의 직경과 같거나 큰 폭으로 형성된 다수의 전자석과; 상기 자기장발생부의 일부분 또는 전부분에 선택적으로 자기장을 발생시키기 위한 콘트롤러로 구성되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a polishing apparatus for polishing an insulating layer of a rotating wafer held in a wafer holder in contact with an abrasive applied to a rotating rotating plate, the ceramic comprising a plurality of segments seated and fixed on the plate. A rheological pad; A center portion is disposed below the rotating plate so as to coincide with the center axis of the wafer holder, and a plurality of widths equal to or larger than the diameter of the wafer for selectively pressing a portion or the entire portion of the wafer by the magnetorheological elastic pad Electromagnets; And a controller for selectively generating a magnetic field in a part or the whole of the magnetic field generating unit.
웨이퍼 연마, 자기유변 탄력패드, 자기장, 세그먼트 Wafer Polishing, Magnetic Fluorescent Elastic Pad, Magnetic Field, Segment
Description
도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 연마장치에 의해 웨이퍼 연마 시 웨이퍼의 부분별 속도분포를 나타내는 개략도,1 is a schematic diagram showing a velocity distribution for each part of a wafer during wafer polishing by a conventional semiconductor wafer polishing apparatus;
도 2는 종래의 반도체 웨이퍼 연마장치에 의해 웨이퍼 연마 시 웨이퍼의 부분별 압력분포를 나타내는 개략도,Figure 2 is a schematic diagram showing the pressure distribution for each part of the wafer at the time of polishing the wafer by a conventional semiconductor wafer polishing apparatus,
도 3는 종래의 반도체 웨이퍼 연마장치에 의해 웨이퍼 연마 시 웨이퍼의 중앙과 주변부간의 편차를 나타내는 개략도,3 is a schematic diagram showing a deviation between a center and a peripheral portion of a wafer during wafer polishing by a conventional semiconductor wafer polishing apparatus;
도 4는 본 발명에 따른 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치를 나타내는 측면도,4 is a side view showing a semiconductor wafer polishing apparatus having a magnetorheological elastic pad according to the present invention;
도 5는 본 발명에 따른 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치를 나타내는 평면도,5 is a plan view showing a semiconductor wafer polishing apparatus having a magnetorheological elastic pad according to the present invention;
도 6은 본 발명에 따른 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치의 작동상태를 나타내는 측면도,6 is a side view showing an operating state of a semiconductor wafer polishing apparatus having a magnetorheological elastic pad according to the present invention;
도 7은 자기유변 탄성패드의 경화 후, 자성체의 배열상태를 나타내는 사진이다.7 is a photograph showing the arrangement state of the magnetic body after curing the magnetorheological elastic pad.
*도면 내 주요부분에 대한 부호설명** Description of Signs for Main Parts in Drawings *
11: 웨이퍼 홀더 13: 웨이퍼11: wafer holder 13: wafer
21: 회전플레이트 23: 자기유변 탄성패드21: rotating plate 23: magnetic rheological pad
25: 연마제 공급관 27: 연마제25: abrasive supply pipe 27: abrasive
31∼35: 전자석 40: 콘트롤러31 to 35: electromagnet 40: controller
본 발명은 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치에 관한 것으로, 특히 자기유변 탄성패드 하측에 다수의 전자석을 일렬 배치하여 각 전자석에 선택적으로 자기장을 발생시켜, 자기장에 대응하는 위치에 해당하는 자기유변 탄성패드의 다중영역별 압력을 조절하여 연마제와 접해있는 웨이퍼의 절연막의 중앙부 및 주변부간의 두께편차 없이 동일레벨로 연마함에 따라 반도체 소자의 불량률을 크게 낮출 수 있는 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 고집적 반도체 소자는, 회로 패턴층 그리고 이들 층을 전기적으로 절연시키는 절연층들이 반복적으로 적층되어 있는 다층 구조를 가지고 있다. 이와 같은 회로층 위에 절연층을 적층하면 회로층의 굴곡을 따라 절연층에도 요철부가 발생한다. 따라서, 고집적 반도체 소자를 만드는 공정에는 이러한 굴곡을 감소시키는 평탄화 공정이 요구된다. 이와 같은 반도체 웨이퍼의 평탄화 시키기 위한 CMP(Chemical Mechanical Planarization)기술은 고집적 반도체 소자 제조공정에서 웨이퍼의 평탄화를 얻기 위하여 널리 사용되는 프로세스이다. In general, highly integrated semiconductor devices have a multilayer structure in which circuit pattern layers and insulating layers electrically insulating these layers are repeatedly stacked. When the insulating layer is laminated on the circuit layer, irregularities are also generated in the insulating layer along the bending of the circuit layer. Therefore, a process for making a highly integrated semiconductor device requires a planarization process that reduces such bending. CMP (Chemical Mechanical Planarization) technology for planarizing the semiconductor wafer is a widely used process to obtain the planarization of the wafer in a high-density semiconductor device manufacturing process.
이와 같은 CMP 공정은 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 홀더에 고착하는 공정을 포함하며, 웨이퍼는 연마패드 상에 접하도록 위치한 상태로 연마패드 및 웨이퍼는 함께 회전한다. 이때, 연마제로 통상적으로는 SiO2 입자의 현탁액인 콜로이드 실리카가 연마패드 상에 도포된다.Such a CMP process involves attaching a semiconductor wafer to a wafer holder, wherein the polishing pad and wafer rotate together with the wafer positioned to be in contact with the polishing pad. At this time, colloidal silica, which is usually a suspension of SiO 2 particles, is applied to the polishing pad as an abrasive.
이 연마제는 입자크기가 통상 수 ㎚에서 수 ㎛까지 가변하며, 슬러리 형태로 도포되는 연마제는 일반적으로 웨이퍼 홀더와 패드에 공급하는 완드(wand)를 이용하여 도포된다.These abrasives usually vary in particle size from several nm to several micrometers, and the abrasive applied in slurry form is generally applied using a wand which feeds the wafer holder and pad.
이 경우, 웨이퍼로부터 절연막의 돌출부를 제거하는 속도는 화학적 제거율과 기계적 제거율의 조합이이며, 기계적 제거율은 일반적으로 웨이퍼의 상대 속도와 압력에 비례하고, 화학적 제거율은 슬러리 입자 크기와 용액 pH의 함수이며, 최대 제거율은 약 11.5 pH를 갖는 슬러리를 이용하여 얻어진다.In this case, the rate of removal of the protrusion of the insulating film from the wafer is a combination of chemical removal rate and mechanical removal rate, the mechanical removal rate is generally proportional to the relative speed and pressure of the wafer, and the chemical removal rate is a function of slurry particle size and solution pH. , The maximum removal rate is obtained using a slurry having a pH of about 11.5.
그런데, 이러한 종래의 웨이퍼 연마장치를 통해서 웨이퍼를 연마할 경우, 도 1과 같이 회전하고 있는 웨이퍼는 중앙보다 주변부로 갈수록 회전속도가 빨라지게 되므로, 이로 인해 도 2와 같이 웨이퍼(1)와 연마패드(5)간의 압력 불균형이 일어난다. 미설명부호 3은 웨이퍼 홀더이다.By the way, when polishing the wafer through such a conventional wafer polishing apparatus, since the rotating wafer as shown in Figure 1 is faster toward the peripheral portion than the center, the
즉, 도 3과 같이 웨이퍼의 중앙보다 주변부로 갈수록 많은 양이 연마됨에 따라 웨이퍼의 두께편차가 발생한다. 이 경우, 주변부는 절연층 하부의 회로층 까지 연마되는 현상이 발생하였다. 결국, 이러한 웨이퍼의 중앙과 주변부의 상대속도의 편차 압력의 불균일은 반도체 소자의 불량을 야기시키는 치명적인 문제점이 있었다.That is, as the amount is polished toward the periphery rather than the center of the wafer as shown in Figure 3, the thickness deviation of the wafer occurs. In this case, the phenomenon that the peripheral part was polished to the circuit layer under the insulating layer occurred. As a result, the non-uniformity of the deviation pressure of the relative speed of the center and the periphery of the wafer has a fatal problem causing a defect of the semiconductor device.
종래기술에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 각기 다른 강도를 갖는 패드를 교체함으로써 압력을 조절하였으며, 또 다른 기술에서는 패드 테이블(Platen)아래의 비평판 지지대의 압력을 조절하였으나 이는 웨이퍼를 매우 정교하게 장착하여야 하며, 실시간 조정이 불가능한 문제점이 있었다.In the prior art, to solve this problem, the pressure was adjusted by replacing pads having different strengths, and in another technique, the pressure of the non-flat support under the pad table was adjusted. And there was a problem that can not be adjusted in real time.
따라서 본 발명은 이러한 종래기술의 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 그 목적은 자기유변 탄성패드 하측에 다수의 전자석을 일렬 배치하여 각 전자석에 선택적으로 자기장을 발생시켜, 자기장에 대응하는 위치에 해당하는 자기유변 탄성패드의 다중영역별 압력을 조절하여 연마제와 접해있는 웨이퍼의 절연막의 중앙부 및 주변부간의 두께편차 없이 동일레벨로 연마함에 따라 반도체 소자의 불량률을 크게 낮출 수 있는 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been made in view of the problems of the prior art, the object of which is to arrange a plurality of electromagnets in a row below the magnetorheological elastic pad to selectively generate a magnetic field in each electromagnet, corresponding to the position corresponding to the magnetic field A semiconductor having a magnetorheological elastic pad which can greatly reduce the defect rate of the semiconductor device by controlling the pressure of the magnetorheological elastic pad according to the multi-region to polish to the same level without thickness variation between the center and the peripheral portion of the insulating film of the wafer in contact with the abrasive. To provide a wafer polishing apparatus.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 회전하는 회전플레이트에 도포된 연마제에 접하도록 웨이퍼 홀더에 파지된 상태로 회전하는 웨이퍼의 절연층을 연마하기 위한 연마장치에 있어서, 상기 플레이트 상에 안착 고정되는 다수의 세그먼트로 이루어진 자기유변 탄성패드와; 중앙부가 상기 웨이퍼 홀더의 중심축과 일치하도록 상기 회전플레이트 하부에 배치되며, 상기 자기유변 탄성패드에 의해 웨이퍼 의 일부분 또는 전부분을 선택적으로 가압하기 위해 웨이퍼의 직경과 같거나 큰 폭으로 형성된 다수의 전자석과; 상기 자기장발생부의 일부분 또는 전부분에 선택적으로 자기장을 발생시키기 위한 콘트롤러로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a polishing apparatus for polishing an insulating layer of a rotating wafer in a state held by a wafer holder in contact with an abrasive applied to a rotating rotating plate, the seat fixed on the plate Magnetic rheological elastic pad consisting of a plurality of segments that are; A center portion is disposed below the rotating plate so as to coincide with the center axis of the wafer holder, and a plurality of widths equal to or larger than the diameter of the wafer to selectively press a portion or the entire portion of the wafer by the magnetorheological elastic pad Electromagnets; Provided is a semiconductor wafer polishing apparatus having a magnetorheological elastic pad, characterized in that it comprises a controller for selectively generating a magnetic field in a portion or the entire portion of the magnetic field generating portion.
상기 자기유변 탄성패드는 자성체를 분산제 및 용제와 섞어 강력한 믹서에서 교반하여 분산 시킨 후 탄성체와 함께 교반하여, 폴리우레탄 폴리올 용액에 넣어 볼밀을 사용하여 10시간동안 교반 시킨 후 이소시아네이트를 1파트 첨가시켜 90??∼110??에서 24시간 경화시키면서, 경화가 완전히 종료될 때까지 1 Tesla 정도의 자기장을 인가하여 이루어진다.The magnetorheological elastic pad was mixed with a dispersant and a solvent to disperse the magnetic body in a powerful mixer to disperse, and then stirred together with the elastic body in a polyurethane polyol solution and stirred for 10 hours using a ball mill to add one part of isocyanate 90 It is achieved by applying a magnetic field of about 1 Tesla until curing is completely completed while curing at ??-110 ?? for 24 hours.
이 경우, 상기 탄성체는 천연고무, EPDM, 폴리부타디엔, 니트릴고무, 합성고무, 폴리우레탄 및 실리콘 고무 중 어느 하나 또는 2이상의 조합으로 이루어진다.In this case, the elastic body is made of any one or a combination of two or more of natural rubber, EPDM, polybutadiene, nitrile rubber, synthetic rubber, polyurethane and silicone rubber.
또한, 상기 자성체는 철, 합금철, 산화철 예를 들면 Fe2O3, Co doped Fe2O3, Fe3O4, 질화철, 탄화철, 니켈, 코발트, 크롬 다이옥시드, 스테인레스 스틸 및 Fe 파우더 중 어느 하나로 이루어진다.In addition, the magnetic material is iron, ferroalloy, iron oxide, for example Fe 2 O 3 , Co doped Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , iron nitride, iron carbide, nickel, cobalt, chromium dioxide, stainless steel and Fe powder It is made of either.
더욱이, 상기 자기유변 탄성패드는 그 두께가 0.1mm∼50mm으로 이루어지며, 바람직하게는 1mm∼10mm로 형성된다.Further, the magnetorheological elastic pad has a thickness of 0.1 mm to 50 mm, preferably 1 mm to 10 mm.
한편, 상기 전자석은 적어도 3이상의 홀수개로 일렬 배열되는 것이 바람직하다.On the other hand, the electromagnets are preferably arranged in a row of at least three odd numbers.
따라서, 본 발명에서는 다수의 세그먼트로 이루어진 자기유변 탄성패드에 다 수의 전자석을 통해 일부분 또는 전부분을 선택적으로 자기장을 인가함에 따라 자기유변 탄성패드의 강성(Stiffness)이 커지면서 슬러리화된 연마제의 입자와 웨이퍼 사이의 압력이 증가하여 웨이퍼의 중앙부 및 주변부의 두께편차 없이 중앙부로부터 주변부까지 균일한 평면으로 연마함에 따라 반도체 소자의 불량률을 크게 줄여, 불량 반도체 웨이퍼의 양산을 미연에 방지함으로써 제조 시 비용 절감을 실현시킬 수 있다.Therefore, in the present invention, as the magnetic field is applied to a magnetorheological elastic pad consisting of a plurality of segments selectively or partially through a plurality of electromagnets, the stiffness of the magnetorheological elastic pad is increased and the particles of the slurry polished. As the pressure between the wafer and the wafer increases, polishing is made in a uniform plane from the center to the periphery without thickness variations in the center and periphery of the wafer, which greatly reduces the defect rate of the semiconductor device and prevents mass production of the defective semiconductor wafer, thereby reducing the manufacturing cost. Can be realized.
(실시예)(Example)
이하에 상기한 본 발명을 바람직한 실시예가 도시된 첨부도면을 참고하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
첨부된 도 4는 본 발명에 따른 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치를 나타내는 측면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치를 나타내는 평면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치의 작동상태를 나타내는 측면도, 도 7은 자기유변 탄성패드의 경화 후, 자성체의 배열상태를 나타내는 사진이다.4 is a side view illustrating a semiconductor wafer polishing apparatus having a magnetorheological elastic pad according to the present invention, and FIG. 5 is a plan view illustrating a semiconductor wafer polishing apparatus having a magnetorheological elastic pad according to the present invention. FIG. 7 is a side view illustrating an operating state of a semiconductor wafer polishing apparatus having a magnetorheological elastic pad according to the present invention. FIG. 7 is a photograph showing an arrangement of magnetic bodies after curing of the magnetorheological elastic pad.
먼저, 본 발명에 따른 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치는 회전플레이트(21)에 안착 고정되는 자기유변 탄성패드(23)를 구비하며, 상기 자기유변 탄성패드(23) 상면에는 연마제 공급관(25)을 통해 슬러지화 된 연마제(27)가 도포된다.First, a semiconductor wafer polishing apparatus having a magnetorheological elastic pad according to the present invention includes a magnetorheological
한편, 상기 자기유변 탄성패드(23)는 자성체를 분산제 및 용제와 섞어 강력한 믹서에서 교반하여 분산 시킨 후 탄성체와 함께 교반하여, 수용성 폴리우레탄 폴리올 용액에 넣어 볼밀을 사용하여 10시간동안 교반 시킨 후 이소시아네이트를 1파트 첨가시켜 90℃∼110℃에서 24시간 경화시키면서, 경화가 완전히 종료될 때까지 1 Tesla 정도의 자기장을 인가하여 이루어진다.On the other hand, the magnetorheological
한편, 자기장을 인가하지 않았을 경우 탄성강도의 변화는 5% 이하이나, 경화 시 자기장을 인가할 경우 도 7과 같이 자성입자가 일렬로 배열하여 입자간에 다이폴(dipole) 을 형성하여 탄성 강도의 변화는 30%∼50% 에 이르며, 이 경우 하기 전자석을 통해 인가되는 자기장은 우레탄 면과 수직으로 인가된다.On the other hand, when the magnetic field is not applied, the change in the elastic strength is 5% or less, but when the magnetic field is applied during curing, the magnetic particles are arranged in a line as shown in FIG. 7 to form dipoles between the particles, thereby changing the elastic strength. 30% to 50%, in which case the magnetic field applied through the following electromagnet is applied perpendicular to the urethane face.
또한, 상기 자기유변 탄성패드(23)는 0.1mm∼50mm의 두께에서 사용이 가능하나, 바람직하게는 1mm∼10mm로 제작하여 사용한다.In addition, the magnetorheological
이 경우, 상기 자기유변 탄성패드에 포함되는 탄성체는 천연고무, EPDM, 폴리부타디엔, 니트릴고무, 합성고무, 폴리우레탄 및 실리콘 고무 중 어느 하나로 이루어지며, 자성체로는 철, 합금철, 산화철 예를 들면 Fe2O3, Fe3O4, 질화철, 탄화철, 니켈, 코발트, 크롬 다이옥사이드, 스테인레스 스틸 및 Fe 파우더 중 어느 하나로 이루어진다.In this case, the elastic body included in the magnetorheological elastic pad is made of any one of natural rubber, EPDM, polybutadiene, nitrile rubber, synthetic rubber, polyurethane and silicone rubber, and the magnetic body is iron, alloy iron, iron oxide, for example Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , iron nitride, iron carbide, nickel, cobalt, chromium dioxide, stainless steel and Fe powder.
또한, 상기 합금철은 철에 알루미늄,실리콘, 코발트, 니켓, 바나듐, 몰리브덴, 크롬, 텅스텐, 망간 및/또는 구리를 포함한다.The ferroalloy may also include aluminum, silicon, cobalt, nickel, vanadium, molybdenum, chromium, tungsten, manganese and / or copper in iron.
한편, 상기 회전플레이트(21)의 하부에는 다수의 전자석이 일렬로 배치되어 있으며, 이 경우, 다수의 전자석은 적어도 3이상의 홀수개로 일렬 배열됨과 동시에 정중앙에 배치되는 전자석(33)이 웨이퍼 홀더(11)의 중심축(11a)과 일치하도록 배 치된다.On the other hand, a plurality of electromagnets are arranged in a row below the
따라서, 상기 다수의 전자석(31∼35)은 상기 자기유변 탄성패드(23)에 의해 웨이퍼(13)의 일부분 또는 전부분을 선택적으로 가압하기 위해 도 5와 같이 웨이퍼(13)의 직경과 같거나 큰 폭으로 형성되는 것이 바람직하다.Accordingly, the plurality of
또한, 콘트롤러(40)는 상기 다수의 전자석(31∼35)으로 하여금 일부분 또는 전부분에 선택적으로 자기장을 발생시킨다. 이때 자기장은 콘트롤러(40)에 의해서 세그먼트별로 자기장을 인가할 수 있으며 실시간으로 자기장의 세기를 조정할 수 있다. In addition, the
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 자기유변 탄성패드를 구비한 반도체 웨이퍼 연마장치의 작동에 따라 웨이퍼(13)에 다중압력을 가하여 웨이퍼(13)를 평탄하게 연마하는 과정을 설명하면 다음과 같다.A process of smoothly polishing the
먼저, 회전플레이트(21) 및 웨이퍼(13)를 하지한 웨이퍼 홀더(11)가 회전하는 가운데, 도 6과 같이 콘트롤러(40)의 전기신호에 따라 전자석(32,33,34)은 전류가 흐르고 전자석(31, 35)은 전류가 흐르지 않는다. 따라서 전자석(32,33,34)의 대응하는 위치에 있는 자기유변 탄성패드(23)의 세그먼트는 활성화되어 전자석(31, 35) 위치의 세그먼트보다 강한 탄성을 갖게 된다.First, while the
이에 따라 전자석(32,33,34)에 대응하는 위치의 자기유변 탄성패드(23)의 세그먼트 압력은 높아지고 이에 따라 웨이퍼의 중앙부의 연마속도는 빨라진다.As a result, the segment pressure of the magnetorheological
이에 따라 상기 자기장을 발생하는 전자석(32,33,34)에 의해 인가된 자기장이 자기유변 탄성패드(23)의 해당 부분 세그먼트에 작용하여, 탄력적으로 돌출되면 서 연마제(27)를 가압함에 따라 결과적으로 웨이퍼(13)의 연마면이 전체적으로 동일한 속도로 연마되는 효과를 얻을 수 있다.As a result, the magnetic field applied by the
더욱이, 이러한 국부적 연마속도의 조절은 종래기술의 문제점으로 지적되는 웨이퍼의 지역별 속도분포차이 및 압력 차이에 따른 불량 발생을 해결 할 수 있다.Moreover, the adjustment of the local polishing rate can solve the occurrence of defects due to the regional speed distribution difference and pressure difference of the wafer, which is pointed out as a problem of the prior art.
상기한 바와 같이 본 발명에서는 다수의 세그먼트로 이루어진 자기유변 탄성패드에 다수의 전자석을 통해 일부분 또는 전부분을 선택적으로 자기장을 인가함에 따라 자기유변 탄성패드의 강성(Stiffness)이 커지면서 슬러리화된 연마제의 입자와 웨이퍼 사이의 압력이 증가하여 웨이퍼의 중앙부 및 주변부의 두께편차 없이 중앙부로부터 주변부까지 균일한 평면으로 연마함에 따라 반도체 소자의 불량률을 크게 줄여, 불량 반도체 웨이퍼의 양산을 미연에 방지함으로써 제조 시 비용 절감을 실현시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, according to the present invention, a magnetic field is applied to a magnetorheological elastic pad composed of a plurality of segments, and a portion of the magnetic pad is selectively applied to the magnetic rheological pad through a plurality of electromagnets, thereby increasing the stiffness of the magnetorheological elastic pad. As the pressure between the particles and the wafer increases, polishing is made in a uniform plane from the center to the periphery without thickness variations in the center and periphery of the wafer, which greatly reduces the defect rate of the semiconductor device and prevents mass production of the defective semiconductor wafer. There is an advantage to realize savings.
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