KR100636501B1 - 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법 - Google Patents

레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법 Download PDF

Info

Publication number
KR100636501B1
KR100636501B1 KR1020050080339A KR20050080339A KR100636501B1 KR 100636501 B1 KR100636501 B1 KR 100636501B1 KR 1020050080339 A KR1020050080339 A KR 1020050080339A KR 20050080339 A KR20050080339 A KR 20050080339A KR 100636501 B1 KR100636501 B1 KR 100636501B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electromagnet
substrate
donor film
laser
transfer
Prior art date
Application number
KR1020050080339A
Other languages
English (en)
Inventor
노석원
이성택
김무현
성진욱
송명원
김선호
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050080339A priority Critical patent/KR100636501B1/ko
Priority to JP2006061329A priority patent/JP2007062354A/ja
Priority to US11/510,372 priority patent/US7718341B2/en
Priority to CNB2006101422148A priority patent/CN100548708C/zh
Priority to TW095131694A priority patent/TWI331482B/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR100636501B1 publication Critical patent/KR100636501B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/18Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Abstract

본 발명은 기판과 도너필름의 전사층 사이의 밀착특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전법에 관한 것이다.
본 발명의 레이저 열 전사 장치는 레이저 발진기를 이용하여 유기 전계 발광소자의 발광층을 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서, 상기 레이저 열 전사 장치 내에 제1 전자석이 구비된 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지 상부에 제2 전자석이 구비된 도너필름이 삽입된다.
이에 따라, 기판과 도너필름의 전사층 사이의 밀착특성을 향상시킬 수 있으며, 유기 소자의 수명, 수율 및 신뢰성를 향상시킬 수 있다.
제1 전자석, 제2 전자석, 라미네이션, 도너필름

Description

레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법{Laser Induced Thermal Imaging Apparatus and Method using the same}
도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열 전사법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 레이저 열 전사 장치의 사시도.
도 3a는 본 발명에 따른 기판 스테이지 제1 실시 예에 따른 투시 평면도.
도 3b는 본 발명에 따른 기판 스테이지 제2 실시 예에 따른 투시 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 레이저 발진기 나타내는 구성도.
도 5는 본 발명에 따른 레이저 전사용 도너 필름 구조의 제1 실시 예를 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 레이저 전사용 도너 필름 구조의 제2 실시 예를 나타내는 단면도.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 따른 레이저 열 전사법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 8은 레이저 열 전사법을 도시하는 블럭도.
♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
210 : 도너필름 지지대 220 : 기판 지지대
230: 기판 스테이지 240 : 로봇팔
250 : 엔드이펙터 260 : 기판
270 : 도너필름 280 : 레이저 발진기
본 발명은 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 영구자석이 구비된 기판 스테이지와, 자성물질이 구비된 도너필름을 형성함으로써, 기판과 전사층의 밀착특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법이다.
일반적으로, 레이저 열 전사법(LITI: Laser Induced Thermal Imaging)을 수행하기 위해서는 적어도 레이저빔, 기판 및 도너필름을 필요로 한다. 도너필름은 기재기판, 광-열 변환층 및 전사층을 포함한다.
레이저 열 전사 공정에 있어서는 전사층을 기판에 대향 되도록 하여 도너필름을 기판 상에 라미네이션한 후, 기재기판 상에 레이저빔을 조사한다. 기재기판 상에 조사된 레이저빔은 광-열 변환층에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 열에너지에 의해 전사층은 기판 상으로 전사된다.
이하에서는 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 레이저 열 전사법을 구체적으로 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열 전사법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 1을 참고하면, 상기 챔버(100) 내의 하부에 스테이지(110)를 마련한다. 상기 스테이지(110)는 기판(140)과 도너필름(160)을 각각 정렬되게 하기 위해 제1 정열홈(170)과 제2 정열홈(180)을 형성한다. 상기 제2 정렬홈(180)은 상기 제1 정열홈(170)과 단차를 이루며 형성된다. 상기 스테이지(110) 상에 형성된 제1 정렬홈(170)의 형상을 따라 상기 기판(140)이 위치되고, 상기 스테이지(110) 상에 형성된 제2 정렬홈(180)의 형상을 따라 상기 도너필름(160)이 위치된다.
상기 기판(140) 상에 상기 도너필름(160)이 라미네이션된 후, 레이저 발진기(190)를 이용하여 상기 도너필름(160)의 상부에 레이저를 조사하여, 상기 도너필름(160)의 전사층(미도시)을 상기 기판(140) 상에 전사한다.
그러나 상기 도너필름(160)의 전사층(미도시)과 상기 기판(140) 사이에 공극또는 이물질(150) 등이 포함될 수 있다. 따라서, 제1 정열홈(170) 및 제2 정렬홈(180) 하부영역의 일구간에 호스를 연결하여 진공펌프(130)로 산소 또는 이물질 등을 빨아들여야 한다.
또한, 이러한 종래기술은 유기 발광 소자를 제작하는 다른 공정이 진공챔버 내에서 진행되는 것과는 달리 대기 중에서 이루어짐으로써, 산소 및 수분 등에 의해 유기 발광 소자의 신뢰성, 수명 및 소자특성의 저하를 야기시킨다.
이러한 문제점들을 해소하고자, 유기 발광 소자의 전사 공정을 진공챔버 내에서 수행하도록 한다.
그러나, 유기 발광 소자의 전사 공정을 진공챔버 내에서 수행할 경우, 유기 발광 표시 소자의 신뢰성, 수명 및 소자특성이 향상될 수 있으나, 전사층과 기판 사이에 미세한 공극(구멍) 또는 이물질 등이 발생되어도 진공펌프 또는 진공을 이용한 라미네이팅법을 이용하는 공정을 수행할 수가 없어, 전사층과 기판 사이의 밀착특성은 더욱 저하되는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해소하기 위해 도출된 발명으로, 진공챔버 내에 제1 전자석이 구비된 기판 스테이지와 제2 전자석이 구비된 도너필름을 이용함으로써 기판과 도너필름의 전사층 사이의 밀착특성을 향상시킬 수 있는 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법을 제공함에 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일측면에 따르면, 본 발명의 레이저 열 전사 장치는 레이저 발진기를 이용하여 유기 전계 발광소자의 발광층을 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서, 상기 레이저 열 전사 장치 내에 제1 전자석이 구비된 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지 상부에 제2 전자석이 구비된 도너필름이 삽입된다.
바람직하게, 상기 제1 전자석과 상기 제2 전자석이 구비된 도너필름 사이에는 자기력이 작용하며, 상기 제1 전자석과 상기 제2 전자석은 전압을 인가하기 위한 전기배선을 포함한다.
상기 기판 스테이지는 소정수의 관통 홀을 통해 상기 기판을 상부 또는 하부로 이동시키는 기판 지지대를 더 구비한다.
상기 도너필름은 기재 기판과, 상기 기재 기판 일면에 형성되는 제2 전자석과, 상기 제2 전자석 상에 형성되는 광-열 변환층과, 상기 광-열 변환층 상에 형성되어 있는 전사층을 포함하며, 상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 중간층을 더 포함한다. 상기 광-열 변환층 상기 중간층 사이에 제2 전자석을 더 포함한다.
본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 본 발명의 레이저 열 전사 장치를 이용한 레이저 열 전사법은 진공 챔버 내에 제1 전자석을 포함하는 기판 스테이지를 위치시키는 단계와, 상기 기판 스테이지 상에 기판을 위치시키는 단계와, 상기 기판의 일면에 적어도 광-열 변환층, 전사층 및 제2 전자석이 구비된 도너필름을 위치시키는 단계와, 상기 제1 전자석과 상기 제2 전자석에 전력을 인가하는 단계와, 상기 도너필름을 상기 기판 상에 라미네이션 하는 단계와, 상기 도너필름 상에 레이저빔을 조사하여 상기 전사층의 적어도 일부를 기판 상에 전사시키는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 도시한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 레이저 열 전사 장치의 사시도이다.
도 2를 참조하면, 레이저 열 전사 장치(20)는 레이저 발진기(280)를 이용하여 1 전자석(232)이 구비된 기판 스테이지(230)와, 상기 기판 스테이지(230) 상부에 제2 전자석이 구비된 도너필름(270)이 삽입된다.
상기 레이저 열 전사 장치(20)의 공정챔버(200a) 하부에는 적어도 하나의 전자석(232)이 구비된 기판 스테이지(230)가 형성된다. 상기 전자석(232)은 상기 기판 스테이지(230) 내부에 형성된 홈(231) 내측면에 형성된다. 상기 홈(231) 내측 면의 소정 영역에 코일이 감겨진 막대 또는 동심원 형상의 제1 전자석(232)을 형성되며, 상기 제1 전자석(232)은 전력을 인가하는 전기배선(미도시)이 형성된다.이 때, 상기 전자석(232)은 라미네이팅을 보다 유리하게 수행하기 위해 가로 및 세로의 복수열로 형성한다.
상기 기판 지지대(220)는 상기 기판 스테이지(230) 내부에 형성된 소정수의 관통 홀(미도시)을 통해 상부 또는 하부로 이동될 수 있다.
상기 기판(260)은 상기 기판 지지대(230) 상에 위치된다. 이때, 상기 기판(260)은 서브픽셀 단위로 박막트랜지스터가 소정수 구비될 수 있다.
상기 도너필름(270)은 상기 기판(260) 상에 위치된다. 이 때, 상기 도너필름의 전사층(275)은 상기 기판(260)과 대향되도록 위치시킨다. 또한 상기 도너필름(270)은, 적어도 기재 기판(271), 제2 전자석(272), 광-열 변환층(273) 및 전사층(275)을 구비하며, 광-열 변환층(273)과 전사층(275) 사이에 중간층(274)을 더 구비할 수 있다. 상기 제2 전자석(272)에는 전력을 인가하는 전기배선(미도시)이 더 형성된다.
상기 레이저 발진기(280)는 상기 공정챔버(200a) 상부에 위치된다. 상기 레이저 발진기(280)는 상기 공정챔버(200a)의 외부 또는 내부에 설치될 수 있으며, 상기 레이저가 상기 도너필름(270) 상부에서 비춰질 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다.
도 3a는 본 발명에 따른 기판 스테이지 제1 실시 예에 따른 투시 평면도이다.
도 3a를 참조하면, 상기 기판 스테이지(230) 내부에 홈(231a)을 형성한다. 상기 홈(231a) 내측면의 소정영역에 코일이 감겨진 막대 형상의 전자석(232a)이 형성된다. 상기 전자석(232a)이 복수의 열로 배치될 경우, 레이저가 조사되는 전자석에만 전력을 인가하여, 후술할 제2 전자석이 구비된 도너필름과 자기력을 발생케 하고, 레이저가 조사되는 부분에만 연속적으로 국소적인 라미네이팅이 이루어지게 한다. 또한 도시되지는 않았으나 각 전자석(232a)에는 전력을 인가하는 전기배선이 형성된다.
도 3b는 본 발명에 따른 기판 스테이지 제2 실시 예에 따른 투시 평면도이다.
도 3b를 참조하면, 상기 기판 스테이지(230) 내부에 홈(231b)을 형성한다. 상기 홈(231b) 내측면의 소정영역에 코일이 감겨진 막대 형상의 전자석(232b)이 형성된다. 상기 전자석(232b)이 동심원상으로 배치될 경우, 상기 전자석은(232b)는 가장 내부에 있는 전자석에 먼저 전력을 인가하고, 그 상태에서 다음 외부에 있는 전자석에 전력을 인가하고, 그 상태에서 다시 그 외부에 있는 동심원을 이루는 전자석에 전력을 인가해준다.
도 4는 본 발명에 따른 레이저 발진기 나타내는 구성도이다.
상기 레이저 발진기(280)는 상기 도너필름(270) 상부에 위치된다. 상기 레이저 발진기(280)는 챔버의 외부 또는 내부에 설치될 수 있으며, 상기 레이저가 상부에서 비춰질 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다. 또한, 레이저 발진기의 개략적이 구성도인 도 4에 따르면, 본 실시예에서 레이저 발진기는 CW ND:YAG 레이저 (1604nm)를 사용하고, 2개의 갈바노미터 스캐너(281,282)를 구비하며, 스캔렌즈(283) 및 실린더렌즈(284)를 구비하나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 레이저 발진기(280)에 의해 발생된 레이저빔은 상기 프로젝션 렌즈(284)를 통과여 상기 기판(260) 상에 라미네이션된 상기 도너필름(270)에 조사될 수 있다
도 5는 본 발명에 따른 레이저 전사용 도너 필름 구조의 제1 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 도너필름(270)은 기재기판(271), 상기 기재기판(271) 일면에 형성되는 상기 제2 전자석(272)과, 상기 제2 전자석(272) 상에 형성되는 광-열 변환층(273)과, 상기 광-열 변환층(273) 상에 형성되는 중간층(274)과, 상기 중간층(274) 상에 형성되는 전사층(275)으로 이루어질 수 있다.
상기 기재기판(271)은 투명성 고분자, 예컨대 폴레에틸렌, 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 또는 폴리스티렌으로 이루어지며, 이들에 제한되지는 않는다.
상기 제2 전자석(272)은 상기 기재기판(271) 상에 패드 형태로 소정 간격을 가지고 형성될 수 있다. 상기 제2 전자석(272)는 전압을 인가하기 위한 전기배선(미도시)이 형성된다.
상기 광-열 변환층(273)은 제2 전자석(272) 상에 패드 형태로 소정 간격을 가지고 형성될 수 있다. 상기 광-열 변환층(273)은 유기막, 금속 및 이들의 복합층 중 하나로 이루어질 수 있으며, 레이저빔을 흡수하여 열로 변화시키는 역할을 한다.
상기 중간층(274)은 상기 광-열 변환층(273) 상에 패드 형태로 소정 간격을 가지고 형성될 수 있다. 상기 중간층(274)은 무기물질 또는 유기물질 중 하나로 이루어질 수 있다. 상기 중간층(274)은 상기 광-열 변환층(273)을 보호하기 위한 것으로서 높은 열저항을 갖는 것이 바람직하다.
상기 전사층(375)은 상기 중간층(374) 상에 형성되며, 상기 기판 상에 패터닝 하고자하는 층으로써, 유기물질, 예컨대 고분자 또는 저분자 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 도 6은 본 발명에 따른 레이저 전사용 도너 필름 구조의 제2 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 도너필름(370)은 기재기판(371), 상기 기재기판(371) 일면에 위치하는 광-열 변환층(372), 상기 광-열 변환층(372) 상에 위치하는 제2 전자석(373)과, 상기 제2 전자석(373) 상에 위치하는 중간층(374)과, 상기 중간층(374) 상에 위치하는 전사층(375)으로 이루어질 수 있다.
설명의 중복을 피하기 위해, 전술한 제1 실시 예와 동일한 구성요소인 기재기판(371), 광-열 변환층(372), 전사층(375)에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
상기 기재기판(371)은 투명성 고분자, 예컨대 폴레에틸렌, 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 또는 폴리스티렌으로 이루어지며, 이들에 제한되지는 않는다.
상기 광-열 변환층(372)은 기재기판(371) 상에 패드 형태로 소정 간격을 가지고 형성될 수 있다.
상기 제2 전자석(373)은 상기 기재기판(372) 상에 패드 형태로 소정 간격을 가지고 형성될 수 있다. 상기 제2 전자석(373)는 전압을 인가하기 위한 전기배선(미도시)이 형성된다.
상기 중간층(374)은 상기 제2 전자석(373) 상에 패드 형태로 소정 간격을 가지고 형성될 수 있다. 상기 중간층(374)은 전사패턴 특성이 향상될 수 있도록 상기 전사층(375)과의 전사력을 제어하는 역할을 한다.
상기 전사층(375)은 상기 중간층(374) 상에 형성되며, 상기 기판 상에 패터닝 하고자하는 층으로써, 유기물질, 예컨대 고분자 또는 저분자 물질로 이루어질 수 있다.
전술한 실시 예에서 제2 전자석(272,373)은 기재기판(271)의 일면 및 광-열 변환층(372)의 일면에 형성되었으나, 상기 제2 전자석(272,373)은 이의 위치에 한정되지 않으며, 기재기판, 광-열 변환층 및 중간층의 적어도 일측에 형성될 수 있음은 물론이다. 단, 전사층 일면 및 타면에 제2 전자석을 형성할 경우, 전사층의 특성이 변화될 수 있어, 전사층 일면 및 타면에는 제2 전자석을 형성하지 않는다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 레이저 열 전사법을 설명하기 위한 공정 단면도이고, 도 8은 레이저 열 전사법을 도시하는 블럭도이다.
도 7a를 참조하면, 본 레이저 열 전사법을 설명하기 위해서는, 우선, 이송 챔버(200b) 내에 로봇팔(240)과 엔드이펙트(end-effector:250)를 로딩한다. 상기 이송 챔버(200b)는 진공 분위기를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 엔드이펙트(end-effector:250) 상에 기판(260)을 안착시킨다. (S1참조)
도 7b를 참조하면, 상기 엔드이펙트(end-effector:250) 상에 안착된 상기 기판(260)을 상기 공정챔버(200a) 내로 이송시키기 위해, 상기 엔드이펙트(end-effector:250)를 상기 공정챔버(200a) 내로 이송시킨다. 이 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:250) 상에 안착 된 상기 기판(260)은 상기 기판 스테이지(230) 내부에 형성된 소정수의 관통 홀(미도시)을 통해 상부 방향으로 상승된 상기 기판 지지대(220) 상에 안착된다. 상기 기판 지지대(220)는 상기 기판 스테이지(230)의 관통 홀을 통해 상부 또는 하부로 이동할 수 있다. 상기 기판(260)을 상기 기판 스테이지(230) 상에 안착시키기 위해, 상기 기판 지지대(220)를 하부 방향으로 하강시켜 상기 기판(260)을 상기 기판 스태이지(220) 상에 안착시킨다. 상기 기판 스테이지(230) 내에는 제1 전자석(미도시)이 구비된다. 이 때, 상기 전자석(232)은 라미네이팅을 보다 유리하게 수행하기 위해 가로 및 세로의 복수열로 형성한다. 또한, 상기 공정챔버(200a)는 진공 분위기를 유지하는 것이 바람직하다. (S2참조)
도 7c를 참조하면, 상기 엔드이펙트(end-effector:250) 상에 안착 된 상기 기판(260)을 상기 기판 지지대(220) 상에 안착시킨 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:250)를 상기 이송 챔버(200b) 내로 이송시킨다. 이 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:250) 상에 도너필름(270)이 구비된 필름 트레이(270a)을 위치시킨다. 상기 필름 트레이(270a)의 중심에는 개구부가 형성되어 있고, 상기 개구부에는 상기 도너필름(270)이 개재되어있다. 또한 상기 도너필름(270)은 기재기판, 제2 전자석, 광-열 변환층, 중간층 및 전사층이 포함된다.
도 7d를 참조하면, 상기 엔드이펙트(end-effector:250) 상에 안착 된 상기 도너필름(270)이 구비된 필름 트레이(270a)를 상기 공정챔버(200a) 내로 이동시킨다. 상기 공정챔버(200a) 내로 이동된 상기 필름 트레이(270a)는 상기 도너필름 지지대(210) 상에 안착시킨다. 또한, 상기 도너필름(270)의 전사층은 상기 기판(260) 상부에 대향되도록 위치시킨다. (S3참조)
도 7e를 참조하면, 상기 필름 트레이(270a)를 상기 도너필름 지지대(210) 상에 안착시킨 후, 상기 엔드이펙트(end-effector:250)를 상기 이송 챔버(200b) 내로 이송한다. 이 후, 상기 기판 스테이지(230) 내에 형성된 제1 전자석(미도시)과 상기 도너필름(270) 내에 형성된 상기 제2 전자석(미도시)에 형성된 전기배선(미도시)에 전력을 인가시킨다. 이 후, 상기 도너필름 지지대(210) 상에 안착된 상기 필름 트레이(270a)의 도너필름(270)을 상기 기판(260) 상에 라미네이션 하기 위해, 예컨데 상기 공정 챔버(200a) 내에 위치한 상기 도너필름 지지대(210)를 하부 방향으로 하강시켜 상기 도너필름(270)을 상기 기판(260) 상에 라미네이션 시킨다. 또한 상기 공정챔버(200a) 내에 형성된 제1 전자석이 구비된 상기 기판 스테이지(230)와 제2 전자석이 구비된 상기 도너필름(270) 사이에 자기력이 작용함으로써 상기 기판(260)과 상기 도너필름(270)의 전사층 사이에 밀착특성은 더욱 향상될 수 있다. (S4참조)
도 7f를 참조하면, 상기 도너필름(270)의 전사층(미도시)을 상기 기판(260) 상에 전사시키기 위해 상기 이송 챔버(200b)와 상기 공정챔버(200a) 사이에 형성된 게이트 밸브(200)를 닫아준다. 이때, 상기 공정챔버(200a) 내부 또는 외부에 형성된 레이저 발진기(280)가 작동되어 상기 도너필름(270) 상부에 레이저를 조사시킨 다. 상기 레이저 발진기(280)는 상기 전사층이 전사되는 라인(line)별로 이송 가능하다. (S5참조)
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 진공하에서 자기력을 이용하여 기판과 도너필름의 전사층을 라미네이팅 할 수 있게 되어 유기 발광 소자의 수명, 수율 및 신뢰성를 유지할 수 있다. 또한 제1 전자석이 구비된 기판 스테이지와 제2 전자석이 구비된 도너필름과을 이용함으로써, 기판과 도너필름의 전사층 사이에 밀착특성을 향상시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 레이저 발진기를 이용하여 유기 전계 발광소자의 발광층을 형성하는 레이저 열 전사 장치에 있어서,
    상기 레이저 열 전사 장치 내에 제1 전자석이 구비된 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지 상부에 제2 전자석이 구비된 도너필름이 삽입되는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 전자석과 상기 제2 전자석이 구비된 도너필름 사이에는 자기력이 작용하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제1 전자석 및 상기 제2 전자석은 전압을 인가하기 위한 전기배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 기판 스테이지는 소정수의 관통 홀을 통해 상기 기판을 상부 또는 하부로 이동시키는 기판 지지대를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 도너필름은
    기재 기판과,
    상기 기재 기판 일면에 형성되는 제2 전자석과,
    상기 제2 전자석 상에 형성되는 광-열 변환층과,
    상기 광-열 변환층 상에 형성되어 있는 전사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 광-열 변환층 상기 중간층 사이에 제2 전자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 장치.
  8. 챔버 내에 제1 전자석이 구비된 기판 스테이지를 위치시키는 단계와,
    상기 기판 스테이지 상에 기판을 위치시키는 단계와,
    상기 기판의 일면에 적어도 광-열 변환층, 전사층 및 제2 전자석이 구비된 도너필름을 위치시키는 단계와,
    상기 제1 전자석과 상기 제2 전자석에 전력을 인가하는 단계와,
    상기 도너필름을 상기 기판 상에 라미네이션 하는 단계와,
    상기 도너필름 상에 레이저빔을 조사하여 상기 전사층의 적어도 일부를 기판 상에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사 도너필름을
    이용한 레이저 열 전사법.
KR1020050080339A 2005-08-30 2005-08-30 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법 KR100636501B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050080339A KR100636501B1 (ko) 2005-08-30 2005-08-30 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
JP2006061329A JP2007062354A (ja) 2005-08-30 2006-03-07 レーザ熱転写ドナーフィルム、レーザ熱転写装置、レーザ熱転写法及び有機発光素子の製造方法
US11/510,372 US7718341B2 (en) 2005-08-30 2006-08-24 Laser induced thermal imaging apparatus and manufacturing method of organic light emitting diode using the same
CNB2006101422148A CN100548708C (zh) 2005-08-30 2006-08-29 激光感应热成像装置和使用其制造有机发光二极管的方法
TW095131694A TWI331482B (en) 2005-08-30 2006-08-29 Laser induced thermal imaging apparatus and manufacturing method of organic light emitting diode using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050080339A KR100636501B1 (ko) 2005-08-30 2005-08-30 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100636501B1 true KR100636501B1 (ko) 2006-10-18

Family

ID=37626650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050080339A KR100636501B1 (ko) 2005-08-30 2005-08-30 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100636501B1 (ko)
CN (1) CN100548708C (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100853542B1 (ko) * 2007-03-07 2008-08-21 삼성에스디아이 주식회사 라미네이션 장치 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치의 제조방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101732523B1 (ko) * 2010-10-22 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11158605A (ja) 1997-12-01 1999-06-15 Anelva Corp 真空成膜装置、そのマスク着脱装置、及びマスク位置合わせ方法
US6695029B2 (en) 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11158605A (ja) 1997-12-01 1999-06-15 Anelva Corp 真空成膜装置、そのマスク着脱装置、及びマスク位置合わせ方法
US6695029B2 (en) 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100853542B1 (ko) * 2007-03-07 2008-08-21 삼성에스디아이 주식회사 라미네이션 장치 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1923531A (zh) 2007-03-07
CN100548708C (zh) 2009-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100712953B1 (ko) 기판 얼라인장치 및 이를 이용한 기판얼라인방법
KR100700836B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사법 그리고 이를이용한 유기 발광소자의 제조방법
KR101030000B1 (ko) 프릿 실링 시스템 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR100700831B1 (ko) 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법
KR100700841B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법
KR100672971B1 (ko) 기판얼라인장치
KR100699994B1 (ko) 라미네이션 장비 및 레이저 열전사 방법
KR100636501B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100700822B1 (ko) 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조방법
US20070103540A1 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method and organic light emitting display device using the same
KR100745336B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100700829B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100700828B1 (ko) 레이저 열전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의 제조방법
KR100700842B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 도너필름을 이용한 레이저 열전사법
KR100745337B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법
KR100700837B1 (ko) 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열 전사법
KR100700835B1 (ko) 레이저 열 전사법 및 도너필름을 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법
KR101000092B1 (ko) 유기박막 형성장치 및 방법
US7718341B2 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and manufacturing method of organic light emitting diode using the same
JP4637776B2 (ja) レーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法
JP4642684B2 (ja) レーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法
KR101085456B1 (ko) 유기전계발광표시장치 제조용 트레이 얼라인 장치
KR100700825B1 (ko) 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법
KR101537967B1 (ko) 기판과 마스크의 어태치 장치 및 방법
KR100853542B1 (ko) 라미네이션 장치 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121008

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141001

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee