KR100601891B1 - Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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신규호
문창렬
최진승
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Abstract

반사면을 가지는 LED 수용부를 갖춘 패키지 바디; LED 수용부에 설치되는 LED; LED에 전기적으로 연결되는 제1 및 제2도체부와 제1 및 제2도체부를 절연시키는 부도체부를 가지며, 양단이 패키지 바디의 외부로 노출되도록 패키지 바디의 내부에 설치되는 리드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지가 개시된다.
LED, 패키지, 방열, 기판, 열전달, 리드

Description

ＬＥＤ 패키지 및 그 제조방법{LED PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD}
도 1은 일반적인 LED 패키지의 한 예를 나타낸 단면도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 분리 사시도.
도 3a는 도 2에 도시된 LED 패키지의 결합 단면도.
도 3b는 도 3a에 도시된 LED 패키지의 요부를 발췌하여 나타내 보인 평면도.
도 3c는 도 3b의 Ⅰ-Ⅰ선 단면도.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명 LED 패키지의 리드 제조공정을 설명하기 위한 도면.
도 5a 및 도 5b는 리드 제조공정의 다른 예를 설명하기 위한 도면.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 리드를 대량으로 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명 리드의 다른 예를 나타내 보인 개략적인 평면도.
도 8은 본 발명 반사부재의 다른 예를 나타내 보인 개략적인 단면도.
도 9a는 본 발명 리드의 또 다른 실시예를 나타내 보인 평면도.
도 9b는 도 9a의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도.
도 9c는 도 9a의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도.
도 10a는 본 발명 리드의 또 다른 실시예를 나타내 보인 평면도.
도 10b는 도 10a의 Ⅳ-Ⅳ선 단면도.
도 10c는 도 10a의 Ⅴ-Ⅴ선 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10..패키지 바디 11..베이스 바디
13,13´..반사부재 20..LED
30..리드 31,33..제1 및 제2도체부
31a,33a..제1 및 제2전극부 31b,33b..제1 및 제2외부단자부
35..부도체부 36,37..제1 및 제2금속층
40..솔더 50..렌즈
110..금속기판 120.130,140..마스크
본 발명은 액정표시장치(LCD) 등의 백 라이트 유닛(Back Light Unit) 및 조명용으로 사용 가능한 발광소자(Light Emitting Diode;이하 "LED"라 한다) 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
LED는 수명이 길고 소비전력이 적다는 이점이 있어 전기, 전자분야뿐만 아니라 광고분야에서도 많이 사용되고 있다. 최근 LED를, 예컨대 액정표시장치의 백 라이트 유닛으로 이용하려는 시도가 활발히 진행되고 있으며, 향후 옥내외 조명으로 일상 생활에서도 널리 사용될 것이다. 이와 같이 LED의 적용범위가 확대됨에 따라 소형이면서도 열 방출이 용이한 LED 패키지에 대한 관심이 높아지고 있다.
LED를 액정표시장치의 백 라이트 유닛이나 조명용으로 사용하기 위해서는 높은 파워(High Power)가 요구된다. 그러나 LED의 성능은 온도 상승에 따라 지수 함수적으로 급격히 감소하기 때문에, LED 패키지의 방열은 매우 중요하게 다루어져야 한다.
도 1은 일반적인 LED 패키지의 한 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도시된 바와 같이, LED 패키지는 LED(1), 이 LED(1)가 탑재된 방열부재(2), 리드(3)(3'), 상기 LED(1)와 리드(3)(3')를 전기적으로 연결하는 와이어(4)(4') 및 상기 방열부재(2)와 리드(3)(3')를 에워 싸는 바디(5)를 구비한다.
상기 방열부재(2)는 그 상하부가 노출되어 있으며, 이 방열부재(2)의 상부에는 절연층(6)이 배치되어 있다. 상기 절연층(6)의 중앙부에 LED(1)가 접착제(7)에 의해 본딩되어 있고, 절연층(6)의 양측에는 상기 리드(3)(3')의 일단이 배치되어 있다. 상기 리드(3)(3')의 타단은 바디(5)의 양측에서 외부로 돌출되어 있다. 상기 와이어(4)(4')는 상기 LED(1)와 상기 리드(3)(3')의 일단을 연결하도록 설치되어 있다. 도면에서는 도시를 생략하였으나, 상기 바디(5)의 상부에는 LED(1)를 밀봉하기 위한 캡이 설치될 수 있다.
상기와 같은 일반적인 LED 패키지는 기판(10)의 패드(11)(11')와 리드(3)(3')의 타단부가 솔더링되는 것에 의해 기판에 실장된다. 또한, LED 패키지의 방열부재(2)와 기판(10) 사이에는 솔더(12)가 개재되어, LED(1)에서 발생한 열이 방열부재(2), 상기 솔더(12) 및 기판(10)을 통하여 방출되도록 되어 있다.
그러나 상기한 바와 같은 일반적인 LED 패키지는 서로 다른 재질 간의 접촉으로 이루어지는 비교적 긴 열전달 경로(LED→절연층→방열부재→솔더→기판)를 가짐으로써 열 저항의 증가로 방열 성능이 좋지 못하다. 따라서, 하이 파워 LED의 패키지로는 적합하지 않다.
즉, 열저항(Rth)은 Rth = L/(k*A)의 식으로 나타낼 수 있는바, 상기 식에 의하면, 열 저항은 두께 또는 열전달경로(L)가 짧을수록, 그리고, 열전도도(k)와 방열면적(A)이 클수록 감소된다. 그러나 종래의 LED 패키지는 서로 다른 재질의 접촉부를 가지며, 또한, 패키지와 기판의 두께로 인해 위와 같이 열전달 경로가 길어짐으로써 열저항이 증가할 수밖에 없다.
LED 패키지의 방열 성능이 좋지 못하면 LED의 수명이 단축됨은 물론 고온으로 인해 주변 부품이 열화되고 열변형 됨으로써 시스템의 치명적인 손상을 야기할 수 있다.
한편, 상기와 같은 LED 패키지는 별도의 와이어 본딩 공정이 필요하고, 또 그러한 LED 패키지로 LED 어레이 모듈을 구성하는 경우 다수의 패키지를 기판에 솔더링하는 공정을 필요로 하는 등 조립 공수 증가 및 이로 인한 제조 비용 상승의 문제도 있다.
또한, 최근에는 LED의 광효율 및 성능 향상을 위해 LED 상의 전극패턴이 복잡해짐에 따라서, 다수의 전극을 도선을 이용하여 리드와 연결하는 공정이 어려워 지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, 방열 성능이 우수하여 하이 파워 LED의 패키지에 적합하고 간단한 구성에 의해서 복잡한 전극을 가지는 LED에 적용 가능하도록 구조가 개선된 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 LED 패키지는, 반사면을 가지는 LED 수용부를 갖춘 패키지 바디; 상기 LED 수용부에 설치되는 LED; 상기 LED에 전기적으로 연결되는 제1 및 제2도체부와 상기 제1 및 제2도체부를 절연시키는 부도체부를 가지며, 양단이 상기 패키지 바디의 외부로 노출되도록 상기 패키지 바디의 내부에 설치되는 리드;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 패키지 바디는, 베이스 바디; 및 상기 리드를 사이에 두고 상기 베이스 바디의 상부에 결합되며, 상기 LED 수용부를 가지는 반사부재;를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 베이스 바디와 상기 반사부재의 서로 마주하는 면들 중에서 적어도 어느 한 면에는 상기 리드가 안착되는 리드 장착부가 형성된 것이 좋다.
또한, 상기 베이스 바디와 상기 반사부재는 열전도성 재질로 형성되며, 상기 부도체부에 의해서 상기 제1 및 제2도체부와 절연되는 것이 좋다.
또한, 상기 제1도체부는 상기 LED 수용부로 노출되어 상기 LED에 전기적으로 연결되는 제1전극부와 상기 패키지 바디의 외부로 노출되는 제1외부단자부를 가지며, 상기 제2도체부는 상기 LED 수용부로 노출되어 상기 LED에 전기적으로 연결되는 제2전극부와 상기 패키지 바디의 외부로 노출되는 제2외부단자부를 가지는 것이 좋다.
또한, 상기 제1 및 제2전극부 각각은 상기 LED 수용부로 노출되어 상기 LED에 전기적으로 연결되며, 서로 이격된 하나 이상의 노출면을 가지는 것이 좋다.
또한, 상기 제1 및 제2전극부에 전기적으로 연결되게 상기 리드의 외측면에 마련되며, 상기 LED와 전기적으로 연결되는 제1 및 제2금속층을 더 포함하는 것이 좋다.
또한, 상기 베이스 바디와 상기 반사부재 및 상기 리드는 접착제에 의해서 서로 결합되는 것이 좋다.
또한, 상기 LED 수용부를 덮도록 설치되는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 LED는 솔더에 의해서 상기 제1 및 제2도전체와 전기적으로 연결되는 것이 좋다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 LED 패키지 제조방법은, a) LED가 수용되며 반사면을 가지는 LED 수용부와 상기 LED 수용부와 연통되는 리드 장착부를 가지는 패키지 바디를 준비하는 단계; b) 상기 LED 수용부로 노출될 제1 및 제2도체부와 상기 도체부들간을 절연시키고 상기 도체부들과 상기 패키지 바디를 절연시키는 부도체부를 가지는 리드를 제조하는 단계; c) 상기 리드를 상기 패키지 바디의 안착부에 설치하는 단계; 및 d) 상기 LED 수용부에 수용된 채 상기 제1 및 제2도체부 각각에 전기적으로 연결되게 LED를 설치하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 a) 단계는, a1) 열전도성 재질로 형성되는 베이스 바디를 마련하는 단계; a2) 상기 리드를 사이에 두고 상기 베이스 바디와 결합되며, 상기 LED 수용부가 관통형성된 반사부재를 마련하는 단계; 및 a3) 상기 베이스 바디와 상기 반사부재의 서로 마주하는 면들 중에 어느 한 면에 상기 리드 장착부를 형성하는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 b) 단계는, b1) 금속기판의 소정 부분을 1차로 산화시켜 부분적으로 부도체화하여 서로 절연된 제1 및 제2도체부를 형성하는 단계; b2) 상기 금속기판의 소정 부분을 2차로 산화시켜 부분적으로 부도체화하여 상기 LED와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 바디와는 절연되는 제1 및 제2전극부와, 상기 제1 및 제2전극부와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 바디와 절연될 제1 및 제2외부단자부를 형성하는 단계; 및 b3) 상기 금속기판의 외부로 노출된 제1 및 제2전극부에 금속층을 패터닝하여 형성하는 단계;를 포함하는 것이 좋다.
또한, c) 단계는, c1) 상기 베이스 바디 또는 상기 반사부재에 형성된 리드 장착부에 상기 리드를 접착제로 접착시키는 단계; 및 c2) 상기 베이스 바디와 상기 반사부재 사이에 상기 리드가 개재되도록 상기 베이스 바디와 상기 반사부재를 접착제로 부착하는 단계;를 포함하는 것이 좋다.
또한, 상기 c1) 단계 및 c2) 단계에서는 도전성 접착제를 이용하는 것이 좋다.
또한, 상기 패키지 바디는 금속재질로 형성되며, 상기 리드의 도체부는 알루미늄 재질로 형성된 것이 좋다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 LED 패키지 제조방법은, a) LED가 수용되며 반사면을 가지는 LED 수용부와 상기 LED 수용부와 연통되는 리드 장착부를 가지는 패키지 바디를 복수 준비하는 단계; b) 상기 LED 수용부로 노출될 제1 및 제2도체부 및 상기 도체부들간을 절연시키고 상기 도체부들과 상기 패키지 바디를 절연시키는 부도체부를 가지는 리드를 금속기판에 복수 제조하는 단계; c) 상기 복수의 리드가 상기 패키지 바디 각각의 안착부에 개재되도록 결합하는 단계; d) 상기 복수의 패키지 바디의 LED 수용부에 수용된 채 상기 제1 및 제2도체부 각각에 전기적으로 연결되게 복수의 LED를 설치하는 단계; 및 e) 상기 금속기판으로부터 상기 리드를 분리하여 복수의 단위 LED 패키지를 완성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 a) 단계는, a1) 열전도성 재질로 형성되는 베이스 바디를 마련하는 단계; a2) 상기 리드를 사이에 두고 상기 베이스 바디와 결합되며, 상기 LED 수용부가 관통형성된 반사부재를 마련하는 단계; 및 a3) 상기 베이스 바디와 상기 반사부재의 서로 마주하는 면들 중에 어느 한 면에 상기 리드 장착부를 형성하는 단계;를 포함하는 것이 좋다.
또한, 상기 b) 단계는, b1) 금속기판의 소정 부분을 1차로 산화시켜 부분적으로 부도체화하여 서로 절연된 제1 및 제2도체부를 형성하는 단계; b2) 상기 금속기판의 소정 부분을 2차로 산화시켜 부분적으로 부도체화하여 상기 LED와 전기적으 로 연결되며 상기 패키지 바디와는 절연되는 제1 및 제2전극부와, 상기 제1 및 제2전극부와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 바디와 절연될 제1 및 제2외부단자부를 형성하는 단계; b3) 상기 금속기판의 외부로 노출된 제1 및 제2전극부에 금속층을 패터닝하여 형성하는 단계; 및 b4) 상기 금속기판을 부분적으로 제거하여 복수의 리드가 서로 이격되도록 하는 단계;를 포함하는 것이 좋다.
또한, c) 단계는, c1) 상기 베이스 바디 또는 상기 반사부재에 형성된 리드 장착부에 상기 리드를 접착제로 접착시키는 단계; 및 c2) 상기 베이스 바디와 상기 반사부재 사이에 상기 리드가 개재되도록 상기 베이스 바디와 상기 반사부재를 접착제로 부착하는 단계;를 포함하는 것이 좋다.
또한, 상기 c1) 및 c2) 단계에서는 도전성 접착제를 이용하는 것이 좋다.
또한, 상기 b4) 단계에서는, 상기 제1 및 제2외부단자부의 폭이 상기 패키지 바디에 결합되는 부분과 서로 다른 폭을 갖도록 상기 금속기판을 펀칭 가공하는 것이 좋다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지와 그 제조방법을 자세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 의한 LED 패키지의 개략적인 분리 사시도이다. 도 2를 참조하면, 제1실시예에 따른 LED 패키지는, 패키지 바디(10)와, LED(20)와, 상기 LED(20)가 탑재되며 상기 패키지 바디(10)에 결합되는 리드(30)를 구비한다.
상기 패키지 바디(10)는 베이스 바디(11)와 베이스 바디(11)의 상부에 결합 되는 반사부재(13)를 구비한다. 상기 베이스 바디(11)는 대략 원형의 단면형상을 가지며, 열전도성이 우수한 금속재질로 형성된다. 그리고 베이스 바디(11)의 상기 반사부재(13)와 마주하는 일면(11a)에는 리드 장착부(11b)가 형성된다. 상기 리드 장착부(11b)는 베이스 바디(11)의 일면(11a)에 대해서 소정 깊이로 인입되게 식각되어 형성된다.
상기 반사부재(13)는 상기 베이스 바디(11)에 대응되는 형상을 가진다. 이 반사부재(13)는 LED(20)가 수용되며 광 반사면(13a)을 가지는 LED 수용부(13b)를 가진다. 상기 LED 수용부(13b)는 도 3a에 도시된 바와 같이, 상하로 관통형성된 구성을 가진다. 그리고 상기 반사면(13a)은 LED 수용부(13b)의 내주면으로서 그 내경이 광의 소요방향으로 점진적으로 확장된 구성을 가진다. 상기 LED 수용부(13b)에 LED(20)가 완전히 수용될 수 있도록 반사부재(13)의 두께는 상기 LED(20)보다 두껍게 형성된다. 이러한 구성을 가지는 반사부재(13)도 금속재질로 형성된다.
상기 LED(20)는 그 전극이 적어도 일면에 형성되어 있으며, 상기 리드(30)와는 솔더(40)에 의해 소위 플립 칩 본딩(flip-chip bonding)에 의해 전기적으로 연결된다.
상기 리드(30)는 상기 베이스 바디(11)와 반사부재(13) 사이에 개재된 상태로, 상기 LED 수용부(13b)에 수용되는 LED(20)와 전기적으로 연결되게 설치된다. 이러한 리드(30)는 도 3b 및 도 3c에 구체적으로 도시된 바와 같이, 제1 및 제2도체부(31)(33)와 상기 도체부들(31)(33)을 절연시키는 부도체부(35)를 가진다.
상기 도체부들(31,33)과 부도체부(35)는 일체로 형성되며, 상기 부도체부 (35)는 상기 도체부들(31,33)과 동일한 금속부분을 부분적으로 산화공정에 의해 부도체화하여 형성된다.
상기 제1도체부(31)는 LED(20)에 전기적으로 연결하기 위한 제1전극부(31a)와 제1전극부(31a)에 전기적으로 연결되며 패키지 바디(10)의 외측으로 연장되는 제1외부단자부(31b)를 가진다. 상기 제1전극부(31a)는 일부가 상기 리드(30)의 상면 즉, LED 수용부(13b)로 노출되며, 나머지 부분은 부도체부(35)에 의해서 외부로부터 절연된 구성을 가진다. 상기 제1외부단자부(31b)는 LED 패키지를 회로기판 등에 설치할 때, 회로 기판상의 단자와 연결시키기 위한 것이다.
상기 제2도체부(33)는 LED(20)에 전기적으로 연결되는 제2전극부(33a)와 제2전극부(33a)와 전기적으로 연결되는 제2외부단자부(33b)를 가진다. 상기 제2전극부(33a)는 제1전극부(31a)와 부도체부(35)에 의해서 절연되며, 상기 LED(20)와 전기적으로 연결될 수 있도록 소정 부분이 리드(30)의 상면으로 노출된다. 그리고 제2전극부(33a)는 부도체부(35)에 의해 감싸여진 상태로 패키지 바디(10)와는 전기적으로 절연된다. 상기 제2외부단자부(33b)는 제2전극부(33a)와 전기적으로 연결되며, 상기 제1외부단자부(31b)의 반대쪽에 위치한다. 이 제2외부단자부(33b)도 패키지 바디(10)의 외부로 노출된다. 상기 구성의 리드(30)는 베이스 바디(11)의 장착부(11b)에 안착된다. 이때, 리드(30)와 베이스 바디(11)의 접촉부분은 부도체부(35)에 해당되므로, 제1 및 제1도체부(31,33)는 베이스 바디(11)와 절연된 상태로 결합될 수 있다. 여기서, 상기 리드(30)를 베이스 바디(11)와 반사부재(13)에 접착시 열전도성이 우수한 도전성 접착제 예컨대, 실버-에폭시(Ag-epoxy), 실버 페이스 트(Silver paste), Au-Sn, Pb-Sn과 같은 솔더 물질로 패키징할 수 있다.
또한, 상기 부도체부(35)는 구체적으로는 상기 제1 및 제2도체부(31,33)를 절연시키기 위한 제1절연부(35a)와, 제1 및 제2도체부(31,33) 각각을 패키지 바디(10)와 절연시키기 위한 제1절연부(35b)로 구분할 수 있다. 상기 제1절연부(35a)는 리드(20)의 소정 부분을 그 리드(20)의 두께만큼 산화시켜서 형성된다. 그리고 상기 제2절연부(35b)는 리드(20)의 상하 양측면에 소정 두께로 형성되며, 상기 제1절연부(35a)를 산화공정을 통해 형성한 뒤, 2차로 산화공정을 통해 형성시킬 수 있다.
상기 구성을 가지는 리드(30)의 제1 및 제2도체부(31,33)는 금속으로 형성되며, 상기 부도체부(35)와 일체로 형성된 단일 부품이다. 상기 부도체부(35)는 상기 제1 및 제2도체부(31)(33)를 형성하는 금속의 산화물로 형성됨이 바람직하다. 또한, 상기 리드(30)의 제1 및 제2도체부(31,33)는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 형성되며, 상기 부도체부(35)는 알루미늄 기판을 부분적으로 산화시켜서 부도체화하여 된 산화알루미늄(Al2O3)인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 및 제2전극부(31a,33a)에 전기적으로 연결되게 설치되는 제1 및 제2금속층(36,37)을 더 구비한다. 이 제1 및 제2금속층(36,37)은 리드(30)의 외측면에 금속물질을 소정 두께로 패터닝하여 형성된다. 상기 금속층(36,37)의 상부에 상기 LED(20)가 솔더(40)에 의해서 전기적으로 본딩된다. 여기서, 상기 제1 및 제2금속층(36,37)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 백금(Pt), 은(Ag), 티타늄(Ti), 크롬 (Cr), 금(Au), 니켈(Ni)을 포함하는 금속물질 중에서 선택된 적어도 어느 한 물질로 단층 또는 복합층으로 증착, 스퍼터링, 도금과 같은 방법으로 형성될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 LED 패키지 제조방법을 자세히 살펴보기로 한다.
먼저, 상기 베이스 바디(11)에 리드 장착부(11b)를 식각하여 준비하고, 반사부재(13)는 LED 수용부(13b)를 형성하여 준비한다.
다음으로, 상기 리드(30)를 제조하는데, 그 구체적인 방법은 다음과 같다.
즉, 도 4a에 도시된 바와 같이, 리드의 모재가 되는 금속기판(110)의 양면에 마스크(120)를 패터닝하여 금속기판(110)의 소정 부분(111)을 노출시킨다.
노출된 부분(111)은 도 4b에 도시된 바와 같이, 양극 산화공정을 통해 산화시켜서 부분적으로 부도체화됨으로써, 금속기판(110)이 산화되어 부도체화된 부분(112)에 의해서 서로 절연된 한 쌍의 도체부들(113,114)로 구분된다.
그런 다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 금속기판(110)의 양면을 다시 소정 형상으로 마스크(130)로 패터닝하여 소정 부분(115,116)을 노출시킨다. 노출된 부분(115,116)은 도 4d에 도시된 바와 같이, 2차로 양극 산화됨으로써 부분적으로 부도체화된다. 그러면, 금속기판(110)은 최종적으로 도 3c에서 설명한 바와 같이, 제1 및 제2도체부(31,33)에 대응되는 제1 및 제2도체부(31´,33´)와, 부도체부(35´)가 형성된다.
다음으로, 도 4e에 도시된 바와 같이, 금속기판(110)의 상면에 마스크(140)를 패터닝하여 상기 제1 및 제2전극부(31a,33a)에 대응되는 부분을 노출시킨다.
그리고 나서 도 4f에 도시된 바와 같이, 패터닝된 마스크(140)에 금속물질(150)을 증착한 뒤, 마스크(140)를 제거하면, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1 및 제1금속층(36,37)이 형성된다.
상기와 같이 금속기판(110)을 마스크 패터닝하고 산화하는 공정을 1차 및 2차로 반복 수행하여 금속기판(110)을 도체부와 부도체부로 구분하여 형성할 수 있다. 그런 다음, 1차 및 2차로 산화처리된 금속기판에 금속층을 증착, 스퍼터링, 도금 등의 방법으로 형성함으로써, 도 3c에 도시된 바와 같은 리드(30)를 용이하게 제조할 수 있다.
한편, 상기와 같이, 형성된 리드(30)는 먼저 상기 베이스 바디(11)의 리드 장착부(11b)에 본딩하여 접합시킨다. 이때, 본딩하는 접착제로서는 앞서 설명한 바와 같이, 열전도성이 좋은 도전성 접착제를 사용하는 것이 바람직하다.
그런 다음, 반사 부재(13)를 베이스 바디(11)의 상부에 도전성 접착제에 의해서 접합한다. 이어서, 상기 LED(20)를 솔더(40)를 이용하여 제1 및 제2금속층(36,37)에 본딩하게 되면, LED(20)의 하면에 마련된 전극들은 제1 및 제2전극부(31a,33a)에 각각 전기적으로 연결되어 패키징이 완료된다. 여기서, 상기 베이스 바디(11)와 반사 부재(13)는 금속재질이므로, 서로 본딩 또는 용접에 의해서 접합이 가능하다.
또한, 필요에 따라서는, 도 3a에 도시된 바와 같이, LED(20)를 탑재한 다음에, 반사부재(13)에 렌즈(50)를 최종적으로 설치할 수 있다. 상기 렌즈(50)도 본딩에 의해서 접합 될 수 있다. 그리고 상기 리드(30)는 패키지 바디(10)의 외측으로 노출된 부분을 소정의 외력에 의해서 굽힘 및 변형이 가능하므로 자유롭게 변형시켜서 외부 단자와 연결시킬 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 산화 공정에 의해서 리드(30)를 제조하게 되면, 제1 및 제2도체부(31,33) 및 부도체부(35)를 일체로 형성할 수 있어 제조 공정이 간단하고, 패키지 바디(10)와의 결합이 간단하여 생산성을 높일 수 있게 된다.
또한, 리드(30)가 패키지 바디(10)와 절연되는 상태이므로, 열전도성이 좋은 도전성 접착제를 이용하여 리드(30)를 결합할 수 있기 때문에, LED(20)에서 발생하는 구동열을 리드(30)와 패키지 바디(10)를 통해서 외부로 방열시키는 효율을 높일 수 있게 된다.
한편, 상기 도 4a 도 4b를 통해 설명한 예에서는, 금속기판(110)의 상부에 마련된 마스크만을 패터닝하여 금속기판(110)의 상면만을 노출시켜서 산화시킨 것을 예로 들었으나, 이는 예시적인 것에 불과하다 즉, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 금속기판(110)의 양면에 마련된 마스크(120) 각각을 패터닝하여 금속기판(110)의 상하면 각각의 일정 부분을 노출시킨 뒤, 산화 공정을 통해서 부도체부(112´)를 형성시킬 수도 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지 제조 방법을 살펴보면 다음과 같다. 즉, LED 패키지를 대량으로 생산하는 경우에는 먼저 도 6a에 도시된 바와 같이, 복수의 리드를 형성시킬 수 있을 정도로 충분히 큰 금속기판(110)을 준비한다. 그런 다음, 그 금속기판(110)에 앞서 도 4a 내지 도 4d에 도시된 바와 같이, 1차 및 2차 산화 공정을 통해서 서로 이격된 복수의 부분들을 부도체화한다. 도 6b 에서 도면부호 210은 부분적으로 부도체화된 부분을 나타낸다. 그런 다음, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 부분적으로 부도체화된 부분들(210)로 노출된 도체부들(220)에 금속층들(230)을 형성한다. 상기 금속층(230)은 앞서 도 4e 및 도 4f를 통해 설명한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
이어서, 도 6d에 도시된 바와 같이, 금속기판(110)의 소정 부분들을 펀칭하여 제거한다. 도 6d에서 도면부호 117은 펀칭되어 제거된 부분을 나타낸다. 상기 펀칭되어 제거된 부분들에 의해서 개별 단위의 리드(30)가 복수 마련되며, 그 각각은 금속기판(110)에 의해 서로 소정 거리 이격된 채 일체로 연결되어 있다.
상기와 같이 복수의 리드(30)를 동시에 형성시킨 다음에, 상기 복수의 리드(30) 각각에 패키지 바디(10)와 LED(20)를 접합하여 패키징하여 복수의 LED 패키지를 형성한다. 그런 다음, 각 리드(30)의 양단을 절단하게 되면, 단위별 LED 패키지가 완성된다. 이와 같이, 리드(30)를 하나의 금속기판(110)을 이용하여 동시에 복수 형성시키고, 복수로 형성된 리드(30)에 LED(20)와 패키지 바디(10)를 패키징함으로써, 제조시간이 단축되고, 대량 생산이 용이하게 된다.
한편, 도 6d에서 금속기판(110)을 펀칭하여 제거할 때, 제거된 부분(117)의 형상을 적절히 조절함에 따라서, 리드(30)의 폭을 조절하고 형상을 적절히 조정할 수 있게 된다.
즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 리드(30)의 양단부 쪽이 중앙부보다 작은 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 이와 같은 구성의 리드(30)는 상기 펀칭과정에서 펀칭하여 제거될 부분을 적절히 설계함으로써 가능하게 된다. 즉, 패키지 바디(10)와 접촉되는 부도체부(35)의 폭은 상대적으로 넓게 하여 패키지 바디(10)와의 접촉면적을 넓힘으로써, 열전달 및 방열의 효율을 높일 수 있다.
반면에, 패키지 바디(10)의 외부로 노출되는 제1 및 제2외부단자부(31b,33b)는 그 폭을 부도체부(35)보다 좁게 형성함으로써, LED 패키지를 회로 기판 등에 설치할 때, 주위 부품이나 단자들과의 접촉을 피할 수 있고, 설치 공간이 협소함을 극복할 수 있게 된다.
또한, 앞서 도 2의 경우에는, 리드 장착부(11b)가 베이스 바디(11)에 형성된 것을 예로 들어 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 반사부재(13´)의 하면에 리드 장착부(13c)를 소정 깊이로 인입 형성되게 형성할 수도 있다.
또한, 도시하지는 않았으나, 베이스 바디(11)와 반사부재(13) 각각의 접합되는 면 각각에 리드 장착부를 형성하여 리드(30)가 개재될 수 있도록 구성할 수도 있다.
또한, 도 9a 내지 도 9c에 도시된 바와 같이, 적어도 어느 한 전극부(231)는 외부로 노출되는 복수의 노출면(S1)을 가질 수 있다. 상기 노출면(S1)은 리드(230)의 외측면에서 분리되어 형성되며, 다른 전극부(233)와는 부도체부(235)에 의해서 절연되어 있다. 그리고 상기 복수의 노출면(S1) 각각에는 금속층(236)이 소정 두께로 형성된다. 물론, 다른 전극부(233)의 노출면(S2)에도 금속층(237)이 소정 두께로 형성된다. 이와 같은 구성에 의하면, 도 9a에 도시된 바와 같이, LED(20)가 전기적으로 연결되는 전극패턴을 다양한 구조로 형성할 수 있게 된다. 따라서, 최근 에 광파워를 향상시키기 위해서 복잡한 패드 형태를 갖는 LED 칩에 능동적으로 대처할 수 있게 된다. 특히, 상기 전극부(233)의 경우에는 부도체부(235) 상에서 다른 전극부(231)와 절연될 수 있는 한도 내에서 소정 패턴으로 형성시키는 것이 가능하기 때문에, 다양한 패턴을 형성시킬 수 있게 된다. 도 9a의 경우에는, 한 금속층(237)의 주위에 다른 금속층(236)이 분산되어 형성된 패턴구조를 나타낸다.
이와는 달리, 타 전극에 의해서 둘러싸여 있는 소위 섬 형상(Island type)의 패드들을 갖는 LED 칩을 탑재할 수 있도록 도 10a 내지 도 10c에 도시된 바와 같은 리드(330)도 제조할 수 있다.
즉, 제1전극부(331)의 노출면(S1)을 복수 형성시킨 다음에, 그 노출면(S1)에 인접되게 제2전극부(333)의 노출면(S2)을 형성시킨다. 그런 다음, 상기 노출면(S1) 상에 금속층(336)을 소정 두께로 형성하여 외부에서는 서로 이격된 구조를 만든다. 그리고 다른 노출면(S2) 상에 금속층(337)을 형성하되, 상기 금속층(336)의 일부를 둘러싸도록 부도체부(335)의 외측면에도 금속층(337)을 패턴형성시킴으로써, 도 10a에 도시된 바와 같은 전극 패턴을 형성시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 금속기판을 부분적으로 산화시키는 공정과, 금속을 산화처리된 금속기판 상에 부분적으로 증착하는 공정을 통해서 다양한 형태의 전극패턴을 형성하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 복잡한 구성을 가지는 LED의 경우에도 리드를 쉽게 연결할 수 있는 이점이 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 LED 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 간단한 제조공정을 통해 방열 성능이 우수하고 경박단소형의 LED 패키지를 제조할 수 있다. 따라서, 액정표시장치의 백 라이트 유닛이나 조명용으로 사용되는 하이 파워 LED 패키지를 저가로 용이하게 구현할 수 있으며, 저가이면서 높은 신뢰도의 LED 어레이 모듈 또한 쉽게 제공할 수 있다.
또한, LED를 와이어와 같은 도선을 이용하여 전기적으로 연결시킬 필요가 없이, 플립 칩 본딩에 의해서 패키징이 가능하므로, 패키징 공정이 용이하며, 복잡한 구성의 전극 패드 구조를 가지는 LED에 대해서도 별도의 서브마운트 없이 본딩에 의해서 패키징이 가능하여 제작비용을 절감시키고, 생산성을 높일 수 있게 된다.
또한, 부도체부를 일체로 가지는 하나의 리드만으로 LED의 전극에 전기신호를 인가할 수 있기 때문에 부품 수가 감소하여 조립성이 향상된다.
또한, LED가 리드와 솔더에 의해서 접속되고, 패키지 바디도 금속물질로 형성됨으로써, LED의 구동열을 주위로 원활하게 방열할 수 있는 이점이 있다.
또한, 리드 자체에 절연부분이 있기 때문에, 리드와 패키지 바디의 결합시 열전도성이 우수한 도전성 접착제를 사용할 수 있어 패키지의 방열 성능을 향상시킬 수 있다.

Claims (30)

  1. 반사면을 가지는 LED 수용부를 갖춘 패키지 바디;
    상기 LED 수용부에 설치되는 LED; 및
    상기 LED에 전기적으로 연결되는 제1 및 제2도체부와 상기 제1 및 제2도체부 를 절연시키는 부도체부를 가지며, 양단이 상기 패키지 바디의 외부로 노출되도록 상기 패키지 바디의 내부에 설치되는 리드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패키지 바디는,
    베이스 바디; 및
    상기 리드를 사이에 두고 상기 베이스 바디의 상부에 결합되며, 상기 LED 수용부를 가지는 반사부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  3. 제2항에 있어서, 상기 베이스 바디와 상기 반사부재의 서로 마주하는 면들 중에서 적어도 어느 한 면에는 상기 리드가 안착되는 장착부가 형성된 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  4. 제2항에 있어서, 상기 베이스 바디와 상기 반사부재는 열전도성 재질로 형성되며, 상기 부도체부에 의해서 상기 제1 및 제2도체부와 절연되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2도체부는 금속물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 부도체부는 상기 제1 및 제2도체부를 형성하는 금속물질의 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2도체부는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 부도체부는 산화 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1도체부는 상기 LED 수용부로 노출되어 상기 LED에 전기적으로 연결되는 제1전극부와 상기 패키지 바디의 외부로 노출되는 제1외부단자부를 가지며,
    상기 제2도체부는 상기 LED 수용부로 노출되어 상기 LED에 전기적으로 연결되는 제2전극부와 상기 패키지 바디의 외부로 노출되는 제2외부단자부를 가지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극부 각각은 상기 LED 수용부로 노출되어 상기 LED에 전기적으로 연결되며, 서로 이격된 하나 이상의 노출면을 가지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극부에 전기적으로 연결되게 상기 리드의 외측면에 마련되며, 상기 LED와 전기적으로 연결되는 제1 및 제2금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  12. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 베이스 바디와 상기 반사부재 및 상기 리드는 접착제에 의해서 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  13. 제1항에 있어서, 상기 LED 수용부를 덮도록 설치되는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  14. 제1항에 있어서, 상기 LED는 솔더에 의해서 상기 제1 및 제2도전체와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  15. a) LED가 수용되며 반사면을 가지는 LED 수용부와 상기 LED 수용부와 연통되는 리드 장착부를 가지는 패키지 바디를 준비하는 단계;
    b) 상기 LED 수용부로 노출될 제1 및 제2도체부와, 상기 도체부들간을 절연시키고 상기 도체부들과 상기 패키지 바디를 절연시키는 부도체부를 가지는 리드를 제조하는 단계;
    c) 상기 리드를 상기 패키지 바디의 장착부에 설치하는 단계; 및
    d) 상기 LED 수용부에 수용된 채 상기 제1 및 제2도체부 각각에 전기적으로 연결되게 LED를 설치하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 a) 단계는,
    a1) 열전도성 재질로 형성되는 베이스 바디를 마련하는 단계;
    a2) 상기 리드를 사이에 두고 상기 베이스 바디와 결합되며, 상기 LED 수용부가 관통형성된 반사부재를 마련하는 단계; 및
    a3) 상기 베이스 바디와 상기 반사부재의 서로 마주하는 면들 중에 어느 한 면에 상기 리드 장착부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 b) 단계는,
    b1) 금속기판의 소정 부분을 1차로 산화시켜 부분적으로 부도체화하여 서로 절연된 제1 및 제2도체부를 형성하는 단계;
    b2) 상기 금속기판의 소정 부분을 2차로 산화시켜 부분적으로 부도체화하여 상기 LED와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 바디와는 절연되는 제1 및 제2전극부와, 상기 제1 및 제2전극부와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 바디와 절연될 제1 및 제2외부단자부를 형성하는 단계; 및
    b3) 상기 금속기판의 외부로 노출된 제1 및 제2전극부에 금속층을 패터닝하여 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, c) 단계는,
    c1) 상기 베이스 바디 또는 상기 반사부재에 형성된 리드 장착부에 상기 리드를 접착제로 접착시키는 단계; 및
    c2) 상기 베이스 바디와 상기 반사부재 사이에 상기 리드가 개재되도록 상기 베이스 바디와 상기 반사부재를 접착제로 부착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 c1) 단계 및 c2) 단계에서는 도전성 접착제를 이용하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  20. 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패키지 바디는 금속재질로 형성된 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  21. 제15항에 있어서,
    상기 제1 및 제2도체부는 금속재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 부도체부는 상기 제1 및 제2도체부를 형성하는 금속재질의 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  23. 제15항에 있어서,
    상기 제1 및 제2도체부는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 부도체부는 산화 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  25. a) LED가 수용되며 반사면을 가지는 LED 수용부와 상기 LED 수용부와 연통되는 리드 장착부를 가지는 패키지 바디를 복수 준비하는 단계;
    b) 상기 LED 수용부로 노출될 제1 및 제2도체부와, 상기 도체부들간을 절연시키고 상기 도체부들과 상기 패키지 바디를 절연시키는 부도체부를 가지는 리드를 금속기판에 복수 제조하는 단계;
    c) 상기 복수의 리드가 상기 패키지 바디 각각의 장착부에 개재되도록 결합하는 단계;
    d) 상기 복수의 패키지 바디의 LED 수용부에 수용된 채 상기 제1 및 제2도체부 각각에 전기적으로 연결되게 복수의 LED를 설치하는 단계; 및
    e) 상기 금속기판으로부터 상기 리드를 분리하여 복수의 단위 LED 패키지를 완성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 a) 단계는,
    a1) 열전도성 재질로 형성되는 베이스 바디를 마련하는 단계;
    a2) 상기 리드를 사이에 두고 상기 베이스 바디와 결합되며, 상기 LED 수용부가 관통형성된 반사 부재를 마련하는 단계; 및
    a3) 상기 베이스 바디와 상기 반사 부재의 서로 마주하는 면들 중에 어느 한 면에 상기 리드 장착부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  27. 제25항에 있어서, 상기 b) 단계는,
    b1) 금속기판의 소정 부분을 1차로 산화시켜 부분적으로 부도체화하여 서로 절연된 제1 및 제2도체부를 형성하는 단계;
    b2) 상기 금속기판의 소정 부분을 2차로 산화시켜 부분적으로 부도체화하여 상기 LED와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 바디와는 절연되는 제1 및 제2전극부와, 상기 제1 및 제2전극부와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 바디와 절연될 제1 및 제2외부단자부를 형성하는 단계;
    b3) 상기 금속기판의 외부로 노출된 제1 및 제2전극부에 금속층을 패터닝하여 형성하는 단계; 및
    b4) 상기 금속기판을 부분적으로 제거하여 복수의 리드가 서로 이격되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  28. 제26항에 있어서, c) 단계는,
    c1) 상기 베이스 바디 또는 상기 반사부재에 형성된 리드 장착부에 상기 리드를 접착제로 접착시키는 단계; 및
    c2) 상기 베이스 바디와 상기 반사부재 사이에 상기 리드가 개재되도록 상기 베이스 바디와 상기 반사부재를 접착제로 부착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 c1) 및 c2) 단계에서는 도전성 접착제를 이용하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  30. 제27항에 있어서, 상기 b4) 단계에서는,
    상기 제1 및 제2외부단자부의 폭이 상기 패키지 바디에 결합되는 부분과 서 로 다른 폭을 갖도록 상기 금속기판을 펀칭 가공하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9203005B2 (en) 2013-03-06 2015-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode (LED) package having flip-chip bonding structure

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7799039B2 (en) * 2005-11-09 2010-09-21 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Surgical instrument having a hydraulically actuated end effector
KR100802393B1 (ko) * 2007-02-15 2008-02-13 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 그 제조방법
KR100880638B1 (ko) 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
TWI353657B (en) * 2007-09-28 2011-12-01 Ind Tech Res Inst An island submount
DE102008024704A1 (de) * 2008-04-17 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US20100059783A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Harry Chandra Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation
WO2010140693A1 (ja) * 2009-06-04 2010-12-09 三洋電機株式会社 電子部品
TWI417478B (zh) * 2010-08-19 2013-12-01 Delta Electronics Inc 燈具模組
DE102010034924A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
CN102779919B (zh) * 2011-05-12 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装结构
WO2013001528A1 (en) * 2011-06-27 2013-01-03 Bright Led Ltd. Integrated interconnect and reflector
TW201526310A (zh) * 2013-12-20 2015-07-01 Genesis Photonics Inc 發光二極體之封裝結構
JP6128254B2 (ja) * 2016-04-05 2017-05-17 大日本印刷株式会社 リードフレーム及び半導体装置
CN107166190B (zh) * 2017-06-09 2021-02-02 漳州立达信光电子科技有限公司 一种led灯丝灯

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218398A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
KR20050031143A (ko) * 2003-09-29 2005-04-06 바이오닉스(주) 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3727064A (en) * 1971-03-17 1973-04-10 Monsanto Co Opto-isolator devices and method for the fabrication thereof
US3808673A (en) * 1971-03-17 1974-05-07 Monsanto Co Opto-isolator devices and method for the fabrication thereof
JPH0245660A (ja) * 1988-08-05 1990-02-15 Fuji Electric Co Ltd 円筒形水車発電機の軸受冷却装置
JP3201022B2 (ja) * 1992-12-02 2001-08-20 凸版印刷株式会社 リードフレーム
JPH06177429A (ja) * 1992-12-08 1994-06-24 Nichia Chem Ind Ltd 青色ｌｅｄ素子
JPH07183421A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Toshiba Corp 半導体パッケージ
JPH10144965A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Hamamatsu Photonics Kk 光半導体装置及びその製造方法
JPH11251645A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP4386552B2 (ja) * 2000-08-03 2009-12-16 ローム株式会社 受発光型半導体装置の構造
JP4254276B2 (ja) * 2003-03-03 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
US7391153B2 (en) * 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
JP4254470B2 (ja) * 2003-10-10 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218398A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
KR20050031143A (ko) * 2003-09-29 2005-04-06 바이오닉스(주) 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9203005B2 (en) 2013-03-06 2015-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode (LED) package having flip-chip bonding structure

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