KR100588684B1 - Counter of deposition film of chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터에 관한 것으로서, 반응가스를 공급하는 배관상에 설치되어 반응가스의 유량을 조절하는 반응가스 MFC(20)의 셋팅된 유량값을 감지하여 전기적인 신호로 출력하는 MFC 감지부(110)와; 반응가스의 공급배관상에 설치되어 반응가스의 흐름을 개폐하는 반응가스 밸브(30)의 개방시간을 감지하여 전기적인 신호로 출력하는 밸브 감지부(120)와; MFC 감지부(110) 및 밸브 감지부(120)로부터 각각 출력된 신호를 입력받아 반응가스 MFC(20)의 셋팅된 유량값과 반응가스 밸브(30)의 개방시간을 연산하여 반응가스 누적 공급량을 산출하는 연산부(130)와; 연산부(130)로부터 산출된 반응가스 누적 공급량을 외부에서 식별할 수 있도록 시각적으로 표시하는 표시부(140)를 포함하는 것으로써, 화학 기상 증착장치의 튜브내로 유입되는 반응가스 누적 공급량을 집계하여 외부로 표시함으로써 화학 기상 증착장치의 누적막의 관리를 용이하고 안정적으로 할 수 있으며, 화학 기상 증착장치의 정비를 적기에 실시함으로써 반도체소자의 생산성을 향상시키는 효과를 가지고 있다.The present invention relates to a cumulative membrane counter of a chemical vapor deposition apparatus, which is installed on a pipe for supplying a reaction gas and detects a set flow rate value of a reaction gas MFC 20 that controls a flow rate of the reaction gas as an electrical signal. An output MFC detection unit 110; A valve detection unit 120 installed on a supply pipe of the reaction gas to detect an opening time of the reaction gas valve 30 that opens and closes the flow of the reaction gas, and outputs an electrical signal; Receives signals output from the MFC detection unit 110 and the valve detection unit 120 respectively, and calculates the set flow rate of the reaction gas MFC 20 and the opening time of the reaction gas valve 30 to calculate the reaction gas cumulative supply amount. A calculation unit 130 for calculating; Including the display unit 140 to visually display the reaction gas cumulative supply calculated from the operation unit 130 so as to be identified from the outside, by accumulating the reaction gas cumulative supply flowing into the tube of the chemical vapor deposition apparatus to the outside By displaying, the cumulative film of the chemical vapor deposition apparatus can be easily and stably managed, and the chemical vapor deposition apparatus can be maintained in a timely manner, thereby improving the productivity of the semiconductor device.

화학 기상 증착, MFC(Mass Flow Controller), 반응가스, 디클로로사이렌Chemical Vapor Deposition, Mass Flow Controller, Reaction Gas, Dichlorosiren

Description

화학 기상 증착장치의 누적막 카운터{COUNTER OF DEPOSITION FILM OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}COUNTER OF DEPOSITION FILM OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

도 1은 종래의 화학 기상 증착장치의 가스공급배관을 도시한 구성도,1 is a configuration diagram showing a gas supply pipe of a conventional chemical vapor deposition apparatus,

도 2는 본 발명에 따른 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터를 도시한 블럭도이다.2 is a block diagram showing a cumulative film counter of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 ; 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터100; Accumulated Membrane Counter in Chemical Vapor Deposition System

110 ; MFC 감지부 120 ; 밸브 감지부110; MFC detection unit 120; Valve detector

130 ; 연산부 140 ; 표시부130; Calculator 140; Display

본 발명은 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학 기상 증착장치의 튜브내로 유입되는 반응가스 누적 공급량을 집계하여 외부로 표시함으로써 화학 기상 증착장치의 누적막의 관리를 용이하고 안정적으로 할 수 있는 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터에 관한 것이다.The present invention relates to a cumulative film counter of a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, it is easy to manage the cumulative film of the chemical vapor deposition apparatus by displaying a cumulative supply amount of the reaction gas flowing into the tube of the chemical vapor deposition apparatus. The present invention relates to a cumulative film counter of a chemical vapor deposition apparatus capable of being stable.

일반적으로 반도체소자를 제조하기 위한 공정에서 기체 상태의 화합물을 분 해한 후 화학적 반응에 의해 반도체웨이퍼상에 질화막, 산화막, 다결정 실리콘 및 여러 종류의 금속 또는 실리사이드막 등을 형성하는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition ; CVD)공정이 이루어진다.In general, chemical vapor deposition (CVD) in which a gaseous compound is decomposed in a process for manufacturing a semiconductor device, and a nitride film, an oxide film, polycrystalline silicon and various kinds of metal or silicide films are formed on a semiconductor wafer by a chemical reaction. Vapor Deposition (CVD) process is performed.

이러한 화학 기상 증착공정을 수행하는 화학 기상 증착장치는 소정의 내부 공간을 형성하는 튜브(tube)와, 튜브 내측에 위치함과 아울러 일정 갯수의 반도체웨이퍼가 장착되는 보트(boat) 및 보트를 튜브 내측으로 로딩/언로딩하는 보트승강기로 이루어진다.The chemical vapor deposition apparatus performing the chemical vapor deposition process is a tube (tube) to form a predetermined internal space, the boat (boat) and the boat which is located inside the tube and a certain number of semiconductor wafers are mounted It consists of a boat lift that is loaded / unloaded into the

따라서, 보트승강기에 의해 보트가 튜브의 내측으로 로딩되면, 튜브내를 소정의 압력으로 만든 후 반응가스, 소스가스, 퍼지가스 등을 튜브 내측으로 투입하게 된다.Therefore, when the boat is loaded into the tube by the boat lift, the inside of the tube is made to a predetermined pressure, and then the reaction gas, the source gas, the purge gas, and the like are introduced into the tube.

이러한 반응가스 등은 공조라인이나 봄베를 통해 공급되며, 공조라인과 봄베를 통해 공급되는 가스의 공급을 개폐시키고 가스의 유량을 제어하기 위해 MFC(Mass Flow Controller)가 사용된다.The reaction gas is supplied through an air conditioning line or a bomb, and a mass flow controller (MFC) is used to open and close the supply of the gas supplied through the air conditioning line and the cylinder and to control the flow rate of the gas.

화학 기상 증착공정을 수행하는 장치의 가스공급배관을 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the gas supply pipe of the apparatus for performing the chemical vapor deposition process using the accompanying drawings as follows.

도 1은 종래의 화학 기상 증착장치의 가스공급배관을 도시한 구성도로서 반도체웨이퍼 표면에 질화막(Nitride Film)을 증착하기 위한 저압 화학 기상 증착(LPCVD)장치와 이 장치에 설치된 가스공급배관을 예를 들어 나타낸 것이다. 1 is a block diagram showing a gas supply pipe of a conventional chemical vapor deposition apparatus, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) apparatus for depositing a nitride film (Nitride Film) on the surface of a semiconductor wafer and a gas supply pipe installed in the example For example.

도시된 바와 같이, 화학 기상 증착장치(1)로 반응가스인 SiH2Cl2(디클로로사 이렌;dichlorosilane), 소스가스인 NH3, 퍼지가스인 N2가 공급되기 위하여 다수의 가스배관이 구비되며, 이 가스배관상에는 다수의 MFC(MFC1~MFC5)외에 다수의 MFM(Mass Flow Meter;MFM1~MFM3)가 설치되며, 이외에도 다수의 밸브(V1~V14)가 설치된다. As shown, a plurality of gas pipes are provided to supply the reaction gas SiH 2 Cl 2 (dichlorosilane), the source gas NH 3 , and the purge gas N 2 to the chemical vapor deposition apparatus 1. In addition to the plurality of MFCs (MFC1 to MFC5), a plurality of MFMs (Mass Flow Meters) MMF1 to MMF3 are installed on the gas piping, and a plurality of valves V1 to V14 are provided.

다수의 MFC(MFC1~MFC5)는 인가되는 전압에 의해 통과하는 가스의 유량을 제어하고, 다수의 MFM(MFM1~MFM3)은 배관을 통해 흐르는 가스의 양을 표시하며, 다수의 밸브(V1~V14)는 미도시된 제어부 또는 작업자에 의해 가스의 흐름을 개폐한다.The plurality of MFCs (MFC1 to MFC5) control the flow rate of the gas passing by the applied voltage, and the plurality of MFMs (MFM1 to MMF3) display the amount of gas flowing through the pipe, and the plurality of valves (V1 to V14). ) Opens and closes the flow of gas by a controller or an operator (not shown).

그 밖에 화학 기상 증착장치(1)에는 반응을 마친 가스가 배출되거나 튜브(1a)내의 진공압을 조절하기 위하여 가스배관이 구비되며, 이 가스배관상에는 배기가스의 흐름을 개폐하는 배기가스 밸브(EV), 진공펌프(2)로부터 진공압을 개폐하는 메인진공 밸브(MV) 및 진공 밸브(VV1,VV2,SV1,SV2) 및 진공압을 나타내는 진공게이지(G) 등이 설치된다. In addition, the gaseous vapor deposition apparatus 1 is provided with a gas piping for discharging the gas after the reaction or adjusting the vacuum pressure in the tube 1a, and an exhaust gas valve (EV) for opening and closing the flow of exhaust gas on the gas piping. ), A main vacuum valve (MV) for opening and closing the vacuum pressure from the vacuum pump (2), vacuum valves (VV1, VV2, SV1, SV2), a vacuum gauge (G) indicating a vacuum pressure, and the like are provided.

따라서, 화학 기상 증착장치(1)는 튜브(1a)내측에 보트에 의해 반도체웨이퍼를 투입 장착한 후 가스공급배관에 의해 SiH2Cl2, NH3, N2 등의 가스를 정해진 순서와 정해진 유량에 따라 공급받으면서 반도체웨이퍼 표면에 질화막을 증착하기 위한 화학 기상 증착공정을 진행하게 된다.Therefore, the chemical vapor deposition apparatus 1 inserts and mounts a semiconductor wafer inside the tube 1a by boat, and then supplies gas such as SiH 2 Cl 2 , NH 3 , N 2 by a gas supply pipe in a predetermined order and a predetermined flow rate. The chemical vapor deposition process for depositing a nitride film on the surface of the semiconductor wafer while being supplied according to.

이와 같은 화학 기상 증착장치에 의해 공정을 진행시 반도체웨이퍼의 표면뿐만 아니라 튜브의 내부, 보트 등에도 필름이 증착되는데, 이러한 필름의 누적막은 일정 두께 이상이 되면 박리됨으로써 파티클을 발생시킴으로써 반도체웨이퍼의 품 질을 저하시키거나 장치의 가동율을 저하시키게 된다.When the process is performed by such a chemical vapor deposition apparatus, a film is deposited not only on the surface of the semiconductor wafer but also on the inside of the tube, boat, and the like. When the cumulative film of the film reaches a predetermined thickness or more, the film is peeled off to generate particles. It may lower the quality or lower the operation rate of the device.

따라서, 보트의 경우 습식 에칭방법을 이용하여 누적막을 주기적으로 제거한 후 재사용하는 등 화학 기상 증착장치를 주기적으로 정비하여야 한다.Therefore, in the case of boats, the chemical vapor deposition apparatus must be periodically maintained by periodically removing and reusing accumulated films by using a wet etching method.

그러나 화학 기상 증착장치의 누적막 관리를 위해 작업자가 직접 로그 쉬트(log sheet)를 활용해서 수작업에 의한 누적막 계산을 해야만 했고, 이러한 과정에서 기록누락, 누적계산 오류 등이 발생하여 누적막이 일정 두께 이상으로 생성되어 박리됨으로써 발생하는 파티클로 인해 반도체웨이퍼의 불량률이 증가하거나 적기의 정비 미실시로 인해 장치 가동률이 현저하게 저하됨으로써 반도체웨이퍼의 생산성을 저해시키는 문제점을 가지고 있었다.However, in order to manage the cumulative film management of the chemical vapor deposition apparatus, the operator had to manually calculate the cumulative film by using a log sheet, and in this process, the recording film and the cumulative calculation error occurred. Due to the particles generated and peeled as described above, the defect rate of the semiconductor wafer is increased or the device operation rate is remarkably lowered due to unscheduled maintenance of the semiconductor wafer, thereby impairing the productivity of the semiconductor wafer.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 화학 기상 증착장치의 튜브내로 유입되는 반응가스 누적 공급량을 집계하여 외부로 표시함으로써 화학 기상 증착장치의 누적막의 관리를 용이하고 안정적으로 할 수 있으며, 화학 기상 증착장치의 정비를 적기에 실시함으로써 반도체소자의 생산성을 향상시키는 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터를 제공하는데 있다. The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to aggregate the amount of supply of the reaction gas flowing into the tube of the chemical vapor deposition apparatus to display the outside to facilitate the management of the accumulated film of the chemical vapor deposition apparatus The present invention provides a cumulative film counter of a chemical vapor deposition apparatus that can be stably and improves the productivity of semiconductor devices by timely maintenance of the chemical vapor deposition apparatus.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 반응가스를 공급하는 배관상에 설치되어 반응가스의 유량을 조절하는 반응가스 MFC의 셋팅된 유량값을 감지하여 전기적인 신호로 출력하는 MFC 감지부와; 반응가스의 공급배관상에 설치되어 반응가스의 흐름을 개폐하는 반응가스 밸브의 개방시간을 감지하여 전기적인 신호로 출력하는 밸브 감지부와; MFC 감지부 및 밸브 감지부로부터 각각 출력된 신호를 입력 받아 반응가스 MFC의 셋팅된 유량값과 반응가스 밸브의 개방시간을 연산하여 반응가스 누적 공급량을 산출하는 연산부와; 연산부로부터 산출된 반응가스 누적 공급량을 외부에서 식별할 수 있도록 시각적으로 표시하는 표시부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for realizing such an object, the MFC detection unit is installed on the pipe for supplying the reaction gas to detect the set flow rate value of the reaction gas MFC for adjusting the flow rate of the reaction gas and outputs an electrical signal; A valve detection unit installed on a supply pipe of the reaction gas to detect an opening time of the reaction gas valve for opening and closing the flow of the reaction gas and outputting the electrical signal as an electrical signal; A calculation unit configured to calculate the supply amount of the reaction gas by calculating the set flow rate of the reaction gas MFC and the opening time of the reaction gas valve by receiving signals output from the MFC detection unit and the valve detection unit, respectively; And a display unit for visually displaying the reaction gas accumulated supply amount calculated from the operation unit so as to be externally identified.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition ; CVD)장치의 누적막 카운터의 블럭도이다. 도시된 바와 같이, 화학 기상 증착장치(10)로 공급되는 반응가스 누적 공급량을 집계하여 외부로 표시하는 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터(100)는 크게 MFC 감지부(110), 밸브 감지부(120), 연산부(130) 및 표시부(140)를 포함한다.2 is a block diagram of a cumulative film counter of a Chemical Vapor Deposition (CVD) apparatus in accordance with the present invention. As shown, the cumulative membrane counter 100 of the chemical vapor deposition apparatus which aggregates and displays the reaction gas accumulated supply amount supplied to the chemical vapor deposition apparatus 10 is largely an MFC detection unit 110 and a valve detection unit ( 120, a calculator 130, and a display 140.

MFC 감지부(100)는 화학 기상 증착장치(10)에 구비된 가스공급배관중 반응가스를 공급하는 배관상에 설치되어 반응가스의 유량을 조절하는 반응가스 MFC(Mass Flow Controller;20)의 셋팅된 유량값을 감지하여 전기적인 신호로 출력한다. MFC detection unit 100 is installed on the pipe for supplying the reaction gas in the gas supply pipe provided in the chemical vapor deposition apparatus 10 setting the reaction gas MFC (Mass Flow Controller; 20) to control the flow rate of the reaction gas The flow rate is detected and output as an electrical signal.

MFC 감지부(110)에 의해 셋팅된 유량값이 감지되는 반응가스 MFC(20)는 인가된 전압에 의해 공급경로의 간극을 조절하는 미도시된 제어밸브를 내부에 포함함으로써 반응가스가 공급되는 배관을 통과하는 반응가스의 양을 조절하는데, 조절되는 반응가스량은 분당 표준입방센티미터(sccm) 또는 분당 리터(slm)로써 표시된다.The reaction gas MFC 20, which detects the flow rate set by the MFC detection unit 110, includes a control valve (not shown) for adjusting the gap between the supply paths by the applied voltage therein, thereby supplying the reaction gas. The amount of reactant gas passing through is controlled, which is expressed in terms of standard cubic centimeters per minute (sccm) or liters per minute (slm).

밸브 감지부(120)는 반응가스의 공급배관상에 설치되어 반응가스의 흐름을 개폐하는 반응가스 밸브(30)의 개방시간을 감지하여 전기적인 신호로 출력한다. The valve detecting unit 120 is installed on the supply pipe of the reaction gas to detect the opening time of the reaction gas valve 30 for opening and closing the flow of the reaction gas and outputs it as an electrical signal.

밸브 감지부(120)에 의해 개방시간이 감지되는 반응가스 밸브(30)는 작업자가 수동으로 조작하는 밸브일 수 있으며, 화학 기상 증착장치(10)에 구비된 제어기(미도시)에 의해 제어되는 제어밸브일 수도 있다.The reaction gas valve 30 in which the opening time is sensed by the valve detecting unit 120 may be a valve manually operated by an operator, and may be controlled by a controller (not shown) provided in the chemical vapor deposition apparatus 10. It may be a control valve.

연산부(130)는 MFC 감지부(110) 및 밸브 감지부(120)로부터 각각 출력되는 신호를 입력받아 반응가스 MFC(20)의 셋팅된 유량값과 반응가스 밸브(20)의 개방시간을 연산하여 반응가스 공급배관을 통해 화학 기상 증착장치(10)로 공급된 반응가스 누적 공급량을 산출한다. 즉, MFC 감지부(110)로부터 출력되는 반응가스 MFC(20)의 셋팅된 유량값에 밸브 감지부(120)로부터 출력되는 반응가스 밸브(30)의 누적된 개방시간을 곱함으로써 반응가스 누적 공급량을 산출하게 된다.The calculation unit 130 receives signals output from the MFC detection unit 110 and the valve detection unit 120, respectively, and calculates the set flow rate of the reaction gas MFC 20 and the opening time of the reaction gas valve 20. The cumulative supply amount of the reaction gas supplied to the chemical vapor deposition apparatus 10 through the reaction gas supply pipe is calculated. That is, the cumulative supply time of the reaction gas is multiplied by multiplying the set flow rate of the reaction gas MFC 20 output from the MFC detection unit 110 by the accumulated opening time of the reaction gas valve 30 output from the valve detection unit 120. Will yield

표시부(140)는 연산부(130)로부터 산출된 반응가스 누적 공급량을 외부에서 식별할 수 있도록 시각적으로 표시하게 되는데, 이러한 표시부(140)는 화학 기상 증착장치(10)에 연결되는 각각의 가스공급배관의 가스공급 여부를 전체적으로 표시하는 가스판넬에 설치함이 바람직할 것이다.The display unit 140 visually displays the reaction gas cumulative supply amount calculated from the operation unit 130 so as to be externally identified. The display unit 140 is each gas supply pipe connected to the chemical vapor deposition apparatus 10. It would be desirable to install in a gas panel that displays the overall supply of gas.

이와 같이, 본 발명에 따른 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터가 설치되는 화학 기상 증착장치(10)는 종래에서 예로 들은 저압 화학 기상 증착(LPCVD)공정에 의해 반도체웨이퍼상에 질화막(nitride film)을 증착시키는 장치뿐만 아니라, 그외, 다결정 실리콘(poly-silic1on) 화학 기상 증착공정, TEOS(Tetraethyl Orthosilicate)의 열분해에 의해 실리콘 산화층을 형성하는 화학 기상 증착공정 등 공정의 진행횟수나 반응가스의 유량에 의해 장비의 정비가 결정되어지는 모든 화학 기상 증착장치를 포함한다.As such, the chemical vapor deposition apparatus 10 in which the cumulative film counter of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention is installed may be formed of a nitride film on a semiconductor wafer by a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process. In addition to the deposition apparatus, other processes such as poly-silicone chemical vapor deposition and chemical vapor deposition to form a silicon oxide layer by pyrolysis of TEOS (Tetraethyl Orthosilicate), etc. Includes all chemical vapor deposition equipment for which equipment maintenance is to be determined.

이와 같은 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터는 MFC의 셋팅된 유량값과 반응가스 밸브의 개방시간을 MFC 감지부 및 밸브 감지부가 감지하여 전기적인 신호로 출력하고, 출력된 신호를 연산부가 입력받아 연산하여 반응가스 누적 공급량을 산출하여며, 산출된 반응가스 누적 공급량을 표시부가 외부에 시각적으로 표시함으로써 작업자는 화학 기상 증착장치의 누적막의 관리를 용이하고도 안정적으로 할 수 있으며, 이에 따라 화학 기상 증착장치의 정비를 적기에 실시할 수 있다. The cumulative membrane counter of the chemical vapor deposition apparatus detects the set flow rate of MFC and the opening time of the reaction gas valve by sensing the MFC detector and the valve detector, and outputs them as an electrical signal. The cumulative supply amount of the reaction gas is calculated, and the display of the calculated reaction gas accumulation supply is visually displayed on the outside, so that the operator can easily and stably manage the accumulated film of the chemical vapor deposition apparatus. Timely maintenance of the device can be performed.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터는 화학 기상 증착장치의 튜브내로 유입되는 반응가스 누적 공급량을 집계하여 외부로 표시함으로써 화학 기상 증착장치의 누적막의 관리를 용이하고 안정적으로 할 수 있으며, 화학 기상 증착장치의 정비를 적기에 실시함으로써 반도체소자의 생산성을 향상시키는 효과를 가지고 있다. As described above, the cumulative membrane counter of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention aggregates and displays the accumulated amount of reaction gas flowing into the tube of the chemical vapor deposition apparatus to the outside, thereby facilitating and stably managing the accumulated film of the chemical vapor deposition apparatus. In addition, it is possible to improve the productivity of the semiconductor device by timely maintenance of the chemical vapor deposition apparatus.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for performing a cumulative film counter of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims. Without departing from the gist of the present invention, anyone of ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (1)

반응가스, 소스가스, 퍼지가스 등을 공급하며, 이들의 공급경로상에 복수의 MFC와, 복수의 밸브 등이 설치된 가스공급배관을 구비한 화학 기상 증착장치에 있어서,In the chemical vapor deposition apparatus which supplies a reaction gas, a source gas, a purge gas, etc., The gas supply piping provided with the some MFC, the some valve, etc. in these supply paths, 반응가스를 공급하는 배관상에 설치되어 반응가스의 유량을 조절하는 반응가스 MFC의 셋팅된 유량값을 감지하여 전기적인 신호로 출력하는 MFC 감지부와;An MFC detection unit installed on a pipe for supplying the reaction gas and detecting a set flow rate value of the reaction gas MFC for adjusting the flow rate of the reaction gas and outputting the electrical signal as an electrical signal; 상기 반응가스의 공급배관상에 설치되어 반응가스의 흐름을 개폐하는 반응가스 밸브의 개방시간을 감지하여 전기적인 신호로 출력하는 밸브 감지부와;A valve detecting unit installed on the supply pipe of the reaction gas to detect an opening time of the reaction gas valve for opening and closing the flow of the reaction gas and outputting the electrical signal as an electrical signal; 상기 MFC 감지부 및 상기 밸브 감지부로부터 각각 출력된 신호를 입력받아 반응가스 MFC의 셋팅된 유량값과 반응가스 밸브의 개방시간을 연산하여 반응가스 누적 공급량을 산출하는 연산부와;A calculation unit configured to calculate the supply amount of the reaction gas by calculating the set flow rate of the reaction gas MFC and the opening time of the reaction gas valve by receiving signals output from the MFC detection unit and the valve detection unit, respectively; 상기 연산부로부터 산출된 반응가스 누적 공급량을 외부에서 식별할 수 있도록 시각적으로 표시하는 표시부;A display unit for visually displaying the reaction gas accumulated supply amount calculated from the operation unit so as to be identified from the outside; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치의 누적막 카운터.Cumulative film counter of the chemical vapor deposition apparatus comprising a.
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