KR100587273B1 - Anisotropical Glass Etching Method and Fabricating Method for Barrier Rib of Flat Panel Display Using the same - Google Patents

Anisotropical Glass Etching Method and Fabricating Method for Barrier Rib of Flat Panel Display Using the same Download PDF

Info

Publication number
KR100587273B1
KR100587273B1 KR1019990024107A KR19990024107A KR100587273B1 KR 100587273 B1 KR100587273 B1 KR 100587273B1 KR 1019990024107 A KR1019990024107 A KR 1019990024107A KR 19990024107 A KR19990024107 A KR 19990024107A KR 100587273 B1 KR100587273 B1 KR 100587273B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass
etching
glass substrate
mask pattern
partition wall
Prior art date
Application number
KR1019990024107A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20010003714A (en
Inventor
조수제
장명수
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1019990024107A priority Critical patent/KR100587273B1/en
Publication of KR20010003714A publication Critical patent/KR20010003714A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100587273B1 publication Critical patent/KR100587273B1/en

Links

Images

Classifications

    • D—TEXTILES; PAPER
    • D05—SEWING; EMBROIDERING; TUFTING
    • D05B—SEWING
    • D05B85/00—Needles
    • D05B85/02—Needles with slotted eyes, i.e. with a slit leading to the eye for thread insertion
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D05—SEWING; EMBROIDERING; TUFTING
    • D05B—SEWING
    • D05B91/00—Tools, implements, or accessories for hand sewing
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D05—SEWING; EMBROIDERING; TUFTING
    • D05B—SEWING
    • D05B97/00—Hand sewing processes or apparatus for special work or not otherwise provided for
    • D05B97/02—Hand-guided apparatus

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 그라스의 이방성 에칭방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of anisotropic etching of glass.

본 발명에 따른 그라스의 이방성 에칭방법은 그라스 기판 상에 마스크패턴을 형성하는 단계와, 자외선을 조사하여 에칭될 부위를 높은 에너지 상태로 유지하면서 에칭액을 가해 에칭하는 단계와, 마스크패턴을 제거하는 단계를 포함한다. 이와 같은 에칭방법을 평판표시장치의 격벽 제조에 이용하면 큰 아스펙트비를 갖는 고정세의 격벽을 용이하게 제조할 수 있다. An anisotropic etching method of glass according to the present invention comprises the steps of forming a mask pattern on a glass substrate, applying a etching solution while maintaining the portion to be etched by the ultraviolet rays in a high energy state, and removing the mask pattern It includes. When such an etching method is used to manufacture partition walls of flat panel displays, high-definition partition walls with large aspect ratios can be easily manufactured.

Description

그라스의 이방성 에칭방법 및 이를 이용한 평판표시장치의 격벽 제조 방법{Anisotropical Glass Etching Method and Fabricating Method for Barrier Rib of Flat Panel Display Using the same}Glass Anisotropic Etching Method and Fabrication Method of Barrier Panel Using the Same {Anisotropical Glass Etching Method and Fabricating Method for Barrier Rib of Flat Panel Display Using the same}

도 1은 일반적인 교류 구동형 플라즈마 디스플레이 패널의 셀 구조를 개략적으로 나타내는 사시도.1 is a perspective view schematically showing a cell structure of a typical AC driving plasma display panel.

도 2는 일반적인 플라즈마 어드레스 액정 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도.Fig. 2 is a sectional view schematically showing a general plasma address liquid crystal display device.

도 3a 및 도 3b는 종래의 그라스의 등방성 에칭방법을 이용한 평판표시장치의 격벽 제조 방법을 도시하는 도면.3A and 3B illustrate a method of manufacturing a partition of a flat panel display device using a conventional isotropic etching method of glass.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 그라스의 이방성 에칭방법을 도시하는 도면.4A and 4B illustrate an anisotropic etching method of glass according to an embodiment of the present invention.

도 5는 그라스의 이방성 에칭에 있어서 그라스 기판의 자외선 흡수 특성을 나타내는 도면.5 is a diagram showing ultraviolet absorption characteristics of a glass substrate in anisotropic etching of glass.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 그라스의 이방성 에칭방법을 도시하는 도면.6A and 6B illustrate an anisotropic etching method of glass according to another embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

20,60 : 상부유리기판 22,62: 하부유리기판20,60: upper glass substrate 22,62: lower glass substrate

24 : 유전체후막 26 : 투명전극(ITO전극)24 dielectric thick film 26 transparent electrode (ITO electrode)

28 : 어드레스전극 30 : 버스전극28: address electrode 30: bus electrode

32,76 : 격벽 34 : 유전체층32, 76: partition 34: dielectric layer

36 : 보호막 38 : 형광체36: protective film 38: phosphor

40,104,124,144 : 방전영역 50 : 액정부40,104,124,144: discharge area 50: liquid crystal part

52 : 플라즈마채널부 54 : 백라잇52: plasma channel portion 54: back light

64,74 : 편광필터 66 : 유전체 그라스 박막64,74 polarization filter 66 dielectric glass thin film

68 : 액정층 70 : 투명전극 68 liquid crystal layer 70 transparent electrode

72 : 컬러필터 78 : 양극72: color filter 78: anode

80 : 음극 82 : 화소셀80: cathode 82: pixel cell

100,120,140 : 그라스 기판 102,122,142 : 마스크패턴100,120,140 Glass substrate 102,122,142 Mask pattern

본 발명은 그라스의 에칭방법에 관한 것으로, 특히 고정세의 마이크로 구조물을 제조하기 위한 그라스의 이방성 에칭방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 그라스의 이방성 에칭방법을 이용하여 평판표시장치에 있어서 고정세의 격벽을 제조 하기 위한 격벽 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method of etching glass, and more particularly, to an anisotropic etching method of glass for producing a high-definition microstructure. The present invention also relates to a partition wall manufacturing method for manufacturing a high-definition partition wall in a flat panel display device using an anisotropic etching method of glass.

지금까지 표시장치 수단의 주종을 이루어왔던 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)은 과도한 부피, 중량등의 이유로 고선명 대형화면의 구현이 어렵다는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 최근들어 두께가 얇고 가벼우며 고선명 화질의 구현이 가능한 평판표시장치(Flat Panel Display : 이하 "FPD"라 함)에 대한 연구, 개발이 활발히 진행되고 있다. 특히, FPD 중에서 액정디스플레이(LCD) 장치의 시야각이나 휘도에 따르는 문제점을 해결하고 대형화면을 구현할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함) 및 플라즈마 어드레스 액정 표시장치(Plasma Address Liquid Crystal Display : 이하 "PALC"라 함)에 대한 관심이 고조되고 있다. Cathode ray tube (CRT), which has been the dominant display device means, has a disadvantage in that it is difficult to realize a high definition large screen due to excessive volume and weight. In order to solve these problems, research and development of flat panel displays (hereinafter referred to as "FPDs") that are thin, light, and have high definition image quality have been actively conducted. In particular, a plasma display panel (hereinafter referred to as "PDP") and a plasma address liquid crystal display (Plasma Address) capable of solving a problem caused by a viewing angle or luminance of a liquid crystal display (LCD) device and implementing a large screen among FPDs. There is a growing interest in Liquid Crystal Display (hereinafter referred to as "PALC").

PDP는 가스방전에 의해 발생되는 자외선이 형광체에 작용하여 형광체에서 가시광선이 발생되는 것을 이용한 표시장치이다. PDP는 격벽에 의해 구분되어 매트릭스 형태로 배열된 화소셀들로 이루어진다. The PDP is a display device in which ultraviolet light generated by gas discharge acts on a phosphor to generate visible light from the phosphor. The PDP is composed of pixel cells divided by partition walls and arranged in a matrix.

도 1은 일반적인 AC형 PDP의 셀구조를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, PDP는 상부유리기판(20) 및 하부유리기판(22)과, 상부유리기판(20) 상에 서로 평행하게 배치되는 투명전극(ITO전극)(26)쌍과, 투명전극(26) 밑면에 평행하게 배치되는 버스전극(30)쌍과, 투명전극(26)쌍 및 버스전극(30)쌍을 덮고 있는 유전체층(34)과, 유전체층(34) 밑면에 도포된 MgO 보호막(36)과, 하부유리기판(22)의 상부유리기판(20)과 대향되는 표면에 투명전극(26) 및 버스전극(30)과 서로 수직으로 교차되도록 일렬로 배치된 어드레스전극(28)과, 어드레스전극(28)을 덮고 있는 유 전체후막(24)과, 하부유리기판(22) 상에 수직으로 형성되는 격벽(32)과, 유전체후막(24) 및 격벽(32) 표면상에 도포되는 형광체(38)와, 상부유리기판(20)과 하부유리기판(22) 및 격벽(32)으로 둘러싸여 형성되는 방전영역(40)을 구비한다. 1 is a diagram showing a cell structure of a typical AC PDP. Referring to FIG. 1, a PDP includes an upper glass substrate 20 and a lower glass substrate 22, a pair of transparent electrodes 26 arranged on the upper glass substrate 20 in parallel with each other, and a transparent electrode. (26) a pair of bus electrodes 30 arranged parallel to the bottom surface, a dielectric layer 34 covering the pair of transparent electrodes 26 and a pair of bus electrodes 30, and an MgO protective film coated on the bottom of the dielectric layer 34 ( 36 and the address electrodes 28 arranged in a line on the surface of the lower glass substrate 22 opposite to the upper glass substrate 20 so as to vertically cross the transparent electrode 26 and the bus electrode 30; The dielectric thick film 24 covering the address electrode 28, the partition 32 formed vertically on the lower glass substrate 22, and the phosphor applied on the surfaces of the dielectric thick film 24 and the partition wall 32. (38) and a discharge region (40) formed surrounded by the upper glass substrate (20), the lower glass substrate (22), and the partition wall (32).

빛이 방출되는 과정을 간략히 설명하면, 버스전극(30)과 어드레스전극(28) 간의 어드레스방전에 의해 유전체층(34)에 벽전하가 축적된다. 유전체층(34)과 유전체후막(24)은 방전시 전극들을 보호하는 기능을 갖는다. 그 다음 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 충전된 방전영역(40)에서 버스전극(30) 간의 면방전이 일어나면서 자외선이 방출된다. MgO 보호막(34)은 방전시 2차 전자의 방출효율을 높여주고 화소셀의 수명을 연장시키는 역할을 한다. 방출된 자외선은 형광체(38)를 여기시켜 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생시키게 된다. Briefly describing the light emission process, wall charges are accumulated in the dielectric layer 34 by the address discharge between the bus electrode 30 and the address electrode 28. Dielectric layer 34 and thick dielectric film 24 have a function of protecting the electrodes during discharge. Then, in the discharge region 40 filled with the mixed gas of He + Xe or Ne + Xe, the surface discharge between the bus electrodes 30 occurs and ultraviolet rays are emitted. The MgO passivation layer 34 increases the emission efficiency of secondary electrons during discharge and extends the life of the pixel cell. The emitted ultraviolet rays excite the phosphor 38 to generate visible light of any one of red, green, and blue.

격벽(32)은 일반적으로 그라스-세라믹스(Glass-Ceramics) 재료로 이루어지고 폭은 대략 100㎛, 높이는 200㎛ 내외로 설계된다. 격벽(32)은 만족할 만한 개구율을 얻기 위하여 큰 아스펙트 비(Aspect ratio : 높이 대 폭의 비)를 갖는 고정세의 구조가 요구되고 있다. 특히, PDP가 고정세의 격벽을 가지게 되면 그만큼 형광체 도포면적과 방전공간이 확대되므로 방전효율 및 휘도가 향상된다. The partition 32 is generally made of glass-ceramics material and is designed to be approximately 100 μm wide and 200 μm high. The partition wall 32 is required to have a high-definition structure having a large aspect ratio (a ratio of height to width) in order to obtain a satisfactory aperture ratio. In particular, when the PDP has a high-definition partition wall, the phosphor coating area and the discharge space are increased accordingly, thereby improving the discharge efficiency and luminance.

PALC는 가스방전에 의해 제어되는 액정층을 통하여 백색광을 차단 또는 투과시키고, 투과된 백색광을 컬러필터에 통과시켜 다양한 색상을 구현하는 표시장치이다. PALC 역시 격벽에 의해 구분되어 매트릭스 형태로 배열된 화소셀들로 이루어진다. PALC is a display device that blocks or transmits white light through a liquid crystal layer controlled by gas discharge, and transmits white light through a color filter to implement various colors. PALC is also composed of pixel cells arranged in a matrix separated by partitions.

도 2를 참조하면, PALC의 셀구조는 크게 플라즈마채널부(52), 액정부(50) 및 백라잇(54)으로 구성된다. 플라즈마채널부(52)는 하부유리기판(62)과, 하부유리기판(62)의 밑면에 접합된 편광필터(64)와, 하부유리기판(62) 윗면에 나란하게 형성되는 양극(78) 및 음극(80)과, 한 쌍의 양극(78)과 음극(80)을 사이에 두고 하부유리기판(62) 상에 수직으로 형성되는 격벽(76)과, 격벽(76) 상에 접합되는 유전체 그라스 박막(66)을 구비한다. 액정부(50)는 상부유리기판(60)과, 상부유리기판(60) 상에 접합된 편광필터(74)와, 상부유리기판(60)의 밑면에 접합된 적색, 녹색, 청색의 컬러필터(72)와, 컬러필터(72) 밑면에 형성된 투명전극(70)과, 투명전극(70)과 유전체 그라스 박막(66) 사이에 형성되는 액정층(68)을 구비한다. 백라잇(54)은 백색광을 방출하는 광소스이다. Referring to FIG. 2, the cell structure of the PALC is largely composed of the plasma channel unit 52, the liquid crystal unit 50, and the back light 54. The plasma channel portion 52 includes a lower glass substrate 62, a polarization filter 64 bonded to a bottom surface of the lower glass substrate 62, an anode 78 formed side by side on an upper surface of the lower glass substrate 62, and Dielectric glass bonded to the partition wall 76 vertically formed on the lower glass substrate 62 with the cathode 80, the pair of anodes 78 and the cathode 80 interposed therebetween. A thin film 66 is provided. The liquid crystal unit 50 includes a top glass substrate 60, a polarizing filter 74 bonded on the top glass substrate 60, and a red, green, and blue color filter bonded to the bottom surface of the top glass substrate 60. 72, a transparent electrode 70 formed on the bottom surface of the color filter 72, and a liquid crystal layer 68 formed between the transparent electrode 70 and the dielectric glass thin film 66. Backlight 54 is a light source that emits white light.

가시광선의 방출과정을 살펴보면, 플라즈마채널부에서는 양극(78)과 음극(80) 사이에 고압이 인가되면 플라즈마 방전이 일어나 표시하고자하는 화소셀(82)을 어드레싱한다. 각각의 화소셀(82)은 격벽(76)으로 구분되어져 있다. 이 때, 플라즈마 방전에 의해 방전공간 내에는 방전가스가 이온화되면서 하전입자가 발생하여 양극(78)과 유전체 글라스 박막(66)은 전기적으로 상호 단락된다. 이에 따라 액정부(50)에서는 양극(78)과 데이터 신호가 인가되는 투명전극(70) 사이의 전압차에 의해 액정층(68)의 액정이 회전하면서 백라잇(54)으로부터 발생되어 편광필터(64)와 하부유리기판(62)을 통과한 백색광을 차단 또는 투과시키게 된다. 투과되는 백색광은 컬러필터(72)와 편광필터(74)를 통해 적색, 녹색, 청색의 빛으로 방출된다. In the visible light emission process, when a high voltage is applied between the anode 78 and the cathode 80, plasma discharge occurs to address the pixel cell 82 to be displayed. Each pixel cell 82 is divided by a partition wall 76. At this time, as the discharge gas is ionized in the discharge space by the plasma discharge, charged particles are generated, and the anode 78 and the dielectric glass thin film 66 are electrically shorted to each other. Accordingly, in the liquid crystal unit 50, the liquid crystal of the liquid crystal layer 68 is rotated by the voltage difference between the anode 78 and the transparent electrode 70 to which the data signal is applied, and is generated from the backlight 54 to generate the polarization filter ( 64) and white light passing through the lower glass substrate 62 is blocked or transmitted. The white light transmitted is emitted as red, green, and blue light through the color filter 72 and the polarization filter 74.

PDP나 PALC등의 FPD에서 각각의 화소셀들을 구분하는 격벽의 형성방법은 장 치의 성능을 좌우할 수 있는 중요한 비중을 차지한다. 이러한 격벽 제조에 있어서 종래에 사용되어져온 제조방법 중의 하나가 그라스의 등방성 에칭을 이용한 격벽 제조방법이다. 도 3a 내지 도 3b는 그라스의 등방성 에칭을 이용한 격벽의 제조방법을 도시하는 도면이다. 도 3a를 참조하면 먼저, 포토리소그라피법에 의해 금속의 마스크패턴(102)이 그라스 기판(100) 상에 형성시킨다. 그 다음 마스크패턴(102)이 형성되지 않은 노출된 부위를 통하여 에칭액을 반응시키면 도 3b에 도시된 바와 같이 노출된 부위가 에칭되면서 방전영역(104)이 형성된다. 에칭과정이 끝나면 마스크패턴(102)을 제거하고 포토리소그라피 공정을 이용하여 전극재를 형성하게 된다. In FPDs such as PDPs and PALCs, the formation of barrier ribs that separate pixel cells occupies an important weight to determine the performance of the device. One of the manufacturing methods conventionally used in the manufacture of such a partition is the manufacturing method of the partition using the isotropic etching of glass. 3A to 3B are diagrams illustrating a method for producing partition walls using isotropic etching of glass. Referring to FIG. 3A, first, a metal mask pattern 102 is formed on a glass substrate 100 by photolithography. Then, when the etching liquid is reacted through the exposed portion where the mask pattern 102 is not formed, the exposed portion is etched as shown in FIG. 3B to form the discharge region 104. After the etching process, the mask pattern 102 is removed and an electrode material is formed by using a photolithography process.

이러한 에칭 방법의 주된 문제점 중의 하나는, 에칭 과정시 도 3b에 도시된 바와 같이 모든 방향으로의 에칭 길이가 거의 동일한 등방성 에칭이므로 에칭 깊이만큼 측면으로도 동일하게 에칭된다는 것이다. 즉 측면 방향으로는 에칭 길이가 제한되어 있으므로 그라스의 밑면 방향으로 충분한 깊이의 에칭이 불가능하게 되고, 도 3b에 도시된 바와 같이 실제 격벽이 차지하는 공간이 많아지게 된다. 그리하여 등방성 에칭을 이용한 격벽 형성 방법은 화소셀의 방전공간이 협소해지고 고정세의 격벽 형성이 곤란하다는 문제점을 지닌다. 또한 PALC에서 등방성 에칭법을 이용하여 격벽을 제조하면 하부유리기판의 두께가 두꺼워지게 되므로 백색광의 광투과율이 저하되는 문제를 초래하게 된다. One of the main problems of this etching method is that during the etching process, as shown in FIG. 3B, the etching lengths in all directions are almost the same isotropic etching, so that they are etched equally to the side by the etching depth. That is, since the etching length is limited in the lateral direction, etching of a sufficient depth in the bottom surface of the glass becomes impossible, and as shown in FIG. 3B, the space occupied by the actual partition wall increases. Thus, the barrier rib formation method using isotropic etching has a problem in that the discharge space of the pixel cell is narrow and the formation of the high-definition barrier rib is difficult. In addition, when the barrier ribs are manufactured by using an isotropic etching method in PALC, the thickness of the lower glass substrate becomes thick, thereby causing a problem of lowering the light transmittance of white light.

격벽의 또 다른 제조방법으로는 스크린프린트법, 샌드브라스트법, 금형법 등이 제안되고 있지만 각각의 방법들에서 많은 문제점들이 지적되고 있다. 스크린프 린트법에서는 인쇄와 건조의 공정을 수회 실시하여 필요한 높이의 구조물을 만든 다음 소성하여 격벽을 형성시킨다. 이 제조법은 공정의 반복으로 인하여 제조시간이 많이 소요될 뿐만 아니라, 반복작업 하에서 스크린과 기판의 위치가 어긋나 큰 아스펙트비를 갖는 고정세 격벽을 형성하기가 곤란하다는 단점이 있다. 샌드브라스트법에서는 원하는 두께로 격벽재를 형성한 다음 감광성 수지패턴을 위에 형성하여 불필요한 부위를 샌드브라스트의 방식에 의해 제거해내어 격벽을 형성시킨다. 이 제조법은 연마재(샌드입자)에 의해 제거되는 재료의 낭비와 제조비용이 클뿐만 아니라 연마재에 의해 유리기판에 물리적인 충격을 가하게 되므로 기판의 손상을 초래하는 문제점이 있다. 금형법에서는 격벽재를 형성한 다음 금형으로 찍어내어 격벽을 형성시킨다. 금형법에서는 금형과 반고상화된 격벽재 필름 또는 격벽재 페이스트 사이의 압력제어가 어렵고 금형과 격벽의 분리가 어려우므로 고정세의 격벽 제조가 어렵다. 상기 격벽 제조 방식들은 모두 공정의 복잡성, 정밀한 공정제어 등의 문제를 지니고 있으므로 바람직한 양산공정으로는 확립되어 있지 않다. As another method of manufacturing the partition wall, a screen print method, a sand blast method, a mold method, and the like have been proposed, but many problems have been pointed out in the respective methods. In the screen printing method, the printing and drying process is performed several times to make a structure having a required height, and then fired to form a partition wall. This manufacturing method takes a lot of manufacturing time due to the repetition of the process, it is difficult to form a high-definition partition wall having a large aspect ratio due to the position of the screen and the substrate is shifted under the repeated operation. In the sandblasting method, a partition wall material is formed to a desired thickness, and then a photosensitive resin pattern is formed thereon to remove unnecessary portions by the sandblasting method to form partition walls. This manufacturing method is not only a waste of the material removed by the abrasive (sand particles) and the manufacturing cost is large, but also a physical impact on the glass substrate by the abrasive has a problem that causes damage to the substrate. In the mold method, the partition wall material is formed and then stamped with a mold to form the partition wall. In the mold method, it is difficult to control the pressure between the mold and the semisolidified partition film or the partition wall paste, and the separation between the mold and the partition wall is difficult, which makes it difficult to manufacture high-definition partition walls. All of the barrier rib manufacturing methods have problems of process complexity, precise process control, etc., and thus are not established as preferable mass production processes.

따라서, 본 발명의 목적은 고정세의 마이크로 구조물을 제조하기 위한 그라스의 이방성 에칭방법을 제공하는데 있다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for anisotropic etching of glass for producing high-definition microstructures.

본 발명의 다른 목적은 FPD에 있어서 고정세의 격벽을 제조하기 위한 격벽 제조방법을 제공하는데 있다.
Another object of the present invention is to provide a barrier rib manufacturing method for producing a high-definition barrier rib in FPD.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 그라스 에칭방법은 그라스 기판 상에 마스크패턴을 형성하는 단계와, 상기 그라스 기판을 노광시킴과 동시에 에칭액을 가하여 노광 부분을 에칭하는 단계와, 상기 마스크패턴을 제거하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, the glass etching method of the present invention comprises the steps of forming a mask pattern on a glass substrate, exposing the glass substrate and simultaneously etching the exposed portion by applying an etchant, and removing the mask pattern. It includes a step.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 평판표시장치의 격벽 제조방법은 그라스 기판 상에 마스크패턴을 형성하는 단계와, 상기 그라스 기판을 노광시킴과 동시에 에칭액을 가하여 노광 부분의 에칭 속도를 가속시켜 방전영역을 깊게 함과 아울러 격벽을 높게 형성하는 단계와, 상기 마스크패턴을 제거하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, in the method of manufacturing a partition wall of the flat panel display device of the present invention, a mask pattern is formed on a glass substrate, the glass substrate is exposed, and an etching solution is added to accelerate the etching rate of the exposed portion. Deepening a region and forming a partition wall high, and removing the mask pattern.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above object will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 4a 내지 도 4b 및 도 6a 내지 도 6b를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4B and 6A to 6B.

도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 그라스의 이방성 에칭방법을 나타내는 도면이다. 도 4a를 참조하면, 포토리소그라피 공정에 의해 그라스 기판(120) 상에 금속 마스크패턴(122)이 형성된다. 그라스 기판(120)의 재료로는 소다라임 그라스나 PbO를 함유한 연그라스가 사용된다. 이러한 그라스들은 도 5에 도시한 바와 같이 자외선이나 기타 단파장(320㎚ 이하)의 빛을 상당량 흡수하는 특성을 갖는다. 마스크패턴(122)으로는 Cr 박막층이 주로 사용되며, 기타 선택성있 는 금속이나 무기물, 유기물 등 적합한 것을 선택하여 사용할 수도 있다. 그 다음, 자외선을 조사하면서 에칭액을 마스크패턴(122)이 형성된 기판 상에 스프레이(spray)한다. 자외선을 발생시키는 광원으로는 수은 램프나 수은 제논램프 및 그라스 기판(120)의 종류에 따라 적절한 파장의 자외선발생램프를 사용할 수 있다. 그라스 기판(120)의 자외선에 노출된 부위는 자외선을 흡수함으로써 자외선 에너지에 의해 높은 에너지 상태에 있게 된다. 자외선을 흡수한 부위는 마스크패턴(122)에 의해 가려진 부위에 비해 높은 에너지 상태로 되어 에칭시 자외선을 흡수한 부위의 에칭 속도가 더 빨라진다. 그리하여 도 4b에 도시된 바와 같이 마스크패턴(122)에 의해 가려진 부위를 향한 가로방향의 에칭속도보다는 자외선을 흡수한 부위에서 깊이방향으로의 에칭속도가 더 빨라져 이방성 에칭이 이루어진다. 그라스 기판(120)의 한쪽면 또는 양쪽면 위에 형성된 마스크패턴(122)은 에칭시 마이크로 구조물이 형성될 부위를 보호하게 된다. 4A to 4B are diagrams illustrating an anisotropic etching method of glass according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4A, a metal mask pattern 122 is formed on the glass substrate 120 by a photolithography process. As the material of the glass substrate 120, soft glass containing soda lime glass or PbO is used. These glasses have the property of absorbing significant amounts of ultraviolet or other short wavelength (320 nm or less) light, as shown in FIG. As the mask pattern 122, a Cr thin film layer is mainly used, and other suitable metals, inorganic materials, organic materials, and the like may be selected and used. Next, the etching solution is sprayed onto the substrate on which the mask pattern 122 is formed while irradiating ultraviolet rays. As a light source for generating ultraviolet rays, an ultraviolet ray generating lamp having an appropriate wavelength may be used depending on the type of mercury lamp, mercury xenon lamp, and glass substrate 120. The portion of the glass substrate 120 exposed to ultraviolet rays is in a high energy state by ultraviolet energy by absorbing ultraviolet rays. The portion that absorbs ultraviolet rays is in a higher energy state than the portion that is masked by the mask pattern 122, so that the etching rate of the portion absorbing the ultraviolet rays is faster. Thus, as shown in FIG. 4B, an anisotropic etching is performed because the etching rate in the depth direction is faster than the etching rate in the horizontal direction toward the portion covered by the mask pattern 122. The mask pattern 122 formed on one or both surfaces of the glass substrate 120 protects a portion where the microstructure is to be formed during etching.

한편, 본 발명에서의 에칭은 디핑(dipping) 방식의 그라스 에칭방법을 사용할 수 있다. 아울러, 본원발명에서 적용되는 에칭기술은 통상의 스프레이 또는 디핑 기술을 적용하는 것으로, 그 종류 또는 양의 관계 내지는 흡수되는 정도에 따른 에칭 정도의 변화는 본원발명에서 특별히 한정하지 않는 것으로 모두 통상적인 것으로 이해할 수 있다.
도 6a 내지 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 그라스의 에칭방법을 나타내는 도면이다. 도 6a를 참조하면, 우선 그라스 기판(140) 상부, 하부의 양쪽면에 금속 마스크패턴(142)을 형성시키고 에칭하고자 하는 면의 반대쪽 면에 자외선을 조사한다. 이 때 도 6b에 도시된 바와 같이 에칭하고자 하는 면에는 에칭액이 접하게 하여 에칭이 이루어지게 한다. 그러면 자외선은 에칭액에 흡수되지 않고 그라스 기판(140)내에 적절하게 흡수되어진다. 마스크패턴(142)에 가려지지 않고 자외선을 흡수한 부위는 에칭시 에칭 속도가 빠르므로 그라스 기판(140) 깊은 부위까지의 이방성 에칭이 가능해진다. 도 4b 또는 도 6b의 과정에 의해 에칭이 완료된 후에는 마스크패턴(122,142)이 제거되고 그라스 기판(120,140) 상에 수직으로 형성된 구조물이 완성된다. Meanwhile, the etching in the present invention may use a glass etching method of dipping. In addition, the etching technique applied in the present invention is to apply a conventional spray or dipping technique, the change in the degree of etching according to the relationship or degree of absorption of the kind or amount thereof is not particularly limited in the present invention, all conventional I can understand.
6a to 6b are views showing a method for etching the glass according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6A, first, metal mask patterns 142 are formed on both surfaces of the upper and lower surfaces of the glass substrate 140, and ultraviolet rays are irradiated on opposite surfaces of the surface to be etched. At this time, the etching solution is brought into contact with the surface to be etched, as shown in FIG. 6B, to perform etching. The ultraviolet ray is then absorbed into the glass substrate 140 appropriately without being absorbed by the etching liquid. The portion that absorbs ultraviolet rays without being masked by the mask pattern 142 has a high etching rate during etching, and thus anisotropic etching to the deep portion of the glass substrate 140 is possible. After the etching is completed by the process of FIG. 4B or 6B, the mask patterns 122 and 142 are removed and a structure vertically formed on the glass substrates 120 and 140 is completed.

도 4b 또는 도 6b와 같은 그라스의 이방성 에칭을 이용한 평판표시장치의 격벽 제조에 있어서는 에칭시 모든 방향으로 동일한 길이로 에칭되는 것이 아니라, 격벽이 형성될 부위로의 방향보다는 그라스의 깊이 방향으로의 에칭이 신속히 이루어진다. 따라서 큰 아스펙트 비를 갖는 고정세의 격벽이 형성되게 되고, 격벽이 불필요하게 차지하는 공간을 줄여 방전영역(124,144)을 넓힐 수 있게 된다. 또한 에칭으로 형성된 방전영역 아래의 그라스 기판 두께도 최소한으로 줄일 수 있게 된다. In the fabrication of barrier ribs of a flat panel display using anisotropic etching of glass as shown in FIG. 4B or 6B, etching is not etched in the same length in all directions during etching, but rather in the depth direction of the glass rather than in the direction where the barrier ribs are to be formed. This is done quickly. Therefore, a high-definition partition wall having a large aspect ratio is formed, and the discharge area 124 and 144 can be widened by reducing the space occupied by the partition wall unnecessarily. In addition, the glass substrate thickness below the discharge region formed by etching can be reduced to a minimum.

PDP의 경우에는 일반적인 스퍼터링 방식이나 기타 적절한 방식에 의해 전극재를 형성한 후, 이것을 포토리소그라피 공정에 의해 패턴으로 형성시킨다. 이 위에 다시 유전체층 및 형광체를 도포시키면 격벽이 수직으로 형성된 하판이 만들어지게 된다. PALC의 경우에는 마스크패턴을 제거한 후 그라스 기판의 에칭된 부위 상에 금속 패턴을 형성시키고, 그 다음 유전체 그라스 박막을 접착시킴으로써 방전셀을 형성할 수 있다. In the case of PDP, after forming an electrode material by a general sputtering method or other appropriate method, it is formed into a pattern by the photolithography process. Applying the dielectric layer and the phosphor on this again makes a bottom plate having vertically formed partition walls. In the case of PALC, a discharge cell can be formed by removing a mask pattern, forming a metal pattern on the etched portion of the glass substrate, and then bonding a thin film of dielectric glass.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 그라스의 이방성 에칭방법은 종래의 등방성 에칭방법에 비해 큰 아스펙트 비를 갖는 고정세의 마이크로 구조물을 용이하게 제조할 수 있는 장점이 있다. 이에 따라 격벽이 차지하는 불필요한 공간을 줄일 수 있으므로 방전영역이 넓어져 FPD의 방전효율을 향상시킬 수 있게 된다. PALC의 경우에는 방전영역 아래의 하부유리기판의 두께를 최소화시킬 수 있으므로 백색광의 광투과율을 향상시킬 수 있다는 장점을 지닌다.
또한, 그라스의 밑면 방향으로 충분한 깊이의 에칭이 가능하고, 에칭시간 또는 제조시간을 대폭 단축시키는 효과가 있다.As described above, the anisotropic etching method of the glass according to the present invention has an advantage that can easily manufacture a high-definition microstructure having a large aspect ratio compared to the conventional isotropic etching method. As a result, unnecessary space occupied by the partition wall can be reduced, thereby increasing the discharge area, thereby improving the discharge efficiency of the FPD. In the case of PALC, since the thickness of the lower glass substrate under the discharge region can be minimized, the light transmittance of the white light can be improved.
Moreover, etching of sufficient depth is possible in the bottom surface direction of the glass, and it has the effect of significantly shortening an etching time or a manufacturing time.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (9)

a)그라스 기판 상에 마스크패턴을 형성하는 단계와,a) forming a mask pattern on the glass substrate, b)상기 그라스 기판을 노광시킴과 동시에 상기 마스크패턴이 형성된 반대면에 에칭액을 스프레이하여 에칭하는 단계와,b) exposing the glass substrate and etching by spraying an etching solution on an opposite surface on which the mask pattern is formed; c)상기 에칭이 완료된 상기 그라스 기판 상에서 상기 마스크패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그라스의 에칭방법.c) removing the mask pattern on the glass substrate on which the etching is completed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 a)단계는 상기 그라스 기판의 에칭되는 면에 다른 마스크패턴을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 그라스의 에칭방법.In the step a), further forming another mask pattern on the etched surface of the glass substrate. 제 1 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 b)단계는 상기 마스크패턴이 형성된 면에 자외선을 조사하면서 상기 에칭되는 면에 에칭액을 가하여 에칭하는 것을 특징으로 하는 그라스의 에칭방법.In the step b), etching is performed by applying an etchant to the surface being etched while irradiating ultraviolet rays to the surface on which the mask pattern is formed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 b)단계는 상기 그라스 기판 상에 디핑(dipping) 방식으로 에칭을 수행하는 것을 특징으로 하는 그라스의 에칭방법. B) etching the glass substrate by dipping. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 a)단계는 크롬(Cr) 박막을 재료로 포함하는 상기 마스크패턴을 상기 그라스 기판의 구조물이 형성될 부위 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 그라스의 에칭방법.In the step a), the mask pattern including the chromium (Cr) thin film as a material is formed on the portion where the structure of the glass substrate is to be formed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 그라스 기판은 소다라임그라스 또는 연그라스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그라스의 에칭방법.The glass substrate is an etching method of glass, characterized in that any one of soda lime glass or soft glass. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 그라스 기판은 통상의 판유리 또는 페이스트 상태로 도포한 다음 소성한 유리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그라스의 에칭방법. The glass substrate is any one of the glass or the glass which is coated and then baked in the form of a paste, the etching method of glass. 제 1항의 그라스 이방성 에칭방법을 이용하여 격벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 격벽 제조 방법.A partition wall manufacturing method for a flat panel display device comprising forming a partition wall by using the glass anisotropic etching method of claim 1. 삭제delete
KR1019990024107A 1999-06-24 1999-06-24 Anisotropical Glass Etching Method and Fabricating Method for Barrier Rib of Flat Panel Display Using the same KR100587273B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990024107A KR100587273B1 (en) 1999-06-24 1999-06-24 Anisotropical Glass Etching Method and Fabricating Method for Barrier Rib of Flat Panel Display Using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990024107A KR100587273B1 (en) 1999-06-24 1999-06-24 Anisotropical Glass Etching Method and Fabricating Method for Barrier Rib of Flat Panel Display Using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010003714A KR20010003714A (en) 2001-01-15
KR100587273B1 true KR100587273B1 (en) 2006-06-08

Family

ID=19595139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990024107A KR100587273B1 (en) 1999-06-24 1999-06-24 Anisotropical Glass Etching Method and Fabricating Method for Barrier Rib of Flat Panel Display Using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100587273B1 (en)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999083A (en) * 1988-10-02 1991-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Method of etching crystalline material with etchant injection inlet
US5238529A (en) * 1992-04-20 1993-08-24 Texas Instruments Incorporated Anisotropic metal oxide etch
KR19980068447A (en) * 1997-02-19 1998-10-15 손욱 Plasma Display Panel And Its Manufacturing Method
KR19990015478A (en) * 1997-08-06 1999-03-05 이채우 Method of manufacturing partition wall of plasma display panel
KR19990031755A (en) * 1997-10-14 1999-05-06 구자홍 Method of manufacturing partition wall of plasma display panel
JPH11144628A (en) * 1997-11-12 1999-05-28 Jsr Corp Barrier rib forming transfer film and manufacture of plasma display panel with it
KR20000032339A (en) * 1998-11-13 2000-06-15 박호군 Method for manufacturing compartment for plasma display panel
KR20000055550A (en) * 1999-02-08 2000-09-05 김영남 Method for Producing a Back-plate of a Plasma Display Panel

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999083A (en) * 1988-10-02 1991-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Method of etching crystalline material with etchant injection inlet
US5238529A (en) * 1992-04-20 1993-08-24 Texas Instruments Incorporated Anisotropic metal oxide etch
KR19980068447A (en) * 1997-02-19 1998-10-15 손욱 Plasma Display Panel And Its Manufacturing Method
KR19990015478A (en) * 1997-08-06 1999-03-05 이채우 Method of manufacturing partition wall of plasma display panel
KR19990031755A (en) * 1997-10-14 1999-05-06 구자홍 Method of manufacturing partition wall of plasma display panel
JPH11144628A (en) * 1997-11-12 1999-05-28 Jsr Corp Barrier rib forming transfer film and manufacture of plasma display panel with it
KR20000032339A (en) * 1998-11-13 2000-06-15 박호군 Method for manufacturing compartment for plasma display panel
KR20000055550A (en) * 1999-02-08 2000-09-05 김영남 Method for Producing a Back-plate of a Plasma Display Panel

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010003714A (en) 2001-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4020616B2 (en) Plasma display panel and manufacturing method thereof
KR100807942B1 (en) Plasma display panel and production method therefor
KR100285760B1 (en) Bulkhead manufacturing method for plasma display panel and plasma display panel device using same
KR100577161B1 (en) Plasma Display Panel
KR100587273B1 (en) Anisotropical Glass Etching Method and Fabricating Method for Barrier Rib of Flat Panel Display Using the same
JP3888411B2 (en) Plasma display panel and manufacturing method thereof
KR100573139B1 (en) Plasma display panel and the fabrication method the such
KR100278785B1 (en) Manufacturing method of bulkhead of plasma display panel
KR100925093B1 (en) Plasma display panel manufacturing method
KR100467076B1 (en) Method of Fabricating the Barrier Rib on Plasma Display Panel
JP3334706B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
JP2002216640A (en) Gas discharge device and manufacturing method of the same
KR100740848B1 (en) Plasma display panel and methods for manufacturing thereof
KR19990000442A (en) Color Plasma Display Panel and Manufacturing Method Thereof
KR20040012433A (en) Plasma display panel and manufacturing method thereof
KR100293512B1 (en) Manufacturing method of bulkhead for plasma display device
KR100667536B1 (en) Plasma display panel and manufacturing mathod thereof
KR100745168B1 (en) Barrier rib manufacturing method of plasma display panel
JP3219060B2 (en) Display panel manufacturing method
KR100627357B1 (en) Plasma display panel and method for manufacturing the same
KR20000055634A (en) Fabricating Method of Barrier Rib for Plasma Display Panel
KR20000019540A (en) Method for fabricating partition wall of plasma display panel
JPH0696673A (en) Manufacture of plasma display panel
KR20060058797A (en) Method of fabricating plasma display panel
JP2010027319A (en) Method of manufacturing plasma display panel

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee