KR100626365B1 - Light emitting diode with reflective structure - Google Patents

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KR100626365B1
KR100626365B1 KR1020050102330A KR20050102330A KR100626365B1 KR 100626365 B1 KR100626365 B1 KR 100626365B1 KR 1020050102330 A KR1020050102330 A KR 1020050102330A KR 20050102330 A KR20050102330 A KR 20050102330A KR 100626365 B1 KR100626365 B1 KR 100626365B1
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light
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reflector
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KR1020050102330A
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Inventor
정학근
정봉만
한수빈
송유진
박석인
유승원
김규덕
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한국에너지기술연구원
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Abstract

본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 광 추출 효율을 개선한 반사형 구조의 발광다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode having a reflective structure with improved light extraction efficiency.

본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드는 광이 투과되는 글라스 기판과; 상기 글라스 기판의 상면에 고정되어 있는 발광다이오드 칩과; 상기 발광다이오드 칩에 전원을 공급하는 리드 프레임과 상기 발광다이오드 칩에 연결된 금속 와이어를 상호 연결하는 전극과; 상기 발광다이오드 칩 및 전극을 커버하도록 글라스 기판의 상면에 패키징 된 투명 재질의 몰드부와; 상기 발광다이오드 칩에서 방사되는 광이 상기 발광다이오드 칩이 고정된 반대 방향으로 반사되도록 상기 몰드부를 감싸는 반사체를 포함하여 구성함으로써, 발광다이오드 칩에서 방사되는 광이 반사체에 의해 반사되면서 집광되어 외부로 조사되므로 광에 대한 집광 효율을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.The reflective light emitting diode according to the present invention comprises: a glass substrate through which light is transmitted; A light emitting diode chip fixed to an upper surface of the glass substrate; An electrode interconnecting a lead frame for supplying power to the light emitting diode chip and a metal wire connected to the light emitting diode chip; A mold part made of a transparent material packaged on an upper surface of the glass substrate so as to cover the light emitting diode chip and the electrode; And including a reflector surrounding the mold so that the light emitted from the light emitting diode chip is reflected in the opposite direction in which the light emitting diode chip is fixed, and the light emitted from the light emitting diode chip is collected by the reflector and irradiated to the outside. Therefore, to improve the light condensing efficiency for light.

발광다이오드, 반사, 집광 Light Emitting Diodes, Reflection, Condensing

Description

반사형 구조의 발광다이오드{Light Emitting Diode with Reflective Structure} Light Emitting Diode with Reflective Structure

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반사형 구조의 발광다이오드의 단면도.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode having a reflective structure according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 반사체의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면.FIG. 2 is a view for explaining another embodiment of the reflector shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사형 구조의 발광다이오드의 단면도.3 is a cross-sectional view of a light emitting diode having a reflective structure according to another embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 반사체의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining another embodiment of the reflector shown in FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 글라스 기판1: glass substrate

2 : 발광다이오드 칩2: light emitting diode chip

3 : 접합 부재3: joining member

4 : 전극4: electrode

5 : 금속 와이어5: metal wire

6 : 몰드부6: mold part

61 : 패턴61: pattern

7 : 반사체7: reflector

8 : 리드 프레임8: lead frame

10 : 반사형 구조의 발광다이오드10: light emitting diode with reflective structure

본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 광 추출 효율을 개선한 반사형 구조의 발광다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode having a reflective structure with improved light extraction efficiency.

전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 소자인 발광다이오드(LED)는 일반 전자기기의 표시등이나 숫자 표시에 사용됨으로써 우리 생활과 친숙해졌다. 이동통신 단말기·TV·컴퓨터 모니터용 LCD모듈의 백라이트 유닛을 비롯하여 전광판, A/V기기, 자동차 등에 광범위하게 사용된다.Light emitting diodes (LEDs), a semiconductor device that converts electrical energy into light energy, have become familiar with our lives by being used for indicators and numeric displays of general electronic devices. It is widely used in the backlight unit of LCD modules for mobile communication terminals, TVs, computer monitors, electronic displays, A / V devices, and automobiles.

이와 같이 사용되는 발광다이오드는 저전력, 장수명, 고급화 등의 강점을 바탕으로 기존의 보조 광원 차원에서 벗어나 휴대폰 백라이트, 교통신호등, 전광판, 자동차 조명 등 응용분야가 폭발적으로 확대되고 있다.The light emitting diodes used in this way are exploding in application fields such as mobile phone backlights, traffic signals, electronic signs, and automotive lighting, based on the advantages of low power, long life, and high quality.

이러한 발광다이오드는 초창기에 낮은 휘도와 색깔의 한계가 있었으나, 현재에는 새로운 발광다이오드 원재료와 진보된 생산 기술로 백색을 포함한 가시광선 영역의 모든 색깔의 고휘도 발광다이오드가 생산되고 있다.Such light emitting diodes had low luminance and color limitations in the early stages, but now high-luminance light emitting diodes of all colors including visible light are produced with new light emitting diode raw materials and advanced production technologies.

이에 따라 현재 생산되고 있는 조명용 발광다이오드는 반영구적인 수명과 낮은 전기소모량, 외부 충격에 잘 견디는 특성 덕분에 조명시장에서 활용분야가 급격히 증가하는 추세이며, 특히 태양빛과 유사한 백색 발광다이오드가 잇따라 상용화 되면서 교통신호등과 가로등, 터널 등처럼 유지 관리가 중요한 공공 조명시설부터 발광다이오드 광원을 적용하는 사례가 늘어나고 있다.As a result, the light emitting diodes currently produced are rapidly increasing their applications in the lighting market due to their semi-permanent lifespan, low electricity consumption, and resistance to external shocks. The use of light emitting diode light sources is increasing from public lighting facilities where maintenance is important, such as traffic lights, street lamps, and tunnels.

그러나 종래 조명용 발광다이오드는 전술한 바와 같이 외부로 방사되는 광의 휘도가 일반 전구보다 훨씬 높기 때문에 근거리에서 발광다이오드의 정 중앙을 보는 경우 눈에 상당한 부담을 주므로 조명으로 사용하기에는 부적합한 문제점이 있다.However, the conventional lighting LED has a problem that it is unsuitable for use as lighting because the brightness of the light emitted to the outside is much higher than the general light bulb as described above because it puts a significant burden on the eyes when looking at the center of the light emitting diode at a short distance.

특히 투명 재질인 에폭시로 이루어진 렌즈를 사용하여 발광다이오드 칩에서 발광되는 광을 한 방향으로 집광하는 경우, 광에 대한 집광 효율이 저하되는 문제점이 있다. 왜냐하면 에폭시로 이루어진 렌즈의 굴절률이 공기의 굴절률에 비하여 상대적으로 크기 때문에, 집광되지 않고 퍼지는 형태로 방사되기 때문이다.In particular, when the light emitted from the light emitting diode chip is condensed in one direction using a lens made of an epoxy material of a transparent material, there is a problem that the light condensing efficiency for light is reduced. This is because the refractive index of the lens made of epoxy is relatively large compared to the refractive index of air, and thus is radiated in a spreading manner without being collected.

즉 발광다이오드의 발광 시 외부로 조사되는 광의 굴절각이 입사각보다 크므로 발광다이오드 칩에서 발광되는 광이 퍼지는 형태로 방사되어 광에 대한 집광 효율이 저하되는 문제점이 있다.That is, since the angle of refraction of light irradiated to the outside during light emission of the light emitting diode is larger than the incident angle, light emitted from the light emitting diode chip is radiated to spread, and thus the light condensing efficiency of light is reduced.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로, 발광다이오드에서 외부로 방사되는 광에 대한 집광 효율을 향상시킬 수 있는 반사형 구조의 발광다이오드를 제공하는데 목적이 있다.The present invention was invented to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting diode having a reflective structure that can improve the light condensing efficiency of light emitted from the light emitting diode to the outside.

또한 눈에 대한 피로감을 저감시킬 수 있는 반사형 구조의 발광다이오드를 제공하는데 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode having a reflective structure that can reduce eye fatigue.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반사형 구조의 발광다이오드는 광이 투과되는 글라스 기판과, 상기 글라스 기판의 상면에 고정되어 있는 발광다이오드 칩과, 상기 발광다이오드 칩에 전원을 공급하는 리드 프레임과 상기 발광다이오드 칩에 연결된 금속 와이어를 상호 연결하는 전극과, 상기 발광다이오드 칩 및 전극을 커버하도록 글라스 기판의 상면에 패키징된 투명 재질의 몰드부와, 상기 발광다이오드 칩에서 방사되는 광이 상기 발광다이오드 칩이 고정된 반대 방향으로 반사되도록 상기 몰드부를 감싸는 반사체를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a light emitting diode having a reflective structure may include a glass substrate through which light is transmitted, a light emitting diode chip fixed to an upper surface of the glass substrate, and a light emitting diode chip. An electrode for interconnecting a lead frame for supplying power and a metal wire connected to the light emitting diode chip, a mold part of a transparent material packaged on an upper surface of a glass substrate to cover the light emitting diode chip and the electrode, and the light emitting diode chip And a reflector surrounding the mold so that the emitted light is reflected in the opposite direction in which the light emitting diode chip is fixed.

이와 같은 구성에 따라 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드는 종래 발광다이오드와는 달리 발광다이오드 칩에서 방사되는 광이 반사체에 의해 반사되면서 집광되어 외부로 조사됨으로써, 발광다이오드 칩의 발광 시 외부로 조사되는 광에 대한 집광 효율을 향상시키실 수 있다. 또한 렌즈에 의해 발광다이오드 칩에서 발광되는 광이 집광되어 외부로 직접적으로 방사되었던 종래 발광다이오드와는 달리 반사체에 의해 발광다이오드 칩의 광이 반사되어 외부로 조사됨으로써, 글라스 기판 전체에 광이 고르게 투과되어 조명으로 사용할 수 있다.According to such a configuration, the light emitting diode of the reflective structure according to the present invention is different from the conventional light emitting diode, and the light emitted from the light emitting diode chip is focused by being reflected by the reflector and irradiated to the outside, thereby emitting light to the outside of the light emitting diode chip. The light condensing efficiency of the light to be irradiated can be improved. In addition, unlike conventional light emitting diodes in which light emitted from a light emitting diode chip is collected by a lens and is directly radiated to the outside, light of the light emitting diode chip is reflected by a reflector and irradiated to the outside, so that light is evenly transmitted throughout the glass substrate. Can be used as lighting.

본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 후술하는 바람직한 실시예를 통하여 더욱 명백해질 것이다. 이하에서는 이러한 실시예를 통해 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.The invention will become more apparent through the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings. Hereinafter will be described in detail to enable those skilled in the art to easily understand and reproduce through these embodiments.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반사형 구조의 발광다이오드의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode having a reflective structure according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드(10)는 현재 상용화되어 있는 발광다이오드를 개선한 것으로, 발광다이오드(10)의 내부를 향하게 배치된 발광다이오드 칩(2)의 후방에는 몰드부(6)를 통과하는 광이 발광다이오드(10)의 전방으로 조사되도록 광을 반사시키는 반사체(7)가 구비되어 있다.As shown in FIG. 1, the light emitting diode 10 of the reflective structure according to the present invention is an improvement of a light emitting diode currently commercially available, and has a structure of a light emitting diode chip 2 disposed toward the inside of the light emitting diode 10. At the rear, a reflector 7 is provided for reflecting light such that light passing through the mold 6 is irradiated to the front of the light emitting diode 10.

즉 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드(10)는 크게 글라스 기판(1)과, 발광다이오드 칩(2)과, 리드 프레임(8)과 연결되어 발광다이오드 칩(2)에 전원을 공급하는 전극(4) 및 외부에서 가해지는 충격으로부터 발광다이오드 칩(2)을 보호하는 몰드부(6)와, 몰드부를 통해 입사된 발광다이오드 칩(2)의 광을 반사시키는 반사체(7)를 포함한다.That is, the light emitting diode 10 of the reflective structure according to the present invention is largely connected to the glass substrate 1, the light emitting diode chip 2, and the lead frame 8 to supply power to the light emitting diode chip 2. An electrode 4 and a mold 6 for protecting the light emitting diode chip 2 from an external impact, and a reflector 7 for reflecting light of the light emitting diode chip 2 incident through the mold part. .

본 발명의 바람직한 실시예에 있어서 글라스 기판(1)은 일종의 지지대 역할을 수행하는 것으로, 후술하게 될 발광다이오드 칩(2) 및 전극(4)이 고정된다. 이와 같이 지지대 역할을 수행하는 글라스 기판(1)은 반사체(7)에 의해 몰드부(6)로 재입사된 광이 외부로 투과되도록 투명 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 그러나 본 발명의 실시예에 있어서 광이 투과되는 글라스 기판의 재질은 반드시 투명한 재질로 한정되지 않고 불투명 재질로 형성할 수도 있다.In the preferred embodiment of the present invention, the glass substrate 1 serves as a kind of support, and the LED chip 2 and the electrode 4 to be described later are fixed. As described above, the glass substrate 1 serving as the supporter may be formed of a transparent material so that light re-incident to the mold part 6 by the reflector 7 is transmitted to the outside. However, in the embodiment of the present invention, the material of the glass substrate through which light is transmitted is not necessarily limited to a transparent material, but may be formed of an opaque material.

그리고 글라스 기판(1)의 상면에 구비되는 발광다이오드 칩(2)은 투명 에폭시(Epoxy) 수지의 접합 부재(3)를 통해 고정되어 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 것으로, 발광다이오드 칩을 구성하는 물질, 즉 발광다이오드 칩의 기판을 구성하는 물질 또는 형광체에 따라 다양한 색을 띠게 된다. 즉 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서 발광다이오드 칩(2)은 현재 상용화된 기존의 발광다이오드 칩을 채택한 것으로, 이 발광다이오드 칩에 대한 구조는 본 건 출원일 이전에 이미 공지된 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The light emitting diode chip 2 provided on the upper surface of the glass substrate 1 is fixed through the bonding member 3 of the transparent epoxy resin to convert electrical energy into light energy, thereby constituting the light emitting diode chip. According to a material, ie, a material or a phosphor constituting the substrate of the light emitting diode chip, various colors are obtained. That is, in the preferred embodiment of the present invention, the light emitting diode chip 2 adopts a conventional light emitting diode chip that is currently commercially available, and the structure of the light emitting diode chip is a technique already known before the filing date of the present application, which will be described in detail. Will be omitted.

한편 전극(4)은 전술한 발광다이오드 칩(2)에 전원을 공급하는 리드 프레임(8)과 발광다이오드 칩에 연결된 금속 와이어(5)를 상호 연결한다. 즉 도면에 도시된 바와 같이 전극(4)은 글라스 기판(2)의 상면에 접합 부재(3)을 통해 고정된 것으로, 각각의 일단은 발광다이오드 칩(2)의 각 전극에 연결된 금속 와이어(5)에 연결되고 타단은 리드 프레임(8)과 연결된다. Meanwhile, the electrode 4 interconnects the lead frame 8 for supplying power to the light emitting diode chip 2 and the metal wire 5 connected to the light emitting diode chip. That is, as shown in the drawing, the electrode 4 is fixed to the upper surface of the glass substrate 2 through the bonding member 3, and each end of the metal wire 5 connected to each electrode of the light emitting diode chip 2. ) And the other end is connected to the lead frame (8).

이에 따라 본 발명에 따른 발광다이오드 칩은 전극을 통해 리드 프레임과 발광다이오드 칩의 금속 와이어가 전기적으로 연결됨으로써, 발광다이오드 칩에서 광이 발광하게 되는 것이다.Accordingly, in the light emitting diode chip according to the present invention, the lead frame and the metal wires of the light emitting diode chip are electrically connected to each other so that light is emitted from the light emitting diode chip.

이와 같이 발광다이오드 칩에 전원을 공급하는 전극(4)으로는 다양한 형태의 전극을 사용할 수 있으나, 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서는 투명 재질의 산화 인듐 주석(Indium-Tin Oxide, 이하 "ITO"라 한다) 필름을 사용하였다.As described above, various types of electrodes may be used as the electrodes 4 for supplying power to the light emitting diode chip. In a preferred embodiment of the present invention, indium tin oxide (ITO) of transparent material is referred to as “ITO”. Film).

이 ITO는 전기 전도가 우수하면서 밴드 갭(Band-gap)이 2.5eV이상으로 가시 광역에서 투명하기 때문에 디스플레이의 투명 전극으로 많이 사용되고 있는 소재이다. 또한 ITO는 다른 투명 전극 재료에 비하여 전극 패턴 가공성이 우수하고 화학적 열적 안전성이 뛰어나며 코팅(Coating)시 막 저항이 낮은 특성이 있다.This ITO is a material that is widely used as a transparent electrode of a display because it has excellent electric conduction and a band gap of more than 2.5 eV is transparent in the visible region. In addition, ITO has excellent electrode pattern processability, excellent chemical and thermal stability, and low film resistance when coating, compared to other transparent electrode materials.

이러한 특성을 가지는 ITO필름은 본 건 출원일 이전에 공지된 기술이므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Since the ITO film having such characteristics is a known technology before the filing date of the present application, a detailed description thereof will be omitted.

이에 따라 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드(10)는 글라스 기판 (1)에 투명 전극인 ITO 필름(4)이 사용됨으로써, 반사체(7)에 의해 몰드부(6)로 재입사된 광이 외부로 조사되는 경우 글라스 기판(1)으로 진행되는 광이 전극(4)에 의해 부분적으로 차폐되는 것을 방지할 수 있게 되는 것이다.Accordingly, the light emitting diode 10 of the reflective structure according to the present invention uses the ITO film 4, which is a transparent electrode, for the glass substrate 1, so that the light is reincident to the mold part 6 by the reflector 7. When it is irradiated to the outside, the light traveling to the glass substrate 1 can be prevented from being partially shielded by the electrode 4.

한편 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서 몰드부(6)는 도면에 도시된 바와 같이 그 선단이 반구 형상의 돔 형상으로 형성된 것으로, 발광다이오드 칩(2) 및 전극(4)을 커버하도록 글라스 기판(1)의 상면에 몰딩된 투명 재질로 형성되어 있다. Meanwhile, in the preferred embodiment of the present invention, the mold part 6 is formed in a hemispherical dome shape, as shown in the drawing, and covers the light emitting diode chip 2 and the electrode 4 so as to cover the glass substrate ( It is formed of a transparent material molded on the upper surface of 1).

이에 따라 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드(10)는 몰드부(6)를 통해 발광다이오드 칩(2)의 발광 시 발열하는 열 발산 및 외부에서 가해지는 충격들을 흡수하여 발광다이오드 칩을 보호하게 되는 것이다.Accordingly, the light emitting diode 10 of the reflective structure according to the present invention protects the light emitting diode chip by absorbing heat radiation and external shocks generated when the light emitting diode chip 2 emits light through the mold part 6. Will be done.

그리고 반사체(7)는 발광다이오드 칩(2)에서 방사되는 광이 글라스 기판(1)을 통해 외부로 투과되도록 몰드부(6)를 통해 입사된 발광다이오드 칩(2)의 광을 반사시킨다. The reflector 7 reflects the light of the light emitting diode chip 2 incident through the mold part 6 so that light emitted from the light emitting diode chip 2 is transmitted to the outside through the glass substrate 1.

본 발명의 바람직한 실시예에 있어서 반사체(7)는 몰드부(6)를 감싸도록 몰드부(6)의 외주면에 부착되는 캡 형상으로 제작될 수 있다. 이 경우 캡(7)의 내면에는 몰드부(6)로부터 입사되는 광을 반사시키는 반사 물질이 코팅되어 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the reflector 7 may be manufactured in a cap shape attached to the outer circumferential surface of the mold part 6 to surround the mold part 6. In this case, the inner surface of the cap 7 is coated with a reflective material for reflecting light incident from the mold part 6.

이 때 몰드부(6)의 외주면을 감싸는 캡의 형상은 몰드부(6)의 형상에 대응되게 형성된다. 예를 들어 상술한 바와 같이 몰드부(6)가 돔 형상인 경우 캡 역시 내부가 돔 형상으로 형성하는 것이 바람직하다.At this time, the shape of the cap surrounding the outer circumferential surface of the mold part 6 is formed to correspond to the shape of the mold part 6. For example, as described above, when the mold part 6 has a dome shape, the cap is preferably formed in a dome shape.

이러한 반사체(7)는 상술한 바와 같이 캡 형태로 형성될 수도 있을 뿐만 아 니라 도 2에 도시된 바와 같이 몰드부(6)의 외주면에 코팅될 수도 있다.The reflector 7 may not only be formed in a cap shape as described above, but also may be coated on the outer circumferential surface of the mold part 6 as shown in FIG. 2.

이와 같이 몰드부(6)의 외주면 전체를 감싸도록 반사체(7)가 코팅되는 경우, 반사체(7)의 상면에는 외부로부터 반사체를 보호하는 보호층이 더 구비되도록 하는 것이 바람직하다.As described above, when the reflector 7 is coated to cover the entire outer circumferential surface of the mold part 6, the upper surface of the reflector 7 may further include a protective layer that protects the reflector from the outside.

이와 같은 구성에 따라 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드는 발광다이오드 칩이 외부로 향하게 배치된 종래의 발광다이오드와는 달리 발광다이오드의 내부, 즉 반사체를 향하게 배치됨으로써, 발광 시 발광다이오드 칩에서 발광된 광이 반사체에 의해 반사되면서 집광되어 외부로 조사되므로 발광다이오드 칩에서 방사되는 광에 대한 집광 효율을 높일 수 있게 되는 것이다.According to this configuration, the light emitting diode of the reflective structure according to the present invention is disposed inside the light emitting diode, that is, facing the reflector, unlike the conventional light emitting diode in which the light emitting diode chip is disposed to the outside. Since the emitted light is reflected by the reflector and collected and irradiated to the outside, the light collecting efficiency of the light emitted from the light emitting diode chip can be increased.

즉 발광다이오드 칩의 후방에 반사체가 구비되어 있음에 따라 발광다이오드 칩에서 발광되는 광이 반사체에 의해 발광다이오드 내부인 몰드부를 통과하면서 글라스 기판을 통해 외부로 조사됨으로써, 종래 발광다이오드보다 발광다이오드 칩에서 발광되는 광을 보다 효율적으로 집광할 수 있어 집광 효율을 높일 수 있다.That is, as the reflector is provided behind the light emitting diode chip, the light emitted from the light emitting diode chip is irradiated to the outside through the glass substrate while passing through the mold part inside the light emitting diode by the reflector. The light emitted can be collected more efficiently, and the light collection efficiency can be improved.

한편 발광다이오드 칩(2)에서 발광된 광이 진행되는 몰드부(6)의 형상은 반드시 반구 형상의 돔 형상에 한정되지 않으며, 다양하게 형성될 수도 있다.Meanwhile, the shape of the mold part 6 through which the light emitted from the light emitting diode chip 2 propagates is not necessarily limited to a hemispherical dome shape and may be variously formed.

예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 몰드부(6)는 상협하광의 원기둥 형상으로 제작될 수도 있다. 이 경우 몰드부(6)의 상면, 즉 후술하게 될 반사체(7)가 밀착되는 면에는 발광다이오드 칩에 대하여 소정의 각도를 가지는 패턴(61)이 형성되어 있다.For example, as shown in FIG. 3, the mold part 6 may be manufactured in the shape of a cylinder of upper and lower light beams. In this case, a pattern 61 having a predetermined angle with respect to the light emitting diode chip is formed on the upper surface of the mold portion 6, that is, the surface in which the reflector 7 to be described later is in close contact.

즉 본 발명의 실시예에 있어서 몰드부(6)의 상단에 형성된 패턴(61)은 도면 에 도시된 바와 같이 발광다이오드 칩(2)의 중앙과 일치하는 몰드부(6)의 중앙 부위는 플레이트 한 반면에, 몰드부(6)의 상단 중심에서 외각으로 갈수록 발광다이오드 칩(2)에서 방사되는 광이 반사체(7)에 의해 글라스 기판(1)으로 수직으로 투과되도록 소정의 각도로 기울어지게 형성될 수도 있다.That is, in the exemplary embodiment of the present invention, the pattern 61 formed on the upper part of the mold part 6 has a central portion of the mold part 6 coinciding with the center of the light emitting diode chip 2 as shown in the drawing. On the other hand, the light emitted from the light emitting diode chip 2 is inclined at a predetermined angle so that the light emitted from the light emitting diode chip 2 is vertically transmitted to the glass substrate 1 by the reflector 7 toward the outer edge from the upper center of the mold part 6. It may be.

이에 따라 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드는 몰드부의 상단에 형성된 패턴에 의해 발광다이오드 칩에서 방사되는 광이 글라스 기판에 수직으로 투과됨과 동시에 몰드부의 상단을 돔 형상과는 달리 평탄하게 제작할 수 있으므로, 발광다이오드의 부피를 더 줄일 수 있다.Accordingly, the light emitting diode of the reflective structure according to the present invention can be produced by the pattern formed on the upper end of the mold portion, the light emitted from the light emitting diode chip is transmitted vertically to the glass substrate and at the same time flat on the upper end of the mold portion unlike the dome shape. Therefore, the volume of the light emitting diode can be further reduced.

이 실시예에 있어서 반사체(7)는 전술한 실시예와 마찬가지로 구성된다. 즉 반사체(7)는 몰드부(6)를 감싸도록 몰드부(6)의 외주면에 부착되는 캡 형상으로 제작될 수 있다. 이 경우 캡(7)의 내면에는 몰드부(6)를 통과하는 광을 반사시키는 반사 물질이 코팅되어 있다.In this embodiment, the reflector 7 is configured similarly to the above-described embodiment. That is, the reflector 7 may be manufactured in a cap shape attached to the outer circumferential surface of the mold part 6 to surround the mold part 6. In this case, the inner surface of the cap 7 is coated with a reflective material for reflecting light passing through the mold part 6.

이 때 몰드부(6)의 외주면을 감싸는 반사체인 캡(7)의 형상은 몰드부(6)의 형상에 대응되게 형성된다. 즉 도 3에 도시된 바와 같이 그 내부가 몰드부(6)의 패턴에 대응되는 형상으로 형성된다.At this time, the shape of the cap 7, which is a reflector surrounding the outer circumferential surface of the mold part 6, is formed to correspond to the shape of the mold part 6. That is, as shown in FIG. 3, the inside thereof is formed in a shape corresponding to the pattern of the mold part 6.

이러한 반사체(7)는 상술한 바와 같이 몰드부를 감싸는 캡 형태로 형성될 수도 있을 뿐만 아니라 도 4에 도시된 바와 같이 몰드부(6)의 외주면에 코팅될 수도 있다.The reflector 7 may not only be formed in a cap shape surrounding the mold part as described above, but may also be coated on the outer circumferential surface of the mold part 6 as shown in FIG. 4.

이와 같이 몰드부(6)의 외주면 전체를 감싸도록 반사체(7)가 코팅되는 경우, 반사체(7)의 상면에는 외부로부터 반사체를 보호하는 보호층이 더 구비되도록 하는 것이 바람직하다.As described above, when the reflector 7 is coated to cover the entire outer circumferential surface of the mold part 6, the upper surface of the reflector 7 may further include a protective layer that protects the reflector from the outside.

이하에서는 도 1을 참조하여 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드의 작동 상태를 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to Figure 1 will be described the operating state of the light emitting diode of the reflective structure according to the present invention configured as described above.

도 1에 도시된 바와 같이 리드 프레임(8)을 통해 전원이 인가되면, 인가된 전원은 글라스 기판(1)의 상면에 구비되어 있는 전극(4) 및 금속 와이어(5)를 통해 발광다이오드 칩(2)에 인가된다. 그리고 발광다이오드 칩(2)에 전원이 인가되면, 인가된 전원에 의해 전기 에너지가 빛으로 변환되어 광이 발산된다.As shown in FIG. 1, when power is applied through the lead frame 8, the applied power is applied to the light emitting diode chip through the electrode 4 and the metal wire 5 provided on the upper surface of the glass substrate 1. 2) is applied. When power is applied to the light emitting diode chip 2, electrical energy is converted into light by the applied power and light is emitted.

이 때 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드의 발광다이오드 칩(2)이 종래의 발광다이오드와는 달리 반사형 구조의 발광다이오드(10) 내부, 즉 발광다이오드의 후방으로 향하게 배치됨으로써, 발광다이오드 칩(2)에서 방사된 광이 발광다이오드 칩(2)의 후방에 패키징되어 있는 몰드부(6)를 통과하면서 반사형 구조의 발광다이오드의 후방으로 진행된다. 이렇게 반사형 구조의 발광다이오드의 후방으로 진행되는 광은 몰드부(6)의 후방에 구비되어 있는 반사체(7)에 의해 반사되어 다시 몰드부(6)로 입사되어 글라스 기판(1)이 형성된 발광다이오드의 전방으로 진행된다.In this case, unlike the conventional light emitting diode, the light emitting diode chip 2 of the light emitting diode of the reflective structure according to the present invention is disposed to face inside the light emitting diode 10 of the reflective structure, that is, to the rear of the light emitting diode. The light emitted from the chip 2 passes through the mold part 6 packaged behind the light emitting diode chip 2 and proceeds to the back of the light emitting diode having the reflective structure. The light propagating to the rear of the light emitting diode having the reflective structure is reflected by the reflector 7 provided at the rear of the mold part 6 and is incident to the mold part 6 to emit light in which the glass substrate 1 is formed. Advance to the front of the diode.

즉 몰드부(6)의 외주면에 입사되는 광을 반사시키는 반사체(7)가 감싸고 있음에 따라 발광다이오드 칩(2)에서 방사되는 광은 몰드부(6)를 통해 반사형 구조의 발광다이오드(10) 후방으로 진행하였다가 반사체(7)에 의해 반사되어 다시 전방으로 진행되어 글라스 기판을 통해 외부로 투과되는 것이다. That is, as the reflector 7 reflects the light incident on the outer circumferential surface of the mold part 6, the light emitted from the light emitting diode chip 2 passes through the mold part 6. 1) After going backward, it is reflected by the reflector 7 and then proceeds forward, and is transmitted through the glass substrate to the outside.

따라서 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드는 상기와 같이 반사체에 의해 몰드부를 통과한 광이 다시 몰드부로 반사되어 집광됨으로써, 발광다이오드 칩에서 방사되는 광에 대한 집광 효율을 더 높일 수 있게 되는 것이다.Accordingly, the light emitting diode having the reflective structure according to the present invention is configured to reflect the light passing through the mold part by the reflector back to the mold part as described above, thereby increasing the light collecting efficiency of the light emitted from the light emitting diode chip. .

이 때 발광다이오드 칩에서 방사되는 광이 통과하는 몰드부(6)의 상단은 도 3에 도시된 바와 같이 입사광에 대하여 소정의 각도를 가지는 패턴(61)으로 제작할 수도 있다. 이 경우, 패턴(61)의 경사면에 밀착된 반사체(7)에 의해 입사된 광이 글라스 기판(1)에 대하여 수직으로 반사됨으로써, 몰드부(6)를 통해 진행되는 광을 집광할 수 있을 뿐만 아니라 몰드부의 높이를 작게 제작할 수 있으므로 발광다이오드 전체의 크기를 더 작게 제작할 수 있다.At this time, the upper end of the mold portion 6 through which the light emitted from the light emitting diode chip passes may be manufactured as a pattern 61 having a predetermined angle with respect to the incident light as shown in FIG. In this case, since the light incident by the reflector 7 in close contact with the inclined surface of the pattern 61 is reflected perpendicularly to the glass substrate 1, it is possible to condense the light traveling through the mold part 6. However, since the height of the mold part can be made small, the size of the entire light emitting diode can be made smaller.

따라서 상기와 같이 반사체에 의해 반사된 광은 몰드부를 통해 다시 발광다이오드 전방으로 진행하게 되면, 이와 같이 발광다이오드 전방으로 진행되는 광은 글라스 기판을 투과하여 외부로 조사되는 것이다.Therefore, when the light reflected by the reflector proceeds to the front of the light emitting diode through the mold part as described above, the light traveling in front of the light emitting diode is transmitted through the glass substrate to the outside.

이상에서 상세하게 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반사형 구조의 발광다이오드는 종래 발광다이오드와는 달리 발광다이오드 칩에서 발광되는 광이 발광다이오드 칩의 후방에 구비되어 있는 반사체에 의해 반사되어 발광다이오드 칩의 전방, 즉 외부로 조사됨으로써, 발광다이오드 칩의 발광 시 외부로 조사되는 광에 대한 집광 효율을 향상시키실 수 있다.As described in detail above, the light emitting diode of the reflective structure according to the present invention is different from the conventional light emitting diode, and the light emitted from the light emitting diode chip is reflected by a reflector provided at the rear of the light emitting diode chip, By irradiating to the front, that is, the outside, it is possible to improve the light collecting efficiency for the light irradiated to the outside when the light emitting diode chip emits light.

특히 렌즈에 의해 발광다이오드 칩에서 발광되는 광이 집광되어 외부로 직접적으로 방사되었던 종래 발광다이오드와는 달리 반사체에 의해 발광다이오드 칩의 광이 반사되어 외부로 조사됨으로써, 글라스 기판 전체에 광이 고르게 투과되어 조 명으로 사용할 수 있다.In particular, unlike conventional light emitting diodes in which light emitted from a light emitting diode chip is collected by a lens and is directly radiated to the outside, light of the light emitting diode chip is reflected by a reflector and irradiated to the outside, so that light is evenly transmitted throughout the glass substrate. Can be used for lighting.

또한 광이 통과하는 몰드부의 상단에 입사광에 대하여 소정의 각도를 가지는 패턴이 형성됨으로써, 패턴 및 반사체를 통해 몰드부로부터 입사된 광을 글라스 기판에 대하여 수직으로 반사시켜 글라스 기판 전체에 고르게 분포시킬 수 있을 뿐만 아니라 몰드부의 높이를 작게 제작할 수 있으므로 발광다이오드의 크기를 소형화할 수 있다.In addition, a pattern having a predetermined angle with respect to the incident light is formed at the upper end of the mold part through which the light passes, thereby allowing the light incident from the mold part through the pattern and the reflector to be vertically reflected with respect to the glass substrate, thereby being evenly distributed throughout the glass substrate. In addition, since the height of the mold part can be made small, the size of the light emitting diode can be reduced.

본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 많은 다양하고 자명한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형예들을 포함하도록 기술된 특허청구범위에 의해서 해석되어져야 한다.Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings, it will be apparent to those skilled in the art that many different and obvious modifications are possible without departing from the scope of the invention from this description. Therefore, the scope of the invention should be construed by the claims described to include many such variations.

Claims (8)

광이 투과되는 글라스 기판(1)과;A glass substrate 1 through which light is transmitted; 상기 글라스 기판(1)의 상면에 고정되어 있는 발광다이오드 칩(2)과;A light emitting diode chip 2 fixed to an upper surface of the glass substrate 1; 상기 발광다이오드 칩(2)에 전원을 공급하는 리드 프레임(8)과 상기 발광다이오드 칩(2)에 연결된 금속 와이어(5)를 상호 연결하는 전극(4)과;An electrode (4) interconnecting a lead frame (8) for supplying power to said light emitting diode chip (2) and a metal wire (5) connected to said light emitting diode chip (2); 상기 발광다이오드 칩(2) 및 전극(4)을 커버하도록 글라스 기판의 상면에 패키징된 투명 재질의 몰드부(6)와;A mold part 6 made of a transparent material packaged on an upper surface of the glass substrate so as to cover the light emitting diode chip 2 and the electrode 4; 상기 발광다이오드 칩(2)에서 방사되는 광이 상기 발광다이오드 칩(2)이 고정된 반대 방향으로 반사되도록 상기 몰드부(6)를 감싸는 반사체(7);A reflector (7) surrounding the mold (6) so that the light emitted from the light emitting diode chip (2) is reflected in the opposite direction to which the light emitting diode chip (2) is fixed; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 구조의 발광다이오드.Light emitting diode of a reflective structure comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전극(4)은 투명 재질의 산화인듐주석(Indium-Tin Oxide, ITO) 필름인 것을 특징으로 하는 반사형 구조의 발광다이오드.The electrode (4) is a light emitting diode having a reflective structure, characterized in that the transparent material of Indium Tin Oxide (ITO) film. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 몰드부(6)는 그 선단이 반구의 돔 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 반사형 구조의 발광다이오드.The mold part (6) is a light emitting diode having a reflective structure, characterized in that the tip is formed in a hemispherical dome shape. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 반사체(7)는 상기 몰드부(6)의 외주면에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 구조의 발광다이오드.The reflector (7) is a light emitting diode having a reflective structure, characterized in that attached to the outer peripheral surface of the mold (6). 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 반사체(7)는 상기 몰드부(6)의 외주면에 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 구조의 발광다이오드.The reflector (7) is a light emitting diode having a reflective structure, characterized in that the coating on the outer peripheral surface of the mold (6). 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 몰드부(6)는 상협하광의 원기둥 형상으로 상단에는 상기 발광다이오드 칩(2)에서 방출되는 광이 상기 글라스 기판(1)에 수직으로 조사되도록 입사되는 광에 대하여 소정의 각도를 가지는 패턴(61)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 구조의 발광다이오드.The mold part 6 has a cylindrical shape of upper and lower light and has a predetermined angle with respect to light incident to the light emitted from the light emitting diode chip 2 to be irradiated perpendicularly to the glass substrate 1. A light emitting diode having a reflective structure, characterized in that 61) is formed. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 반사체(7)는 상기 몰드부(6)의 외주면에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 구조의 발광다이오드.The reflector (7) is a light emitting diode having a reflective structure, characterized in that attached to the outer peripheral surface of the mold (6). 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 반사체(7)는 상기 몰드부(6)의 외주면에 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 구조의 발광다이오드.The reflector (7) is a light emitting diode having a reflective structure, characterized in that the coating on the outer peripheral surface of the mold (6).
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