KR100609583B1 - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 제 1 질화물 반도체층;상기 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 n-AlInN 클래딩층;상기 n-AlInN 클래딩층 위에 형성된 n-InGaN층;상기 n-InGaN층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 p-InGaN층;상기 p-InGaN층 위에 형성된 p-AlInN 클래딩층;상기 p-AlInN 클래딩층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1 질화물 반도체층;상기 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 n-AlInN 클래딩층;상기 n-AlInN 클래딩층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 p-AlInN 클래딩층;상기 p-AlInN 클래딩층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1 질화물 반도체층;상기 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 p-InGaN층;상기 p-InGaN층 위에 형성된 p-AlInN 클래딩층;상기 p-AlInN 클래딩층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 질화물 반도체층 위에 제 2 전극층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 질화물 반도체층 하부에,기판;상기 기판 위에 형성된 버퍼층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 5항에 있어서,상기 버퍼층은, AlInN/GaN 적층구조, InGaN/GaN 초격자 구조, InxGa1-xN/GaN 적층구조, AlxInyGa1-x,yN/InxGa1-xN/GaN의 적층구조 중에서 선택되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 질화물 반도체층은,In이 도핑된 In-doped GaN층;상기 In-doped GaN층 위에 형성된 제 1 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 7항에 있어서,상기 제 1 전극층은 실리콘과 인듐이 동시 도핑된 GaN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 n-InGaN층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 2항에 있어서,상기 n-AlInN 클래딩층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 3항에 있어서,상기 제 1 전극층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 질화물 반도체층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에, 복수 개의 SiNx 클러스터층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 12항에 있어서,상기 SiNx 클러스터층은 수~수십 옹스트롬(Å)의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 활성층은, InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층으로 형성되는 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 14항에 있어서,상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층과 InzGa1-zN 장벽층 사이에, 상기 InyGa1-yN 우물층의 인듐 변동량을 제어하는 GaN 캡(cap)층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 9항 내지 제 11항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층에 도핑되는 인듐 함량과 상기 InxGa1-xN 층에 도핑되는 인듐 함량은, 각각 0<x<0.1, 0<y<0.35, 0<z<0.1의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 4항에 있어서,상기 제 2 전극층은 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조 또는 In이 포함된 초격자 구조(super lattice structure)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 17항에 있어서,상기 수퍼 그레이딩(super grading) 구조는 n-InxGa1-xN으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 17항에 있어서,상기 초격자 구조는 InGaN/InGaN 초격자 구조 또는 InGaN/AlInGaN 초격자 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 4항에 있어서,상기 제 2 전극층은 n-AlInN층으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 4항에 있어서,상기 제 2 전극층에는 실리콘이 도핑된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 질화물 반도체층 위에 투명 전극이 더 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 4항에 있어서,상기 제 2 전극층 위에 투명 전극이 더 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 22항에 있어서,상기 투명 전극은 투과성 전도성 산화물 또는 투과성 저항성 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 23항에 있어서,상기 투명 전극은 투과성 전도성 산화물 또는 투과성 저항성 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 22항에 있어서,상기 투명 전극은 ITO, ZnO, IrOx, RuOx, NiO의 물질 또는 Ni가 포함된 Au 합금 중에서 선택되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 23항에 있어서,상기 투명 전극은 ITO, ZnO, IrOx, RuOx, NiO의 물질 또는 Ni가 포함된 Au 합금 중에서 선택되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 2항에 있어서,상기 활성층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에 p-InGaN층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 인듐이 도핑된 In-doped GaN층을 형성하는 단계;상기 In-doped GaN층 위에 제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 위에 n-AlInN 클래딩층을 형성하는 단계;상기 n-AlInN 클래딩층 위에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 p-AlInN 클래딩층을 형성하는 단계;상기 p-AlInN 클래딩층 위에 p-GaN층을 형성하는 단계;상기 p-GaN층 위에 제 2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 인듐이 도핑된 In-doped GaN층을 형성하는 단계;상기 In-doped GaN층 위에 제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 위에, 빛을 방출하는 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 p-InGaN층을 형성하는 단계;상기 p-InGaN층 위에 p-AlInN 클래딩층을 형성하는 단계;상기 p-AlInN 클래딩층 위에 p-GaN층을 형성하는 단계;상기 p-GaN층 위에 제 2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 29항 또는 제 30항에 있어서,상기 버퍼층은, AlInN/GaN 적층구조, InGaN/GaN 초격자 구조, InxGa1-xN/GaN 적층구조, AlxInyGa1-x,yN/InxGa1-xN/GaN의 적층구조 중에서 선택되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 29항 또는 제 30항에 있어서,상기 제 1 전극층은 실리콘과 인듐이 동시 도핑된 GaN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 29항에 있어서,상기 n-AlInN 클래딩층과 상기 활성층 사이에 또는 상기 활성층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에 n-InGaN층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 33항에 있어서,상기 n-InGaN층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 29항에 있어서,상기 n-AlInN 클래딩층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 30항에 있어서,상기 제 1 전극층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 34항 내지 제 36항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 InxGa1-xN층의 하부와, 상기 InxGa1-xN층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에 복수 개의 SiNx 클러스터층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 37항에 있어서,상기 SiNx 클러스터층은 수~수십 옹스트롬(Å)의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 29항 또는 제 30항에 있어서,상기 활성층은, InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층으로 형성되는 단일양자우물 구조 또는 다중양자우물구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 39항에 있어서,상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층과 InzGa1-zN 장벽층 사이에, 상기 InyGa1-yN 우물층의 인듐 변동량을 제어하는 GaN 캡(cap)층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 29항 또는 제 30항에 있어서,상기 제 2 전극층은 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조의 n-InxGa1-xN층 또는 InGaN/InGaN 초격자 구조(super lattice structure)층 또는 InGaN/AlInGaN 초격자 구조층 또는 n-AlInN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 29항 또는 제 30항에 있어서,상기 활성층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에 p-InGaN층을 형성하는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 29항 또는 제 30항에 있어서,상기 제 2 전극층에 투명 전극이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 43항에 있어서,상기 투명 전극은 투과성 전도성 산화물 또는 투과성 저항성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
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