KR100555995B1 - Method of producing a wafer, and adhesive tape - Google Patents
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Abstract
(a) 연삭 전에, 미리 웨이퍼 표면에 점착테이프를 맞붙이는 공정과, (b) 웨이퍼의 연삭가공 종료 후에 해당 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층을 웨이퍼의 형상을 평탄형상인 채로 유지할 수 있는 경도로 경화시키는 공정을 가진 웨이퍼의 제조방법과 그에 사용하는 점착테이프. (a) adhering the adhesive tape to the surface of the wafer before grinding; and (b) curing the wafer shape holding layer of the adhesive tape to a hardness that can maintain the shape of the wafer in a flat shape after completion of grinding of the wafer. A method of manufacturing a wafer having a process of making it and a pressure-sensitive adhesive tape used therein.
Description
도 1은 본 발명의 웨이퍼 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층의 DSC 챠트의 일례이다. 1 is an example of the DSC chart of the wafer-like holding layer of the wafer adhesive tape of the present invention.
도 2는, 본 발명의 웨이퍼 점착테이프의 일례를 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing an example of the wafer adhesive tape of the present invention.
본 발명은, IC 카드나 스마트 카드 등에 적용되는 박막화 연삭가공에 있어서의, 웨이퍼의 박막화 연삭 및 박막화한 웨이퍼의 반송 등의 웨이퍼 제조방법과 그에 사용하는 점착테이프에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
반도체 웨이퍼로서는, 실리콘 및 갈륨-비소 등의 화합물 반도체가 일반적으로 잘 알려져 있고, 그 중에서도 실리콘이 많이 사용되고 있다. 이 실리콘웨이퍼는, 단결정 인상법에 의해서 얻어진 고순도 실리콘의 잉곳으로부터 500∼1000㎛ 정도의 두께로 슬라이스되어 제조되고 있다. 이렇게 제조된 실리콘웨이퍼를 여러 가지 방법에 의해 가공함으로써 다수의 집적회로패턴이 웨이퍼 상에 형성된다. 이어서, 이 회로패턴이 형성된 웨이퍼는, 각종 디바이스에 적응하거나 혹은 각종 장착 방식에 적응한 패키지에 밀봉됨에 있어, 먼저 소정 두께로 얇게 하기 위해서, 웨이퍼 이면을 백 사이드 그라인더라고 불리는 장치에 의해 연삭가공하여 박막화한다. 또한, 필요에 따라 연삭가공시의 파쇄층 등의 연삭변형을 제거할 목적으로, 케미컬 에칭, CMP(케미컬·미케니컬·폴리싱) 등으로 대표되는 스트레스 릴리프처리를 하는 경우도 있다. As semiconductor wafers, compound semiconductors such as silicon and gallium arsenide are generally well known, and silicon is used in particular. This silicon wafer is manufactured by being sliced to a thickness of about 500 to 1000 µm from an ingot of high purity silicon obtained by a single crystal pulling method. By processing the silicon wafer thus manufactured by various methods, a plurality of integrated circuit patterns are formed on the wafer. Subsequently, the wafer on which the circuit pattern is formed is sealed in a package adapted to various devices or adapted to various mounting methods, and in order to thin the wafer first to a predetermined thickness, the wafer back surface is ground by an apparatus called a back side grinder. Thinner. Moreover, the stress relief process represented by chemical etching, CMP (chemical chemical polishing), etc. may be performed as needed in order to remove the grinding deformation, such as a crushing layer at the time of grinding processing.
그 때, 연삭가공 및 스트레스 릴리프처리에 있어서의 연삭 더스트 혹은 케미컬에 의한 오염으로부터 방지하는 것 및 연삭가공시의 충격에 의한 웨이퍼 자체의 파손을 방지하는 것을 목적으로, 회로패턴 표면에 보호용 점착테이프를 맞붙인다. 웨이퍼 이면의 연삭가공 종료 후에는, 해당 웨이퍼 표면에 맞붙여진 보호용 점착테이프를, 자외선 경화형 점착테이프의 경우는 미리 자외선조사를 한 후에, 그 이외의 보호용 점착테이프는 특별히 후처리할 필요는 없고, 박리하여 웨이퍼 카세트에 수납한 후, 다이싱공정으로 반송된다. In this case, a protective adhesive tape is applied to the circuit pattern surface for the purpose of preventing from contamination by grinding dust or chemicals during grinding and stress relief processing and preventing damage to the wafer itself due to impact during grinding. Work together After grinding the back surface of the wafer, the protective adhesive tape bonded to the surface of the wafer is irradiated with ultraviolet rays in advance in the case of the ultraviolet curable adhesive tape, and then the other protective adhesive tape does not need to be post-processed. After storing in a wafer cassette, it is conveyed by a dicing process.
그런데, 이들 종래의 웨이퍼 이면 연삭가공방식에서는, 이면 연삭후의 웨이퍼 두께가 300㎛ 이상으로 두꺼운 경우에는, 해당 웨이퍼의 연삭가공에 의한 웨이퍼 자체의 뒤집어짐 혹은 휘어짐이 생기기 어렵다. 그 때문에, 연삭가공 후의 웨이퍼는 연삭가공을 실시하지 않은 웨이퍼와 같이 평탄한 형상의 웨이퍼이기 때문에, 연삭가공 후의 웨이퍼 형상대로 다음공정으로의 반송을 할 수 있는 동시에 웨이퍼카세트에 수납이 가능하였다. By the way, in these conventional wafer back surface grinding methods, when the wafer thickness after back surface grinding is thick with 300 micrometers or more, the flipping or curving of the wafer itself by the grinding processing of the said wafer hardly occurs. Therefore, since the wafer after grinding is a flat wafer like the wafer which has not been ground, the wafer can be transported to the next step in the wafer shape after grinding and can be stored in the wafer cassette.
한편, 근래의 모바일기기에의 설치용도 확대에 따라, 스택형 CSP(칩·사이즈·패키지)로 대표되는 것과 같은, 삼차원 고밀도 장착형 패키지가 급속히 보급되고 있다. 이에 따라 칩 면적과 패키지 투영면적의 동일화와 패키지 두께의 박막화에 따라, 장착되는 칩 자체의 박막화, 즉 반도체 웨이퍼 자체의 두께를 25∼100㎛로 극단적으로 박막화하지 않으면 안되었다. 그러나, 이렇게 박막화한 웨이퍼는, 그대로는 연삭가공 후에 연삭가공 전의 평탄한 형상을 유지하는 것이 어렵다. 즉, 연삭가공 후에 현저히 뒤집힘·휘어짐이 발생하여, 소위 포테이토 칩 형상으로 웨이퍼의 끝단부가 뒤집혀 오르는 등 변형하기 쉬워진다. 이 때문에, 백 사이드 그라인더로의 웨이퍼 이면의 연삭가공 종료 후, 웨이퍼를 흡착고정하고 있는 스테이지에서 떼어냈을 때에, 포테이토 칩과 같은 형상으로 웨이퍼 자체가 변형하기 쉬워진다. 따라서, 이러한 변형 때문에 다음 공정으로 웨이퍼를 반송하기 위한 흡착아암에서의 진공흡착 에러가 생기기 쉽고, 또한, 웨이퍼 카세트에 수납할 때에 웨이퍼가 휘어져 있으므로 수납 자체를 할 수 없는 등의 문제가 발생하고 있었다. On the other hand, with the expansion of the installation use in mobile devices in recent years, three-dimensional high-density mounting packages such as those represented by stacked CSPs (chip size packages) are rapidly spreading. As a result, the chip area and the package projected area are equalized and the package thickness is thinned, so that the thickness of the chip itself to be mounted, that is, the thickness of the semiconductor wafer itself, has to be extremely thinned to 25 to 100 m. However, it is difficult for the wafer thus thinned to maintain a flat shape before grinding after grinding. That is, after grinding, remarkably overturning and warping occur, so that the tip of the wafer is turned upside down in a so-called potato chip shape and is easily deformed. For this reason, when the wafer is removed from the stage on which the wafer backside is ground on the back side grinder, the wafer itself is easily deformed into a shape similar to a potato chip. Therefore, such a deformation tends to cause a vacuum suction error in the suction arm for conveying the wafer to the next step, and also causes a problem that the wafer itself is not bent because the wafer is bent when stored in the wafer cassette.
이들 문제점을 해결하는 방법으로서, 예를 들면 미리 다이싱 공정에서 사용하는 프레임 등의 웨이퍼 지름보다도 큰 링형상 프레임을 사용하여 표면보호 테이프를 전체면에 맞붙이고, 이 테이프의 중앙부에 웨이퍼를 맞붙여 고정하는 방법이 제안되어 있다(일본 특개평6-302569호 공보). 이 방법에 의하면, 박막화 연삭가공 종료후의 웨이퍼 형상을 링 프레임에 의해 평탄형상으로 유지하고, 더욱이 웨이퍼를 링 프레임마다 반송할 수가 있다. As a method of solving these problems, for example, the surface protection tape is bonded to the entire surface by using a ring-shaped frame larger than the wafer diameter such as the frame used in the dicing step, and the wafer is bonded to the center of the tape. A method of fixing is proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 6-302569). According to this method, the wafer shape after completion of thin-film grinding processing can be kept flat by a ring frame, and the wafer can be conveyed for each ring frame.
또한, 웨이퍼를 미리 석영 유리나 사파이어 유리 등의 경질이고 평탄한 기반과 양면 테이프나 왁스 등의 점접착제를 통해, 혹은 기반에 형성된 구멍 등으로부터의 흡인에 의해 웨이퍼와 기반을 맞붙이거나 혹은 밀착시키고, 이 기반마다 웨이 퍼의 이면 연삭가공을 함으로써, 박막화한 웨이퍼 형상을 평탄하게 유지하여, 기반에 맞붙여진 상태로 다음공정 혹은 카세트 등에의 수납을 가능하게 하는 방법 등이 일본 특허공개 2001-93864 공보 등에 개시되어 있다. In addition, the wafer is bonded or adhered to the wafer and the substrate by a hard and flat base such as quartz glass or sapphire glass in advance and an adhesive such as double-sided tape or wax or by suction from holes formed in the base. Japanese Patent Laid-Open No. 2001-93864 discloses a method of grinding the wafer back surface to maintain the thinned wafer shape flat to allow the wafer to be stored in the next step or the cassette while being bonded to the base. have.
그러나, 이러한 박막화한 웨이퍼 형상의 유지·반송방법은, 링 프레임을 사용한 경우에는, 웨이퍼 지름의 큰지름화에 따라, 백 사이드 그라인더 자체의 흡착고정 스테이지를, 웨이퍼 지름에 적응하는 링 프레임의 사이즈에 맞추어 크게 할 필요가 있다. 따라서, 범용장치와 대폭적으로 다른 특별한 장치개발이 새롭게 필수가 되는 외에, 링 프레임마다 수납할 수 있는 특별한 카세트 혹은 수납방법도 필요하다. However, such a thinned wafer shape retaining and conveying method, when a ring frame is used, adopts an adsorption fixing stage of the back side grinder itself to a size of the ring frame adapted to the wafer diameter as the diameter of the wafer increases. You need to make it larger. Therefore, the development of a special device that is significantly different from the general-purpose device is newly required, and a special cassette or a storage method that can be stored for each ring frame is required.
또한, 경질기반을 맞붙인 웨이퍼 형상의 유지·반송방법에서는, 웨이퍼와 경질기반과의 계면에 기포 등의 말려듬 없이 맞붙이는 것이 곤란하였다. 또한 웨이퍼의 박막화 연삭가공 종료 후 기반으로부터의 웨이퍼 박리가 기존장치로는 곤란하고, 더욱이 박리시에 웨이퍼 파손이 생기기 쉬운 등의 새로운 문제를 일으킨다. In addition, in the wafer shape holding and conveying method in which the hard base is bonded, it is difficult to apply the wafer to the interface between the hard base without air bubbles or the like. In addition, the wafer peeling from the base after the thinning grinding of the wafer is difficult with the existing apparatus, and further causes a new problem such that wafer breakage easily occurs during peeling.
본 발명은, 이들 박막화한 웨이퍼의 형상유지 및 반송에 있어서의 성능을 유지하는 동시에, 문제점이 되는 웨이퍼에의 맞붙임 및 웨이퍼로부터의 박리 등 기존장치와의 적합성을 확보한, 웨이퍼 박막화 연삭 및 박막화 웨이퍼 반송방법의 제공을 목적으로 한다. The present invention maintains the performance in maintaining and conveying the shape of these thinned wafers, and at the same time ensures compatibility with existing devices, such as bonding to the wafer and peeling from the wafer, which are problematic, and thinning and thinning wafers. An object of the present invention is to provide a wafer transfer method.
또한, 본 발명은 상기 방법에 사용하는 데에 바람직한 박막화 연삭가공시의 웨이퍼 점착테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. Moreover, an object of this invention is to provide the wafer adhesive tape at the time of thin film grinding processing which is suitable for use in the said method.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징 및 이점은, 첨부한 도면과 함께 고려함으로써, 하기의 기재로부터 보다 명백해질 것이다. The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description when considered in conjunction with the accompanying drawings.
본 발명자는, 이러한 종래의 반도체 웨이퍼 박막화 연삭 및 박막화 웨이퍼 반송방법에 있어서의 문제점을 극복하기 위해서, 여러 가지 검토를 거듭한 결과, 웨이퍼의 연삭 전 미리 회로패턴 표면에 웨이퍼형상 유지층을 가진 점착테이프를 맞붙이고, 웨이퍼의 이면 연삭가공 종료 후에 연삭장치의 웨이퍼를 흡착고정하고 있는 척 테이블로부터 웨이퍼를 꺼내기 전에 해당 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층을 유연한 상태에서, 박막화한 웨이퍼 형상을 유지할 수 있는 경도로 경화시켜, 웨이퍼를 해당 점착테이프마다, 이 척 테이블로부터 착탈하여 반송함으로써, 평탄형상의 웨이퍼로서 그대로 유지할 수 있고, 반송시에 따른 웨이퍼의 파손을 방지하는 동시에, 기존의 웨이퍼 카세트에의 수납을 가능하게 할 수 있는 것을 발견하여, 이 지견에 근거하여 본 발명을 이루게 되었다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to overcome the trouble in the conventional method of thin-film grinding and thin-film wafer conveyance of this conventional semiconductor wafer, as a result of repeated examination, the adhesive tape which has a wafer shape holding layer on the circuit pattern surface before grinding of a wafer is performed. The wafer shape holding layer of the adhesive tape in a flexible state to maintain the thinned wafer shape before the wafer is removed from the chuck table holding the wafer of the grinding apparatus after the grinding of the back surface of the wafer. By hardening and detaching and transporting the wafer from the chuck table for each adhesive tape, the wafer can be held as a flat wafer, preventing damage to the wafer during transportation, and storing in an existing wafer cassette. Based on this knowledge, It was formed the invention.
즉 본 발명은, That is, the present invention,
(1) (a) 연삭 전에, 미리 웨이퍼 표면에 점착테이프를 맞붙이는 공정과, (b) 웨이퍼의 연삭가공 종료 후에 해당 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층을 웨이퍼의 형상을 평탄형상인 상태로 유지할 수 있는 경도로 경화시키는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 제조방법. (1) (a) attaching the adhesive tape to the surface of the wafer before grinding; and (b) keeping the wafer shape holding layer of the adhesive tape in a flat state after the grinding of the wafer is finished. Wafer manufacturing method characterized by having a step of curing to a hardness.
(2) 상기의 점착테이프가, 필름형상 지지체를 구성하는 적어도 그 일층으로서 혹은, 필름형상 지지체와 해당 필름형상 지지체에 도포되는 점착제층과의 중간 에, 박막화한 웨이퍼의 형상을 평탄하게 형상유지할 수 있는 웨이퍼형상 유지층을 가지며 이루어지는 것을 특징으로 하는 (1)항에 기재된 웨이퍼의 제조방법. (2) Said adhesive tape can shape | mold the shape of the thin filmed wafer at least as one layer which comprises a film-form support body, or between the film-form support body and the adhesive layer apply | coated to this film-form support body. The wafer manufacturing method as described in (1) characterized by having a wafer shape holding layer.
(3) 상기의 웨이퍼형상 유지층은, 분위기온도에 의해 가역적으로 연화-경화 변화하는 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)항에 기재된 웨이퍼의 제조방법. (3) The method for manufacturing a wafer according to (1) or (2), wherein the wafer-like holding layer reversibly softens and hardens with an ambient temperature.
(4) 상기의 웨이퍼형상 유지층을 경화시키는 공정에 있어서, 웨이퍼 연삭 종료 후, 연삭시의 발열에 의한 가열상태로부터 해당 점착테이프를, 웨이퍼형상 유지층이 웨이퍼의 형상을 평탄하게 유지할 수 있는 온도까지 냉각하는 것을 특징으로 하는 (1)∼(3)항 중의 어느 한 항에 기재된 웨이퍼의 제조방법. (4) In the step of curing the wafer-like holding layer, after the end of wafer grinding, the temperature at which the wafer-shaped holding layer can keep the shape of the wafer flat from the heated state caused by heat generation during grinding. The wafer manufacturing method as described in any one of (1)-(3) characterized by cooling to this point.
(5) 상기의 점착테이프를 구성하는 웨이퍼형상 유지층이, 적어도 일층 이상의 수지층으로 구성되고, 용융개시온도 Ti에서 연화-경화 변화하는 측쇄결정성 폴리머를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 (3)항에 기재된 웨이퍼의 제조방법. (5) The wafer-like holding layer constituting the above-mentioned adhesive tape is composed of at least one or more resin layers and contains a side chain crystalline polymer that softens and hardens at a melting start temperature Ti (3). The manufacturing method of the wafer of Claim.
(6) 상기의 점착테이프를 맞붙인 채인 상태로 반송하는 공정을 가진 (1)∼ (5)항 중의 어느 한 항에 기재된 웨이퍼의 제조방법. (6) The manufacturing method of the wafer in any one of (1)-(5) which has the process of conveying in the state which stuck said adhesive tape.
(7) 웨이퍼의 연삭 전에, 미리 해당 웨이퍼 표면에 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층을 구성하는 수지의 유리전이점온도 이상으로 가열하면서 상기 웨이퍼형상 유지층을 연화시켜 점착테이프를 맞붙이는 공정과, 웨이퍼 연삭 후, 연삭시의 발열에 의한 가열상태로부터 해당 점착테이프를 웨이퍼형상 유지층 구성 수지의 유리전이점온도 이하까지 냉각함으로써 경화시키는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 제조방법. (7) before grinding the wafer, softening the wafer-shaped holding layer and pasting the adhesive tape onto the wafer surface while heating the glass transition temperature of the resin constituting the wafer-shaped holding layer of the adhesive tape in advance; And a step of curing the adhesive tape by cooling to below the glass transition point temperature of the wafer-like holding layer constituent resin from the heating state caused by heat generation during grinding.
(8) 상기 웨이퍼형상 유지층이, 필름형상 지지체를 구성하는 적어도 그 일층으로서 혹은, 필름형상 지지체와 해당 필름형상 지지체에 도포되는 점착제층과의 중간에, 적어도 일층 이상의 수지층으로 구성되고, 점착테이프를 구성하는 필름형상 지지체의 유리전이점온도 이하의 유리전이점온도를 가진 수지를 사용하여, 해당 수지의 유리전이점온도 이하로 냉각함으로써 경화하여, 박막화한 웨이퍼의 형상을 평탄형상으로 유지할 수 있는 상태로 가역적으로 변화하는 것을 특징으로 하는 (7)항에 기재된 웨이퍼의 제조방법. (8) The wafer-like holding layer is composed of at least one or more resin layers as at least one layer constituting the film-like support or in the middle of the film-like support and the pressure-sensitive adhesive layer applied to the film-like support, Using a resin having a glass transition temperature below the glass transition temperature of the film-like support constituting the tape, the resin can be cured by cooling to below the glass transition temperature of the resin to maintain the shape of the thinned wafer in a flat shape. The manufacturing method of the wafer of (7) characterized by the above-mentioned.
(9) 필름형상 지지체를 구성하는 적어도 그 일층으로서 혹은, 필름형상 지지체와 해당 필름형상 지지체에 도포되는 점착제층과의 중간에, 박막화한 웨이퍼의 형상을 평탄하게 형상유지할 수 있는 웨이퍼형상 유지층을 가지며 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 박막화 연삭가공시의 점착테이프. (9) At least one layer constituting the film-like support, or in the middle of the film-like support and the pressure-sensitive adhesive layer applied to the film-like support, a wafer-like holding layer capable of flatly maintaining the shape of the thinned wafer. The adhesive tape at the time of wafer thin-film grinding processing which is provided, and it is provided.
(10) 상기 웨이퍼형상 유지층이, 분위기온도에 의해 가역적으로 연화-경화 변화하는 것을 특징으로 하는 (9)항에 기재된 웨이퍼 박막화 연삭가공시의 점착테이프. (10) The pressure-sensitive adhesive tape during wafer thin-film grinding processing according to (9), wherein the wafer-like holding layer is softened and hardened in a reversible manner depending on the ambient temperature.
(11) 상기 웨이퍼형상 유지층은, 냉각함으로써 경화하는 것을 특징으로 하는 (10)항에 기재된 웨이퍼 박막화 연삭가공시의 점착테이프. (11) The pressure-sensitive adhesive tape during wafer thinning grinding processing according to (10), wherein the wafer-like holding layer is cured by cooling.
(12) 상기 웨이퍼형상 유지층이, 적어도 일층 이상의 수지층으로 구성되고, 측쇄결정성의 폴리머를 포함하여 이루어지고, 해당 폴리머를 제1차 용융전이온도 (Tm) 이하로 냉각함으로써 경화하는 것을 특징으로 하는 (10)∼(11)중의 어느 한 항에 기재된 박막화 연삭가공시의 점착테이프. (12) The wafer-like holding layer is composed of at least one or more resin layers, comprises a side chain crystalline polymer, and is cured by cooling the polymer to a first melt transition temperature (Tm) or lower. The adhesive tape at the time of thin film grinding processing of any one of (10)-(11) mentioned above.
(13) 상기 웨이퍼형상 유지층이, 적어도 일층 이상의 수지층으로 구성되고, 점착테이프를 구성하는 필름형상 지지체의 유리전이점온도 이하의 유리전이점을 가지는 수지를 포함하여 이루어지고, 해당 수지의 유리전이점온도 이하로 냉각함으로써 경화하는 것을 특징으로 하는 (10)∼(11)중 어느 한 항에 기재된 박막화 연삭가공시의 점착테이프. (13) The wafer-like holding layer is composed of at least one or more resin layers, comprises a resin having a glass transition point below the glass transition temperature of the film-like support constituting the adhesive tape, and the glass of the resin. The adhesive tape at the time of thin film grinding processing as described in any one of (10)-(11) characterized by hardening by cooling below transition point temperature.
를 제공하는 것이다. To provide.
여기서, 본 명세서에 있어서, 측쇄결정성 폴리머에 대하여 말하면, 용융개시온도 Ti란, 수지가 연화된 상태로부터 경화상태로 실질적으로 변화가 종료하는 온도를 말하며, 바꿔 말하면 가열 전에는 질서 있는 배열로 정합되어 있는 수지의 특정한 부분이 가열됨에 따라 무질서상태로 되기 시작하는 온도이다. 도 1로 설명한다. 본 발명의 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층의 DSC(Differential Scanning Calorimetry) 측정을 통상의 조건에 따라, 승온속도 1O℃/분, 공기분위기하에서 행하면, 도 1에 나타낸 바와 같은 융해-온도곡선을 얻을 수 있다. 본 발명의 점착테이프에 있어서의 웨이퍼형상 유지층은 온도의 상승과 동시에, 큰 흡열 피크를 나타낸다. 흡열 피크가 관찰되는 전후에는 대개 융해-온도곡선은 평탄하고, 흡열 전의 융해-온도곡선이 평탄한 부분의 점 A와 흡열 후의 융해-온도곡선이 평탄한 부분의 점 B를 직선으로 연결한다. 이 직선을 베이스 라인으로 한다. 점 A에서 더욱 온도를 올리면, 열량-온도곡선의 구배는 최대가 된다. 이 점 C에서 접선을 긋고, 그 접선이 상기 베이스 라인과 교차하는 점이 융해개시온도 Ti이다. 점 C를 넘어서 더욱 온도상승시키면, 흡열곡선은 피크에 도달한다. 이 점이 1차 용융전이온도 (Tm) 이다. 본 발명에서는, 제1차 용융전이온도(Tm)이란, 가열 전에는 질서 있는 서열로 배열로 정합되어 있는 폴리머의 특정한 부분이 가열됨에 따라 무질서한 상태를 일으키게 하는 온도를 말한다. 더욱 온도상승시키면, 융해완료점 B에 도달한다. 이 때의 온도가 융해완료온도 Te이다. Here, in the present specification, the side chain crystalline polymer refers to a temperature at which the start of melting of Ti is substantially changed from the softened state of the resin to the hardened state, that is, it is matched in an orderly arrangement before heating. It is the temperature at which a certain part of the resin begins to become disordered as it is heated. It demonstrates with FIG. When the DSC (Differential Scanning Calorimetry) measurement of the wafer-shaped holding layer of the adhesive tape of the present invention is carried out under an ordinary condition and at a heating rate of 10 ° C./min at an air atmosphere, a melting-temperature curve as shown in FIG. 1 can be obtained. have. The wafer-like holding layer in the adhesive tape of the present invention exhibits a large endothermic peak at the same time as the temperature rises. Before and after the endothermic peak is observed, the melting-temperature curve is usually flat, and a straight line connects the point A of the flat portion of the melting-temperature curve before the endotherm and the point B of the flat portion of the melting-temperature curve after the endotherm. This straight line is used as the base line. By raising the temperature further at point A, the gradient of the calorie-temperature curve is maximum. A tangential line is drawn at this point C, and the point where the tangent line intersects the base line is the melting start temperature Ti. As temperature rises further beyond point C, the endothermic curve reaches a peak. This is the primary melt transition temperature (Tm). In the present invention, the primary melt transition temperature (Tm) refers to a temperature that causes a disordered state as a specific portion of the polymer, which is matched in an ordered sequence before heating, is heated. If the temperature rises further, the melting point B is reached. The temperature at this time is the melting completion temperature Te.
본 명세서에 있어서, '박막화한 웨이퍼형상을 평탄하게 유지한다'란, 흡착아암에서의 반송이나 웨이퍼 카세트에의 수납을 가능하게 하는 정도로, 연삭가공 후의 웨이퍼를 실질적으로 뒤집힘 등의 변형이나 휘어지지 않도록 점착테이프가 유지하는 것을 말한다. In the present specification, the term 'keeping the thinned wafer shape flat' means that the wafer after the grinding process is not substantially deformed or warped such that the wafer can be transported from the suction arm or stored in the wafer cassette. It means the adhesive tape keeps.
또한, 본 명세서에 있어서 '연화-경화 변화한다'란, 박막화한 웨이퍼형상을 평탄히 유지할 수 있을 만큼의 경도를 가지지 않는, 즉 가동성이 있는 상태로부터, 해당 웨이퍼형상을 유지할 수 있는 데에 충분할 만큼의 경도로 경화변화하는 것이다. In addition, in this specification, "softening-hardening change" does not have hardness enough to keep the thinned wafer shape flat, ie, it is enough to maintain the wafer shape from a movable state. Hardness changes with the hardness of.
즉, 본 발명은 경화와 연화를 가역적으로 일으킬 수 있어, 박막화한 웨이퍼형상을 평탄하게 유지할 수 있는 경도로 경화하는 웨이퍼형상 유지층을 가진 점착테이프를, 웨이퍼형상 유지층이 유연한 상태에서 미리 연삭가공을 실시하기 전의 웨이퍼에 맞붙이고, 박막화 연삭가공 종료 후, 백 사이드 그라인더의 웨이퍼흡착 고정스테이지에 웨이퍼를 평탄상태로 고정한 채로, 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층을 경화시킴으로써, 웨이퍼를 점착테이프마다 평탄한 상태로, 유지·반송 및 카세트 등에의 수납을 가능하게 하는 방법이다. 또, 본 발명은 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층의 경도가 가역적으로 변화하기 때문에, 박막화한 웨이퍼로부터의 점착 테이프 박리시에는, 기존의 점착테이프 박리장치에 있어서 웨이퍼를 흡착한 상태로 점착테이프를 180도 방향으로 굴곡시킨 상태로 박리하여, 박막화한 웨이퍼를 용이하게 제조할 수 있는 방법이다. In other words, the present invention is capable of reversibly hardening and softening, and the adhesive tape having a wafer-like holding layer that is cured to a hardness capable of keeping the thinned wafer shape flat can be ground in advance in a state where the wafer-shaped holding layer is flexible. The wafer is held flat for each adhesive tape by curing the wafer-like holding layer of the adhesive tape while the wafer is adhered to the wafer before performing the thin film grinding and the wafer is fixed to the wafer adsorption fixed stage of the back side grinder after the thin film grinding finishes. This is a method for enabling holding, conveying, and storing in a cassette. In addition, in the present invention, since the hardness of the wafer-shaped holding layer of the adhesive tape is reversibly changed, when the adhesive tape is peeled from the thinned wafer, the adhesive tape is 180 in a state where the wafer is adsorbed in the conventional adhesive tape peeling apparatus. It is a method which can peel easily in the state bent in the direction of FIG., And can manufacture the wafer thinned.
본 발명의 웨이퍼 제조방법에 사용할 수 있는 점착테이프는, 필름형상 지지체를 구성하는 적어도 그 일층으로서 혹은, 필름형상 지지체와 해당 필름형상 지지체에 도포되는 점착제층과의 중간에, 가열 혹은 냉각이라고 하는 온도차를 부여함으로써, 가역적으로 경도가 변화하는, 즉 유연한 상태에서 박막화한 웨이퍼형상을 평탄하게 유지할 수 있는 경도로 경화하는 성질을 가진, 웨이퍼형상 유지층을 가지며 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다. The adhesive tape which can be used for the wafer manufacturing method of this invention is a temperature difference called heating or cooling as at least one layer which comprises a film-form support body, or between the film-form support body and the adhesive layer apply | coated to this film-form support body. It is characterized by comprising a wafer-shaped holding layer having a property that the hardness is reversibly changed, that is, cured to a hardness capable of keeping the thinned wafer shape flat in a flexible state.
본 명세서에 있어서, '웨이퍼의 형상을 평탄하게 유지할 수 있는 온도'란, 웨이퍼형상 유지층을 구성하는 수지가 연화된 상태로부터 경화상태로 실질적으로 변화가 종료하고 있는 온도이다. 이 온도 이하로 함으로써 경화상태를 유지할 수 있다. 이 온도는, 웨이퍼형상 유지층을 구성하는 수지의 제1차 용융전이온도 또는 유리전이점온도 이하의 온도이면 임의로 설정할 수 있다. '웨이퍼형상을 평탄하게 유지할 수 있는 온도'는, 바람직하게는 10∼30℃의 범위로 선택되지만, 연삭가공을 하는 장소의 실온에 맞추어 설정하는 것이 바람직하다. In this specification, "the temperature which can keep the shape of a wafer flat" is the temperature which change | finishes substantially from the softening state of the resin which comprises a wafer shape holding layer to hardening state. A curing state can be maintained by below this temperature. This temperature can be arbitrarily set as long as it is a temperature below the primary melting transition temperature or glass transition temperature of the resin constituting the wafer-like holding layer. The temperature at which the wafer shape can be kept flat is preferably selected in the range of 10 to 30 ° C., but is preferably set in accordance with the room temperature of the place where the grinding process is performed.
이 점착테이프에 대하여 도 2에 단면도로서 일례를 나타내면, 1은 필름형상 지지체, 2는 상기의 웨이퍼형상 유지층, 3은 웨이퍼를 점착하는 점착제층이다. 2 shows an example as sectional drawing about this adhesive tape, 1 is a film-form support body, 2 is said wafer shape holding layer, and 3 is an adhesive layer which adheres a wafer.
본 발명에 있어서 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층은, 냉각함으로써 박막화한 웨이퍼형상을 평탄하게 유지할 수 있는 경도로 경화(경질화)하는 성질을 가진 다. 이 웨이퍼형상 유지층은, 분위기온도에 의해 가역적으로, 연화-경화의 변화를 일으키는 재료로 이루어진다. 연화점은, 용도, 사용방법 등에 따라 약간 다르지만, 바람직하게는 30∼100℃의 범위에서 선택되고, 보다 바람직하게는 40∼60℃의 범위에서 선택되지만, 요는 소정온도를 경계로 연화-경화를 일으키면 되고, 이 온도범위와는 다른 온도를 선택하여도 좋다. In the present invention, the wafer-like holding layer of the adhesive tape has a property of curing (hardening) to a hardness capable of keeping the wafer shape thinned by cooling. This wafer-like holding layer is made of a material that causes a change in softening-hardening reversibly by the ambient temperature. The softening point is slightly different depending on the use, the method of use, and the like, but is preferably selected in the range of 30 to 100 ° C and more preferably in the range of 40 to 60 ° C. What is necessary is just to raise | generate and you may select the temperature different from this temperature range.
본 발명의, 점착테이프의 형상유지층은, 가역적으로 연화-경화 변화하는 성질을 가진 것에 의해, 백 사이드 그라인더에 의한 웨이퍼의 이면 연삭가공시에는, 워크 온도의 상승과 함께 웨이퍼형상 유지층을 구성하는 수지 자체가 과열에 의해 유연화함으로써 적절한 쿠션성을 얻을 수 있고, 웨이퍼 파손을 방지하는 효과를 발현한다. 그리고, 그 후 웨이퍼로부터의 점착테이프 박리시에는, 유연화시킴으로써 점착테이프 자체에 가동성을 부여시켜, 기존의 점착테이프 박리장치에 의해, 180도 방향으로 테이프를 굴곡시키는 박리방법에 적합하다. The shape-retaining layer of the adhesive tape of the present invention has a property of softening-curing change reversibly, and thus, during backside grinding processing of the wafer by the backside grinder, the wafer-shaped holding layer is formed with the increase of the work temperature. When the resin itself is softened by overheating, appropriate cushioning properties can be obtained, and an effect of preventing wafer breakage is exhibited. Then, at the time of peeling off the adhesive tape from the wafer, the film is softened to provide flexibility to the adhesive tape itself, and is suitable for the peeling method of bending the tape in the 180-degree direction by the existing adhesive tape peeling apparatus.
이 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층은, 용융개시온도 Ti에서 연화-경화 변화하는 측쇄결정성의 폴리머를 함유하여 이루어지는 것이 바람직하다. 이 폴리머는, 용융개시온도 Ti보다 고온으로 가열함으로써 유연화하고, 이 온도보다 낮게 함으로써 경화한다. The wafer-like holding layer of the pressure-sensitive adhesive tape preferably contains a side chain crystalline polymer that softens and hardens at a melting start temperature Ti. This polymer is softened by heating to a temperature higher than the melting start temperature Ti, and cured by lowering the temperature.
측쇄결정성의 폴리머는, 바람직하게는 아크릴산에스테르, 메타아크릴산에스테르를 주성분으로 하는 폴리머로서, 측쇄로서 바람직하게는 탄소수10 이상의 직쇄상 알킬기, 더욱 바람직하게는 탄소수 10 이상 24 이하의 직쇄상 알킬기를 가진다. 상기 아크릴산에스테르, 메타아크릴산에스테르로서 구체적으로는, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산-n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산-2-에틸헥실, (메타)아크릴산-2-히드록실에틸, (메타)아크릴산-2-히드록시프로필, (메타)아크릴산아미드, (메타)아크릴산글리시딜, (메타)아크릴산-2-시아노에틸, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것이 아니다. The side chain crystalline polymer is preferably a polymer containing acrylate ester and methacrylic acid ester as a main component, and preferably has a straight chain alkyl group having 10 or more carbon atoms, more preferably a straight chain alkyl group having 10 to 24 carbon atoms, as the side chain. Specific examples of the acrylic acid ester and the methacrylic acid ester include (meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, -n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate and hexyl (meth) acrylate. , (Meth) acrylic acid 2-ethylhexyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid amide, (meth) acrylic acid glycidyl, (meth) Although acrylic acid 2-cyanoethyl, acrylonitrile, etc. are mentioned, It is not limited to these.
또한, 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층으로서, 유리전이점온도를 경계로 연화-경화 변화하는 열가소성의 수지를 사용하는 것도 바람직하다. 이 수지는, 유리전이점온도보다 고온으로 가열함으로써 유연화하고, 이 온도 이하로 냉각함으로써 경화한다. 이러한 열가소성 수지로서는, 스티렌-부타디엔 공중합체를 들 수 있다. 단, 웨이퍼형상 유지층에 사용되는 열가소성 수지의 유리전이온도는, 점착테이프를 구성하는 필름형상 지지체의 유리전이점온도 이하이다. 이러한 열가소성 수지는, 적어도 유리전이온도까지 냉각함으로써 경화하여, 박막화한 웨이퍼의 형상을 평탄히 유지할 수 있을 만큼의 경도가 된다. It is also preferable to use a thermoplastic resin that softens and hardens to a glass transition point temperature as a wafer-shaped holding layer of the adhesive tape. This resin is softened by heating to a higher temperature than the glass transition point temperature, and cured by cooling below this temperature. As such a thermoplastic resin, a styrene-butadiene copolymer is mentioned. However, the glass transition temperature of the thermoplastic resin used for a wafer shape holding layer is below the glass transition point temperature of the film-form support body which comprises an adhesive tape. Such a thermoplastic resin is hardened | cured by cooling to at least glass transition temperature, and it becomes hard enough to maintain the shape of the thinned wafer flat.
점착테이프의 웨이퍼형상 유지층을 구성하는 수지에 대해서는, 상기의 수지에 한정되지 않고, 분위기온도에 따라, 소정의 온도를 경계로 가역적으로 연화-경화 변화하는 것이면, 어떠한 수지라도 좋다. The resin constituting the wafer-shaped holding layer of the adhesive tape is not limited to the above resin, and may be any number as long as it is reversibly softened and cured at a predetermined temperature depending on the ambient temperature.
또한, 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층으로서 자외선경화형 수지 등의 화학반응에 의해 경질화하는 수지를 병용할 수도 있지만, 이 경우 웨이퍼형상 유지층은 적어도 두 종류의 수지로 구성되어, 각각이 방사선조사에 의해 경화하는 방사선경화형의 수지와 소정의 온도로 냉각함으로써 결정화하는 성질을 가진 측쇄결정성의 폴리머, 혹은/및 유리전이점온도보다 고온으로 가열함으로써 유연화하는 열가소성의 수지로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 방사선경화형 수지로서는, 예를 들면 광조사에 의해서 삼차원망형상화할 수 있는 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 2중결합을 적어도 2개 이상 가진 저분자량 화합물이 널리 사용되고, 구체적으로는, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 테트라메티롤메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트나, 올리고에스테르아크릴레이트 등을 널리 적용할 수 있다. In addition, although the resin which hardens | cures by chemical reaction, such as an ultraviolet curable resin, can also be used together as the wafer shape holding layer of adhesive tape, in this case, a wafer shape holding layer consists of at least two types of resin, respectively, It is preferable to consist of a radiation-curable resin which is cured by curing, and a side chain crystalline polymer having a property of crystallizing by cooling to a predetermined temperature, and / or a thermoplastic resin which is softened by heating to a temperature higher than the glass transition point temperature. As such a radiation-curable resin, for example, a low molecular weight compound having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally networked by light irradiation is widely used, and specifically, trimethylolpropane Triacrylate, tetrametholmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate The rate, 1, 6- hexanediol diacrylate, polyethyleneglycol diacrylate, oligoester acrylate, etc. can be applied widely.
또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 이외에, 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올화합물과, 다가(多價) 이소시아네이트화합물(예컨대, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실렌디이소시아네이트, 1,4-크실렌디이소시아네이트, 디페닐메탄4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 히드록실기를 가진 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예컨대, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어지는 것 등을 들 수 있다. In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers may also be used. The urethane acrylate oligomer is a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyhydric isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3- The terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by making xylene diisocyanate, 1, 4- xylene diisocyanate, diphenylmethane 4, 4- diisocyanate etc. react, and the acrylate or methacrylate which has a hydroxyl group (for example, 2-hydride) Hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Can be mentioned.
웨이퍼형상 유지층의 두께는, 경화시에 그 층 두께로 웨이퍼형상을 유지할 수 있는 두께이면 특히 제한은 없고, 그 점을 만족하려면 얇을수록 좋다. 바람직하게는 10∼200㎛, 보다 바람직하게는 30∼100㎛이다. The thickness of the wafer shape holding layer is not particularly limited as long as the thickness can hold the wafer shape at the thickness of the layer during curing, and the thinner the better. Preferably it is 10-200 micrometers, More preferably, it is 30-100 micrometers.
본 발명방법에 사용되는 점착테이프에 있어서의 필름형상 지지체는, 통상 플라스틱, 고무 등이 바람직하게 사용된다. 필름형상 지지체는, 웨이퍼형상 유지층 혹은 점착제에 방사선경화형의 수지 혹은 점착제를 사용하는 경우에는 방사선 투과성인 것을, 자외선 조사에 의해서 경화시키는 경우는 광투과성이 좋은 것을 선택한다. 이러한 필름형상 지지체로서는, 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리브덴-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독중합체 또는 공중합체, 혹은 이들의 혼합물, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 엔지니어링 플라스틱, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐- 혹은 펜텐계 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 등을 들 수 있고, 필름형상 지지체의 요구특성에 따라 임의로 선택할 수 있다. As the film support in the adhesive tape used in the method of the present invention, plastic, rubber or the like is usually used preferably. When using a radiation-curable resin or an adhesive for a wafer-like holding layer or an adhesive, a film-form support body selects a thing which is radiation-permeable, and when it hardens | cures by ultraviolet irradiation, a thing with good light transmittance is selected. As such a film-form support body, polyethylene, a polypropylene, an ethylene propylene copolymer, a polybdene-1, a poly-4-methyl pentene-1, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ethylene-acrylic acid copolymer, an ionomer, etc., for example Thermoplastic polymers such as homopolymers or copolymers of α-olefins, or mixtures thereof, engineering plastics such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyurethane, styrene-ethylene-butene- or pentene-based copolymers Elastomer etc. can be mentioned, It can select arbitrarily according to the characteristic required of a film-form support body.
이들 필름형상 지지체는, 종래 공지의 압출법을 사용하여 제조할 수 있으나, 여러 가지 수지를 적층하여 얻어지는 필름형상 지지체의 경우에는, 공압출법, 라미네이트법 등으로 제조되고, 이 때 통상의 라미네이트 필름의 제조법에서 대개 이루어지고 있는 것처럼, 수지와 수지의 사이에 접착층을 형성하여도 좋다. 이러한 필름형상 지지체의 두께는, 강·신장도 특성, 방사선 투과성의 관점에서 통상 30∼300㎛가 적당하다. These film-like supports can be produced using a conventionally known extrusion method, but in the case of a film-like support obtained by laminating various resins, they are produced by a coextrusion method, a lamination method, or the like, and at this time, a general laminate film. As usually done in the manufacturing method of, the adhesive layer may be formed between the resin and the resin. As for the thickness of such a film-form support body, 30-300 micrometers is suitable normally from a viewpoint of a rigidity, elongation characteristic, and a radiation transmittance.
필름형상 지지체 위에 형성되는 점착제로서는, 박막화 연삭가공 종료후의 웨 이퍼로부터 점착테이프를 박리할 때에, 해당 웨이퍼에의 파손이나 웨이퍼 표면에의 점착제 잔류에 의한 오염 등의 불량이 생기지 않는 것이면 특히 제한은 없지만, 방사선, 바람직하게는 자외선 경화에 의해 점착제가 삼차원 망형상화를 나타내며, 점착력이 저하하는 동시에 박리한 후의 웨이퍼 표면에 점착제 등의 잔류물이 생기기 어려운, 자외선 경화형의 점착제를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 자외선 경화형 점착제로서는, 소망하는 자외선 경화성을 나타내는 한 특히 제한은 없지만, 예를 들면, 2-에틸헥실아크릴레이트와 n-부틸아크릴레이트와의 공중합체로 이루어지는 아크릴계 점착제 100중량부에 대하여, 자외선 경화성의 탄소-탄소 2중결합을 가진 (메타)아크릴레이트 화합물 5∼200중량부를 함유하고, 광개시제 및 광증가감제, 기타 종래 공지의 점착부여제, 연화제, 산화방지제 등을 배합하여 이루어지는 조성을 들 수 있다. The pressure-sensitive adhesive formed on the film-like support is not particularly limited as long as the pressure-sensitive adhesive tape is peeled off from the wafer after completion of thin-film grinding, so long as no defect such as damage to the wafer or contamination due to adhesive residue on the wafer surface does not occur. It is preferable to use an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive, in which the pressure sensitive adhesive exhibits three-dimensional network formation by radiation, preferably ultraviolet curing, and the adhesive force decreases and hardly any residue such as pressure sensitive adhesive is formed on the wafer surface after peeling off. There is no restriction | limiting in particular as such an ultraviolet curable adhesive as long as it shows desired ultraviolet curability, For example, with respect to 100 weight part of acrylic adhesives which consist of a copolymer of 2-ethylhexyl acrylate and n-butyl acrylate, it is ultraviolet curable 5 to 200 parts by weight of a (meth) acrylate compound having a carbon-carbon double bond, and a composition comprising a photoinitiator and a photosensitizer, other conventionally known tackifiers, softeners, antioxidants, and the like. .
이 필름형상 지지체상에 형성되는 방사선 경화성 점착제층의 두께는, 패턴면에의 밀착성을 양호하게 하기 위해서, 통상 10∼200㎛가 적당하다. In order for the thickness of the radiation curable adhesive layer formed on this film-form support body to make adhesiveness to a pattern surface favorable, normally 10-200 micrometers is suitable.
본 발명의 제조방법에 의해서 가공하는 웨이퍼에 대해서는, 특히 제한은 없고, 임의의 것을 사용할 수 있다. 그 중에서도 특히는 반도체 웨이퍼이며, 반도체 웨이퍼로서는, 예를 들면 실리콘 및 갈륨-비소 등의 화합물 반도체가 알려져 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 웨이퍼란, 가공에 의해 그 위에 집적회로 패턴이 형성된 웨이퍼도, 그러한 가공이 되어 있지 않은 웨이퍼도 포함한다. 회로패턴이 형성된 웨이퍼를 연삭할 때에는, 본 발명의 점착테이프를 보호점착테이프로서 회로패턴 표면에 맞붙임으로써, 연삭가공 및 스트레스 릴리프처리에 있어서의 연삭 더스트 혹 은 케미컬에 의한 오염을 방지하고, 또한 연삭가공시의 충격에 의한 웨이퍼 자체의 파손을 방지할 수 있다. There is no restriction | limiting in particular about the wafer processed by the manufacturing method of this invention, Arbitrary things can be used. Especially, it is a semiconductor wafer especially, As a semiconductor wafer, compound semiconductors, such as silicon and gallium arsenide, are known, for example. In addition, in this specification, a wafer includes the wafer in which the integrated circuit pattern was formed by processing, and the wafer in which such processing is not performed. When grinding the wafer on which the circuit pattern is formed, the adhesive tape of the present invention is bonded to the surface of the circuit pattern as a protective adhesive tape, thereby preventing contamination by grinding dust or chemicals in grinding processing and stress relief processing. Damage to the wafer itself due to the impact during grinding can be prevented.
본 발명의 웨이퍼의 제조방법에 의해서 연삭된 웨이퍼는 IC 카드나 스마트 카드 등에 적용된다. 이 반도체용 웨이퍼의 박막화 연삭가공은, 예컨대 다음 공정으로 이루어진다. The wafer ground by the wafer manufacturing method of the present invention is applied to an IC card, a smart card, or the like. Thin film grinding processing of this semiconductor wafer consists of a following process, for example.
(a) 웨이퍼의 이면 연삭전에, 미리 회로패턴 표면에 점착테이프를 가열하면서 맞붙이고, 해당 점착테이프를 웨이퍼형상에 따라 본떠 자르는 공정(a) A step of bonding the adhesive tape to the circuit pattern surface beforehand while heating the back surface of the wafer, and cutting the adhesive tape according to the shape of the wafer.
(b) 웨이퍼를 이면연삭에 의해 박막화하는 공정(b) thinning the wafer by backside grinding
(c) 웨이퍼의 이면연삭 종료 후에 연삭장치의 척 테이블로부터 웨이퍼를 꺼내기 전에 해당 점착테이프의 웨이퍼형상 유지층을 구성하는 적어도 일층의 수지층을 연삭시의 발열에 의한 가열상태로부터 해당 점착테이프를 냉각함으로써 웨이퍼형상 유지층이 웨이퍼의 형상을 평탄하게 유지할 수 있는 경도로 경화하는 공정(c) After removing the wafer from the chuck table of the grinding apparatus after completion of the back grinding of the wafer, the adhesive tape is cooled from a heating state caused by heat generation during grinding of at least one resin layer constituting the wafer-shaped holding layer of the adhesive tape. Thereby hardening the wafer shape retaining layer to a hardness capable of keeping the shape of the wafer flat.
(d) 해당 점착테이프를 맞붙인 채인 상태로 반송하는 공정(d) Process of conveying in the state which stuck the adhesive tape together
본 발명에 있어서는 상기의 공정(a)에 있어서 웨이퍼의 이면연삭 전에, 미리 회로패턴 표면에 표면보호테이프를 점착할 때, 웨이퍼형상 유지층을 구성하는 수지의 제1차 용융전이온도 혹은, 유리전이점온도 이상으로 가열하면서 점착테이프를 맞붙이는 것이 바람직하다. 또한, 이들 형상유지층으로서, 자외선경화형 수지 등의 화학반응에 의해 경질화하는 수지를 병용한 경우는, 상기 공정(a)와 (b)의 중간공정으로서 해당 자외선경화 수지 등을 자외선조사 등의 미리 소정의 방법으로 경질화시키는 공정을 행하는 것이 바람직하다. In the present invention, the first melt transition temperature or glass transition of the resin constituting the wafer-like holding layer when the surface protective tape is adhered to the surface of the circuit pattern in advance before the back grinding of the wafer in the step (a). It is preferable to paste the adhesive tape while heating above the advantage temperature. In addition, when using together the resin which hardens | cures by chemical reaction, such as an ultraviolet curing resin, as these shape holding layers, the said ultraviolet curing resin etc. are used as an intermediate process of said process (a) and (b), such as ultraviolet irradiation. It is preferable to perform the process of hardening previously by a predetermined method.
본 발명의 웨이퍼의 제조방법은, IC 카드나 스마트 카드 등에 적용되는 현저히 박막화한 웨이퍼의 연삭 및 반송에 있어서 특히 그 효과가 현저하고, 박막화한 웨이퍼의 평탄형상을 유지하여 서로 부착시킨 점착테이프로부터의 박리 등의 문제나 수납의 불량을 일으키는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 더구나, 이 방법에 의하면 기존의 라인, 장치를 그대로 사용하여 박막화 웨이퍼를 제조할 수 있다. The wafer manufacturing method of the present invention is particularly effective in the grinding and conveyance of remarkably thinned wafers to be applied to IC cards, smart cards, and the like. It can prevent effectively causing problems, such as peeling and a bad storage. Moreover, according to this method, a thin film wafer can be manufactured using the existing line and apparatus as it is.
또한, 본 발명의 웨이퍼 점착테이프는, 웨이퍼형상 유지층을 가지며, 웨이퍼 점착테이프의 연화-경화 변화를 가온조건의 차이로 일으킬 수 있고, 상기의 박막화 웨이퍼의 제조방법에 사용하는 데 바람직하다. In addition, the wafer adhesive tape of the present invention has a wafer-shaped holding layer, which can cause a softening-hardening change of the wafer adhesive tape with a difference in heating conditions, and is suitable for use in the above-described method for producing a thinned wafer.
다음에 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것이 아니다. Next, the present invention will be described in more detail based on Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
[실시예] EXAMPLE
실시예 1 Example 1
필름지지체로서, 두께 100㎛의 에틸렌초산비닐 공중합체의 필름상에, 웨이퍼형상 유지층으로서 두께 60㎛의 약 50℃에서 제1차 용융전이온도(제1차 용융전이온도: 가열 전에는 질서 있는 서열로 배열로 정합되어 있는 폴리머의 특정한 부분이 가열됨에 따라 무질서한 상태가 되는 온도)를 갖는 측쇄결정성의 폴리머로 이루어지는 수지층(탄소수 10 이상 22 이하의 직쇄상 알킬기를 측쇄로 하는 아크릴산에스테르를 주성분으로 하는 폴리머)과, 점착제층으로서 해당 웨이퍼형상 유지층을 끼워 두께 30㎛의 자외선경화성의 점착제(코포닐 N-3497(니혼가세이가가쿠(주)사제) 100질량부에, 콜로네이트 L-55E(니혼폴리우레탄사제 이소시아네이트 경화제) 0.6질 량부 및 일가큐어 184(치바파인 케미컬사제 자외선 경화개시제) 1.4질량부를 배합한 조성물)를 도포하여, 점착테이프를 조제하였다. 해당 점착테이프를 회로패턴이 형성된, 지름 8인치의 반도체 웨이퍼 표면에, 기존의 점착테이프 맞붙임 장치(닛토덴코사제 DR8500Ⅱ)를 사용하여 50℃로 가열한 상태에서 접합한 후, 백 사이드 그라인더(디스코사제 DFG850(상품명))를 사용하여, 웨이퍼 이면측을 연삭함으로써, 해당 웨이퍼 두께를 50㎛로 마무리하였다. 이어서, 백 사이드 그라인더(BG장치)의 웨이퍼 흡착고정스테이지상에 있어서 제1차 용융전이온도 이하로 되는 실온(23℃)까지 냉각하여, 웨이퍼형상 유지층을 박막화한 웨이퍼형상을 유지할 수 있는 경도로 경화시킨 후, 다음공정으로의 반송성으로서, 웨이퍼 카세트에의 수납가부와 웨이퍼의 파손유무를 확인하였다. 더욱, 기존의 보호용테이프 박리장치(닛토덴코사제 HR8500Ⅱ(상품명))를 사용하여, 점착한 점착테이프에 자외선을 5OOmJ/cm2 조사한 후, 박막화한 웨이퍼로부터 50℃로 가열한 상태로 점착테이프를 박리하여, 그 박리성으로서 박리의 용이함 및 박막화한 웨이퍼의 파손 등의 유무를 시험하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. As the film support, on the film of 100 탆 thick ethylene vinyl acetate copolymer, the first melt transition temperature (primary melt transition temperature: ordered sequence before heating) at about 50 캜 having a thickness of 60 탆 as a wafer-shaped holding layer. A resin layer composed of branched crystalline polymers having a temperature at which a specific portion of the polymers matched in a furnace arrangement becomes a disordered state as it is heated. A colonate L-55E (Nihon) to 100 parts by mass of a UV-curable pressure sensitive adhesive (Coponyl N-3497 (manufactured by Nihon Chemical Co., Ltd.)) having a thickness of 30 μm by sandwiching the wafer-shaped holding layer as a polymer and an adhesive layer. Isocyanate curing agent manufactured by Polyurethane Co., Ltd.) and 0.6 parts by mass and a monocure 184 (composition comprising 1.4 parts by mass of an ultraviolet curing initiator made by Chiba Fine Chemical Co., Ltd.) were applied, To prepare a tape. The adhesive tape was bonded to a surface of a semiconductor wafer having a diameter of 8 inches with a circuit pattern formed thereon using a conventional adhesive tape bonding apparatus (DR8500II manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) at 50 ° C., followed by a back side grinder (Disco). Wafer back surface side was ground using DFG850 (brand name) manufactured by Corporation, and the wafer thickness was finished to 50 micrometers. Subsequently, it is cooled to room temperature (23 ° C.) below the first melt transition temperature on the wafer adsorption fixing stage of the back side grinder (BG apparatus), and the hardness can maintain the wafer shape in which the wafer shape holding layer is thinned. After hardening, as a conveyability to the next process, the storage availability in the wafer cassette and the presence or absence of damage to the wafer were confirmed. Further, using an existing protective tape peeling device (HR8500II (trade name) manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.), the adhesive tape was irradiated with ultraviolet rays at 50OOmJ / cm 2, and then the adhesive tape was peeled off while heated at 50 ° C. from the thinned wafer. As the peelability, ease of peeling and breakage of the thinned wafer were tested. The results are shown in Table 1 below.
또, 웨이퍼형상 유지층으로서 약 50℃에서 제1차 용융전이온도를 갖는 측쇄결정성의 폴리머로서 탄소수 10 이상의 직쇄상 알킬기를 측쇄로 하는 메타크릴산에스테르를 주성분으로 하는 폴리머를 사용한 것 이외에는 상기와 같이 시험한 바, 같은 결과를 얻을 수 있었다. As the wafer-shaped holding layer, as described above, except that a polymer containing a methacrylic acid ester having a linear alkyl group having 10 or more carbon atoms as a side chain as a side chain crystalline polymer having a first melt transition temperature at about 50 ° C was used as described above. When tested, the same result was obtained.
실시예 2 Example 2
필름형상 지지체로서, 두께 100㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름상에, 웨이퍼형상 유지층으로서 두께 30㎛의 약 50℃에서 제1차 용융전이온도를 갖는 측쇄결정성의 폴리머로 이루어지는 실시예 1과 같은 아크릴산에스테르를 주성분으로 하는 폴리머로 이루어지는 수지층 및 두께 30㎛의 자외선경화형 수지층(2-에틸헥실아크릴레이트와 n-부틸아크릴레이트의 공중합체로 이루어지는 아크릴계 점착제 100중량부에 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 80중량부와 광개시제로서 α-히드록시-시클로헥실페닐케톤 1중량부를 혼합한 것)과, 점착제층으로서 두께 30㎛의 2-에틸헥실아크릴레이트와 n-부틸아크릴레이트와의 공중합체로 이루어지는 아크릴계 점착제를 도포하여, 점착테이프를 조제하였다. 같은 점착테이프를 실시예 1과 같이 반도체 웨이퍼 표면에 맞붙인 후, 점착테이프 표면에서 자외선을 100mJ/cm2 조사하였다. 또한, 점착테이프의 박리시에 자외선조사를 하지 않은 점 이외에는, 실시예 1과 같이 박막 연삭가공 처리후의 웨이퍼 반송성과 박리성을 시험하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. Acrylic ester as in Example 1, which is a film-like support, comprising a side chain crystalline polymer having a first melt transition temperature at about 50 ° C. having a thickness of 30 μm as a wafer-like holding layer on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm. 80 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate in 100 parts by weight of a resin layer composed of a polymer having a main component thereof and an ultraviolet curable resin layer having a thickness of 30 μm (acryl adhesive composed of a copolymer of 2-ethylhexyl acrylate and n-butyl acrylate). Part and 1 part by weight of α-hydroxycyclohexylphenyl ketone as a photoinitiator) and an acrylic pressure sensitive adhesive comprising a copolymer of 2-ethylhexyl acrylate having a thickness of 30 μm and n-butyl acrylate as an adhesive layer. It apply | coated and prepared the adhesive tape. After attaching the same adhesive tape to the semiconductor wafer surface like Example 1, the ultraviolet-ray was irradiated 100mJ / cm <2> on the adhesive tape surface. In addition, the wafer conveyance and peelability after the thin film grinding processing were tested like Example 1 except the ultraviolet irradiation at the time of peeling of the adhesive tape. The results are shown in Table 1 below.
실시예 3 Example 3
필름형상 지지체로서, 두께 100㎛의 아이소택틱-폴리프로필렌상에, 웨이퍼형상 유지층으로서 두께 100㎛의 유리전이점온도가 60℃인 스티렌-부타디엔 공중합체로 이루어지는 수지층과, 점착제층으로서 두께 30㎛의 2-에틸헥실아크릴레이트와 n-부틸아크릴레이트와의 공중합체로 이루어지는 아크릴계 점착제를 도포하여, 점착테이프를 조제하였다. 이 점착테이프를 실시예 2와 같이, 박막 연삭가공 처리후의 웨이퍼 반송성과 박리성을 시험하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. As a film-form support body, on the isotactic-polypropylene of thickness 100micrometer, as a wafer-shaped holding layer, the resin layer which consists of a styrene-butadiene copolymer whose glass transition temperature of thickness 100micrometer is 60 degreeC, and thickness as an adhesive layer An acrylic adhesive consisting of a copolymer of 30 µm 2-ethylhexyl acrylate and n-butyl acrylate was applied to prepare an adhesive tape. This adhesive tape was tested for wafer transportability and peelability after the thin film grinding processing as in Example 2. The results are shown in Table 1 below.
비교예 1 Comparative Example 1
실시예 1에 있어서, 웨이퍼형상 유지층을 형성하지 않은 것 외에는, 실시예 1과 같은 점착테이프를 조제하여, 박막 연삭가공 처리후의 웨이퍼 반송성과 박리성을 시험하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. In Example 1, except that the wafer-shaped holding layer was not formed, the same adhesive tape as in Example 1 was prepared, and wafer transferability and peelability after the thin film grinding treatment were tested. The results are shown in Table 1 below.
비교예 2 Comparative Example 2
실시예 2에 있어서, 웨이퍼형상 유지층을 형성하지 않은 것 외에는, 실시예 2와 같은 점착테이프를 조제하여, 박막 연삭가공 처리후의 웨이퍼 반송성과 박리성을 시험하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. In Example 2, except that the wafer-like holding layer was not formed, the same adhesive tape as in Example 2 was prepared to test wafer transportability and peelability after thin film grinding processing. The results are shown in Table 1 below.
비교예 3 Comparative Example 3
실시예 3에 있어서, 웨이퍼형상 유지층을 구성하는 스티렌-부타디엔 공중합체의 유리전이점온도를 120℃로 한 것 외에는, 실시예 3과 같은 점착테이프를 조제하여, 박막 연삭가공 처리후의 웨이퍼 반송성과 박리성을 시험하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. In Example 3, except that the glass transition temperature of the styrene-butadiene copolymer constituting the wafer-like holding layer was 120 ° C, the same adhesive tape as in Example 3 was prepared, and the wafer transportability after thin film grinding processing was performed. Peelability was tested. The results are shown in Table 1 below.
한편, 이하 각 시험의 평가기준은 다음과 같다. In addition, evaluation criteria of each test are as follows.
(1) 기존 맞붙임장치 적합성 (1) suitability of existing paste
: 기포의 말려듬 없이 웨이퍼에 맞붙일 수 있다. : It can stick to a wafer without bubble curl.
: 거품 말려듬 있음. : Bubble curl.
(2) 50㎛ 박막 연삭성 (2) 50㎛ thin film grinding
: 웨이퍼의 파손 및 마이크로 크랙의 발생이 없다. : No wafer breakage or micro cracks.
: 웨이퍼의 파손 혹은 마이크로 크랙의 발생이 있다. : Wafer breakage or microcracks occur.
(3) BG 장치 내 반송성 (3) BG device carrier resistance
: 진공흡착아암으로 흡착할 수 있고 반송가능. : Can be adsorbed by vacuum adsorption arm and can be transported.
: 진공흡착아암에서의 흡착에러 발생. : Adsorption error occurs in vacuum adsorption arm.
(4) 웨이퍼카세트 수납성 (4) Wafer cassette storage
: 양호하게 수납할 수 있고, 또한 상하단의 웨이퍼에 접촉하지 않는다. : It can be stored satisfactorily and does not contact the upper and lower wafers.
: 양호하게 수납할 수 없거나 혹은 수납 후 웨이퍼의 휘어짐에 의해 상하단의 웨이퍼에 접촉한다. : It cannot be stored satisfactorily, or the wafer is contacted with the upper and lower wafers by bending the wafer after storage.
(5) 기존 박리장치 적합성 (5) suitability of existing stripping equipment
: 웨이퍼에 손상 없이 박리할 수 있다. : It can peel without damaging a wafer.
: 웨이퍼로부터의 박리를 할 수 없거나 혹은 박리후의 웨이퍼에 손상 있음. : Peeling from wafer is impossible or damage to wafer after peeling.
표 1Table 1
※ - : 앞선 공정에서 불량이 발생한 것에 의해 평가불가. ※-: Unavailable due to badness in previous process.
상기 표 1의 비교예 1 및 2의 결과로부터 명백하듯이, 웨이퍼형상 유지층을 갖지 않는 점착테이프를 사용한 경우는, 웨이퍼 반송 중에 반송용의 진공흡착아암 으로부터의 탈락이 생기고, 그 후의 공정을 속행할 수 없었다. 또한, 비교예 3에서는 웨이퍼형상 유지층이 유리전이점 120℃의 스티렌-부타디엔 공중합체이기 때문에 웨이퍼형상 유지층 유연화시의 가열온도에 의해 해당 점착테이프의 필름형상 지지체 자체가 용융하여, 접합 롤러에의 부착으로부터 웨이퍼와 점착테이프 계면에 기포 말려듬의 문제가 생겨 기존의 맞붙임 장치를 사용할 수 없고, 박막 연삭도 접합시의 기포 말려듬에 의한 마이크로 크랙의 발생이라는 상태로 불가능하였다. As apparent from the results of Comparative Examples 1 and 2 shown in Table 1 above, in the case of using an adhesive tape having no wafer-like holding layer, dropping from the vacuum suction arm for conveyance occurs during wafer conveyance, and subsequent steps are continued. I could not. In Comparative Example 3, since the wafer-like holding layer is a styrene-butadiene copolymer having a glass transition point of 120 ° C., the film-like support itself of the pressure-sensitive adhesive tape melts due to the heating temperature at the time of softening the wafer-like holding layer, and the bonding roller is applied to the bonding roller. The problem of bubble curling occurred at the interface between the wafer and the adhesive tape due to the adhesion of the film. Therefore, the conventional bonding device was not available, and thin film grinding was also impossible due to the occurrence of microcracks due to bubble curling during bonding.
이에 대하여, 본 발명의 방법에 의한 실시예 1∼3에서는, 기존 맞붙임장치 적합성, 50㎛ 박막 연삭성, BG 장치 내 반송성, 웨이퍼카세트 수납성, 기존 박리장치 적합성이 모두 양호하고, 박막화 웨이퍼의 제조를 효율적으로 실현할 수 있다. On the other hand, in Examples 1 to 3 according to the method of the present invention, the conventional bonding apparatus suitability, 50 µm thin film grindingability, BG device transportability, wafer cassette storage property, and existing peeling apparatus suitability are all good, Manufacturing can be realized efficiently.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명하였지만, 우리는 특히 지정하지 않는 한 우리 발명을 설명의 어느 세부에 있어서도 한정하고자 하는 것이 아니고, 첨부한 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하지 않게 폭넓게 해석되어야 할 것이라고 생각한다. Although the present invention has been described with its embodiments, we do not intend to limit our invention in any detail of the description unless specifically indicated and broadly interpreted without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the appended claims. I think it should be.
본 발명은, 박막화한 웨이퍼의 형상유지 및 반송에 있어서의 성능을 유지하는 동시에, 웨이퍼에의 맞붙임 및 웨이퍼로부터의 박리 등 기존장치와의 적합성을 확보한 웨이퍼의 제조방법 및 상기 방법에 사용하는 데에 바람직한 박막화 연삭가공시의 웨이퍼 점착테이프를 제공하는 발명의 효과를 갖는다.The present invention maintains the performance in maintaining and conveying the shape of a thinned wafer, and is used in the wafer manufacturing method and the method used for securing the compatibility with existing devices such as bonding to the wafer and peeling from the wafer. It has the effect of the invention which provides the wafer adhesive tape at the time of thin film grinding processing which is preferable.
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