KR100564303B1 - AlGaInP계 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
더 나아가, 단락이 방지되며, 방열 효과가 향상되어 고출력 대면적의 발광 소자를 제작할 수 있다.
Claims (8)
- 50 ~ 350㎛ 두께의 p형 투명 기판과;상기 p형 투명 기판 하부에 형성되는 p형 전극과;상기 p형 투명 기판의 상부에 순차적으로 형성되는 p형 윈도우층, p형 클래드층, 활성층, n형 클래드층, n형 윈도우층과;상기 n형 윈도우층 상에 형성되는 공융금속층과;상기 공융금속층 상에 형성되는 서브 마운트층과;상기 서브 마운트층 상에 형성되는 n형 전극을 포함하여 이루어지는 AlGaInP계 발광 다이오드.
- 제 1항에 있어서, 상기 p형 투명 기판은 GaP, ZnSe 또는 ZnS로 이루어지는 것을 특징으로 하는 AlGaInP계 발광 다이오드.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 p형 윈도우층, p형 클래드층, 활성층, n형 클래드층 및 n형 윈도우층은 AlGaInP로 이루어지는 것을 특징으로 하는 AlGaInP계 발광 다이오드.
- 제 1항, 제 2항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 p형 투명 기판과 상기 p형 윈도우층은 기판 융합에 의해 접합되는 것을 특징으로 하는 AlGaInP계 발광 다이오드.
- 삭제
- 삭제
- 제 5항에 따른 AlGaInP계 발광 다이오드를 제조하는 방법은,n형 GaAs 기판 상에 상기 n형 윈도우층, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층 및 p형 윈도우층을 순차적으로 형성하는 단계와;상기 p형 윈도우층과 50 ~ 350㎛ 두께의 상기 p형 투명 기판을 기판 융합으로 접합하는 단계와;상기 n형 GaAs 기판을 제거하는 단계와;상기 p형 투명 기판 상에 상기 p형 전극을 형성하는 단계와;상기 단계까지의 결과물을 뒤집고, 상기 n형 윈도우층 상에 상기 공융금속층과 상기 서브 마운트층과 상기 n형 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 AlGaInP계 발광 다이오드 제조방법.
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