KR100583110B1 - 포토레지스트 세정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 - Google Patents
포토레지스트 세정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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- E06B9/00—Screening or protective devices for wall or similar openings, with or without operating or securing mechanisms; Closures of similar construction
- E06B9/01—Grilles fixed to walls, doors, or windows; Grilles moving with doors or windows; Walls formed as grilles, e.g. claustra
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Description
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- 제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트 세정액 조성물의 계면활성제의 함량은 전체 조성물에 대해 0.01∼1중량%이고, 알코올 화합물의 함량은 전체 조성물에 대해 0.01∼10중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 세정액 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 R은 옥틸(octyl), 옥틸 페닐(octyl phenyl), 노닐(nonyl), 노닐 페닐 (nonyl phenyl), 데실(decyl), 데실 페닐(decyl phenyl), 운데실(undecyl), 운데실 페닐(undecyl phenyl), 도데실(dodecyl) 및 도데실 페닐(dodecyl phenyl)로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 n은 5 내지 10 중에서 선택되는 정수인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 세정액 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 알코올 화합물은 C1-C10의 알킬 알코올 및 C1-C10의 알콕시 알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 단독으로 또는 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 세정액 조성물.
- 제 6 항에 있어서,상기 C1-C10의 알킬 알코올은 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올 및 2,2-디메틸-1-프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 단독으로 또는 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 세정액 조성물.
- 제 6 항에 있어서,상기 C1-C10의 알콕시 알코올은 2-메톡시에탄올, 2-(2-메톡시에톡시)에탄올, 1-메톡시-2-프로판올 및 3-메톡시-1,2-프로판디올로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 단독으로 또는 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 세정액 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 조성물은 R이 노닐이고, x, y 및 z가 1이며, n이 7인 상기 화학식 1의 화합물, 메탄올 및 증류수로 이루어진 용액; R이 옥틸이고, x, y 및 z가 1이며, n이 7인 상기 화학식 1의 화합물, 메탄올 및 증류수로 이루어진 용액; R이 도데실이고, x, y 및 z가 0이며, n이 7인 상기 화학식 1의 화합물, 이소프로판올 및 증류수로 이루어진 용액; 및 R이 옥틸 페닐이고, x, y 및 z가 1이며, n이 3인 상기 화학식 1의 화합물, 이소프로판올 및 증류수로 이루어진 용액 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 세정액 조성물.
- (a) 반도체기판에 형성된 피식각층 상부에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;(b) 상기 포토레지스트막을 노광하는 단계;(c) 상기 노광된 포토레지스트막을 현상액으로 현상하는 단계; 및(d) 상기 현상한 결과물을 제 1 항 기재의 세정액 조성물로 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 (b)단계의 노광전에 소프트 베이크 공정 및 (b)단계의 노광후에 포스트 베이크 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 노광 단계의 노광원은 KrF(248nm), ArF(193nm), VUV(157nm), EUV (13nm), E-빔, X-선 또는 이온빔으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제 10 항 기재의 방법을 이용하여 제조된 반도체소자.
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