KR100643397B1 - Wafer sensing apparatus - Google Patents

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KR100643397B1
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light emitting
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KR1020050110328A
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최용호
편희수
최승민
주재철
송근철
윤광준
황충정
김영환
최창훈
백동석
임상규
차병규
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삼성전자주식회사
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Abstract

A wafer detecting apparatus is provided to improve space efficiency and detecting performance by employing a reflective type sensor controlling an angle of a sensor corresponding to variable wafer reflectivity. A stage(30) supports a wafer(20) to be conveyed. A sensor(40) includes a light emitting unit(41) and a light receiving unit(42). The light emitting unit irradiates a light toward one plate surface of the wafer and the stage at a predetermined angle. The light receiving unit receives the reflected light. A bracket(50) supports the sensor to make it rotate. A control unit determines the presence of the wafer based on variation of light receiving amount reflected from one of the wafer and the stage based on detecting signal of the light emitting unit and the light receiving unit of the sensor.

Description

웨이퍼 감지장치{Wafer Sensing Apparatus}Wafer Sensing Device {Wafer Sensing Apparatus}

도 1은 종래기술에 따른 웨이퍼 감지장치를 나타낸 개략도,1 is a schematic view showing a wafer sensing device according to the prior art;

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 감지장치를 나타낸 개략도,2 is a schematic view showing a wafer sensing device according to the present invention;

도 3은 도 2의 사시도,3 is a perspective view of FIG.

도 4는 도 3의 분해사시도,4 is an exploded perspective view of FIG. 3;

도 5는 본 발명의 제어블록도,5 is a control block diagram of the present invention;

도 6은 본 발명의 제어흐름도이다. 6 is a control flowchart of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 웨이퍼 감지장치 20 : 웨이퍼10: wafer detection device 20: wafer

30 : 스테이지 40 : 센서30: stage 40: sensor

41 : 발광부 42 : 수광부41: light emitting part 42: light receiving part

44 : 제1돌기 45 : 제2돌기44: first projection 45: second projection

50 : 브래킷 51 : 회동축공50: bracket 51: rotating shaft hole

52 : 회동슬롯 60 : 브래킷 고정반52: rotation slot 60: bracket fixing plate

70 : 제어부 80 : 이송부70: control unit 80: transfer unit

본 발명은 웨이퍼 감지장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반사형 센서에 의한 웨이퍼 감지구조를 개선한 웨이퍼 감지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer sensing device, and more particularly, to a wafer sensing device having an improved wafer sensing structure by a reflective sensor.

일반적으로 웨이퍼 감지장치는 반도체 제조공정에 있어서 필수적인 요소로서, 주로 광학적인 방법에 의해 반도체 웨이퍼의 유무를 감지하게 된다.Generally, a wafer sensing device is an essential element in a semiconductor manufacturing process, and mainly detects the presence or absence of a semiconductor wafer by an optical method.

이러한 종래의 웨이퍼 감지장치(200)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 통상 투수과형 센서(210)를 이용한다. 투수과형 센서(210)는 발광부(211)와 수광부(212)를 상호 대향하도록 마련하여 웨이퍼(20)가 스테이지(220) 상에 존재하면 간섭으로 인해 수광부(212)로 수광되지 않고, 웨이퍼(20)가 스테이지(220) 상에 부재하면 수광부(212)로 수광되어 웨이퍼(20)의 유무를 감지하는 원리이다.The conventional wafer detection apparatus 200, as shown in Figure 1, usually uses a permeability sensor 210. The permeability-type sensor 210 is provided so that the light emitting part 211 and the light receiving part 212 face each other so that when the wafer 20 is present on the stage 220, the light receiving part 212 is not received by the light receiving part 212 due to interference. If 20 is absent on the stage 220, the light is received by the light receiving unit 212, thereby detecting the presence or absence of the wafer 20.

그러나, 이러한 종래의 웨이퍼 감지장치는 투수과형 센서의 발광부와 수광부의 위치가 상호 이격 배치되어 반도체 공정 설계시 설치공간의 확보에 문제점이 있다. 또한, 투수과형 센서를 발광부와 수광부가 동일 선상에 놓이는 반사형 센서로 교체하여도 반도체 공정에 따라서 웨이퍼의 반사율이 달라지기 때문에 감지성능이 저하되는 문제점이 있다.However, such a conventional wafer sensing device has a problem in securing an installation space when designing a semiconductor process because the positions of the light emitting part and the light receiving part of the permeation type sensor are spaced apart from each other. In addition, even if the permeable type sensor is replaced with a reflective sensor in which the light emitting part and the light receiving part are on the same line, there is a problem that the detection performance is deteriorated because the reflectance of the wafer is changed according to the semiconductor process.

따라서, 본 발명의 목적은, 공간효율과 감지성능을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 감지장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer sensing device capable of improving space efficiency and sensing performance.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 웨이퍼를 감지하는 센서를 갖는 웨이퍼 감지 장치에 있어서, 상기 웨이퍼를 이송 가능하게 지지하는 스테이지와; 상기 웨이퍼 및 상기 스테이지 중 어느 하나의 판면을 향하여 소정 각도로 광을 조사하는 발광부와, 반사된 광을 받아들이는 수광부를 갖는 센서와; 상기 센서가 회동되도록 지지하는 브래킷과; 상기 센서의 발광부 및 수광부의 검출신호에 기초하여 상기 웨이퍼 및 상기 스테이지 중 어느 하나로부터 반사되는 수광량의 편차로 상기 웨이퍼의 유무를 판단하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 감지장치에 의하여 달성된다. According to the present invention, there is provided a wafer sensing device having a sensor for sensing a wafer, comprising: a stage for transportably supporting the wafer; A sensor having a light emitting portion for irradiating light at a predetermined angle toward the plate surface of any one of the wafer and the stage, and a light receiving portion for receiving the reflected light; A bracket for supporting the sensor to rotate; And a controller for determining the presence or absence of the wafer based on a variation in the amount of received light reflected from any one of the wafer and the stage, based on the detection signals of the light emitting unit and the light receiving unit of the sensor. .

여기서, 상기 제어부는 상기 웨이퍼가 없는 경우 상기 웨이퍼를 지지한 스테이지를 이송하도록 제어하는 것을 포함할 수 있다.Here, the controller may include controlling to transfer the stage supporting the wafer when the wafer is absent.

상기 브래킷은 관통 형성된 회동축공과, 상기 센서가 상기 스테이지 판면에 대하여 소정의 각도로 회동되도록 안내하는 회동슬롯을 갖는 것이 바람직하다.The bracket preferably has a rotating shaft hole formed therethrough, and a rotating slot for guiding the sensor to be rotated at a predetermined angle with respect to the stage plate surface.

상기 센서는 상기 회동축공에 결합되는 제1돌기와, 상기 회동슬롯에 맞물리는 제2돌기를 갖는 것이 바람직하다.Preferably, the sensor has a first protrusion coupled to the pivot shaft hole, and a second protrusion engaged with the pivot slot.

그리고, 상기 웨이퍼 및 상기 스테이지 중 어느 하나의 표면은 다른 하나의 표면 보다 거칠게 가공되는 것이 바람직하다.In addition, the surface of any one of the wafer and the stage is preferably rougher than the other surface.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 웨이퍼 감지장치(10)는, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(20)를 이송 가능하게 지지하는 스테이지(30)와; 웨이퍼(20) 및 스테이지(30) 중 어느 하나의 판면을 향하여 소정 각도로 광을 조사하는 발광부(41)와, 반사된 광을 받아들이는 수광부(42)를 갖는 센서(40)와; 센서(40)가 회동되도록 지 지하는 브래킷(50)과; 브래킷(50)을 결합하여 지지하는 브래킷 고정반(60)과; 센서(40)의 발광부(41) 및 수광부(42)의 검출신호에 기초하여 웨이퍼(20) 및 스테이지(30) 중 어느 하나로부터 반사되는 수광량의 편차로 웨이퍼(20)의 유무를 판단하는 제어부(70)와; 제어부(70)의 제어에 기초하여 이송작업을 하는 이송부(80)를 포함한다.Wafer sensing device 10 according to the present invention, as shown in Figures 2 to 5, the stage 30 for supporting the wafer 20 to be transportable; A sensor 40 having a light emitting portion 41 for irradiating light at a predetermined angle toward the plate surface of any one of the wafer 20 and the stage 30, and a light receiving portion 42 for receiving the reflected light; A bracket 50 for supporting the sensor 40 to be rotated; Bracket fixing plate (60) for coupling and supporting the bracket (50); Control unit for determining the presence or absence of the wafer 20 by the deviation of the amount of light received from any one of the wafer 20 and the stage 30 based on the detection signal of the light emitting portion 41 and the light receiving portion 42 of the sensor 40 70 and; And a transfer unit 80 performing a transfer operation based on the control of the control unit 70.

스테이지(30)는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(20)의 하부에서 웨이퍼(20)를 이송 가능하게 지지한다. 스테이지(30)의 표면은 웨이퍼(20)의 표면 보다 거칠게 가공된 상태이다. 또한, 스테이지(30)의 표면이 모든 반도체 공정에서의 웨이퍼(20) 표면 보다 조밀하게 가공되어 마련될 수도 있다. 이하에서는 스테이지(30)의 표면이 웨이퍼(20)의 표면 보다 거칠게 가공된 경우를 예로 들어 설명한다. 이에, 웨이퍼(20)와 스테이지(30)의 표면 가공상태의 상이한 편차에 의해 센서(40)는 수광부(42)로 받아들이는 수광량의 편차를 감지할 수 있게 된다.As shown in FIGS. 2 to 4, the stage 30 supports the wafer 20 so as to be transported below the wafer 20. The surface of the stage 30 is rougher than the surface of the wafer 20. In addition, the surface of the stage 30 may be provided to be denser than the surface of the wafer 20 in all semiconductor processes. Hereinafter, the case where the surface of the stage 30 is rougher than the surface of the wafer 20 will be described as an example. As a result, the sensor 40 may detect a deviation in the amount of light received by the light receiver 42 due to a different deviation of the surface processing state of the wafer 20 and the stage 30.

센서(40)는 반사형 센서로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(20) 및 스테이지(30) 중 어느 하나의 판면을 향하여 소정 각도로 광을 조사하는 발광부(41)와, 발광부(41)와 동일한 면에서 반사된 광을 받아들이는 수광부(42)를 갖고, 브래킷(50)을 대향하는 면에서 돌출 형성되는 제1돌기(44)와 제2돌기(45)를 갖는다.As the sensor 40 is a reflective sensor, as shown in FIG. 2, a light emitting part 41 for irradiating light at a predetermined angle toward the plate surface of any one of the wafer 20 and the stage 30, and the light emitting part. It has the light-receiving part 42 which receives the light reflected on the same surface as 41, and has the 1st protrusion 44 and the 2nd protrusion 45 which protrude in the surface which opposes the bracket 50. As shown in FIG.

발광부(41)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(20) 및 스테이지(30) 중 어느 하나의 판면을 향하여 소정 각도로 광을 조사한다.As shown in FIG. 2, the light emitter 41 emits light at a predetermined angle toward the plate surface of either the wafer 20 or the stage 30.

수광부(42)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 발광부(41)가 마련된 면과 동일한 면에서 발광부(41)로부터 이격 배치되어 조사된 광으로부터 스테이지(30) 상에 웨 이퍼(20)가 있을 경우엔 스테이지(30)로부터의 반사광 보다 적은 양의 광을 웨이퍼(20)로부터 받으며, 웨이퍼(20)가 없을 경우엔 웨이퍼(20)로부터의 반사광 보다 많은 양의 광을 스테이지(30)로부터 받게 된다.As shown in FIG. 2, the light receiving unit 42 is disposed on the stage 30 from the light irradiated while being spaced apart from the light emitting unit 41 on the same surface on which the light emitting unit 41 is provided. Is present, the amount of light received from the wafer 20 is less than the reflected light from the stage 30. If there is no wafer 20, the amount of light from the stage 30 is greater than the reflected light from the wafer 20. Will receive.

이에, 센서(40)의 발광부(41)와 수광부(42)가 동일 선상에 놓이며, 반도체 공정에 따라서 가변되는 웨이퍼 반사율에 대응하도록 스테이지(30) 판면에 대해 소정의 각도로 회동되는 반사형 센서(40)를 채용하게 되어 웨이퍼 감지장치(10)의 설치공간을 줄일 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting portion 41 and the light receiving portion 42 of the sensor 40 are on the same line, and the reflection type is rotated at a predetermined angle with respect to the plate surface of the stage 30 so as to correspond to the wafer reflectivity which varies according to the semiconductor process. By employing the sensor 40 it is possible to reduce the installation space of the wafer sensing device (10).

브래킷(50)은, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 절곡 형성되어 센서를 대향하는 면에서 관통 형성된 회동축공(51)과, 센서(40)가 스테이지(30) 판면에 대해 소정 각도로 회동되도록 안내하는 회동슬롯(52)을 갖는다.As shown in FIGS. 2 to 4, the bracket 50 is bent to penetrate through the rotating shaft hole 51 formed at the surface facing the sensor, and the sensor 40 has a predetermined angle with respect to the surface of the stage 30. It has a rotation slot 52 for guiding to be rotated to.

회동축공(51)은, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 센서(40)의 제1돌기(44)를 결합하여 제1돌기(44)를 중심으로 센서(40)가 회동되도록 마련된다.As shown in FIGS. 2 and 4, the pivot shaft 51 is coupled to the first protrusion 44 of the sensor 40 so that the sensor 40 rotates around the first protrusion 44. do.

회동슬롯(52)은, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 센서(40)의 제2돌기(45)를 맞물리도록 마련되어 회동축공(51)을 중심으로 센서(40)가 스테이지(30) 판면에 대하여 소정의 각도로 회동되도록 한다.As shown in FIGS. 2 and 4, the rotation slot 52 is provided to engage the second protrusion 45 of the sensor 40 so that the sensor 40 is positioned around the pivot shaft 51. ) To be rotated at a predetermined angle with respect to the plate surface.

이에, 회동축공(51)과 회동슬롯(52)을 갖는 브래킷(50)에 센서(40)를 결합하게 되어 반도체 공정의 특성에 대응하도록 센서(40)의 스테이지 판면에 대한 회동각도를 조절할 수 있게 된다.Accordingly, the sensor 40 is coupled to the bracket 50 having the rotation shaft hole 51 and the rotation slot 52 to adjust the rotation angle of the stage plate of the sensor 40 to correspond to the characteristics of the semiconductor process. Will be.

브래킷 고정반(60)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 센서(40)가 웨이퍼(20)로부터 소정의 간격으로 이격되어 감지하도록 브래킷(50)을 결합하여 지지한 다. 브래킷 고정반(60)의 형상은 웨이퍼 감지장치(10)가 적용되는 반도체 공정의 특성에 대응하여 다양하게 마련될 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 3, the bracket fixing plate 60 engages and supports the bracket 50 so that the sensor 40 is spaced apart from the wafer 20 at predetermined intervals. The bracket fixing plate 60 may have various shapes corresponding to characteristics of a semiconductor process to which the wafer sensing device 10 is applied.

제어부(70)는, 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 센서(40)의 발광부(41) 및 수광부(42)의 검출신호에 기초하여 웨이퍼(20) 및 스테이지(30) 중 어느 하나로부터 반사되는 수광량의 편차로 웨이퍼(20)의 유무를 판단하며, 이송부(80)의 동작을 제어한다.As illustrated in FIGS. 2 and 5, the controller 70 may be any one of the wafer 20 and the stage 30 based on detection signals of the light emitting unit 41 and the light receiving unit 42 of the sensor 40. The presence or absence of the wafer 20 is determined by the variation in the amount of received light reflected from the control unit, and the operation of the transfer unit 80 is controlled.

이송부(80)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 스테이지(30) 상에 웨이퍼(20)가 있을 경우엔 이송동작을 중지하고, 웨이퍼(20)가 없을 경우에 이송동작을 한다. 이송동작은 스테이지(30)로 웨이퍼(20)를 이송할 수도 있고, 웨이퍼(20)를 올려놓은 상태에서 스테이지(30)를 이송할 수도 있다. 이하에서는 이송부(80)가 스테이지(30)로 웨이퍼(20)를 이송하는 경우를 예로 들어 설명한다.As shown in FIG. 5, the transfer unit 80 stops the transfer operation when the wafer 20 is on the stage 30 and performs the transfer operation when the wafer 20 is not present. In the transfer operation, the wafer 20 may be transferred to the stage 30, or the stage 30 may be transferred while the wafer 20 is placed thereon. Hereinafter, the case where the transfer unit 80 transfers the wafer 20 to the stage 30 will be described as an example.

따라서, 센서의 발광부와 수광부가 동일 선상에 놓이는 반사형 센서를 채용함으로써 웨이퍼 감지장치의 설치공간을 줄이고, 센서의 스테이지 판면에 대한 회동각도를 반도체 공정의 특성에 대응하여 조절 가능하게 함으로써 감지성능을 효과적으로 개선할 수 있다.Therefore, by adopting a reflective sensor in which the light emitting part and the light receiving part of the sensor are on the same line, the installation space of the wafer sensing device is reduced, and the rotation angle with respect to the stage plate surface of the sensor can be adjusted according to the characteristics of the semiconductor process to detect the sensing performance. Can be effectively improved.

이러한 구성에 의해, 본 발명에 따른 웨이퍼 감지장치의 조립 및 작동과정을 도 2 내지 도 6을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.With this configuration, the assembly and operation of the wafer sensing device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 6.

브래킷 고정반(60)에 브래킷(50)을 결합한다. 브래킷(50)의 회동축공(51)에는 센서(40)의 제1돌기(44)를 결합하고, 회동슬롯(52)에는 제2돌기(45)를 맞물리도록 하여 브래킷(50)과 센서(40)를 결합한다. 해당 반도체 공정에 따라서 가변되는 웨이퍼(20) 반사율에 대응하여 웨이퍼(20)의 유무가 감지되도록 센서(40)의 스테이지(30) 판면에 대한 각도를 맞추어 놓는다. 스테이지(30)의 상부에는 이송부(80)에 의해 웨이퍼(20)가 놓여지게 된다. 센서(40)의 발광부(41)가 웨이퍼(20)의 판면을 향해 광을 조사하면 조사된 광은 웨이퍼(20)의 판면에서 반사된다. 그리고, 웨이퍼(20)의 표면 가공 상태가 스테이지(30)의 표면 가공 상태 보다 조밀하게 마련되어 있다. 이에, 수광부(42)로 받아들여지는 수광량은 스테이지(30)의 판면에서 난반사되어 받아들여지는 수광량 보다 적다. 따라서, 제어부(70)는 센서(40)의 수광량 편차로 웨이퍼(20)의 존재를 인식하며(S3), 이송부(80)가 웨이퍼(20)의 이송을 중지하도록 제어한다(S5). 한편, 해당 반도체 공정이 완료된 후에는 스테이지(30)에서 웨이퍼(20)가 이송되며, 스테이지(30)의 상부에는 웨이퍼(20)가 존재하지 않는다. 센서(40)의 발광부(41)가 스테이지(30)의 판면을 향해 광을 조사하면 조사된 광은 스테이지(30)의 판면에서 난반사된다. 이에, 수광부(42)로 받아들여지는 수광량은 웨이퍼(20) 및 스테이지(30)의 표면 가공 상태에 따라 차이를 갖는다. 즉, 스테이지(30)의 표면 가공 상태가 웨이퍼(20)의 표면 가공 상태 보다 거칠기 때문에 스테이지(30)의 판면에서 반사되어 받아들여지는 수광량이 웨이퍼(20)의 판면에서 반사되어 받아들여지는 수광량 보다 많다. 따라서, 제어부(70)는 센서(40)의 수광량의 편차에 기초하여 웨이퍼(20)의 존재유무를 인식하며(S3), 이송부(80)가 웨이퍼(20)를 이송하도록 제어한다(S1). The bracket 50 is coupled to the bracket fixing plate 60. The first projection 44 of the sensor 40 is coupled to the pivot shaft 51 of the bracket 50, and the bracket 50 and the sensor (50) are engaged with the rotation slot 52 to engage the second projection 45. Combine 40). An angle with respect to the surface of the stage 30 of the stage 40 of the sensor 40 is adjusted so that the presence or absence of the wafer 20 is detected in response to the reflectivity of the wafer 20 varying according to the semiconductor process. The wafer 20 is placed on the upper portion of the stage 30 by the transfer unit 80. When the light emitting part 41 of the sensor 40 irradiates light toward the plate surface of the wafer 20, the irradiated light is reflected on the plate surface of the wafer 20. The surface processing state of the wafer 20 is more densely provided than the surface processing state of the stage 30. Therefore, the amount of light received by the light receiving portion 42 is smaller than the amount of light received by being diffusely reflected on the plate surface of the stage 30. Therefore, the controller 70 recognizes the existence of the wafer 20 due to the variation in the received light amount of the sensor 40 (S3), and controls the transfer unit 80 to stop the transfer of the wafer 20 (S5). On the other hand, after the semiconductor process is completed, the wafer 20 is transferred from the stage 30, and the wafer 20 does not exist above the stage 30. When the light emitting part 41 of the sensor 40 irradiates light toward the plate surface of the stage 30, the irradiated light is diffusely reflected on the plate surface of the stage 30. Accordingly, the amount of light received by the light receiving portion 42 varies depending on the surface processing states of the wafer 20 and the stage 30. That is, since the surface processing state of the stage 30 is rougher than the surface processing state of the wafer 20, the amount of light received reflected by the plate surface of the stage 30 is greater than the amount of light received reflected by the plate surface of the wafer 20. many. Therefore, the controller 70 recognizes the presence or absence of the wafer 20 based on the variation in the received light amount of the sensor 40 (S3), and controls the transfer unit 80 to transfer the wafer 20 (S1).

이에, 본 발명에 따르면, 반도체 공정에 따라서 가변되는 웨이퍼 반사율에 대응하여 센서의 각도를 조절할 수 있는 반사형 센서를 적용하여 웨이퍼 감지장치 의 설치공간을 줄이고 감지성능을 향상시킬 수 있다.Thus, according to the present invention, by applying a reflective sensor that can adjust the angle of the sensor in response to the wafer reflectance variable according to the semiconductor process can reduce the installation space of the wafer sensing device and improve the detection performance.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 공간효율과 감지성능을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 감지장치가 제공된다.As described above, according to the present invention, a wafer sensing device capable of improving space efficiency and sensing performance is provided.

Claims (4)

웨이퍼를 감지하는 센서를 갖는 웨이퍼 감지장치에 있어서,In a wafer sensing device having a sensor for sensing a wafer, 상기 웨이퍼를 이송 가능하게 지지하는 스테이지와;A stage for transportably supporting the wafer; 상기 웨이퍼 및 상기 스테이지 중 어느 하나의 판면을 향하여 소정 각도로 광을 조사하는 발광부와, 반사된 광을 받아들이는 수광부를 갖는 센서와;A sensor having a light emitting portion for irradiating light at a predetermined angle toward the plate surface of any one of the wafer and the stage, and a light receiving portion for receiving the reflected light; 상기 센서가 회동되도록 지지하는 브래킷과;A bracket for supporting the sensor to rotate; 상기 센서의 발광부 및 수광부의 검출신호에 기초하여 상기 웨이퍼 및 상기 스테이지 중 어느 하나로부터 반사되는 수광량의 편차로 상기 웨이퍼의 유무를 판단하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 감지장치.And a controller for determining the presence or absence of the wafer based on a variation in the amount of received light reflected from any one of the wafer and the stage, based on the detection signals of the light emitting unit and the light receiving unit of the sensor. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어부는 상기 웨이퍼가 없는 경우 상기 웨이퍼를 지지한 스테이지를 이송하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 감지장치.And the controller controls to transfer a stage supporting the wafer when the wafer is absent. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 브래킷은 관통 형성된 회동축공과, 상기 센서가 상기 스테이지 판면에 대하여 소정의 각도로 회동되도록 안내하는 회동슬롯을 가지며, The bracket has a rotating shaft hole formed therethrough, and a rotating slot for guiding the sensor to be rotated at a predetermined angle with respect to the stage plate surface, 상기 센서는 상기 회동축공에 결합되는 제1돌기와, 상기 회동슬롯에 맞물리는 제2돌기를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 감지장치.And the sensor has a first protrusion coupled to the pivot shaft hole, and a second protrusion engaged with the pivot slot. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 웨이퍼 및 상기 스테이지 중 어느 하나의 표면은 다른 하나의 표면 보다 거칠게 가공되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 감지장치.The wafer sensing device, characterized in that the surface of any one of the wafer and the stage is rougher than the other surface.
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