KR100625321B1 - Apparatus and method for coating developer - Google Patents

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KR100625321B1
KR100625321B1 KR1020050075853A KR20050075853A KR100625321B1 KR 100625321 B1 KR100625321 B1 KR 100625321B1 KR 1020050075853 A KR1020050075853 A KR 1020050075853A KR 20050075853 A KR20050075853 A KR 20050075853A KR 100625321 B1 KR100625321 B1 KR 100625321B1
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Abstract

본 발명은 슬릿 노즐을 이용하는 현상액 도포 장치 및 그 방법에 관한 것이다. 현상액 도포 장치는 슬릿 노즐을 이용하여 웨이퍼에 현상액을 도포한다. 현상액 도포 장치는 웨이퍼의 전체 표면에 현상액을 균일하게 도포하고, 웨이퍼의 위치 및/또는 현상액의 분사량 차이에 의해 발생되는 임계선폭의 산포도 크기에 차이가 발생되는 문제점을 제거하기 위해, 슬릿 노즐을 이동하면서 현상액을 분사시키는 스캔 분사 방식과. 슬릿 노즐을 웨이퍼의 센터 위치에 고정하고 웨이퍼를 회전시켜서 현상액을 분사하는 센터 분사 방식을 혼용한다. 이 때, 슬릿 노즐의 이동은 센터 위치, 센터와 에지 사이의 미들 위치 그리고 센터 위치 순으로 이동시킨다.The present invention relates to a developer coating apparatus and method using the slit nozzle. The developer coating device applies the developer to the wafer using a slit nozzle. The developer coating apparatus moves the slit nozzle to uniformly apply the developer to the entire surface of the wafer and to eliminate the problem of the difference in the scatter size of the critical line width caused by the difference in the position of the wafer and / or the injection amount of the developer. And the scanning spray method to spray the developer. The slit nozzle is fixed to the center position of the wafer, and the center spray method of spraying the developer by rotating the wafer is mixed. At this time, the movement of the slit nozzle moves in the order of the center position, the middle position between the center and the edge, and the center position.

반도체 제조 설비, 현상액 도포 장치, 슬릿 노즐, 분사, 임계선폭(CD) Semiconductor manufacturing equipment, developer coating equipment, slit nozzle, spraying, critical line width (CD)

Description

현상액 도포 장치 및 그 방법{APPARATUS AND METHOD FOR COATING DEVELOPER}Developer application apparatus and its method {APPARATUS AND METHOD FOR COATING DEVELOPER}

도 1은 일반적인 스캔 분사 방식에 따른 현상액 도포 방법을 설명하기 위한 도면;1 is a view for explaining a developer coating method according to a general scan injection method;

도 2는 일반적인 센터 분사 방식에 따른 현상액 도포 방법을 설명하기 위한 도면;2 is a view for explaining a developer coating method according to a general center injection method;

도 3은 본 발명에 따른 현상액 도포 장치의 구성을 도시한 블럭도;3 is a block diagram showing the configuration of a developer coating device according to the present invention;

도 4a 내지 도 4b는 본 발명에 따른 현상액 도포 장치의 제 1 위치에서의 도포 방법을 설명하기 위한 도면들;4A to 4B are views for explaining a coating method at a first position of the developer coating device according to the present invention;

도 5a 내지 도 5b는 본 발명에 따른 현상액 도포 장치의 제 2 위치에서의 도포 방법을 설명하기 위한 도면들;5A to 5B are views for explaining an application method at a second position of the developer application device according to the present invention;

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 현상액 도포 장치의 도포 수순을 나타내는 흐름도; 그리고6 is a flowchart showing a coating procedure of a developer coating device according to an embodiment of the present invention; And

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상액 도포를 위하여 슬릿 노즐의 이동 수순을 나타내는 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a movement procedure of a slit nozzle for applying a developer according to another embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 현상액 도포 장치 102 : 제어부100: developer coating device 102: control unit

104 : 제 1 구동부 106 : 제 2 구동부104: first driving unit 106: second driving unit

108 : 스핀 척 110 : 슬릿 노즐108: spin chuck 110: slit nozzle

112 : 웨이퍼112: wafer

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 슬릿 노즐을 구비하는 현상액 도포 장치 및 그의 현상액 도포 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a developer coating device having a slit nozzle and a developer coating method thereof.

반도체 제조 공정에서 임계선폭(Critical Dimesion : CD)를 결정하는 요소 중 하나인 현상 공정은 일반적으로 하나의 슬릿 노즐(14 또는 24)을 구비하는 현상액 도포 장치(10 또는 20)를 이용한다. 이러한 현상액 도포 장치(10 또는 20)는 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(12)의 에지 일측에서 타측으로 즉, 슬릿 노즐(14)이 현상액을 분사하면서 한 방향으로 일정한 속도로 이동하는 스캔 분사(scan dispense) 방식과, 도 2에 도시된 바와 같이, 슬릿 노즐(24)을 웨이퍼 센터 위치에 고정시켜서 현상액을 분사하고, 동시에 스핀 척(26)을 회전시키는 센터 분사(center dispense) 방식 등으로 현상액을 도포한다.The developing process, which is one of the factors for determining the critical line width (CD) in the semiconductor manufacturing process, generally uses a developer coating device 10 or 20 having one slit nozzle 14 or 24. As shown in FIG. 1, the developer coating device 10 or 20 includes a scan spray from one side of the edge of the wafer 12 to the other side, that is, the slit nozzle 14 moves at a constant speed in one direction while spraying the developer. (scan dispense) method, and as shown in Figure 2, by fixing the slit nozzle 24 in the wafer center position to spray the developer, and at the same time (center dispense) method for rotating the spin chuck 26 Apply developer.

즉, 도 1을 참조하면, 스캔 분사 방식의 현상액 도포 장치(10)는 웨이퍼(12)에 현상액을 도포하기 위해 슬릿 노즐(14)을 웨이퍼(12)의 에지 일측으로 이동시킨다. 슬릿 노즐(14)을 웨이퍼(12)의 에지 타측으로 이동하면서 현상액을 웨이퍼(12) 전체에 도포한다. 이어서 웨이퍼 전체에 현상액이 도포되면, 현상액의 표면 장력을 이용하여 퍼들(puddle)시킨다. 이러한 공정들을 완료되면, 슬릿 노즐(14)을 원위치 로 다시 이동한다. 그러나 스캔 분사 방식은 웨이퍼의 에지 시작 부분과 종료 부분이 스캔 속도에 의해 웨이퍼에 도포된 현상액의 퍼들(puddle) 시간에 차이가 발생된다.That is, referring to FIG. 1, the developer solution applying apparatus 10 of the scan injection method moves the slit nozzle 14 to one side of the edge of the wafer 12 in order to apply the developer to the wafer 12. The developer is applied to the entire wafer 12 while the slit nozzle 14 is moved to the other edge of the wafer 12. Subsequently, when the developer is applied to the entire wafer, a puddle is made using the surface tension of the developer. Upon completion of these processes, the slit nozzle 14 is moved back to its original position. However, in the scan injection method, a difference occurs in the puddle time of the developer in which the edge start and end portions of the wafer are applied to the wafer by the scan speed.

또 도 2를 참조하면, 센터 분사 방식의 현상액 도포 장치(20)는 슬릿 노즐이 웨이퍼 센터로 이동, 고정되어 웨이퍼를 회전하면서 현상액을 분사한다. 이러한 센터 분사 방식은 회전 속도에 의해 센터 부분과 에지 부분이 현상액 분사량의 차이가 발생된다.Referring to FIG. 2, in the center spray method, the developer coating device 20 sprays the developer while the slit nozzle is moved and fixed to the wafer center to rotate the wafer. In the center injection method, a difference in developer injection amount occurs between the center part and the edge part due to the rotational speed.

상술한 바와 같이, 슬릿 노즐을 구비하는 현상액 도포 장치는 웨이퍼 기판의 크기가 증가할수록 웨이퍼 상의 센터 부분과 에지 부분의 현상액 도포 시간이 더욱 크게 차이가 나므로 각 부분의 임계 선폭(CD)의 산포 차이가 크게 발생되는 문제점이 있다.As described above, in the developer coating device having the slit nozzle, as the size of the wafer substrate increases, the developer coating time of the center portion and the edge portion on the wafer is significantly different, so that the dispersion difference in the critical line width CD of each portion is increased. There is a problem that greatly occurs.

본 발명의 목적은 현상액을 균일하게 도포하기 위한 슬릿 노즐을 이용하는 현상액 도포 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a developer coating apparatus and method using a slit nozzle for uniformly applying a developer.

본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 서로 다른 위치에서 임계선폭의 산포도 차이를 최소화하도록 슬릿 노즐을 이용하여 현상액을 도포하는 현상액 도포 장치 및 그의 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a developer coating apparatus and method thereof for applying a developer using a slit nozzle to minimize the difference in scatter of critical line widths at different positions of a wafer.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 현상액 도포 장치는 슬릿 노즐을 이용하여 스캔 분사 방식 및 센터 분사 방식을 혼용하는데 그 한 특징이 있다. 이 와 같이 장치는 현상액을 웨이퍼 전체 표면에 균일하게 도포하여 임계선폭의 산포도 차이를 줄일 수 있다.In order to achieve the above objects, the developer coating device of the present invention is characterized by using a scan spray method and a center spray method by using a slit nozzle. In this way, the apparatus can evenly apply the developer onto the entire surface of the wafer to reduce the difference in dispersion of the critical line width.

본 발명의 현상액 도포 장치는, 웨이퍼가 로딩되는 스핀 척과; 상기 웨이퍼 상부에서 상기 스핀 척에 로딩된 웨이퍼로 현상액을 도포하는 슬릿 노즐과; 상기 슬릿 노즐의 현상액 분사량을 조정하고, 상기 슬릿 노즐을 직선 왕복 이동시키는 제 1 구동부와; 상기 웨이퍼가 로딩된 상기 스핀 척을 회전시키는 제 2 구동부 및; 상기 스핀 척을 회전시킨 상태에서 상기 슬릿 노즐을 상기 웨이퍼의 센터 위치로 이동시켜서 상기 웨이퍼의 센터 부분에 현상액을 분사하도록 하고, 이어서 상기 슬릿 노즐을 상기 웨이퍼의 센터 위치와 일측 에지 사이의 제 1 미들 위치로 이동시켜서 상기 웨이퍼의 에지 부분에 현상액을 분사하도록 상기 제 1 및 상기 제 2 구동부를 제어하는 제어부를 포함한다.The developer coating device of the present invention comprises: a spin chuck on which a wafer is loaded; A slit nozzle applying a developer from the wafer to the wafer loaded on the spin chuck; A first drive unit for adjusting the developer solution injection amount of the slit nozzle and linearly reciprocating the slit nozzle; A second driver for rotating the spin chuck loaded with the wafer; In the state where the spin chuck is rotated, the slit nozzle is moved to the center position of the wafer to inject developer into the center portion of the wafer, and the slit nozzle is then moved to the first middle between the center position of the wafer and one side edge. And a control unit for moving the position to control the first and second driving units to spray the developer to the edge portion of the wafer.

한 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 슬릿 노즐이 상기 센터 위치, 상기 제 1 미들 위치, 다시 상기 센터 위치 순으로 이동되도록 상기 제 1 구동부를 제어한다.In one embodiment, the control unit; The first driving unit is controlled to move the slit nozzle in the center position, the first middle position, and the center position.

다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 슬릿 노즐이 상기 센터 위치와 상기 웨이퍼의 타측 에지 사이의 제 2 미들 위치로 이동시켜서 현상액을 더 분사하도록 상기 제 1 구동부를 제어한다.In another embodiment, the control unit; The slit nozzle is moved to a second middle position between the center position and the other edge of the wafer to control the first driver to further eject the developer.

이 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 슬릿 노즐이 상기 센터 위치, 상기 제 1 미들 위치, 상기 센터, 상기 제 2 미들 위치, 상기 센터 위치 순으로 이동되도록 상기 제 1 구동부를 제어한다.In this embodiment, the control unit; The slit nozzle controls the first driving unit to move in the order of the center position, the first middle position, the center, the second middle position, and the center position.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 제 2 구동부는 상기 스핀 척을 적어도 180 °* N(N은 정수)의 회전 각도로 회전시킨다.In another embodiment, the second drive rotates the spin chuck at a rotation angle of at least 180 ° * N (where N is an integer).

본 발명의 다른 특징에 의하면, 슬릿 노즐을 구비하는 현상액 도포 장치에서 현상액을 균일하게 도포하는 방법이 제공된다. 이 방법에 따르면, 슬릿 노즐을 이용하여 스캔 분사와 센터 분사 방식을 혼합하여 현상액을 분사하도록 하여, 현상액을 균일하게 도포하고, 웨이퍼의 각 부분에 대한 도포 시간 및 분사량의 차이로 인해 발생되는 임계선폭의 산포도 차이를 줄일 수 있다.According to another characteristic of this invention, the method of apply | coating a developing solution uniformly in the developing solution application apparatus provided with a slit nozzle is provided. According to this method, the developer is sprayed by mixing the scan spray and the center spray method using a slit nozzle to uniformly apply the developer, and the critical line width generated due to the difference in the application time and the injection amount for each part of the wafer. The spread of variance can be reduced.

본 발명의 방법에 의하면, 스핀 척에 로딩된 웨이퍼를 회전시킨다. 슬릿 노즐을 상기 웨이퍼의 센터 위치로 이동한다. 현상액을 분사하여 상기 웨이퍼의 센터 부분을 중심으로 현상액을 도포한다. 상기 슬릿 노즐을 상기 센터 위치와 상기 웨이퍼의 에지 사이의 미들 위치로 이동한다. 이어서 현상액을 분사하여 상기 웨이퍼의 에지 부분을 중심으로 현상액을 도포한다.According to the method of the present invention, the wafer loaded on the spin chuck is rotated. Move the slit nozzle to the center position of the wafer. The developer is sprayed to apply the developer around the center of the wafer. The slit nozzle is moved to a middle position between the center position and the edge of the wafer. The developer is then sprayed to apply the developer around the edge of the wafer.

한 실시예에 있어서, 상기 회전시키는 것은 적어도 180 °* N(N은 정수)의 회전 각도로 회전시킨다.In one embodiment, the rotating comprises rotating at a rotational angle of at least 180 ° * N, where N is an integer.

다른 실시예에 있어서, 상기 이동하는 것은, 상기 슬릿 노즐이 상기 센터 위치 또는 상기 미들 위치로 이동 중에 상기 웨이퍼로 현상액 스캔 분사를 더 처리한다.In another embodiment, the moving further processes developer scan injection into the wafer while the slit nozzle is moving to the center position or the middle position.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 미들 위치는 상기 센터 위치와 상기 웨이퍼의 일측 에지 사이의 제 1 미들 위치 또는 상기 센터 위치와 상기 웨이퍼의 타측 에지 사이의 제 2 미들 위치를 포함한다.In another embodiment, the middle position includes a first middle position between the center position and one edge of the wafer or a second middle position between the center position and the other edge of the wafer.

이 실시예에서, 상기 슬릿 노즐을 상기 센터 위치, 상기 제 1 미들 위치, 상기 센터 위치, 상기 제 2 미들 위치, 그리고 상기 센터 위치 순으로 이동하여 현상액을 도포한다.In this embodiment, the developer is applied by moving the slit nozzle in the order of the center position, the first middle position, the center position, the second middle position, and the center position.

본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. These examples are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. have been exaggerated to emphasize a more clear description.

이하 첨부된 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 7.

도 3은 본 발명에 따른 현상액 도포 장치의 구성을 도시한 블럭도이다.3 is a block diagram showing the configuration of a developer coating device according to the present invention.

도 3을 참조하면, 현상액 도포 장치(100)는 웨이퍼 기판에 현상액을 분사하는 하나의 슬롯 노즐(110)과, 웨이퍼가 로딩되고, 웨이퍼를 회전시키는 스핀 척(108)과, 슬릿 노즐(110) 및 스핀 척(108)을 구동하는 제 1 및 제 2 구동부(104, 106) 그리고, 슬릿 노즐(110)을 웨이퍼의 특정 위치 상에 이동시키고 스핀 척(108)을 회전하도록 제 1 및 제 2 구동부(104, 106)를 제어하는 제어부(102)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the developer applying apparatus 100 includes one slot nozzle 110 for injecting developer onto a wafer substrate, a spin chuck 108 for rotating the wafer, and a slit nozzle 110 for loading the wafer. And first and second drivers 104 and 106 for driving the spin chuck 108 and first and second drivers for moving the slit nozzle 110 on a specific position of the wafer and rotating the spin chuck 108. And a control unit 102 for controlling the 104 and 106.

슬릿 노즐(110)은 예컨대, 적어도 하나의 현상액 공급 라인(미도시됨)을 통하여 현상액 공급원(미도시됨)과 연결되고, 제 1 구동부(104)에 의해 현상액 분사량 조절 및 웨이퍼 상부에서 직선 왕복 이동한다.The slit nozzle 110 is connected to a developer supply source (not shown), for example, through at least one developer supply line (not shown), and is controlled by the first driver 104 to control the developer injection amount and to linearly reciprocate the upper portion of the wafer. do.

제 1 구동부(104)는 예를 들어, 가이드 레일, 기어, 풀리, 밸트 및/또는 모터 등과 같이 직선 왕복 이동을 구동하기 위한 기구적인 매커니즘(미도시됨)을 구비하고, 이들을 이용하여 제어부(102)의 제어를 받아서 슬릿 노즐(110)을 웨이퍼 상부에서 직선 왕복 이동하도록 구동한다. 또 제 1 구동부(104)는 현상액 공급 라인과 슬릿 노즐(110) 사이에 구비되어 현상액을 공급량을 조절하는 밸브 등의 유량 조절용 장치들(미도시됨)을 구비하고, 이들을 통해 현상액의 분사량을 조절한다.The first drive unit 104 has a mechanical mechanism (not shown) for driving a linear reciprocating movement such as, for example, a guide rail, a gear, a pulley, a belt and / or a motor, and the control unit 102 using the control unit 102. ), The slit nozzle 110 is driven to linearly reciprocate on the wafer. In addition, the first driving unit 104 is provided between the developer supply line and the slit nozzle 110 and includes a flow rate adjusting device (not shown) such as a valve for controlling the supply amount of the developer, and adjusts the injection amount of the developer through these. do.

스핀 척(108)은 제 2 구동부(106)에 의해 로딩된 웨이퍼를 회전시킨다. 따라서 스핀 척(108)은 현상액이 도포되는 동안에 웨이퍼를 회전시키고, 현상액 도포가 완료되면, 웨이퍼의 회전을 중지한다.The spin chuck 108 rotates the wafer loaded by the second driver 106. Accordingly, the spin chuck 108 rotates the wafer while the developer is applied, and stops rotating the wafer when the developer application is completed.

제 2 구동부(106)는 제어부(102)의 제어를 받아서 스핀 척(108)을 회전시킨다.The second driver 106 rotates the spin chuck 108 under the control of the controller 102.

그리고 제어부(102)는 제 1 및 제 2 구동부를 제어하여 웨이퍼 표면에 현상액을 도포시킨다.The controller 102 controls the first and second drives to apply the developer to the wafer surface.

구체적으로, 제어부(102)는 제 2 구동부(106)를 제어하여 현상액을 도포하기 위해 스핀 척(108)을 회전시켜서 웨이퍼를 회전시킨다. 이러한 상태에서 제 1 구동부(104)를 제어하여 슬릿 노즐(110)을 도 4a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(112)의 센터 위치(110a)로 이동시킨다. 이어서 제어부(102)는 제 1 구동부(104)를 제어하여 웨이퍼(112)의 센터 부분을 중심으로 현상액을 분사시킨다. 그 결과, 도 4b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 센터 부분(114a)을 중심으로 현상액이 도포된다. 물론 웨이퍼 에지 부분(116a)에도 현상액이 일정량 도포된다.Specifically, the controller 102 rotates the spin chuck 108 to rotate the wafer to control the second driver 106 to apply the developer. In this state, the first driver 104 is controlled to move the slit nozzle 110 to the center position 110a of the wafer 112, as shown in FIG. 4A. Subsequently, the controller 102 controls the first driver 104 to inject the developer around the center of the wafer 112. As a result, as shown in Fig. 4B, a developer is applied around the center portion 114a of the wafer. Of course, a certain amount of developer is also applied to the wafer edge portion 116a.

이어서 제어부(102)는 도 5a에 도시된 바와 같이, 제 1 구동부(104)를 제어하여 슬릿 노즐(110)을 웨이퍼(112)의 센터 위치와 일측 에지 사이의 제 1 미들 위치(110b 또는 110c)로 이동시켜서 웨이퍼(112)의 에지 부분을 중심으로 현상액을 분사하도록 제 1 및 제 2 구동부(104, 106)를 제어한다. 따라서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 에지 부분(116b)을 중심으로 현상액이 도포된다. 이 때에도 웨이퍼 센터 부분(114b)에도 일정량의 현상액이 도포된다.Subsequently, the control unit 102 controls the first drive unit 104 as shown in FIG. 5A to move the slit nozzle 110 to the first middle position 110b or 110c between the center position and one edge of the wafer 112. The first and second drives 104 and 106 are controlled to move to the surface of the wafer 112 so as to spray the developer around the edge portion of the wafer 112. Thus, as shown in FIG. 5B, a developer is applied around the edge portion 116b of the wafer. At this time, a certain amount of developer is also applied to the wafer center portion 114b.

또 제어부(102)는 다시 센터 위치로 슬릿 노즐(110)을 이동시키고, 웨이퍼(112)의 센터 부분을 다시 현상액을 분사시켜서 현상액 도포가 완료되면 스핀 척(108)의 회전을 중지시킨다.In addition, the control unit 102 moves the slit nozzle 110 to the center position again, and sprays the developer again on the center portion of the wafer 112 to stop the rotation of the spin chuck 108 when application of the developer is completed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 현상액 도포 장치(100)는 스캔 분사와 센터 분사 방식을 혼합하여 현상액을 분사한다. 즉, 슬릿 노즐(110)을 웨이퍼의 센터 위치와 에지 위치 사이를 이동하는 중에는 현상액을 스캔 분사하고, 센터 위치 및 미들 위치에서는 각각 슬릿 노즐(110)을 웨이퍼 회전에 의한 현상액을 센터 분사한다. 그러므로 도 4b 및 도 5b에 의해 현상액이 웨이퍼 전제 표면에 균일하게 도포된다.As described above, the developer coating device 100 of the present invention injects the developer by mixing the scan spray and the center spray method. That is, while the slit nozzle 110 is moved between the center position and the edge position of the wafer, the developer is scanned and sprayed, and at the center position and the middle position, the developer is injected by the rotation of the wafer. Therefore, the developing solution is uniformly applied to the entire surface of the wafer by Figs. 4B and 5B.

그리고 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 현상액 도포 장치의 현상액 도포 수순을 나타내는 흐름도이다. 이 수순은 제어부(102)가 처리하는 프로그램으로, 제어부(102)의 메모리 장치(미도시됨)에 저장된다.6 is a flowchart showing a developer application procedure of the developer application device according to the embodiment of the present invention. This procedure is a program processed by the controller 102 and is stored in a memory device (not shown) of the controller 102.

도 6을 참조하면, 단계 S150에서 제어부(102)는 스핀 척(108)을 구동시켜서 웨이퍼(112)를 회전한다. 단계 S152에서 웨이퍼(112)가 회전하는 상태에서 슬릿 노즐(110)을 웨이퍼(112)의 센터 위치로 이동하도록 제 1 구동부(104)를 제어한다. 제 1 구동부(104)는 제어부(102)의 제어를 받아서 슬릿 노즐(110)을 웨이퍼 상부에서 직선 왕복 이동시킨다. 따라서 제 1 구동부(104)는 슬릿 노즐(110)을 홈(home) 위치에서 센터(center) 위치로 이동시킨다. 또한 제 1 구동부(104)는 제어부(1020의 제어를 받아서 슬릿 노즐(110)의 현상액 분사량을 조절하여 스캔 분사되도록 구동한다.Referring to FIG. 6, in step S150, the controller 102 drives the spin chuck 108 to rotate the wafer 112. In step S152, the first driver 104 is controlled to move the slit nozzle 110 to the center position of the wafer 112 while the wafer 112 is rotated. The first driver 104 moves the slit nozzle 110 linearly back and forth under the control of the controller 102. Accordingly, the first driver 104 moves the slit nozzle 110 from the home position to the center position. In addition, the first driving unit 104 is driven under the control of the control unit 1020 to adjust the developer injection amount of the slit nozzle 110 to scan scan.

단계 S154에서 슬릿 노즐(110)으로부터 웨이퍼(112)로 현상액을 분사시키고, 제 2 구동부(106)는 스핀 척(108)을 회전시킨다. 그 결과, 웨이퍼(112)의 센터 부분을 중심으로 웨이퍼 표면에 현상액을 도포한다.In step S154, the developer is injected from the slit nozzle 110 to the wafer 112, and the second driver 106 rotates the spin chuck 108. As a result, the developer is applied to the wafer surface centered on the center portion of the wafer 112.

다시 단계 S156에서 제어부(102)는 슬릿 노즐(110)을 센터 위치와 웨이퍼(112)의 일측 에지 사이의 미들(middle) 위치로 이동한다. 이 때, 이동 중에도 슬릿 노즐(110)이 스캔 분사되도록 한다.In step S156, the controller 102 moves the slit nozzle 110 to a middle position between a center position and one edge of the wafer 112. At this time, the slit nozzle 110 is scanned and sprayed during the movement.

단계 S158에서 슬릿 노즐(110)로부터 현상액을 분사시키고 동시에 스핀 척(108)을 회전시켜서 웨이퍼(112)의 에지 부분을 중심으로 웨이퍼 표면에 현상액을 도포한다.In step S158, the developer is injected from the slit nozzle 110 and the spin chuck 108 is rotated at the same time to apply the developer to the wafer surface around the edge portion of the wafer 112.

이어서 단계 S160에서 슬릿 노즐(110)을 센터 위치로 이동 및 스캔 분사하고, 단계 S162에서 슬릿 노즐(110)로부터 현상액을 분사시키고 동시에 스핀 척(108)을 회전시켜서 현상액을 센터 부분을 중심으로 다시 도포한다. 현상액 도포가 완료되면, 단계 S164에서 제 2 구동부(106)을 제어하여 스핀 척(108)으로 하여금 웨이퍼(112)의 회전을 중지시킨다.Subsequently, in step S160, the slit nozzle 110 is moved and scanned by the center position, and in step S162, the developer is sprayed from the slit nozzle 110, and at the same time, the spin chuck 108 is rotated to reapply the developer around the center portion. do. When application of the developer is completed, the second driver 106 is controlled in step S164 to cause the spin chuck 108 to stop the rotation of the wafer 112.

상술한 바와 같이, 본 발명의 현상액 도포 장치(100)는 슬릿 노즐(110)을 웨 이퍼(112)의 센터 위치, 미들 위치 다시 센터 위치 순으로 이동 및 회전하면서 웨이퍼 표면에 현상액을 균일하게 도포한다. 이 때, 이동 중에도 현상액을 스캔 분사하고 웨이퍼의 회전수는 회전 각도 180 도의 배수 크기로 조절하여 적어도 웨이퍼 표면 전체를 1 회 이상 도포 가능하다.As described above, the developer coating device 100 of the present invention uniformly applies the developer to the surface of the wafer while moving and rotating the slit nozzle 110 in the order of the center position of the wafer 112 and the center position again. . At this time, the developer is scanned and sprayed during the movement, and the rotation speed of the wafer is adjusted to a multiple of a rotation angle of 180 degrees so that at least the entire surface of the wafer can be applied at least once.

그러므로 도 1 및 도 2에 도시된 스캔 분사 방식 및 센터 분사 방식의 문제점인 웨이퍼 위치에 따른 현상액의 도포량 차이와, 현상액 퍼들 시간의 차이로 인한 임계선폭(CD)의 산포도의 차이를 줄일 수 있다.Therefore, it is possible to reduce the difference between the application amount of the developer according to the wafer position, which is a problem of the scan injection method and the center injection method shown in FIGS. 1 and 2, and the dispersion of the critical line width CD due to the difference in the developer puddle time.

또한, 본 발명의 현상액 도포 방법은 도 6에 도시된 바와 같이, 센터 위치, 미들 위치 그리고 센터 위치 순으로 현상액을 도포하였지만, 도 7의 실시예에서와 같이 센터 위치, 제 1 미들 위치, 센터 위치, 제 2 미들 위치 그리고 센터 위치 순으로 이동하여 분사하도록 변형 가능하다.In addition, in the developer application method of the present invention, as shown in FIG. 6, the developer is applied in the order of the center position, the middle position, and the center position. However, as in the embodiment of FIG. 7, the center position, the first middle position, and the center position are applied. It may be deformed to move and spray in the order of the second middle position and the center position.

즉, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상액 도포를 위하여 슬릿 노즐의 이동 수순을 나타내는 흐름도이다. 이 수순은 슬릿 노즐(110)의 위치 이동에 대한 구동 수순을 나타낸 것으로, 슬릿 노즐(110)의 이동 중, 웨이퍼 회전시에 현상액의 분사는 도 6에서와 동일하다. 물론 슬릿 노즐(110)의 현상액 분사 시, 웨이퍼의 회전수를 적정하게 조절(예컨대, 회전 각도가 180 도의 배수)하여 웨이퍼 전체 표면에 현상액을 균일하게 도포하도록 다양하게 제어 및 구동 가능하다.That is, FIG. 7 is a flowchart illustrating a moving procedure of the slit nozzle for applying the developer according to another embodiment of the present invention. This procedure shows the driving procedure with respect to the positional movement of the slit nozzle 110. During the movement of the slit nozzle 110, the injection of the developer during the wafer rotation is the same as in FIG. Of course, when the developer injection of the slit nozzle 110, the rotational speed of the wafer is appropriately adjusted (for example, the rotation angle is a multiple of 180 degrees), so that the developer can be variously controlled and driven to uniformly apply the developer onto the entire surface of the wafer.

도 7을 참조하면, 슬릿 노즐(110)을 구비하는 현상액 도포 장치(100)는, 단계 S170에서 슬릿 노즐(110)의 동작이 비활성화 되어있는 홈(home) 위치로부터 웨이퍼(112)의 센터 위치로 슬릿 노즐(110)을 이동한다. 이 때, 슬릿 노즐(110)을 이 동하면서 현상액을 스캔 분사 방식으로 현상액을 분사한다. 그리고 센터 위치에서 스핀 척(108)을 회전시켜서 웨이퍼(112)의 센터 부분을 중심으로 현상액을 도포한다. 또 스핀 척(108)의 회전은 적어도 회전 각도 180 도의 배수 크기(예컨대, 180, 360 도 등)로 회전시킨다. 이는 180 도 회전만으로 웨이퍼 센터 부분을 중심으로 웨이퍼 표면을 현상액이 1 회 도포되기 때문이다.Referring to FIG. 7, the developer coating device 100 including the slit nozzle 110 is moved from the home position at which the operation of the slit nozzle 110 is deactivated to the center position of the wafer 112 in step S170. The slit nozzle 110 is moved. At this time, while moving the slit nozzle 110, the developer is sprayed by the scanning spray method. Then, the spin chuck 108 is rotated at the center position to apply the developer around the center portion of the wafer 112. The rotation of the spin chuck 108 also rotates at least a multiple of a rotation angle of 180 degrees (e.g., 180, 360 degrees, etc.). This is because the developer is applied once to the wafer surface around the wafer center portion only by 180 degree rotation.

단계 S172에서 웨이퍼(112)의 센터 위치와, 웨이퍼(112)의 일측 에지 사이의 제 1 미들 위치(도 5a의 110b 또는 110c)로 슬릿 노즐(110)을 이동한다. 여기서도 제 1 미들 위치에서 스핀 척(108)을 회전 각도 180 도의 배수 크기로 회전시켜서 웨이퍼(112)의 센터 부분을 중심으로 현상액을 도포한다. 이 또한 180 도 회전만으로 웨이퍼 전체 에지 부분을 현상액이 1 회 도포되기 때문이다.In step S172, the slit nozzle 110 is moved to the first middle position (110b or 110c in FIG. 5A) between the center position of the wafer 112 and one side edge of the wafer 112. Here again, the developer is applied by rotating the spin chuck 108 at a multiple of a rotation angle of 180 degrees at the first middle position. This is because the developer is applied once to the entire edge portion of the wafer with only 180-degree rotation.

단계 S174에서 다시 슬릿 노즐(110)을 웨이퍼(112)의 센터 위치로 이동하고, 단계 S176에서 웨이퍼(112)의 센터 위치와, 웨이퍼(112)의 타측 에지 사이의 제 2 미들 위치로 슬릿 노즐(110)을 이동한다. 그리고 단계 S178에서 다시 슬릿 노즐(110)을 웨이퍼(112)의 센터 위치로 이동한다. 단계 S174 내지 단계 S178의 수순에서 슬릿 노즐(110)은 위치 이동 중에 현상액을 스캔 분사하며 또한 스핀 척(108)을 통해 웨이퍼(112)를 회전하여 현상액을 도포한다.In step S174, the slit nozzle 110 is moved to the center position of the wafer 112 again, and in step S176, the slit nozzle (to the second middle position between the center position of the wafer 112 and the other edge of the wafer 112) Go to 110). In operation S178, the slit nozzle 110 is moved to the center position of the wafer 112. In the procedure of steps S174 to S178, the slit nozzle 110 scans and sprays the developer during the position movement, and rotates the wafer 112 through the spin chuck 108 to apply the developer.

상술한 바와 같이, 본 발명의 슬릿 노즐의 구동 방법에 의하면, 단계 S170 내지 단계 S174의 수순만으로도 웨이퍼 전체 표면에 현상액을 적어도 1 회 분사시킬 수 있다. 단계 S174 내지 단계 S178의 수순은 현상액을 균일하게 도포하기 위하여 웨이퍼 에지 부분을 중심으로 현상액을 더 도포하는 것이다.As described above, according to the driving method of the slit nozzle of the present invention, the developer can be sprayed on the entire surface of the wafer at least once only by the procedure of steps S170 to S174. The procedure of steps S174 to S178 is to further apply the developer around the wafer edge portion in order to uniformly apply the developer.

상술한 바와 같이, 본 발명의 현상액 도포 장치는 슬릿 노즐의 운용을 스캔 분사 방식 및 센터 분사 방식을 혼용함으로써, 현상액을 균일하게 도포할 수 있으며, 웨이퍼의 각 부분에 대한 도포 시간 및 분사량의 차이로 인해 발생되는 임계선폭(CD)의 산포도 차이를 줄일 수 있다.As described above, the developer coating device of the present invention uses the slit nozzle in combination with the scan spraying method and the center spraying method, so that the developer can be uniformly coated, and the difference in the coating time and the spraying amount for each part of the wafer can be achieved. It is possible to reduce the difference in the dispersion of the critical line width (CD) that occurs.

또한, 본 발명의 현상액 도포 장치는 임계선폭의 산포도를 균일하게 함으로써, 후속 공정에서의 공정 불량을 방지하여 생산성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the developer coating device of the present invention can obtain the effect of improving the productivity by preventing process defects in subsequent steps by making the scattering degree of the critical line width uniform.

Claims (10)

현상액 도포 장치에 있어서:In the developer coating device: 웨이퍼가 로딩되는 스핀 척과;A spin chuck into which the wafer is loaded; 상기 웨이퍼 상부에서 상기 스핀 척에 로딩된 웨이퍼로 현상액을 도포하는 슬릿 노즐과;A slit nozzle applying a developer from the wafer to the wafer loaded on the spin chuck; 상기 슬릿 노즐의 현상액 분사량을 조정하고, 상기 슬릿 노즐을 직선 왕복 이동시키는 제 1 구동부와;A first drive unit for adjusting the developer solution injection amount of the slit nozzle and linearly reciprocating the slit nozzle; 상기 웨이퍼가 로딩된 상기 스핀 척을 회전시키는 제 2 구동부 및;A second driver for rotating the spin chuck loaded with the wafer; 상기 스핀 척을 회전시킨 상태에서 상기 슬릿 노즐을 상기 웨이퍼의 센터 위치로 이동시켜서 상기 웨이퍼의 센터 부분에 현상액을 분사하도록 하고, 이어서 상기 슬릿 노즐을 상기 웨이퍼의 센터 위치와 일측 에지 사이의 제 1 미들 위치로 이동시켜서 상기 웨이퍼의 에지 부분에 현상액을 분사하도록 상기 제 1 및 상기 제 2 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 장치.In the state where the spin chuck is rotated, the slit nozzle is moved to the center position of the wafer to inject developer into the center portion of the wafer, and the slit nozzle is then moved to the first middle between the center position of the wafer and one side edge. And a control unit which controls the first and second driving units to move to a position and spray the developer to the edge portion of the wafer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어부는;The control unit; 상기 슬릿 노즐이 상기 센터 위치, 상기 제 1 미들 위치, 다시 상기 센터 위치 순으로 이동되도록 상기 제 1 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 장치.And the first driving unit controls the slit nozzle to move in the order of the center position, the first middle position, and the center position. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제어부는;The control unit; 상기 슬릿 노즐이 상기 센터 위치와 상기 웨이퍼의 타측 에지 사이의 제 2 미들 위치로 이동시켜서 현상액을 더 분사하도록 상기 제 1 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 장치.And the slit nozzle is moved to a second middle position between the center position and the other edge of the wafer to control the first drive unit to further eject the developer. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제어부는;The control unit; 상기 슬릿 노즐이 상기 센터 위치, 상기 제 1 미들 위치, 상기 센터, 상기 제 2 미들 위치, 상기 센터 위치 순으로 이동되도록 상기 제 1 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 장치.And the first driving part is controlled such that the slit nozzle is moved in the order of the center position, the first middle position, the center, the second middle position, and the center position. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제 2 구동부는 상기 스핀 척을 적어도 180 °* N(N은 정수)의 회전 각도로 회전시키는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 장치.And the second driving unit rotates the spin chuck at a rotation angle of at least 180 ° * N (where N is an integer). 웨이퍼가 로딩된 상부에 슬릿 노즐을 구비하는 현상액 도포 장치의 처리 방법에 있어서:In the processing method of the developer coating device having a slit nozzle on the top of the wafer loaded: 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계와;Rotating the wafer; 상기 슬릿 노즐을 상기 웨이퍼의 센터 위치로 이동하는 단계와;Moving the slit nozzle to a center position of the wafer; 현상액을 분사하여 상기 웨이퍼의 센터 부분을 중심으로 현상액을 도포하는 단계와;Spraying a developer to apply a developer around a center portion of the wafer; 상기 슬릿 노즐을 상기 센터 위치와 상기 웨이퍼의 에지 사이의 미들 위치로 이동하는 단계 및;Moving the slit nozzle to a middle position between the center position and the edge of the wafer; 현상액을 분사하여 상기 웨이퍼의 에지 부분을 중심으로 현상액을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 장치의 처리 방법.And spraying a developing solution to apply the developing solution around the edge of the wafer. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 회전시키는 단계는 적어도 180 °* N(N은 정수)의 회전 각도로 회전시키는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 장치의 처리 방법The rotating step is a processing method of a developer coating device, characterized in that for rotating at a rotation angle of at least 180 ° * N (N is an integer). 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 이동하는 단계는 상기 슬릿 노즐이 상기 센터 위치 또는 상기 미들 위치로 이동 중에 상기 웨이퍼로 현상액 스캔 분사를 더 처리하는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 장치의 처리 방법.And the moving step further processes a developer scan spray onto the wafer while the slit nozzle is moved to the center position or the middle position. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 미들 위치는 상기 센터 위치와 상기 웨이퍼의 일측 에지 사이의 제 1 미들 위치 또는 상기 센터 위치와 상기 웨이퍼의 타측 에지 사이의 제 2 미들 위치 를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 장치의 처리 방법.And the middle position comprises a first middle position between the center position and one side edge of the wafer or a second middle position between the center position and the other edge of the wafer. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 슬릿 노즐을 상기 센터 위치, 상기 제 1 미들 위치, 상기 센터 위치, 상기 제 2 미들 위치, 그리고 상기 센터 위치 순으로 이동하여 현상액을 도포하는 것을 특징으로 하는 현상액 도포 처리 장치의 처리 방법.And the developer is applied by moving the slit nozzle in the order of the center position, the first middle position, the center position, the second middle position, and the center position.
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