KR100623368B1 - Direct burn-wet scrubber for semiconductor manufacture equipment - Google Patents

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KR100623368B1 KR1020050081838A KR20050081838A KR100623368B1 KR 100623368 B1 KR100623368 B1 KR 100623368B1 KR 1020050081838 A KR1020050081838 A KR 1020050081838A KR 20050081838 A KR20050081838 A KR 20050081838A KR 100623368 B1 KR100623368 B1 KR 100623368B1
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Abstract

반도체 제조 공정에서 발생되는 폐 가스를 연소한 후 생성된 가스를 확실하게 여과하여 대기로 안전하게 배출시킬 수 있는 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버가 개시된다. 하나 이상의 폐 가스 유입관은 처리 대상 폐 가스를 유입시키기 위해 제공된다. 버너는 폐 가스를 연소하기 위해 폐 가스 유입관에 연결된다. 연소 챔버는 버너에 연결되고 폐 가스의 연소 공간을 제공한다. 습식 정화조는 연소 챔버에 연결되고, 연소된 후 생성되는 가스를 정화 처리한다. 침전 탱크는 연소 챔버 및 습식 정화조에 연결되고, 연소된 후 생성되는 부산물을 침전 처리한다. 분리대는 연소 챔버와 침전 탱크 사이에 제공되고, 연소 챔버를 버너로부터 분리시킨다. 센서 유닛은 적어도 하나의 폐 가스 유입관에 제공된다. 플랜지 유닛은 연소 챔버와 침전 탱크를 연결하도록 제공된다. Disclosed is a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment which can reliably filter the produced gas after burning the waste gas generated in the semiconductor manufacturing process and safely discharge it to the atmosphere. One or more waste gas inlet tubes are provided for introducing waste gas to be treated. The burner is connected to the waste gas inlet pipe for burning the waste gas. The combustion chamber is connected to the burner and provides a combustion space for waste gas. The wet septic tank is connected to the combustion chamber and purifies the gas produced after the combustion. The settling tank is connected to the combustion chamber and the wet septic tank and settles the by-products produced after the combustion. A separator is provided between the combustion chamber and the settling tank and separates the combustion chamber from the burner. The sensor unit is provided in at least one waste gas inlet pipe. A flange unit is provided to connect the combustion chamber and the settling tank.

스크러버, 직접 연소식 스크러버 Scrubber, Direct Combustion Scrubber

Description

반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버{DIRECT BURN-WET SCRUBBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURE EQUIPMENT}DIRECT BURN-WET SCRUBBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURE EQUIPMENT}

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 사시도;1 is a perspective view of a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment according to a preferred embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에서 보여준 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 내부 구성을 보여주는 도면; FIG. 2 shows an internal configuration of a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 1;

도 3은 도 2의 좌측면도;3 is a left side view of FIG. 2;

도 4는 도 2의 우측면도; 4 is a right side view of FIG. 2;

도 5는 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 외관을 나타내는 도면;FIG. 5 is a view showing an appearance of a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2;

도 6은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버와 다른 스크러버의 연결 상태를 나타내는 도면;FIG. 6 is a view illustrating a connection state between a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment and another scrubber shown in FIG. 2;

도 7은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 연소 챔버의 부분 단면도; FIG. 7 is a partial cross-sectional view of the combustion chamber of the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2; FIG.

도 8은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 플랜지 유닛의 부분 단면도; FIG. 8 is a partial cross-sectional view of the flange unit of the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2;

도 9는 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 습식 정 화조의 내부 구성을 나타내는 도면;FIG. 9 is a view showing an internal configuration of a wet septic tank of a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2;

도 10은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 침전 탱크의 단면도; 10 is a cross-sectional view of the settling tank of the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG.

도 11은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 침전 탱크의 평면도; 및 FIG. 11 is a plan view of a settling tank of the direct combustion scrubber for the semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2; FIG. And

도 12는 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 침전 탱크의 후방에 설치된 열교환기 및 펌프를 나타내는 도면. FIG. 12 shows a heat exchanger and a pump installed at the rear of the settling tank of the direct combustion scrubber for the semiconductor manufacturing equipment shown in FIG.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명※ Explanation of main parts of drawing

10, 16 : 폐 가스 유입관 12 : 센서 유닛10, 16: waste gas inlet pipe 12: sensor unit

14 : 3방향 밸브 18 : 연결선14: 3-way valve 18: connection line

20 : 버너 32 : 외부 연소 챔버20: burner 32: external combustion chamber

34 : 내부 연소 챔버 36, 96 : 관34: internal combustion chamber 36, 96: tube

38, 42 : 노즐 40 : 플랜지 유닛38, 42: nozzle 40: flange unit

44 : 진공 펌프 50 : 침전 탱크44: vacuum pump 50: sedimentation tank

52 : 침전실 54 : 물 순환 공급실52: sedimentation chamber 54: water circulation supply chamber

56 : 여과실 58 : 벽56: filtration chamber 58: wall

60 : 연결관 62, 64 : 필터60: connector 62, 64: filter

70 : 습식 정화조 72 : 흡착재70: wet septic tank 72: adsorption material

74 : 다공 플레이트 76 : 와이어 메쉬74: perforated plate 76: wire mesh

78 : 노즐 조립체 79 : 하우징78 nozzle assembly 79 housing

80 : 분리대 82 : 가이드80: separator 82: guide

84 : 바 86 : 지지 플레이트84 bar 86 support plate

88 : 지지대 90 : 열교환기88: support 90: heat exchanger

92, 94 : 펌프 100 : 외부 케이스92, 94: pump 100: outer case

102 : 컨트롤 패널 104 : 다리102: control panel 104: legs

106 : 배기관 108 : 구멍106: exhaust pipe 108: hole

200 : 다른 스크러버200: other scrubbers

본 발명은 반도체 제조시 발생되는 폐 가스를 연소시켜 여과한 후 대기로 안전하게 배출시킬 수 있는 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment which can safely discharge waste gas generated during semiconductor manufacture and then discharge it to the atmosphere after filtering.

일반적으로, 반도체 제조 공정에서는 웨이퍼 상에 박막을 증착하고 증착된 박막을 선택적으로 에칭하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공함으로써 반도체 칩을 제조하며, 이후 상기 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립한다. In general, in a semiconductor manufacturing process, a semiconductor chip is manufactured by repeatedly depositing a thin film on a wafer and selectively etching the deposited thin film to process a specific pattern, and then separately fabricating the chip manufactured in the process. After detaching, combine with lead frame and assemble to finished product.

이때, 박막을 증착하거나 증착된 박막을 에칭하는 등의 반도체 제조공정에서는 전기적인 특성과 데이터 처리 속도를 높이기 위해서 모노실란(SiH4), 포스핀 (PH3), 디보란(B2H6), 테트라에톡시실란(TEOS), 헥사플루오로에탄(C2F6), 아르신(AsH3) 등을 사용하므로, 상기 공정이 진행되는 동안 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.At this time, in the semiconductor manufacturing process, such as depositing a thin film or etching the deposited thin film, monosilane (SiH 4 ), phosphine (PH 3 ), diborane (B 2 H 6 ) to increase electrical characteristics and data processing speed. , Tetraethoxysilane (TEOS), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), arsine (AsH 3 ), etc. A large amount of gas is generated.

이와 같이, 반도체 제조 공정에서 배출되는 폐 가스는 유독성, 발화성 및 부식성이 강하기 때문에 인체에 유해할 뿐만 아니라 그대로 대기중으로 방출될 경우에는 환경오염을 유발하는 원인이 된다. 따라서, 이러한 폐 가스는 정화처리과정이 반드시 필요하다. As such, the waste gas emitted from the semiconductor manufacturing process is toxic, ignitable, and corrosive, which is not only harmful to the human body but also causes environmental pollution when released into the atmosphere. Therefore, such waste gas requires a purification process.

반도체 제조공정에서 배출되는 유해성 가스를 처리하는 방식에는 크게 세 가지가 있다. 첫 번째는 주로 수소기 등을 함유한 발화성 가스를 고온의 연소실에서 분해, 반응 또는 연소시키는 연소(burning)방식이고, 두 번째는 주로 수용성 가스를 수조에 저장된 물에 통과시키는 동안 용해하여 처리하는 습식(wetting)방식이며, 마지막으로는 발화되지 않거나 물에 녹지 않는 유해성 가스를 흡착제에 통과시키는 동안 물리적 또는 화학적 흡착에 의해 정화하는 흡착방식 등이 그것이다. There are three ways to treat hazardous gases emitted from semiconductor manufacturing processes. The first is a burning method of decomposing, reacting or burning a ignitable gas mainly containing hydrogen groups in a high temperature combustion chamber, and the second is a wet method of dissolving and treating a water-soluble gas while passing it through water stored in a tank. (wetting) method, and finally, an adsorption method that purifies by physical or chemical adsorption while passing a harmful gas that does not ignite or is insoluble in water through an adsorbent.

또한, 최근에는 이들 중 둘 이상을 조합하여 사용하기도 한다. In recent years, two or more of these may be used in combination.

그러나, 이와 같은 폐 가스 정화처리 방식을 이용하는 종래의 스크러버는 연소 후 생성된 가스를 확실하게 여과하여 정화하는 기능을 갖지 못했으므로 연소 후 생성된 가스를 대기로 배출시키기에 안전하지 못했다. However, the conventional scrubber using such a waste gas purification treatment method did not have a function of reliably filtering and purifying the gas generated after combustion, and thus, it was not safe to discharge the gas produced after combustion to the atmosphere.

또한, 종래의 스크러버는 연소 챔버나 습식 챔버를 분해할 수 없었기 때문에 청소 및 세척 등이 어려워 유지 관리와 보수에 불편함을 초래하였다. In addition, since the conventional scrubber cannot disassemble the combustion chamber or the wet chamber, it is difficult to clean and wash, resulting in inconvenience in maintenance and repair.

또한, 종래의 스크러버는 침전물의 여과시 여과물이 장치에 유입되어 고장을 일으키는 문제점이 있었다. In addition, the conventional scrubber has a problem that the filtrate is introduced into the device when the precipitate is filtered, causing a failure.

본 발명은 이러한 문제를 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 폐 가스를 연소한 후 생성된 가스를 확실하게 여과하여 대기로 안전하게 배출시키고, 장치를 용이하게 유지 관리 및 보수하며, 여과물 유입을 방지하여 장치의 고장을 감소시킬 수 있는 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버를 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of these problems, and an object of the present invention is to reliably filter the generated gas after burning the waste gas to safely discharge it to the atmosphere, to easily maintain and repair the device, and to introduce the filtrate It is to provide a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment that can reduce the failure of the device by preventing the.

상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명은, In order to achieve the above object, the present invention,

처리 대상 폐 가스를 유입시키기 위한 하나 이상의 폐 가스 유입관; 폐 가스 유입관에 연결되어 폐 가스를 연소하기 위한 버너; 버너와 연결되어 폐 가스의 연소 공간을 제공하는 연소 챔버; 연소 챔버와 연결되어 연소 챔버에서 연소된 후 생성되는 가스를 정화 처리하기 위한 습식 정화조; 연소 챔버 및 습식 정화조와 연결되어 연소된 후 생성되는 부산물을 침전 처리하기 위한 침전 탱크; 및 연소 챔버와 침전 탱크 사이에 제공되어 연소 챔버를 버너로부터 분리시키는 분리대를 포함하는 것을 특징으로 한다. One or more waste gas inlet tubes for introducing waste gas to be treated; A burner connected to the waste gas inlet pipe for burning the waste gas; A combustion chamber connected with the burner to provide a combustion space of the waste gas; A wet septic tank connected to the combustion chamber for purifying a gas produced after being combusted in the combustion chamber; A settling tank connected to the combustion chamber and the wet septic tank for settling the by-products generated after the combustion; And a separator provided between the combustion chamber and the settling tank to separate the combustion chamber from the burner.

바람직하게는, 습식 정화조는 흡착재들이 복층으로 적재되는 흡착재 층, 다수의 구멍이 형성된 다공 플레이트가 일정 간격을 갖고 복층으로 상하 배치되어 있는 다공 플레이트 층, 와이어 메쉬가 복층으로 배치되는 와이어 메쉬 층, 및 흡착재 층, 다공 플레이트 층 및 와이어 메쉬 층이 내부에 연속 배치되는 중공의 하우 징을 포함하고, 흡착재 층 및 와이어 메쉬 층의 인접 위치에는 물 분사용 노즐 조립체가 각각 제공되는 것을 특징으로 한다. Preferably, the wet septic tank is an adsorbent layer in which the adsorbents are stacked in multiple layers, a porous plate layer in which a plurality of holes are formed in a plurality of holes at regular intervals, and a wire mesh layer in which the wire mesh is arranged in multiple layers, and And a hollow housing in which the adsorbent layer, the porous plate layer, and the wire mesh layer are continuously disposed therein, and adjacent nozzle adsorbent layer and the wire mesh layer are provided with a nozzle assembly for water injection, respectively.

바람직하게는, 폐 가스 유입관 중 적어도 하나에는 상기 스크러버와는 다른 스크러버에 연결되는 센서 유닛이 제공되고, 센서 유닛은 폐 가스 유입관의 막힘 여부를 감지하여 다른 스크러버에 작동을 지시하기 위한 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다. Preferably, at least one of the waste gas inlet pipes is provided with a sensor unit connected to a scrubber different from the scrubber, and the sensor unit detects whether the waste gas inlet pipes are blocked and instructs other scrubbers to operate. It is characterized by outputting.

바람직하게는, 폐 가스 유입관, 버너, 연소 챔버, 습식 정화조, 및 침전 탱크를 내부에 수용하도록 외부 케이스가 제공되고, 외부 케이스의 표면 일측에는 스크러버를 제어하기 위한 컨트롤 패널이 경사상으로 배치되는 것을 특징으로 한다.Preferably, an outer case is provided to receive the waste gas inlet pipe, the burner, the combustion chamber, the wet septic tank, and the settling tank therein, and one side of the outer case has a control panel for controlling the scrubber inclined. It is characterized by.

바람직하게는, 침전 탱크는 연소 챔버와 습식 정화조로부터 발생되는 부산물을 집수 및 침전시키기 위한 침전실과, 침전실에 물을 순환 공급하기 위한 물 순환 공급실, 침전실과 물 순환 공급실 사이에 제공되어 침전실로부터 물 순환 공급실로 이동되는 침전물을 여과하기 위한 여과실을 포함하며, 여과실은 하나 이상의 벽과 필터로 둘러싸여 제공되고 필터 중 하나는 침전실과 접하고 다른 하나는 물 순환 공급실과 접하도록 제공되어 있는 것을 특징으로 한다. Preferably, the sedimentation tank is provided between the sedimentation chamber for collecting and sedimenting the by-products generated from the combustion chamber and the wet septic tank, the water circulation supply chamber for circulating water to the sedimentation chamber, the sedimentation chamber and the water circulation supply chamber, A filtration chamber for filtering the sediment which is transferred to the water circulation supply chamber, the filtration chamber being provided surrounded by one or more walls and filters, one of the filters being in contact with the precipitation chamber and the other being in contact with the water circulation supply chamber. do.

바람직하게는, 연소 챔버와 침전 탱크를 연결하도록, 하부로 갈수록 위의 것보다 직경이 작은 플랜지가 결합된 다단형 구조의 플랜지 유닛이 제공되는 것을 특징으로 한다.Preferably, in order to connect the combustion chamber and the settling tank, a flange unit of a multi-stage structure is provided, in which a flange having a smaller diameter than that above is coupled to a lower portion thereof.

더욱 바람직하게는, 분리대는, 연소 챔버를 하부에서 지지하고 수평 방향으로 인출됨으로써 연소 챔버의 하부로의 이동 공간을 확보할 수 있도록 제공되는 지 지대, 지지대의 이동을 가능하게 하기 위하여 지지대의 하단에 맞물리도록 제공되는 가이드, 가이드가 설치될 수 있도록 제공되는 지지 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.More preferably, the separator is provided at the bottom of the support to enable the movement of the support, which is provided to support the combustion chamber at the bottom and withdraw in the horizontal direction to secure a space for movement to the bottom of the combustion chamber. Guide provided to engage, characterized in that it comprises a support plate provided so that the guide can be installed.

더욱 바람직하게는, 침전 탱크로부터 올라오는 연무를 차단하도록 플랜지 유닛의 내측 상부에는 질소 기체를 분사하는 노즐이 제공되는 것을 특징으로 한다. More preferably, a nozzle for injecting nitrogen gas is provided on the inner upper portion of the flange unit to block the mist rising from the settling tank.

따라서, 본 발명에 따르면 장치의 유지 관리 및 보수를 용이하게 할 수 있고, 연소 후 생성되는 가스를 확실하게 여과하여 대기로 안전하게 배출시킬 수 있으며, 펌프에 침전물이 유입되는 것을 방지하여 펌프의 고장 발생을 감소시킬 수 있다. Therefore, according to the present invention, the maintenance and repair of the device can be facilitated, the gas generated after combustion can be reliably filtered and safely discharged to the atmosphere, and the occurrence of failure of the pump by preventing the inflow of sediment into the pump. Can be reduced.

이하, 본 발명을 첨부 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 사시도이고, 도 2는 도 1에서 보여준 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 내부 구성을 보여주는 도면이고, 도 3은 도 2의 좌측면도이고, 도 4는 도 2의 우측면도이며, 도 5는 도 2에서 보여준 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 외관을 나타내는 도면이다. 1 is a perspective view of a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing the internal configuration of the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in Figure 1, Figure 3 2 is a left side view, FIG. 4 is a right side view of FIG. 2, and FIG. 5 is a view showing the appearance of a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2.

도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버를 자세하게 설명한다.1 to 5 will be described in detail a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명에 의한 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버를 살펴보면, 반도체 제조 장비로부터 처리 대상 폐가스를 도입하는 수단으로서 폐 가스 유입관(10) 및 바이패스 폐 가스 유입관(16)이 외부 케이스(100)의 상측을 통과하여 제공되고, 폐 가스 유입관(10)과 바이패스 폐 가스 유입관(16)이 3방향 밸브(14)에 연결되어 하나로 합쳐진 부분에 버너(20)가 조립되고, 버너(20)를 통과한 폐 가스의 연소 공간을 규정하는 내부 연소 챔버(34)가 버너(20)에 결합되어 하부로 제공되고, 내부 연소 챔버(34)의 외측을 둘러싸도록 외부 연소 챔버(32)가 제공되고, 외부 연소 챔버(32)의 하부에 연소 후 생성되는 부산물을 침전시키기 위한 침전 탱크(50)가 제공되며, 두 연소 챔버(32,34)에 평행하게 침전 탱크(50)의 상부 일측에 연소 후 생성되는 가스를 정화시키기 위한 습식 정화조(70)가 조립되어 제공된다. Looking at the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the waste gas inlet tube 10 and the bypass waste gas inlet tube 16 is an outer case 100 as a means for introducing the waste gas to be processed from the semiconductor manufacturing equipment. The burner 20 is provided through the upper side of the burner 20, and the burner 20 is assembled at a portion where the waste gas inlet pipe 10 and the bypass waste gas inlet pipe 16 are connected to the three-way valve 14 and joined together. An internal combustion chamber 34 defining the combustion space of the waste gas passing through) is provided at the bottom coupled to the burner 20 and an external combustion chamber 32 is provided to surround the outside of the internal combustion chamber 34. And a settling tank 50 for depositing the by-products produced after combustion in the lower portion of the external combustion chamber 32, and is combusted on the upper side of the settling tank 50 parallel to the two combustion chambers 32, 34. Wet to purify gas produced after Is provided with the Garden 70 is assembled.

여기에서, 3방향 밸브(14)는 폐 가스 유입관(10)과 바이패스 폐 가스 유입관(16) 중 하나에 의해 폐 가스가 도입되도록 개폐를 조절하기 위해서 센서 유닛(12)을 구비한다. Here, the three-way valve 14 is provided with a sensor unit 12 for adjusting the opening and closing so that the waste gas is introduced by one of the waste gas inlet pipe 10 and the bypass waste gas inlet pipe 16.

센서 유닛(12)은 스크러버 외의 다른 스크러버(200)에 연결되어, 폐 가스 유입관(10)과 바이패스 폐 가스 유입관(16)을 감지하여 두 개의 관이 막혀 폐 가스가 유입되지 못할 경우에 다른 스크러버(200)에게 작동을 지시한다.The sensor unit 12 is connected to the other scrubber 200 other than the scrubber, and detects the waste gas inlet pipe 10 and the bypass waste gas inlet pipe 16 so that when the two pipes are blocked, the waste gas cannot be introduced. Instructs the other scrubber 200 to operate.

그리고, 버너(20)에는 연료 및 산소를 공급하기 위한 연료 공급관(도시되지 않음) 및 산소 공급관(도시되지 않음)이 각각 결합된다. The burner 20 is coupled with a fuel supply pipe (not shown) and an oxygen supply pipe (not shown) for supplying fuel and oxygen, respectively.

또한, 내부 연소 챔버(34)를 진공 상태로 만들기 위한 진공 펌프(44)가 외부 연소 챔버(32)의 외부에 제공되며, 외부 연소 챔버(32)의 내측 상부에는 내부 연소 챔버(34) 및 외부 연소 챔버(32)를 냉각하기 위해 물을 분사하는 노즐(38)이 제공된다. In addition, a vacuum pump 44 for making the internal combustion chamber 34 into a vacuum is provided outside the external combustion chamber 32, and inside the upper portion of the external combustion chamber 32, the internal combustion chamber 34 and the external are provided. A nozzle 38 is provided for spraying water to cool the combustion chamber 32.

한편, 외부 연소 챔버(32)의 하부에는 플랜지 유닛(40)이 제공된다. On the other hand, a flange unit 40 is provided below the external combustion chamber 32.

플랜지 유닛(40)은 외부 연소 챔버(32)와 침전 탱크(50)를 연결함과 아울러, 연소 후 생성되는 부산물과 가스를 각각 침전 탱크(50)와 습식 정화조(70)로 안내하여 내부 연소 챔버(34) 안으로 재유입시키지 않는 역할을 한다. The flange unit 40 connects the external combustion chamber 32 and the settling tank 50, and guides the by-products and gases generated after combustion to the settling tank 50 and the wet septic tank 70, respectively. (34) It does not reintroduce into.

그리고, 이 플랜지 유닛(40)의 내측 상부에는 질소 기체를 분사하는 노즐(42)이 제공되어, 침전 탱크(50)로부터 올라오는 연무를 내부 연소 챔버(34)로 유입시키지 않는다. And the nozzle 42 which injects nitrogen gas in the upper part inside this flange unit 40 is provided, and the mist rising from the settling tank 50 does not flow into the internal combustion chamber 34. As shown in FIG.

한편, 내부 연소 챔버(34)와 외부 연소 챔버(32)를 용이하게 청소 및 세척하기 위해서, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버는 플랜지 유닛(40)을 분리시킴으로써 각 연소 챔버(32,34)를 버너(20)로부터 분리시키는 분리대(80)를 제공한다. On the other hand, in order to easily clean and clean the internal combustion chamber 34 and the external combustion chamber 32, the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment according to the preferred embodiment of the present invention may be separated by the flange unit 40. A separator 80 is provided that separates the combustion chambers 32, 34 from the burners 20.

분리대(80)는 플랜지 유닛(40)의 외측을 지지하고 수평 방향으로 인출될 수 있도록 제공된다. 분리대(80)를 인출하면 플랜지 유닛(40)은 아래로 이동되어 외부 연소 챔버(32)로부터 분리되고, 그 다음 외부 연소 챔버(32)가 아래로 이동되어 버너(20)로부터 분리된다. The separator 80 is provided to support the outside of the flange unit 40 and to be drawn out in the horizontal direction. Withdrawal of separator 80 causes flange unit 40 to move down to separate from external combustion chamber 32, then external combustion chamber 32 to move down to separate from burner 20.

그리고, 플랜지 유닛(40)의 하부 측면에는 연결관(60)이 결합되어 습식 정화조(70)를 향해 연통되고, 연결관(60)의 하부에는 관(36)이 연결되어 침전 탱크(50) 안으로 삽입된다. 여기서, 관(36)은 내부 연소 챔버(34)로부터 떨어지는 부산물이 흩어지지 않고 침전 탱크(50) 내의 물에 침전되도록 돕는다.In addition, a connecting pipe 60 is coupled to the lower side of the flange unit 40 to communicate with the wet septic tank 70, and a pipe 36 is connected to the lower part of the connecting pipe 60 to settle the tank 50. Is inserted. Here, the tube 36 helps the by-products falling from the internal combustion chamber 34 to settle in the water in the settling tank 50 without being scattered.

한편, 침전 탱크(50)의 후방에는 침전 탱크(50) 내부의 물을 순환시켜 열교환함으로써 냉각수의 온도를 유지시키기 위한 열교환기(90)가 제공되며, 열교환기 (90)의 옆에는 외부로부터 침전 탱크(50)에 물을 공급하기 위한 펌프(92)가 제공된다.On the other hand, the rear of the settling tank 50 is provided with a heat exchanger 90 for maintaining the temperature of the cooling water by circulating and heat-exchanging the water inside the settling tank 50, next to the heat exchanger 90 is settled from the outside A pump 92 is provided for supplying water to the tank 50.

또한, 침전 탱크(50)의 내부에는 침전물을 여과하기 위한 필터(62,64; 도 10참조)가 제공된다.In addition, the settling tank 50 is provided with filters 62, 64 (see FIG. 10) for filtering the precipitate.

습식 정화조(70)는 용이하게 조립 및 분해 가능한 중공의 하우징(79)의 내부에 연속 배치된 다수의 층을 포함한다. The wet septic tank 70 includes a plurality of layers arranged in series in the hollow housing 79 that can be easily assembled and disassembled.

즉, 습식 정화조(70)는 하부로부터 흡착재(72)들이 복층으로 적재된 2개의 흡착재 층, 다수의 구멍이 형성된 다공 플레이트(74)가 일정 간격을 갖고 복층으로 상하 배치된 다공 플레이트 층, 와이어 메쉬(76)가 복층으로 배치된 와이어 메쉬 층, 및 흡착재 층 및 와이어 메쉬 층의 일정 간격 떨어진 각 상부에 제공된 물 분사용 노즐 조립체(72)를 포함한다. That is, the wet septic tank 70 has two adsorbent layers in which the adsorbents 72 are stacked in a plurality of layers from below, a porous plate layer in which a plurality of holes are formed, and a porous plate layer in which a plurality of holes are arranged up and down in multiple layers, and a wire mesh. 76 includes a wire mesh layer disposed in multiple layers, and a nozzle assembly 72 for water spray provided on each top spaced apart of the adsorbent layer and the wire mesh layer.

그리고, 습식 정화조(70)의 하부에는 관(96)이 연결되어 침전 탱크(50) 안으로 삽입되고, 습식 정화조(70)의 최상부에는 배기관(106)이 제공되어 외부로 가스를 배출하게 되며, 배기관(106)의 측면에는 구멍(108)이 형성되어 차가운 대기를 통과시킴으로써 배출되는 가스를 한번 더 냉각시키게 된다. In addition, a pipe 96 is connected to the lower portion of the wet septic tank 70 to be inserted into the settling tank 50, and an exhaust pipe 106 is provided at the top of the wet septic tank 70 to discharge the gas to the outside. Holes 108 are formed in the sides of 106 to cool the gas once again by passing through a cold atmosphere.

그리고, 노즐 조립체(78)는 침전 탱크(50)의 상부에 설치된 펌프(94)에 각각 연결된다. The nozzle assemblies 78 are each connected to a pump 94 installed on the top of the settling tank 50.

한편, 본 발명에 의한 전체 시스템을 제어하기 위한 터치 스크린 방식의 컨트롤 패널(102)은 외부 케이스(100)의 앞면에 경사지게 제공되고, 본 발명에 의한 장치를 용이하게 이동시키기 위한 롤러형 다리(104)는 외부 케이스(100)의 하부에 제공된다. On the other hand, the touch screen control panel 102 for controlling the entire system according to the present invention is provided inclined on the front surface of the outer case 100, roller-type legs 104 for easily moving the device according to the present invention ) Is provided at the bottom of the outer case 100.

여기에서, 다시 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명에 의한 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 작동을 설명하기로 한다.Here, the operation of the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention will be described again with reference to FIGS. 2 to 4.

먼저, 반도체 제조 공정에서 발생된 폐 가스는 폐 가스 유입관(10) 및 바이패스 폐 가스 유입관(16)에 의해 도입되어 내부 연소 챔버(34) 내에서 버너(20)를 통과하면서 화염에 의해 연소된다.First, the waste gas generated in the semiconductor manufacturing process is introduced by the waste gas inlet tube 10 and the bypass waste gas inlet tube 16 and passes through the burner 20 in the internal combustion chamber 34 by the flame. Is burned.

연소된 후 생성되는 부산물과 가스 중, 부산물은 내부 연소 챔버(34)로부터 침전 탱크(50)로 떨어져 침전 제거되고, 가스는 습식 정화조(70)를 통과하는 동안 잔류 부산물들을 침전 탱크(50)로 떨어뜨려 침전 제거시킨 후 정화되어 대기로 배출된다. Of the by-products and gases produced after combustion, the by-products are separated from the internal combustion chamber 34 into the settling tank 50 and precipitated out, and the gas passes the remaining by-products to the settling tank 50 while passing through the wet septic tank 70. It is dropped, settled out, purified and discharged into the atmosphere.

이때, 부산물은 온도가 높고 가벼우므로 흩어지게 되면 침전 탱크(50) 내부의 부식을 초래하거나 필터(62)를 막히게 할 수 있다. 따라서, 이러한 현상을 방지하기 위해서, 플랜지 유닛(40)과 습식 정화조(70)의 하부에는 관(36,96)을 연결하여 침전 탱크(50)의 바닥에 거의 닿도록 삽입시킴으로써 부산물의 침전을 촉진한다. At this time, the by-products are high and light, so when they are scattered, they may cause corrosion in the settling tank 50 or block the filter 62. Accordingly, in order to prevent such a phenomenon, pipes 36 and 96 are connected to the lower portion of the flange unit 40 and the wet septic tank 70 to be inserted into the bottom of the sedimentation tank 50 to promote precipitation of the byproduct. do.

한편, 부산물이 침전될 때 침전 탱크(50)로부터 발생되는 연무는 플랜지 유닛의 노즐(42)에서 분사되는 질소 기체에 의해, 또는 습식 정화조(70)에서 분사되는 물에 의해 차단된다. On the other hand, the mist generated from the settling tank 50 when the by-product precipitates is blocked by the nitrogen gas injected from the nozzle 42 of the flange unit, or by the water injected from the wet septic tank 70.

연소 후 생성된 가스는 습식 정화조(70) 내에서 이동하는 동안, 흡착재(72)들과 노즐 조립체(78)로 이루어지는 2개의 흡착재 층 및 다공 플레이트 층 및 와이 어 메쉬 층을 통과하게 된다. The gas produced after combustion passes through the two adsorbent layers consisting of the adsorbents 72 and the nozzle assembly 78 and the porous plate layer and the wire mesh layer while traveling in the wet septic tank 70.

이때, 가스가 흡착재(72)들을 통과하는 동안, 가스 속에 포함되어 있는 부산물 파우더는 흡착재(72)에 흡착되어 제거됨과 아울러 노즐 조립체(78)로부터 분사되는 물에 의해 녹아서 하부로 떨어진다. At this time, while the gas passes through the adsorbents 72, the by-product powder contained in the gas is adsorbed and removed by the adsorbent 72 and melted by water sprayed from the nozzle assembly 78 to fall to the bottom.

흡착재(72)는 통상 짧은 관형체로 내부에 핀(fin)이 형성되어 있으므로, 가스를 통과시키는 동안 가스 속에 포함되어 있는 부산물 파우더를 더 많이 흡착시킬 수 있다. Since the adsorbent 72 is generally a short tubular body having fins formed therein, the adsorbent 72 may adsorb more byproduct powder contained in the gas during passage of the gas.

또한, 흡착재(72)는 그 축을 수평방향으로 해서 적재되어 있으므로, 가스는 수평방향으로 전환되어 흡착재(72)를 통과하게 된다. 따라서, 가스는 경로가 매우 길어짐에 따라 유속이 느려지고 체류시간이 길어지며, 이것에 의해 부산물 파우더의 흡착율을 향상시키게 된다. In addition, since the adsorbent 72 is mounted with its axis in the horizontal direction, the gas is switched in the horizontal direction to pass through the adsorbent 72. Therefore, as the gas path becomes very long, the flow rate becomes slow and the residence time becomes long, thereby improving the adsorption rate of the by-product powder.

한편, 가스는 위에서 설명한 과정 동안 냉각되고, 노즐 조립체(78)로부터 분사되는 물에 의해 냉각이 더욱 가속되면서 더불어 수용성 물질도 제거시킨다. On the other hand, the gas is cooled during the process described above, and cooling is further accelerated by the water injected from the nozzle assembly 78, while also removing the water-soluble substance.

이후, 가스는 수직방향으로 전환되어 다공 플레이트(74)를 지나면서 그 속에 남아있는 부산물 입자들을 부딪치게 해서 떨어뜨리고, 그 후에 와이어 메쉬(76)를 통과하면서 또 한번 부산물 입자들을 부딪치게 해서 떨어뜨려 기체 상태로 통과되며, 노즐 조립체(78)로부터 분사되는 물에 의해 마지막으로 가스 속의 수용성 물질이 제거되어 배기관(106)을 통해 외부로 배출된다. Thereafter, the gas is converted in the vertical direction and passes through the porous plate 74 to hit and drop the byproduct particles remaining therein, and then passes through the wire mesh 76 to hit and drop the byproduct particles once again and then to the gas state. Water is injected from the nozzle assembly 78, and finally, the water-soluble substance in the gas is removed and discharged to the outside through the exhaust pipe 106.

이때, 가스는 배기관(106)에 형성된 구멍(108)을 통해 유입되는 대기에 의해 한번 더 냉각되어 배출된다. 즉, 연소 후 생성된 가스는 대기로 배출될 때, 위에서 와 같이 습식 정화조(70)를 통과하면서 노즐 조립체(78)로부터 분사되는 물에 의해 지속적으로 냉각되고, 배기관(106)으로부터 배출될 때 한번 더 냉각되는 것이다. At this time, the gas is cooled and discharged once more by the air flowing through the hole 108 formed in the exhaust pipe 106. That is, the gas produced after combustion is continuously cooled by water injected from the nozzle assembly 78 while passing through the wet septic tank 70 as above, and once discharged from the exhaust pipe 106 when discharged to the atmosphere. More cooling.

도 6은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버 및 다른 스크러버와의 연결 상태를 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a view illustrating a connection state between a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment and another scrubber illustrated in FIG. 2.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버는 2대 이상이 연결되어 사용된다. As illustrated in FIG. 6, two or more direct-burning scrubbers for semiconductor manufacturing equipment according to an exemplary embodiment of the present invention are used in connection.

즉, 센서 유닛(12)은 폐 가스 유입관(10)과 바이패스 폐 가스 유입관(16)이 합쳐지는 부분에 제공되어 폐 가스 유입관(10)과 바이패스 폐 가스 유입관(16)이 막혀 작동하지 못하게 되면, 다른 스크러버(200)를 선택하여 작동을 지시한다. That is, the sensor unit 12 is provided at a portion where the waste gas inlet tube 10 and the bypass waste gas inlet tube 16 are combined to provide a waste gas inlet tube 10 and a bypass waste gas inlet tube 16. If it is blocked and cannot operate, another scrubber 200 is selected to instruct operation.

이하에서는 본 발명에 의한 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 주요 부분을 살펴보기로 한다. Hereinafter, the main part of the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 분리대(80)는 플랜지 유닛(40)의 하부 주위에 설치된 지지 플레이트(86), 지지 플레이트(86) 상에 설치된 각 가이드(82), 가이드(82)에 맞물려 플랜지 유닛(40)의 외측을 지지하도록 설치된 각 지지대(88)를 포함한다. As shown in FIGS. 1 and 2, the separator 80 includes a support plate 86 installed around the lower portion of the flange unit 40, each guide 82 installed on the support plate 86, and a guide 82. Each support 88 is installed to support the outside of the flange unit 40 in engagement with the.

여기서, 지지대(88)의 하단은 각 가이드(82)를 따라 맞물리고, 지지대(88)의 상단은 양측 높이가 다르게 제공된다.Here, the lower end of the support 88 is engaged along each guide 82, the upper end of the support 88 is provided with different heights on both sides.

물론, 지지대(88)의 하단에는 가이드(82)를 따라 이동할 수 있도록 롤러가 내부에 제공되며, 두 지지대(88) 사이에는 두 지지대(88)를 서로 연결하기 위한 바(84)가 제공된다. Of course, the lower end of the support 88 is provided with a roller to move along the guide 82 therein, between the two support 88 is provided with a bar 84 for connecting the two support 88 to each other.

도 7은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 연소 챔버의 부분 단면도이다. FIG. 7 is a partial cross-sectional view of the combustion chamber of the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2.

도 7에 도시된 바와 같이, 연소 챔버는 내부 연소 챔버(34)와 외부 연소 챔버(32)로 이루어지고 상부에 버너(20)가 결합되며, 폐 가스(화살표) 주위에 화염을 형성시켜 폐가스를 연소하는 공간이다. As shown in FIG. 7, the combustion chamber is composed of an internal combustion chamber 34 and an external combustion chamber 32, and a burner 20 is coupled to the upper portion, and a flame is formed around the waste gas (arrow) to generate waste gas. It is a burning space.

그리고, 외부 연소 챔버(32)의 내측 상부에 제공된 노즐(38)은 연소 과정에서 물을 내부 연소 챔버(34)와 외부 연소 챔버(32)를 향하여 분사함으로써 연소 챔버를 과열되지 않게 한다.In addition, the nozzle 38 provided on the inner upper portion of the external combustion chamber 32 prevents the combustion chamber from overheating by injecting water toward the internal combustion chamber 34 and the external combustion chamber 32 during the combustion process.

도 8은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 플랜지 유닛의 부분 단면도이다. FIG. 8 is a partial cross-sectional view of the flange unit of the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2.

도 8에 도시된 바와 같이, 플랜지 유닛(40)은 다수의 플랜지들을 포함하는데, 하부로 갈수록 위의 것보다 직경이 작은 플랜지가 결합되어 다단형 구조로 이루어진다. As shown in FIG. 8, the flange unit 40 includes a plurality of flanges, and a flange having a smaller diameter than the upper portion is coupled to the lower portion to form a multistage structure.

그리고, 플랜지 유닛(40)의 내측 상부에는 노즐(42)이 제공되어 질소 기체를 분사함으로써 하부로부터 올라오는 연무를 차단한다. And the nozzle 42 is provided in the upper part of the inside of the flange unit 40, and sprays nitrogen gas, and blocks the mist rising from the lower part.

도 9는 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 습식 정화조의 내부 구성을 나타내는 도면이다. FIG. 9 is a diagram illustrating an internal configuration of a wet septic tank of a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2.

도 9에 도시된 바와 같이, 습식 정화조(70)는 다수의 층을 포함하여 조립된다. As shown in FIG. 9, the wet septic tank 70 is assembled including a plurality of layers.

연소 후의 가스는, 흡착재 층에 유입되면 흡착재(72)들을 통과하면서 유속이 매우 느려지고 체류 시간이 길어지며, 이때 가스 속에 포함되어 있는 부산물 파우더를 흡착재(72)의 표면에 부착시키면서 통과할 뿐만 아니라, 노즐 조립체(78)로부터 분사되는 물에 용해시키면서 통과하게 된다. After the combustion, the gas flows through the adsorbents 72 as it flows into the adsorbent layer, so that the flow rate becomes very slow and the residence time becomes long. At this time, the by-product powder contained in the gas passes while adhering to the surface of the adsorbent 72, It is passed through while dissolving in water sprayed from the nozzle assembly 78.

이러한 과정은 다공 플레이트 층에서도 반복되고, 더불어 그 과정 동안 가스는 물에 의해 냉각된다. This process is repeated for the porous plate layer, during which the gas is cooled by water.

이후, 가스 속에 남아 있는 부산물 파우더는 다공 플레이트 층과 와이어 메쉬 층을 지나면서 각각 다공 플레이트(74)나 와이어 메쉬(76)에 충돌하여 떨어지고, 노즐 조립체(78)로부터 분사되는 물에 의해 또 한번 용해되어 제거된다. Thereafter, the by-product powder remaining in the gas impinges on the porous plate 74 or the wire mesh 76 as it passes through the porous plate layer and the wire mesh layer, respectively, and is dissolved again by water sprayed from the nozzle assembly 78. And removed.

도 10은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 침전 탱크의 단면도이고, 도 11은 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 침전 탱크의 평면도이며, 도 12는 도 2에 도시된 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버의 침전 탱크의 후방에 설치된 열교환기 및 펌프를 나타내는 도면이다. FIG. 10 is a cross-sectional view of the settling tank of the direct burn scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2, and FIG. 11 is a plan view of the settling tank of the direct burn scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 2, FIG. It is a figure which shows the heat exchanger and pump installed in the back of the settling tank of the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment shown in FIG.

또한, 침전 탱크는 연소 챔버와 습식 정화조로부터 떨어지는 부산물을 침전시키기 위한 침전실(52), 이 침전실(52)로 물을 순환 공급하기 위한 물 순환 공급실(54), 침전실(52)로부터 물 순환 공급실(54)로 이동되는 침전물을 여과하기 위한 여과실(56)을 포함하고 있다. The settling tank further includes a settling chamber 52 for depositing by-products falling from the combustion chamber and the wet septic tank, a water circulation supply chamber 54 for circulating water to the settling chamber 52, and water from the settling chamber 52. And a filtration chamber 56 for filtering the precipitate that is moved to the circulation supply chamber 54.

여기서, 여과실(56)은 하나 이상의 벽(58)과 필터(62,64)로 둘러싸인 공간이고, 필터(62,64) 중 어느 한 필터(62)는 물 순환 공급실(54)과 접해 있고, 다른 한 필터(64)는 침전 탱크(50)의 바닥으로부터 소정 높이로 형성된 제실(52)과 접해 있 다. Here, the filtration chamber 56 is a space surrounded by one or more walls 58 and filters 62 and 64, and any one of the filters 62 and 64 is in contact with the water circulation supply chamber 54, The other filter 64 is in contact with the chamber 52 formed at a predetermined height from the bottom of the settling tank 50.

도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 침전 탱크(50)의 침전실(52)에는 각각 플랜지 유닛(40)과 습식 정화조(70)로부터 관(36,96)이 내려와 수용된다. As shown in FIGS. 10 to 12, the pipes 36 and 96 are lowered and received from the flange unit 40 and the wet septic tank 70 in the settling chamber 52 of the settling tank 50, respectively.

그리고, 침전 탱크(50)의 여과실(56)은, 침전 탱크(50)의 측면과 평행하게 소정 공간을 두고 각각 떨어져 두 관(36,96) 사이에 제공된 두 개의 벽(58), 및 각 벽(58)의 단부를 연결하는 선 상에 침전 탱크(50)의 앞뒤와 평행하도록 소정 간격 떨어져 설치된 두 개의 필터(62,64)에 의해 이루어진다.In addition, the filtration chamber 56 of the settling tank 50 includes two walls 58 provided between the two pipes 36 and 96 with a predetermined space in parallel with the sides of the settling tank 50, and each It is made by two filters 62, 64 which are spaced apart by a predetermined distance so as to be parallel to the front and back of the settling tank 50 on the line connecting the ends of the wall 58.

즉, 침전 탱크(50)의 여과실(56)은 양측 벽(58)과 앞뒤의 필터(62,64)로 이루어진 육면체 공간이다. That is, the filtration chamber 56 of the settling tank 50 is a hexahedral space consisting of both side walls 58 and the front and rear filters 62 and 64.

여기에서, 앞쪽의 필터를 제 1필터(62), 뒤쪽의 필터를 제 2필터(64)로 한다. 이때, 제 1필터(62)는 침전 탱크(50)의 바닥으로부터 소정 높이를 두고 위에 설치되므로, 필터(62)의 아래쪽에는 양측 벽(58)과 같은 벽이 제공된다.Here, the filter on the front side is the first filter 62, and the filter on the back side is the second filter 64. In this case, since the first filter 62 is installed above the predetermined height from the bottom of the settling tank 50, the same wall as the two side walls 58 is provided below the filter 62.

그리고, 침전 탱크(50)의 물 순환 공급실(54)은 침전실(52)에서 여과된 후 유입된 물을 저장한다.Then, the water circulation supply chamber 54 of the precipitation tank 50 stores the water introduced after being filtered in the precipitation chamber 52.

한편, 도 11에 도시된 열교환기(90) 및 펌프(92)는 물을 지속적으로 순환시켜 공급하기 위한 장치로, 침전 탱크(50)의 후방에 설치되어 침전 탱크(50)의 물 순환 공급실(54)로부터 물을 유입하여 냉각한 후 다시 침전실(52)에 공급하는 역할을 한다. Meanwhile, the heat exchanger 90 and the pump 92 shown in FIG. 11 are devices for continuously circulating and supplying water. The heat exchanger 90 and the pump 92 are installed at the rear of the settling tank 50 to provide a water circulation supply chamber of the settling tank 50. 54) serves to supply water to the settling chamber 52 after the water is introduced and cooled.

이러한 침전 탱크(50)에서의 물의 순환을 도 10 내지 도 11을 참조하여 설명한다. The circulation of water in this precipitation tank 50 will be described with reference to FIGS. 10 to 11.

연소 챔버(34)나 습식 정화조(70)로부터 각 관(36,96)을 통해 떨어지는 부산물은 침전 탱크(50)의 침전실(52)에 있는 물에 침전된다. By-products falling from the combustion chamber 34 or the wet septic tank 70 through the pipes 36 and 96 are precipitated in the water in the settling chamber 52 of the settling tank 50.

이때, 물은 계속 순환되어 온도가 일정하게 유지되어야 하므로, 침전실(52)로부터 제 1 및 제 2필터(62,64)를 통과하여 물 순환 공급실(54)로 유입되고, 이후 침전 탱크(50)의 후방에 설치된 열교환기(90)로 보내져 냉각된 후 다시 침전실(52)에 공급된다.At this time, since the water must be continuously circulated to maintain a constant temperature, the water flows from the settling chamber 52 through the first and second filters 62 and 64 into the water circulation supply chamber 54 and then to the settling tank 50. After being sent to the heat exchanger 90 installed at the rear of the cooling, it is supplied to the settling chamber 52 again.

한편, 초기에는 침전물이 매우 적어서 제 1필터(62)에 여과물이 많이 부착되지 않으나 이러한 침전이 계속 이어지면 점차 여과물이 많이 부착되어 순환을 방해할 우려가 있는데, 본 발명에서는 제 1필터(62)를 침전 탱크(50)의 바닥으로부터 소정 높이를 두고 위에 설치함으로써 제 1필터(62)에 대한 침전물의 통과량을 감소시켜 물의 순환을 원활하게 한다.On the other hand, in the initial stage, the precipitate is very small, so that the filtrate does not adhere much to the first filter 62. However, if the sediment continues, the filtrate may gradually adhere to the filtrate, thereby preventing the circulation. 62 is installed above the bottom of the settling tank 50 at a predetermined height to reduce the passage amount of the sediment to the first filter 62 to facilitate the circulation of water.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버에 의하면, 반도체 제조 공정에서 발생된 폐 가스는 먼저 연소 챔버에서 연소되고, 연소 후 생성된 가스는 습식 정화조를 통해 정화되어 배출되며, 연소 후 생성된 부산물은 침전 탱크에서 침전되어 제거된다. As described above, according to the direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the waste gas generated in the semiconductor manufacturing process is first burned in a combustion chamber, and the gas generated after combustion is purified and discharged through a wet septic tank. The by-products produced after combustion are precipitated and removed from the settling tank.

이때, 습식 정화조(70)의 다층 구조 의해 연소 후 생성되는 가스는 더욱 확실하게 여과되어 대기로 안전하게 배출된다. At this time, the gas generated after combustion by the multilayer structure of the wet septic tank 70 is more reliably filtered and safely discharged to the atmosphere.

한편, 연소 챔버(34) 및 습식 정화조(70)는 용이하게 조립 및 분해될 수 있는 구조로 이루어져 있어서, 유지 관리 및 보수가 용이하게 이루어질 수 있다. On the other hand, the combustion chamber 34 and the wet septic tank 70 is made of a structure that can be easily assembled and disassembled, it can be made easy to maintain and repair.

또한, 침전 탱크(50)에서는 필터(62,64)에 의해 침전물이 펌프(92)로 유입되 는 것을 방지하고 있으므로 펌프(92)의 고장 발생이 감소된다. In addition, in the settling tank 50, since the precipitates are prevented from entering the pump 92 by the filters 62 and 64, the occurrence of failure of the pump 92 is reduced.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 반도체 제조 공정에서 발생되는 폐 가스를 연소한 후 생성된 가스를 확실하게 여과하여 대기로 안전하게 배출시킬 수 있고, 장치를 용이하게 유지 관리 및 보수할 수 있으며, 연소 후 생성된 부산물의 침전 여과시 여과물의 유입에 기인한 장치의 고장을 감소시킬 수 있다. As described above, according to the present invention, after the waste gas generated in the semiconductor manufacturing process is burned, the generated gas can be reliably filtered and safely discharged to the atmosphere, and the device can be easily maintained and repaired. Precipitation filtration of the by-products produced after combustion can reduce the failure of the device due to the influx of filtrates.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술분야의 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below You will understand.

Claims (8)

처리 대상 폐 가스를 유입시키기 위한 하나 이상의 폐 가스 유입관;One or more waste gas inlet tubes for introducing waste gas to be treated; 상기 폐 가스 유입관에 연결되어 상기 폐 가스를 연소하기 위한 버너;A burner connected to the waste gas inlet pipe to burn the waste gas; 상기 버너와 연결되어 상기 폐 가스의 연소 공간을 제공하는 연소 챔버;A combustion chamber connected with the burner to provide a combustion space of the waste gas; 상기 연소 챔버와 연결되어 상기 연소 챔버에서 연소된 후 생성되는 가스를 정화 처리하기 위한 습식 정화조; A wet septic tank connected to the combustion chamber for purifying a gas generated after being combusted in the combustion chamber; 상기 연소 챔버 및 습식 정화조와 연결되어 연소된 후 생성되는 부산물을 침전 처리하기 위한 침전 탱크; 및 A sedimentation tank connected to the combustion chamber and a wet septic tank for sedimentation of by-products generated after combustion; And 상기 연소 챔버와 침전 탱크 사이에 제공되어 상기 연소 챔버를 상기 버너로부터 분리시키는 분리대를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버.And a separator provided between the combustion chamber and the settling tank to separate the combustion chamber from the burner. 제 1항에 있어서, 상기 습식 정화조는 흡착재들이 복층으로 적재되는 흡착재 층, 다수의 구멍이 형성된 다공 플레이트가 일정 간격을 갖고 복층으로 상하 배치되어 있는 다공 플레이트 층, 와이어 메쉬가 복층으로 배치되는 와이어 메쉬 층, 및 상기 흡착재 층, 다공 플레이트 층 및 와이어 메쉬 층이 내부에 연속 배치되는 중공의 하우징을 포함하고, 상기 흡착재 층 및 와이어 메쉬 층의 인접 위치에는 물 분사용 노즐 조립체가 각각 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버. According to claim 1, wherein the wet septic tank is an adsorbent layer in which the adsorbents are stacked in a double layer, a porous plate layer having a plurality of holes formed in a plurality of holes at a predetermined interval and the upper and lower layers are arranged in a double layer, a wire mesh is arranged in multiple layers And a hollow housing in which the adsorbent layer, the porous plate layer and the wire mesh layer are continuously disposed therein, and adjacent nozzles of the adsorbent layer and the wire mesh layer are provided with a nozzle assembly for water injection, respectively. Direct-burning scrubber for semiconductor manufacturing equipment. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 폐 가스 유입관에는 상기 스크러버와는 다른 스크러버에 연결되는 센서 유닛이 제공되고, 상기 센서 유닛은 상기 폐 가스 유입관의 막힘 여부를 감지하여 다른 스크러버에 작동을 지시하기 위한 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버.According to claim 1 or 2, wherein the waste gas inlet pipe is provided with a sensor unit connected to a scrubber different from the scrubber, the sensor unit detects whether the waste gas inlet pipe is clogged to operate the other scrubber Direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment, characterized in that for outputting a signal for indicating. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 폐 가스 유입관, 버너, 연소 챔버, 습식 정화조, 및 침전 탱크를 내부에 수용하도록 외부 케이스가 제공되고, 상기 외부 케이스의 표면 일측에는 상기 스크러버를 제어하기 위한 컨트롤 패널이 경사상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버.According to claim 1 or claim 2, wherein the outer case is provided to accommodate the waste gas inlet pipe, burner, combustion chamber, wet septic tank, and settling tank therein, the surface of the outer case to control the scrubber Direct-burning scrubber for semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the control panel for the inclined arrangement. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 침전 탱크는 상기 연소 챔버와 습식 정화조로부터 발생되는 부산물을 집수 및 침전시키기 위한 침전실과, 상기 침전실에 물을 순환 공급하기 위한 물 순환 공급실, 상기 침전실과 상기 물 순환 공급실 사이에 제공되어 상기 침전실로부터 상기 물 순환 공급실로 이동되는 침전물을 여과하기 위한 여과실을 포함하며, 상기 여과실은 하나 이상의 벽과 필터로 둘러싸여 제공되고 상기 필터 중 하나는 침전실과 접하고 다른 하나는 물 순환 공급실과 접하도록 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버.According to claim 1 or claim 2, wherein the settling tank is a sedimentation chamber for collecting and settling the by-products generated from the combustion chamber and the wet septic tank, a water circulation supply chamber for circulating and supplying water to the sedimentation chamber, A filtration chamber provided between the water circulation supply chambers and for filtering the precipitates transferred from the precipitation chambers to the water circulation supply chambers, the filtration chambers being provided surrounded by one or more walls and filters and one of the filters contacting the precipitation chambers The other is a direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment, characterized by being provided in contact with the water circulation supply chamber. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 분리대는, 연소 챔버를 하부에서 지지하고 수평 방향으로 인출됨으로써 연소 챔버의 하부로의 이동 공간을 확보할 수 있도록 제공되는 지지대, 상기 지지대의 이동을 가능하게 하기 위하여 상기 지지대의 하단에 맞물리도록 제공되는 가이드, 상기 가이드가 설치될 수 있도록 제공되는 지지 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 직접 연소식 스크러버.The support according to claim 1 or 2, wherein the separator is provided to support the combustion chamber at the bottom and withdraws in the horizontal direction, so as to secure a moving space to the lower part of the combustion chamber. And a support plate provided to engage the bottom of the support, and a support plate provided to install the guide. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 연소 챔버와 상기 침전 탱크를 연결하도록 하부로 갈수록 직경이 작아지는 플랜지가 결합된 다단형 구조의 플랜지 유닛이 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체용 직접 연소식 스크러버. 3. A direct combustion scrubber for semiconductors according to claim 1 or 2, wherein a flange unit having a multi-stage structure is provided with a flange having a smaller diameter toward the bottom to connect the combustion chamber and the sedimentation tank. . 제 7항에 있어서, 상기 침전 탱크로부터 올라오는 연무를 차단하기 위해 상기 플랜지 유닛의 내측 상부에는 질소 기체를 분사하는 노즐이 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 직접 연소식 스크러버. 8. The direct combustion scrubber for semiconductor manufacturing equipment according to claim 7, wherein a nozzle for injecting nitrogen gas is provided at an inner upper portion of the flange unit to block the fumes from the settling tank.
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