KR100545977B1

KR100545977B1 - 면압 분포 센서 및 그 동작 제어 방법

Info

Publication number: KR100545977B1
Application number: KR1020030065033A
Authority: KR
Inventors: 시미즈마꼬또; 미쯔이마사시; 쯔쯔이유스께; 요시무라다께오
Original assignee: 산요덴키가부시키가이샤
Priority date: 2002-09-20
Filing date: 2003-09-19
Publication date: 2006-01-25
Also published as: US20040130335A1; TWI235232B; CN1495418A; JP2004109066A; TW200404998A; KR20040025852A; CN1250950C; US7021158B2

Abstract

면압 분포 센서에 있어서 센서 영역은 항상 스캔되고 있어, 비센싱 시의 소비 전력이 증대되는 문제가 있었다. 또한, TFT를 항상 구동시키므로, TFT의 장기 수명화를 저해하는 문제가 있었다. 이를 위해 H 스캐너, V 스캐너에 접속되는 센서 제어 회로를 포함한다. 센서 영역의 비센싱 상태를 검지하여 센서 제어 회로를 차단하고, H 스캐너, V 스캐너를 대기 모드로 한다. 이에 의해, 비센싱 시의 소비 전력을 대폭 삭감하여, TFT의 열화를 억제할 수 있다.

센서, 스캔, 대기 모드, TFT

Description

면압 분포 센서 및 그 동작 제어 방법{SURFACE PRESSURE DISTRIBUTION SENSOR AND METHOD OF CONTROLLING ITS OPERATION}

도 1은 본 발명을 설명하기 위한 (a) 평면도, (b) 단면도.

도 2는 본 발명을 설명하기 위한 분해 사시도.

도 3은 본 발명을 설명하기 위한 (a) 단면도, (b) 동작 개요도.

도 4는 본 발명을 설명하기 위한 (a) 평면도, (b) 회로 개요도.

도 5는 본 발명을 설명하기 위한 회로 개요도.

도 6은 본 발명을 설명하기 위한 (a) 평면도, (b) 단면도.

도 7은 본 발명을 설명하기 위한 (a) 회로 개요도, (b) 등가 회로도.

도 8은 본 발명을 설명하기 위한 회로 개요도.

도 9는 본 발명을 설명하기 위한 (a) 평면도, (b) 회로 개요도.

도 10은 종래 기술을 설명하기 위한 (a) 평면도, (b) 단면도, (c) 단면도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 기판

2 : 대향 전극 필름

4 : 단위 검출 소자

4a : TFT

4b : 접촉 전극

8 : 게이트선

9 : 드레인선

60 : 제어 신호선

70 : H 스캐너

80 : V 스캐너

90 : 센서 제어 회로

91 : 센서 동작 신호선

92 : AND 게이트

94 : 스위치 검출 트랜지스터

95 : OR 게이트

102, 103 : 스위치

SE : 센서 동작 신호

본 발명은 면압 분포 센서 및 그 동작 제어 방법에 관한 것으로, 특히 소비 전력을 저감시킬 수 있는 면압 분포 센서 및 그 동작 제어 방법에 관한 것이다.

지문 패턴과 같은 미세한 요철 패턴의 검출 장치로서, 가요성 도전 필름 및 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 이용한 면압 분포 센서가 있다(예를 들 면, 특허 문헌 1 참조).

도 10에는 지문 패턴을 검출하는 액티브 매트릭스형 면압 분포 센서의 일례를 나타낸다. 도 10의 (a)는 평면도, 도 10의 (b), (c)는 도 10의 (a)의 C-C선 단면도이다.

종래의 면압 분포 센서(200)는 다수의 단위 검출 소자가 되는 TFT(204a)가 형성된 유리 또는 세라믹 등의 기판(201)과, 대향 전극 필름(202)으로 구성된다.

단위 검출 소자(204)는 TFT(204a)와 이것에 접속된 접촉 전극(204b)을 갖는다. 단위 검출 소자(204)는 유리 등의 기판(201) 상에 매트릭스 형상으로 배치되고, 단위 검출 소자(204)를 구성하는 TFT의 활성층은 비정질 실리콘막이고, 접촉 전극(204b)은 ITO(Indium Tin Oxide)에 의해 형성된다.

대향 전극 필름(202)은 기판(201)과 서로 대향하여 형성되고, 가요성 절연 필름(202a)의 이면(TFT측)에 도전막(202b)을 증착한 구조이다. 이 대향 전극 필름(202)은, 기판(201)의 주위에 도포한 시일제(203)에 의해 고착되고, 기판(2)과 이격하여 배치된다.

이 면압 분포 센서의 제조 방법의 일례를 나타낸다. 기판(201)에 TFT를 형성한 후, 대향 전극 필름(202)을 접착하기 위해서, 기판(201)의 주위에 저온의 열 경화성 수지로 이루어지는 시일제(203)를 도포한다. 그 후, 기판(201)의 대향 전극 필름(202)을 접착하여, 열 처리를 행한다. 이에 의해, 기판(201)과 대향 전극 필름(202)이 고착된다.

도 10의 (c)에는 이 면압 분포 센서를 이용하여 지문 패턴을 검출하는 예를 나타낸다.

면압 분포 센서(200)에 손가락 F를 올려 가볍게 누르면, 대향 전극 필름(202)은 전체가 눌러지지만, 자세히 관찰하면, 지문의 융선 부분과 골 부분에서는 가압력이 다르므로, 융선 부분의 바로 아래 또는 그 근방에 위치하는 단위 검출 소자(204)의 접촉 전극(204b)은 대향 전극 필름(202)과 전기적으로 접촉한다. 그런데, 지문의 골 부분의 바로 아래 또는 그 근방에 위치하는 단위 검출 소자(204)의 접촉 전극(204b)은 대향 전극 필름(202)과는 전기적으로 접촉하지 않는다. 이와 같이 대향 전극 필름(202)과 단위 검출 소자(204)가 접촉된 부분의 신호를 추출하여, 지문 패턴을 검출한다.

[특허 문헌1]

일본 특개평6-288845호

상술한 바와 같이 종래의 면압 분포 센서에서는, 드레인선, 게이트선으로부터의 주사 신호가 항상 인가되어, 센서 영역을 스캔하고 있다. 예를 들면, LCD 등의 표시 장치인 경우에는, 표시를 목적으로 하기 때문에 항상 스캔하는 것도 필연성이 있지만, 지문을 검출하는 면압 분포 센서인 경우에는, 실제로는 지문 검출 시에만 최저한 동작하면 되고, 지문을 검출하지 않을 때에 계속 스캔하는 것은 소비 전력의 낭비가 된다.

또한, 항상 스캔함으로써, TFT는 항상 계속 구동하게 되어, TFT의 열화도 빨라 장기 수명화를 저해하는 원인이 되고 있었다.

따라서, 본원은 보다 저소비 전력으로 수명이 긴 면압 분포 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 상기한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 첫째, 센서 영역에 복수의 단위 검출 소자를 배치하여 이루어지는 면압 분포 센서로서, 면압 분포를 측정하는 동작 모드와, 소비 전력을 삭감한 대기 모드를 전환함으로써 해결하는 것이다.

둘째, 센서 영역에 복수의 단위 검출 소자를 배치하여 이루어지는 면압 분포 센서로서, 상기 센서 영역 내에 스위치를 구비하고, 상기 단위 검출 소자를 순차적으로 선택하여 면압 분포를 측정하는 동작 모드와, 상기 단위 검출 소자의 선택 동작을 정지하여 소비 전력을 삭감한 대기 모드를 전환하고, 상기 스위치의 출력에 의해 상기 대기 모드로부터 상기 동작 모드로 전환함으로써 해결하는 것이다.

또한, 상기 스위치를 복수 배치하는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 상기 스위치는 상기 단위 검출 소자 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 소정의 상기 단위 검출 소자를 대기 모드 중 계속 선택하여 상기 스위치로 하는 것을 특징으로 하는 것이다.

셋째, 절연 기판 상에 복수 배치된 면압 분포의 단위 검출 소자와 해당 단위 검출 소자에 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름으로 이루어지는 센서 영역과, 상기 단위 검출 소자의 2개의 단자에 접속되며 상기 기판 위에 매트릭스 형상으로 배치된 드레인선 및 게이트선과, 상기 드레인선을 순차적으로 선택하는 수평 방향 주사 회로와, 상기 게이트선에 주사 신호를 보내는 수직 방향 주사 회로를 포함하고, 상기 단위 검출 소자와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉을 검출하는 면압 분포 센서로서, 상기 수평 방향 주사 회로 및 수직 방향 주사 회로에 접속되는 센서 제어 회로와, 상기 센서 제어 회로에 접속되는 센서 동작 신호선을 더 포함하고, 상기 센서 동작 신호선에 인가되는 센서 동작 신호에 의해, 상기 센서 영역의 기동 및 대기를 제어함으로써 해결하는 것이다.

넷째, 절연 기판 상에 복수 배치된 면압 분포의 단위 검출 소자와 해당 단위 검출 소자에 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름으로 이루어지는 센서 영역과, 상기 단위 검출 소자의 2개의 단자에 접속되며 상기 기판 위에 매트릭스 형상으로 배치된 드레인선 및 게이트선과, 상기 드레인선을 순차적으로 선택하는 수평 방향 주사 회로와, 상기 게이트선에 주사 신호를 보내는 수직 방향 주사 회로를 포함하고, 상기 단위 검출 소자와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉을 검출하는 면압 분포 센서로서, 상기 수평 방향 주사 회로 및 수직 방향 주사 회로에 접속되는 센서 제어 회로와, 상기 센서 제어 회로에 접속되는 센서 동작 신호선과, 상기 센서 영역 내에 배치되며 해당 센서 영역의 기동 및 대기를 제어하는 스위치를 더 포함하고, 상기 스위치로부터의 센서 동작 신호에 의해, 상기 센서 영역의 기동 및 대기를 제어하는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 상기 스위치는 상기 단위 검출 소자 사이에 설치되며 상기 센서 동작 신호선과 접속되고, 상기 스위치와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉에 따라 상기 센서 동작 신호가 변화되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 상기 스위치는 다수의 상기 단위 검출 소자 중 일부의 해당 단위 검출 소자를 대기 중에 구동시키는 것이며, 상기 스위치가 되는 단위 검출 소자와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉에 따라 상기 센서 동작 신호가 변화되는 것을 특징으로 하는 것이다.

다섯째, 센서 영역의 복수의 단위 검출 소자와, 상기 단위 검출 소자를 선택하는 주사 회로를 포함하는 면압 분포 센서의 제어 방법으로서, 대기 모드 시에, 상기 주사 회로를 정지함과 함께, 상기 단위 검출 소자 중 적어도 일부를 항상 계속 선택하여, 상기 선택한 단위 검출 소자의 출력에 따라 상기 주사 회로를 동작시키는 동작 모드로 이행함으로써 해결하는 것이다.

여섯째, 수직 방향 주사 회로로부터의 주사 신호에 의해 절연 기판 상에 복수 설치된 게이트선을 순차적으로 주사하여 상기 게이트선에 접속하는 면압 분포의 단위 검출 소자에 게이트 신호를 보내어 상기 단위 검출 소자를 구동하고, 수평 방향 주사 회로로부터의 주사 신호에 의해 상기 게이트선과 교차하는 드레인선을 순차적으로 주사하여 센서 영역이 되는 상기 단위 검출 소자와 해당 단위 검출 소자에 서로 대향하는 가요성 도전 필름과의 접촉 유무를 검출하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법으로서, 상기 수직 방향 주사 회로 및 수평 방향 주사 회로에 접속되는 센서 제어 회로에 센서 동작 신호를 인가하고, 상기 센서 제어 회로의 차단 및 도통에 의해 상기 센서 영역의 대기 및 구동을 제어함으로써 해결하는 것이다.

일곱째, 수직 방향 주사 회로로부터의 주사 신호에 의해 절연 기판 상에 복수 설치된 게이트선을 순차적으로 주사하여 상기 게이트선에 접속하는 면압 분포의 단위 검출 소자에 게이트 신호를 보내어 상기 단위 검출 소자를 구동하고, 수평 방향 주사 회로로부터의 주사 신호에 의해 상기 게이트선과 교차하는 드레인선을 순차적으로 주사하여 센서 영역이 되는 상기 단위 검출 소자와 해당 단위 검출 소자에 서로 대향하는 가요성 도전 필름과의 접촉 유무를 검출하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법으로서, 상기 센서 영역으로부터 발생하는 센서 동작 신호를 상기 센서 제어 회로에 인가하여, 상기 센서 제어 회로의 차단 및 도통에 의해 상기 센서 영역의 대기 및 구동을 제어함으로써 해결하는 것이다.

또한, 상기 단위 검출 소자 사이에 설치되고 상기 센서 동작 신호선에 접속되는 스위치와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉 유무를 상기 센서 동작 신호로 하는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 다수의 상기 단위 검출 소자 중, 소수의 해당 단위 검출 소자를 항상 구동시켜, 상기 소수의 단위 검출 소자와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉 유무를 상기 센서 동작 신호로 하는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 상기 센서 동작 신호에 의해 상기 면압 분포 센서의 주변 회로의 기동 및 대기를 제어하는 것을 특징으로 하는 것이다.

〈실시예〉

이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.

도 1 내지 도 5를 이용하여 본 발명의 제1 실시예를 설명한다.

도 1은 면압 분포 센서의 구조를 도시한다. 도 1의 (a)는 평면도이고, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 A-A선 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이 면압 분포 센서(100)는 기판(1)과, 가요성 도전 필름으로 이루어지는 대향 전극 필름(2)을 시일제(3)에 의해 고착시킨 구조이다.

기판(1)은 유리 등의 절연성 기판이며, 기판(1) 상의 시일제(3)에 둘러싸인 내측에는 다수의 단위 검출 소자(4)가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 시일제(3)의 내측에는 컨택트(6)가 배치된다. 단위 검출 소자(4)와 접속되며, 게이트 신호선(8)이나 드레인 신호선(9) 등에 입력되는 각종 신호를 전달하는 도시하지 않은 배선은, 기판(1)의 측연(側緣)의 외부 접속 단자(7)에 집중되어, FPC 등(도시 생략)을 통하여 기판(1)과 외부에 부착된 제어 회로를 접속한다.

대향 전극 필름(2)은 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 또는 PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 등의 가요성 도전 필름(2a)의 이면(TFT측)에, 예를 들면 금과 같은 금속의 도전막(2b)을 증착한 구조이다.

시일제(3)는 경화 전에는 액상으로, 가열함으로써 경화되는 열 경화성 수지이다.

단위 검출 소자(4)는 스위칭 소자인 TFT(4a)와, 이에 접속된 접촉 전극(4b)을 포함한다. TFT(4a)의 활성층은 실리콘막, 특히 바람직하게는 폴리실리콘막이다. 접촉 전극(4b)은 TFT(4a)를 덮은 절연막 위에 형성된 도전막으로, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)에 의해 형성된다.

컨택트(6)는 대향 전극 필름(2)에 GND 전위를 제공하기 위해서 형성되고, Al 로 이루어지는 컨택트 패드와 그 위에 형성된 열 경화성의 도전 입자를 포함한 컨택트 수지로 구성된다.

도 2는 면압 분포 센서의 분해 사시도를 도시한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에는 게이트선(8)과 드레인선(9)이 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 후술하겠지만, 게이트선(8)에는 게이트 신호가 인가되고, 드레인선(9)에는 주사 신호가 각각 인가된다. 게이트선(8)과 드레인선(9)과의 교점에 각각 대응하여 TFT(4a)가 배치되고, TFT(4a)의 게이트가 게이트선(8)에 접속되고, 드레인 단자가 드레인선(9)에 접속되고, 그리고 소스 단자가 접촉 전극(4b)에 접속되어 있다. 게이트선(8)이나 드레인선(9) 등에 입력되는 각종 신호를 전달하는 도시하지 않은 배선은, 기판(1)의 측연에 집중되어, 외부 접속 단자(7)에 접속된다.

다음으로, 도 3을 이용하여 면압 분포 센서(100)의 동작에 대하여 설명한다. 도 3의 (a)는 면압 분포 센서(100)에 손가락 F를 얹은 상태를 나타내고, 도 3의 (b)는 면압 분포 센서(100)의 회로 개념도이다.

단위 검출 소자(4)의 TFT(4a)는 기판(1) 상에 폴리실리콘층으로 이루어지는 활성층(11)을 형성하고, 기지의 방법에 의해 불순물을 도입하여 소스 영역 S 및 드레인 영역 D가 형성되어 있다. 활성층(11)의 전면을 덮도록 게이트 절연막(12)이 형성되고, 그 위에 게이트 전극(8a)이 형성되어 있다. 게이트 전극(8a)은 게이트선(8)과 일체적으로 형성되어 있다. 게이트 전극(8a) 상에 층간 절연막(13)이 형성되고, 컨택트홀을 사이에 두고 활성층(11)의 드레인 단자 D가 드레인선(9)과 접속되고, 소스 단자 S가 인출 전극(9a)과 접속되어 있다. 인출 전극(9a)은 드레인 선(9)과 동층의, 예를 들면 Al로 이루어진다. 그 위에, 또한 평탄화막(14)이 적층되어 있으며, 하층의 요철을 평탄화하고 있다. 평탄화막(14) 상에는 컨택트홀을 사이에 두고 인출 전극(9a)과 컨택트하는 ITO로 이루어지는 접촉 전극(4b)이 배치되어 있다.

면압 분포 센서(100)에 손가락 F를 올려 가볍게 누르면, 도 3의 (a)와 같이 대향 전극 필름(2)의 전체가 눌러진다. 이 때, 지문의 융선 부분과 골 부분에서는 가압력이 다르기 때문에, 융선 부분의 바로 아래 또는 그 근방의 대향 전극 필름(2)은 크게 움푹 패이고, 골 부분에서는 그다지 움푹 패이지 않는다. 따라서, 융선의 위치에 대응하는 단위 검출 소자(4)의 접촉 전극(4b)은 대향 전극 필름(2)의 도전막(2b)과 접촉하고, 골의 위치에 대응하는 단위 검출 소자(4)의 접촉 전극(4b)은 도전막(2b)과 접촉하지 않는다.

대향 전극 필름(2)의 도전막(2b)은 저항(15)을 통하여 접지되어 있다. 면압 분포 센서(100)의 드레인선(9)은 H 스캐너(70)에 접속되어 있으며, 게이트선(8)은 V 스캐너(80)에 접속되어 있다. V 스캐너(80)로부터는 소정의 타이밍으로 게이트선(8)에 순차적으로 주사 신호가 전환되어 출력된다. 지금, 임의의 게이트선(8)에 임의의 전위(「H」 레벨)의 게이트 신호가 인가되어 있는 것으로 한다. 게이트 신호가 인가된 게이트선(8)에 접속된 TFT(4a)는 전부 도통 상태(온)로 된다. 그 사이에 H 스캐너(70)로부터 소정의 타이밍으로 드레인선(9)에 순차적으로 주사 신호가 전환하여 인가된다.

손가락 F의 융선에 의해 대향 전극 필름(2)이 만곡하여 접촉 전극(4b)과 접 촉되어 있으면, 주사 신호로서 전압이 일단 상승해도, TFT(4a), 저항(15)을 통하여 전류가 방출되므로, 전압은 저하된다. 손가락 F의 골에서 대향 전극 필름(2)이 접촉 전극(4b)과 접촉하지 않는 경우, 주사 신호의 전압은 저하되지 않고 유지된다. 이것을 검출기(16)에 의해 전압 신호로서 판독하면, 1행분의 면압 분포를 계측할 수 있다. 그리고, 선택하는 게이트선(8)을 순차적으로 전환하여 게이트 신호를 인가하여, 면압 분포 센서(100)의 모든 단위 검출 소자(4)로부터의 신호를 판독하고, 면 전체의 면압 분포를 계측할 수 있다.

검출기(16)는 상술한 바와 같이 드레인선(9)으로부터 분기시켜 접속한 전압 계측기이어도 되고, 드레인선(9)에 직렬로 삽입한 전류 계측기이어도 되지만, 전압 계측기가 회로 구성을 단순하게 할 수 있어, 본 실시예에서는 전압 계측기를 채용하고 있다.

도 4는 본 발명의 면압 분포 센서(2)의 센서 영역(20)의 일례를 나타내는 개요도이다.

면압 분포 센서(2)는 유리 등의 절연 기판(1) 상에 면압 분포의 단위 검출 소자(4)를 행렬 형상으로 복수 배치하고, 단위 검출 소자(4)에 서로 대향하여 대향 전극 필름(도 4에서는 도시 생략)을 형성한다. 복수의 단위 검출 소자(4)와 대향 전극 필름(2)으로 이루어지는 파선의 영역이 센서 영역(20)이다. 또한, 기판(1) 상에는 열 방향으로 연장되는 복수의 드레인선(9)과, 행 방향으로 연장되는 복수의 게이트선(8)이 배치되고, 드레인선(9)과 게이트선(8)의 각각의 교점에 대응하여 단위 검출 소자(4)가 배치된다. 단위 검출 소자(4)는 TFT(4a)와 접촉 전극(4b)으로 구성되어 있다. TFT(4a)의 드레인 D가 드레인선(9)에 접속되고, 게이트 G가 게이트선(8)에 접속되고, 소스 S가 단위 검출 소자(4)의 접촉 전극(4b)에 각각 접속되어 있다.

센서 영역(20) 측변에는 열측에 드레인선(9)을 순차적으로 선택하는 수평 방향 주사 회로(이하, H 스캐너라고 함)(70)가 배치되고, 행측에 게이트선(8)에 게이트 신호를 보내는 수직 방향 주사 회로(이후, V 스캐너라고 함)(80)가 배치된다.

또한, 센서 영역(20)의 동작을 제어하는 센서 제어 회로(90)를 H 스캐너(70) 및 V 스캐너(80)에 접속한다. 센서 제어 회로(90)에 대해서는 후술한다.

또한, 여기서의 도시는 생략하지만, 면압 분포 센서는 외부 제어 회로가 접속되어 있다. 외부 접속 회로는 면압 분포 센서를 동작시키기 위한 각종 제어 신호나 전원 전압 VDD 등을 공급한다. 외부 제어 회로는 통상의 CMOS 회로로서, 예를 들면 3V의 저전압으로 동작하고, 출력하는 제어 신호도 3V의 진폭이다.

다음으로, 면압 분포 센서의 동작에 대하여 설명한다. V 스캐너(80)는 복수의 게이트선(8)으로부터 소정의 게이트선(8)을 순차적으로 선택하여 게이트 전압 VG를 인가하여, 그 게이트선(8)에 접속된 TFT(4a)를 온 상태로 한다. V 스캐너(80)는 수직 스타트 신호 VST에 의해 1개째의 게이트선(8)을 선택하고, 수직 클럭 VCLK에 따라 다음의 게이트선(8)으로 순차적으로 전환하여 선택한다.

H 스캐너(70)는 복수의 드레인선(9)으로부터 소정의 드레인선(9)을 순차적으로 선택하여, TFT(4a)에 신호를 공급한다. H 스캐너(70)는 수평 스타트 신호 HST에 의해 최초의 드레인선(9)을 선택하고, 수평 클럭 HCLK에 따라 다음의 드레인선(9)으로 순차적으로 전환하여 선택한다.

상기 수직 클럭 VCLK나 수평 클럭 HCLK는 외부 제어 회로가 출력하는 3V의 진폭의 저전압 클럭을 전위 변환 회로에 의해 승압함으로써 생성된다.

도 4의 (b)는 H 스캐너(70)를 도시하는 회로도이다. H 스캐너(70)는 복수의 시프트 레지스터(71)와 시프트 레지스터(71)의 출력 Q가 게이트에 접속된 복수의 드레인선 선택 트랜지스터(72)를 포함한다. 각단(段)의 시프트 레지스터(71)에는 외부 제어 회로로부터 공급되는 제어 신호를 전위 변환 회로에 의해 승압한 수평 클럭 HCLK가 입력된다. 드레인선 선택 트랜지스터(72)는 시프트 레지스터(71)의 출력이 게이트에 접속되고, 각 드레인선 선택 트랜지스터(72)의 드레인은 데이터 판독선(73)에 접속되고, 각 드레인선 선택 트랜지스터의 소스는 드레인선(9)에 접속되어 있다.

1단째의 시프트 레지스터(71)에는 수평 스타트 신호 HST가 입력된다. 시프트 레지스터는 HST가 입력되면 수평 클럭 HCLK 1주기 동안 출력 단자 Q의 출력이 「H」로 된다. 시프트 레지스터(71)의 출력에 의해 드레인선 선택 트랜지스터(72)의 1개가 온 상태로 되어, 선택되어 있는 게이트선(8)과 드레인선(9)의 교점에 배치된 단위 검출 소자(4)를 구성하는 TFT(4a)가 구동 상태(센싱 가능한 상태)로 된다. 이 때, 해당 TFT(4a)의 접촉 전극(4b)과 대향 전극 필름(2)이 접촉하면, 접지된 대향 전극 필름(2)을 통하여 전류가 흐르기 때문에, 그 전류(또는 전압)의 변화가 데이터 판독선(73)에 출력되어, 지문의 융선이 검출된다.

시프트 레지스터(71)의 출력은 동시에 2단째의 시프트 레지스터(71)에 입력 되고, 시프트 레지스터(71)의 출력은 다음의 수평 클럭 HCLK 1주기 동안 「H」로 되어, 단위 검출 소자(4)의 TFT(4a)가 온 상태로 되어 센싱 가능한 구동 상태로 된다. 그리고, 시프트 레지스터(71)의 출력에 의해 다음의 시프트 레지스터(71)가 온 상태로 된다. 이하, 마찬가지로 시프트 레지스터(71)가 순차적으로 「H」로 되어 드레인선(9)을 순차적으로 선택하여, 전체 단위 검출 소자(4)를 구동한다.

1행분 전체의 드레인선(9)이 선택된 후, 수직 클럭 VCLK가 다음의 주기로 되어 V 스캐너(80)는 다음의 게이트선(8)에 게이트 전압 VG를 공급하고, 다시 수평 스타트 신호 HST가 입력되어, 시프트 레지스터(71)의 출력이 「H」로 된다.

여기서, 도시는 생략하지만, V 스캐너(80)도 복수의 시프트 레지스터로 이루어지는 구성이고, H 스캐너와 마찬가지의 동작을 행한다.

도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는, 또한 H 스캐너(70) 및 V 스캐너(80)에 접속되는 센서 제어 회로(90)를 포함한다. 센서 제어 회로(90)의 일례를 설명하면, 센서 동작 신호선(91)과, VCLK, VST, HCLK, HST가 인가되는 제어 신호선(60)과의 논리곱 회로(이하, AND 게이트라고 함)이다. 센서 동작 신호선(91)에는 센서 영역(20)의 기동과 대기를 제어하는 센서 동작 신호 SE가 인가되어, AND 게이트(92)의 차단 및 도통을 행하고, H 스캐너(70) 및 V 스캐너(80)를 제어함으로써 면압 분포 센서(2)의 동작 모드 및 대기 모드를 전환 제어하는 것이다.

제1 실시예에서는 외부 IC(110)로부터 센서 동작 신호선(91)에 센서 동작 신호 SE를 인가한다. 예를 들면, 센서 영역(20)의 가압(센싱)이 일정 시간(예를 들 면, 3분) 없는 경우, 센서 영역(20)을 대기 모드로 하기 위해서, 외부 IC(110)는 센서 동작 신호 SE를 「L」 레벨로 변화시킨다. 이에 의해, VCLK, VST, HCLK, HST의 레벨에 관계없이 AND 게이트는 전부 「L」 레벨을 출력한다. 즉, V 스캐너(80), H 스캐너(70)가 정지하므로, 센서 영역(20)의 TFT(4a)는 스캔되지 않고, 대기 모드로 된다. 이와 같이 단위 검출 소자(4)의 선택 동작을 정지함으로써, 소비 전력을 저감시킬 수 있다.

이것을 다시 동작 모드로 하기 위해서는, 예를 들면 센서 영역(20) 외부에 설치한 스위치(101)를 누른다. 외부 스위치(101)가 눌러지면, 외부 IC(110)로부터 센서 동작 신호선(91)에 「H」 레벨이 출력되어, AND 게이트가 VCLK, VST, HCLK, HST에 따른 출력을 행하므로, H 스캐너(70), V 스캐너(80)가 기동하여, 센싱 가능한 상태로 된다.

여기서, 일정 시간 센싱이 없는 경우에 대기 모드로 하는 것이 아니라, 센서의 온/오프를 전부 외부 스위치(101)에 의해 제어해도 된다. 센서 구동 시에 온 스위치를 누르면 「H」의 센서 동작 신호 SE가 인가되고, 센서 종료 후에 오프 스위치를 누르면 「L」의 센서 동작 신호 SE가 인가되는 것이다.

또한, 1개의 스위치로 누를 때마다 「H」「L」이 교대로 인가되는 것이어도 된다.

또, 센서 제어 회로는 일례로서, 외부 회로로부터의 센서 동작 신호 SE에 의해, 각 클럭의 대기 모드를 제어할 수 있는 회로 구성이면, 도시한 것에 한정되지 않는다.

또한, 각 스캐너의 대기 모드로의 전환뿐만 아니라, 버퍼 등 주변 회로로의 전원 공급도 정지할 수 있는 것으로 한다. 예를 들면, 상술한 바와 같이 외부 회로로부터 공급되는 3V의 신호를 면압 분포 센서(2)의 내부에서 승압하여 각 구동 신호로 하고 있는 경우, 승압 회로를 정지시키면, 저소비 전력의 효과가 더욱 크다.

다음으로, 도 6과 도 7을 이용하여 본 발명의 제2 실시예를 설명한다.

도 6의 (a)는 평면도, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)의 스위치(102)부의 B-B선 단면도이다. 또, 단위 검출 소자(4), 및 면압 분포 센서(2)의 구조는 제1 실시예와 마찬가지이고, 각 스캐너(70, 80)의 구성은 도 4와 마찬가지이므로, 상세한 설명은 생략하고, 동일 구성 요소는 동일 부호를 이용한다.

본 실시예는, 도 6에 도시한 바와 같이 센서 영역(20)에 센서 동작 신호 SE를 인가하는 스위치(102)를 설치하는 것이다. 센서 제어 회로(90)의 구성은 제1 실시예와 마찬가지로 AND 게이트(92)를 포함하고, 센서 동작 신호선(91)에는 스위치(102)로부터의 신호가 인가된다.

스위치(102)는 센서 영역(20) 내에 1개만 배치해도 되지만, 도 6의 (a)와 같이 센싱 시에 손가락의 접촉 영역이 변동되어도, 적어도 어느 1개의 스위치(102)가 눌러지도록, 센서 영역(20)에 복수개를 가급적이면 균등하게 배치한다. 예를 들면, 도면과 같이 중심부와 주변부에 설치하면 된다.

또한, 스위치(102)는 도 6의 (b)와 같이 접촉 전극(102b)과 배선(102a)만으로 구성된다. 스위치(102)는 단위 검출 소자(4) 사이의 영역에 배치되고, 단위 검 출 소자(4)의 인출 전극(9a)과 스위치(102)의 배선(102a)이, 접촉 전극(4b)과 접촉 전극(102b)이, 각각 동층에 형성되어 있다. 센서 영역(20)의 어딘가가 손가락에 의해 눌러졌을 때, 대향 전극 필름(2)과 스위치(102)의 접촉 전극(102b)이 접촉하여 도통한다.

도 7을 이용하여 센서 제어 회로(90)의 동작을 설명한다. 도 7의 (a)는 회로 개략도이고, 도 7의 (b)는 스위치(102) 부분의 등가 회로도이다.

센서 제어 회로(90)의 구성은 제1 실시예와 마찬가지의 AND 게이트(92)이고, 일정 시간 센싱이 없으면, 「L」 레벨이 센서 동작 신호선(91)에 인가된다. VCLK, VST, HCLK, HST의 각 제어 신호와 센서 동작 신호 SE의 AND 게이트(92)이므로, H 스캐너(70), V 스캐너(80)는 스캔이 정지하여, 대기 모드로 된다.

센싱 시에는 반드시 대향 전극 필름(2)이 눌러진다. 센싱을 위해 대기 모드의 센서 영역(20)을 누르면 센서 영역(20)에 복수 점재하는 스위치(102) 중 어느 하나가 눌러진다. 스위치(102)와 대향 전극 필름(2)이 접촉하면, 스위치(102)의 접촉 전극(102b)의 전위가 변동하여, 외부 IC(110)에서 검지된다. 외부 IC(110)는 스위치(102)의 출력에 따라 「H」 레벨의 센서 동작 신호 SE를 센서 동작 신호선(91)에 출력한다. VCLK, VST, HCLK, HST의 각 제어 신호는 AND 게이트(92)를 통하여 출력되어, H 스캐너(70) 및 V 스캐너(80)가 선택 동작을 개시하여, 센서 영역(20)이 동작 모드로 된다. 즉, 스위치(102)의 도통과 실질적으로 동시에 스캔이 구동하여 센싱 가능하게 된다. 또한, 비센싱 상태가 일정 시간 경과하면, 외부 IC(110)는 「L」 레벨을 출력하고, 양 스캐너는 정지한다.

또한, 도 8에는 제3 실시예로서, 외부 IC를 통하지 않고, 전류의 누설에 의해 자동적으로 대기 모드로 하는 회로의 일례를 나타낸다. 본 실시예는 스위치(102)를 갖고, 센서 동작 신호 SE로 전환하는 점에 대해서는, 제2 실시예와 마찬가지이다.

센서 동작 신호선(91)에는 방전용 트랜지스터(93)를 더 설치하여, 스위치(102)로부터의 배선을 외부 IC를 통하지 않고 센서 동작 신호선(91)에 접속한다. 센서 제어 회로(90)는 센서 동작 신호선(91)과 제어 신호선(60)의 AND 게이트이다. 우선, 센싱 시에 센서 영역(20)을 누르면 대향 전극 필름(2)이 스위치(102)와 접촉한다. 대향 전극 필름(2)에는, 예를 들면 3V 정도의 전압이 인가되어 있으며, 접촉에 의해 센서 동작 신호선(91)에는 「H」 레벨이 인가된다. AND 게이트는 VCLK, VST, HCLK, HST에 따른 출력을 행하고, H 스캐너(70), V 스캐너(80)가 선택 동작을 행하여 지문 검출을 행할 수 있는 동작 모드로 된다.

손가락을 떼면, 스위치(102)의 도통이 없어지고, 센서 동작 신호선(91)의 전류는 방전용 트랜지스터(93)에 의해 서서히 방전되어, 센서 동작 신호 SE는 「L」 레벨로 된다. 즉, 센서 동작 신호 SE가 「L」 레벨로 되므로, AND 게이트(92)의 출력이 「L」 레벨로 고정되고, H 스캐너(70), V 스캐너(80)가 정지하여 대기 모드로 된다. 즉, 손가락으로 누르고 있는 동안만 스캔 가능하게 되어, 불필요한 전류의 소비가 없는 면압 분포 센서를 제공할 수 있다. 또한, 센서 영역(20)의 대기 모드도, 일정 시간이 경과된 후가 아니라 손가락을 센서 영역(20)으로부터 떼면, 방전용 트랜지스터(93)로부터의 누설 전류에 의해 대기 모드로 할 수 있다.

또한, 외부 IC(110)에 센서 동작 신호 SE를 출력하고, 다시 면압 분포 센서(2) 내에 센서 동작 신호 SE를 입력할 필요가 없기 때문에, 외부 IC(110)와의 접속 핀 수를 삭감할 수 있다.

또, 센서 제어 회로는 일례로서, 센서 동작 신호 SE에 의해, 센서 제어 회로(90)의 대기 모드를 제어할 수 있는 회로 구성이면, 도시한 것에 한정되지 않는다.

또한, 각 스캐너의 대기 모드로의 전환뿐만 아니라, 버퍼 등 주변 회로로의 전원 공급도 정지할 수 있는 것으로 한다.

도 9에, 본 발명의 제4 실시예를 도시한다. 도 9의 (a)는 평면도, 도 9의 (b)는 회로 개요도이다. 또, 단위 검출 소자(4), 및 면압 분포 센서(2)의 각 스캐너의 구성은 도 4와 마찬가지이므로, 상세한 설명은 생략하고, 동일 구성 요소는 동일 부호로 한다.

본 실시예도, 센서 영역(20)에 센서 동작 신호 SE를 인가하는 스위치(103)를 설치하는 것이다. 센서 제어 회로(90)의 구성은 센서 동작 신호선(91)의 반전과 제어 신호선의 AND 게이트(92)로 하여, 센서 동작 신호선(91)에는 스위치(103)로부터의 신호가 인가된다.

스위치(103)는 도 9에 도시한 바와 같이 다수의 단위 검출 소자(4) 중, 수 개를 스위치(103)로서 이용한다. 스위치(103)가 되는 단위 검출 소자(4)에는 H 스캐너(70), V 스캐너(80)의 구동에 관계없이 스캐너 이외의 루트로부터 신호가 공급되고, 대기 모드 동안 항상 계속 선택하여, 구동 상태로 된다. 센싱 시에는 스위 치(103)의 단위 검출 소자(4)는 다른 단위 검출 소자(4)와 함께 순차적으로 선택되어 순차적으로 구동 상태로 된다. 또한, 대기 모드 시에는 스캐너의 정지에 의해 다른 단위 검출 소자(14)의 TFT(4a)는 오프하지만, 스위치(103)의 단위 검출 소자(4)는 H 스캐너 및 V 스캐너가 정지해도 논리합 회로(이하, OR 게이트라고 함)(95)로부터의 신호에 의해 스위치(103)의 행의 TFT(4a)는 대기 모드 동안 항상 온 상태로 되어 있다.

또한, 스위치(103)가 되는 단위 검출 소자(4)는 센싱 시에 손가락의 접촉 영역이 변동되어도 어느 하나의 스위치(103)가 눌러지도록, 센서 영역(20)에 균등하게 복수개 배치한다. 예를 들면, 도 9에 도시한 바와 같이 중심부와 주변부에 설치하면 된다.

도 9의 (b)의 회로 개략도를 이용하여 동작을 설명한다.

스위치(103)가 되는 단위 검출 소자(4)가 접속되는 드레인선(9)은 분기하여 스위치 검출 트랜지스터(94)에 접속된다. 도면에서는 스위치(103)가 접속되는 드레인선(9)만을 도시하였지만, 도 9의 (a)와 같이 스위치(103)는 복수 있기 때문에, 각 스위치(103)가 접속되는 드레인선(9)은 마찬가지로 분기하여, 다른 스위치 검출 트랜지스터(94)에 접속된다. 또한, 스위치 검출 트랜지스터(94)의 게이트는 센서 동작 신호선(91)에 접속된다.

센서 제어 회로(90)의 구성은 제1 실시예와 마찬가지의 AND 게이트(92)이고, 비센싱 상태가 일정 시간 경과하면, 상기 실시예와는 반대로, 센서 동작 신호 SE로서 「H」 레벨이 센서 동작 신호선(91)에 인가된다. VCLK, VST, HCLK, HST의 각 제어 신호와 센서 동작 신호 SE의 반전의 AND 게이트(92)이므로, AND 게이트(92)의 출력은 「L」 레벨로 고정되고, H 스캐너(70), V 스캐너(80)는 스캔을 정지하여, 대기 모드로 된다.

또한, 스위치(103)에 접속되는 게이트선(8)에는 센서 동작 신호선(91)과의 OR 게이트(95)를 설치한다. 본 실시예에서는 센서 동작 신호 SE가 「H」 레벨일 때, H 스캐너(70), V 스캐너(80)가 「L」 레벨로 대기 모드로 되고, 센서 영역(20)이 스위치(103)를 제외하고 오프 상태로 된다. 스위치(103)가 되는 단위 검출 소자(4)의 게이트에는 게이트선(8)을 통하여 센서 동작 신호선(91)의 OR 게이트(95)로부터의 출력이 인가되도록 되어 있기 때문에, V 스캐너(80)가 정지하고 있어도, 센서 동작 신호 SE가 「H」이므로 스위치(103)의 TFT(4a)는 센서 동작 신호 SE가 「H」인 동안, 항상 동작 모드로 된다. 센서 영역(20)이 온 상태(센싱 시간)인 경우에는, OR 게이트(95)의 출력은 게이트 신호에 의해 변화되므로 스위치(103)의 TFT(4a)도 다른 단위 검출 소자(4)와 마찬가지로 스캔된다.

다음으로, 센서 영역(20)을 손가락으로 누르면, 예를 들면 3V가 인가되어 있는 대향 전극 필름(2)을 통하여 전류가 흐르고, 그 변화로 드레인선으로부터의 분기선(9b), 스위치 검출 트랜지스터(94)를 통하여 출력되어, 이에 따라 IC는 센서 동작 신호 SE를 「L」 레벨로 변화시킨다. AND 게이트(92)를 통하여 구동 신호가 공급되어, H 스캐너(70), V 스캐너(80)는 구동하고, V 스캐너(80)가 1개의 게이트선을 선택 중에 H 스캐너(70)가 모든 드레인선을 순차적으로 선택하여 단위 검출 소자(4)를 순차적으로 구동시켜, 동작 모드로 된다. 이 때, OR 게이트(95)에 의 해, 스위치(103)도 다른 행과 마찬가지로, V 스캐너(80)가 출력하는 주사 신호에 따라 순차적으로 선택되어, 구동 상태로 된다. 센서 동작 신호 SE는 스위치 검출 트랜지스터(94)의 게이트에도 공급되어 있으며, 「L」 레벨로 스위치 검출 트랜지스터(94)는 오프 상태로 된다. 이 때, 스위치(103)가 되는 단위 검출 소자(4)가 출력해도 스위치 검출 트랜지스터(94)가 오픈되지 않아, 스위치(103)로서의 동작은 하지 않는다. 즉, 통상의 단위 검출 소자(4)가 되어, 동작 모드 시에 지문의 융선이 접촉하면 그것을 검출하는 소자가 된다. 또한, 센서 영역(20)도 스캔되어 있기 때문에, 지문은 데이터 판독선(73)을 통하여 출력되어, 측정된다.

스위치(103)로서 동작하는 단위 검출 소자(4)는 센서 영역(20) 내에 복수 설치되고, 각각이 접속되는 드레인선으로부터 분기하여 각각 스위치 검출 트랜지스터(94)에 접속된다. 스위치 검출 트랜지스터(94)의 1개의 단자는 다른 개소의 스위치 검출 트랜지스터(94)의 1개의 단자와 통합된다. 이것은 복수의 스위치(103) 중 어느 하나가 도통함으로써, 센서 영역(20)이 눌러진 것을 검출하기 위함이다.

임의의 일정 시간이 경과하면, 외부 IC로부터 「H」 레벨이 센서 동작 신호선(91)에 인가된다. 여기서 AND 게이트(90)는 전부 「L」로 되고, 스캐너는 대기 모드로 된다. 또한, 스위치 검출 트랜지스터(94)의 게이트는 「H」 레벨로 되어, 스위치(103)의 감시를 개시한다. 센싱 재개 시에 스위치(103)를 누르면 스위치는 도통하여 OUT에 스위치가 눌러진 정보가 출력된다. 이 신호에 의해 IC는 「L」을 출력하고 H 스캐너, V 스캐너는 다시 기동한다.

이와 같이 손가락으로 누름으로써 스캔 가능하게 되고, 스위치(103)의 단위 검출 소자(4)만을 항상 구동시키는 것만으로, 비센싱 시의 불필요한 전류의 소비가 없는 면압 분포 센서를 제공할 수 있다.

또한, 소수의 단위 검출 소자(4)를 스위치로서 이용할 수 있기 때문에, 제2 및 제3 실시예와 같이 별도 스위치를 설치할 필요도 없고, 센서 영역(20)은 종래 구조 그대로인 상태에서, 소비 전력을 저감시킬 수 있는 면압 분포 센서를 제공할 수 있다.

또, 센서 제어 회로는 일례로서, 센서 동작 신호 SE에 의해, 각 클럭의 대기 모드를 제어할 수 있는 회로 구성이면, 도시한 것에 한정되지 않는다.

또한, 각 스캐너의 대기 모드로의 전환뿐만 아니라, 버퍼 등 주변 회로에의 전원 공급도 정지할 수 있는 것으로 한다.

본 발명에 따르면, 면압 분포 센서의 비센싱 상태 동안, 대기 모드로서 스캐너 등을 정지시킬 수 있기 때문에, 소비 전력을 대폭 삭감할 수 있다. 센서 영역의 검출이 일정 시간 없는 경우, 센서 영역의 스캔을 정지하여, 센서 영역을 대기 모드로 한다. 센싱 시에 외부 스위치를 누름으로써, 스캔을 재개하여, 센싱을 행하는 동작 모드로 한다. 이에 의해, 센싱 시에만 각 단위 검출 소자를 스캔하면 되므로, 항상 스캔하고 있었던 종래와 비교하여 소비 전력을 대폭 삭감시킬 수 있다.

또한, 비센싱 시에 센서 영역의 스캔을 정지함으로써, TFT의 열화를 억제한 면압 분포 센서를 제공할 수 있다.

또한, 센서 영역에 별도 스위치를 설치하여, 대향 전극 필름과의 접촉으로 스위치를 도통시킴으로써, 센싱 동안에만 단위 검출 소자를 스캔할 수 있다. 일정 시간이 경과된 후 센서 영역을 오프하는 방법보다 소비 전력을 더욱 삭감시킬 수 있다.

또한, 다수의 단위 검출 소자 중 일부의 단위 검출 소자를 스위치로서 이용하면, 센싱 시에만 단위 검출 소자를 스캔할 수 있어, 일정 시간이 경과된 후 센서 영역을 오프하는 방법보다 소비 전력을 삭감시킬 수 있다. 또한, 스위치의 단위 검출 소자는 항상 구동시키기 위해서 다소의 전력 소비는 발생하지만, 단위 검출 소자를 스위치로서 이용하므로, 별도로 스위치를 설치할 필요가 없고, 종래 구조로 실시할 수 있어, 스페이스에 한계가 있는 경우에 대단히 유효하게 된다.

Claims

센서 영역에 복수의 단위 검출 소자를 배치하여 이루어지는 면압 분포 센서에 있어서,

면압 분포를 측정하는 동작 모드와, 소비 전력을 삭감한 대기 모드를 전환하고,

상기 대기 모드 중에는 상기 단위 검출 소자에 전력이 공급되지 않는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
센서 영역에 복수의 단위 검출 소자를 배치하여 이루어지는 면압 분포 센서에 있어서,

상기 단위 검출 소자를 순차 선택하는 스캐너를 포함하고,

상기 센서 영역 내에는 스위치를 포함하고,

상기 단위 검출 소자를 순차적으로 선택하여 면압 분포를 측정하는 동작 모드와, 상기 단위 검출 소자의 선택 동작을 정지하여 소비 전력을 삭감한 대기 모드를 전환하고, 상기 스위치의 출력에 의해 상기 대기 모드로부터 상기 동작 모드로 전환하고,

상기 대기 모드 중에는 상기 스캐너에 전력이 공급되지 않는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제2항에 있어서,

상기 스위치를 복수 배치하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제2항에 있어서,

상기 스위치는 상기 단위 검출 소자 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 면 압 분포 센서.
센서 영역에 복수의 단위 검출 소자를 배치하여 이루어지는 면압 분포 센서에 있어서,

상기 단위 검출 소자를 순차 선택하는 스캐너를 포함하고,

상기 센서 영역 내에는 스위치를 포함하고,

상기 단위 검출 소자를 순차 선택하여 면압 분포를 측정하는 동작 모드와, 상기 단위 검출 소자의 선택 동작을 정지하여 소비 전력을 삭감한 대기 모드를 전환하고, 상기 스위치의 출력에 의해 상기 대기 모드로부터 상기 동작 모드로 전환하고,

소정의 상기 단위 검출 소자를 대기 모드 중 계속 선택해서 상기 스위치로 하고,

상기 대기 모드 중에는 스위치로 되는 상기 소정의 검출 소자 이외의 검출 소자에는 전력은 공급되지 않는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
절연 기판 상에 복수 배치된 면압 분포의 단위 검출 소자와 해당 단위 검출 소자에 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름으로 이루어지는 센서 영역과, 상기 단위 검출 소자의 2개의 단자에 접속되며 상기 기판 위에 매트릭스 형상으로 배치된 드레인선 및 게이트선과, 상기 드레인선을 순차적으로 선택하는 수평 방향 주사 회로와, 상기 게이트선에 주사 신호를 보내는 수직 방향 주사 회로를 포함하고, 상기 단위 검출 소자와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉을 검출하는 면압 분포 센서에 있어서,

상기 수평 방향 주사 회로 및 수직 방향 주사 회로에 접속되는 센서 제어 회로와,

상기 센서 제어 회로에 접속되는 센서 동작 신호선을 더 구비하고, 상기 센서 동작 신호선에 인가되는 센서 동작 신호에 의해, 상기 센서 영역의 기동 및 대기를 제어하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
절연 기판 상에 복수 배치된 면압 분포의 단위 검출 소자와 해당 단위 검출 소자에 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름으로 이루어지는 센서 영역과, 상기 단위 검출 소자의 2개의 단자에 접속되며 상기 기판 위에 매트릭스 형상으로 배치된 드레인선 및 게이트선과, 상기 드레인선을 순차적으로 선택하는 수평 방향 주사 회로와, 상기 게이트선에 주사 신호를 보내는 수직 방향 주사 회로를 포함하고, 상기 단위 검출 소자와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉을 검출하는 면압 분포 센서에 있어서,

상기 수평 방향 주사 회로 및 수직 방향 주사 회로에 접속되는 센서 제어 회로와,

상기 센서 제어 회로에 접속되는 센서 동작 신호선과,

상기 센서 영역 내에 배치되며 해당 센서 영역의 기동 및 대기를 제어하는 스위치를 더 구비하고, 상기 스위치로부터의 센서 동작 신호에 의해, 상기 센서 영역의 기동 및 대기를 제어하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제7항에 있어서,

상기 스위치를 복수 배치하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제7항에 있어서,

상기 스위치는 상기 단위 검출 소자 사이에 설치되어 상기 센서 동작 신호선과 접속되고, 상기 스위치와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉에 따라 상기 센서 동작 신호가 변화하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제7항에 있어서,

상기 스위치는, 다수의 상기 단위 검출 소자 중 일부의 해당 단위 검출 소자를 대기 중에 구동시킨 것이며, 상기 스위치가 되는 단위 검출 소자와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉에 따라 상기 센서 동작 신호가 변화되는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
센서 영역의 복수의 단위 검출 소자와, 상기 단위 검출 소자를 선택하는 주사 회로를 포함하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법에 있어서,

대기 모드 시에, 상기 주사 회로를 정지함과 함께, 상기 단위 검출 소자 중 적어도 일부를 항상 계속 선택하고,

상기 선택한 단위 검출 소자의 출력에 따라 상기 주사 회로를 동작시키는 동작 모드로 이행하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법.
수직 방향 주사 회로로부터의 주사 신호에 의해 절연 기판 상에 복수 설치된 게이트선을 순차적으로 주사하여 상기 게이트선에 접속되는 면압 분포의 단위 검출 소자에 게이트 신호를 보내어 상기 단위 검출 소자를 구동하고, 수평 방향 주사 회로로부터의 주사 신호에 의해 상기 게이트선과 교차하는 드레인선을 순차적으로 주사하여 센서 영역이 되는 상기 단위 검출 소자와 해당 단위 검출 소자에 서로 대향하는 가요성 도전 필름과의 접촉 유무를 검출하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법에 있어서,

상기 수직 방향 주사 회로 및 수평 방향 주사 회로에 접속되는 센서 제어 회로에 센서 동작 신호를 인가하여, 상기 센서 제어 회로의 오프와 온에 의해 상기 센서 영역의 대기 및 구동을 제어하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법.
수직 방향 주사 회로로부터의 주사 신호에 의해 절연 기판 위에 복수 설치된 게이트선을 순차적으로 주사하여 상기 게이트선에 접속되는 면압 분포의 단위 검출 소자에 게이트 신호를 보내어 상기 단위 검출 소자를 구동하고, 수평 방향 주사 회로로부터의 주사 신호에 의해 상기 게이트선과 교차하는 드레인선을 순차적으로 주사하여 센서 영역이 되는 상기 단위 검출 소자와 해당 단위 검출 소자에 서로 대향하는 가요성 도전 필름과의 접촉 유무를 검출하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법에 있어서,

상기 센서 영역으로부터 발생하는 센서 동작 신호를 센서 제어 회로에 인가하여, 상기 센서 제어 회로의 오프와 온에 의해 상기 센서 영역의 대기 및 구동을 제어하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법.
제13항에 있어서,

상기 단위 검출 소자 사이에 설치되어 상기 센서 동작 신호선에 접속되는 스위치와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉 유무를 상기 센서 동작 신호로 하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법.
제13항에 있어서,

다수의 상기 단위 검출 소자 중 소수의 해당 단위 검출 소자를 항상 구동시키고, 상기 소수의 단위 검출 소자와 상기 가요성 도전 필름과의 접촉 유무를 상기 센서 동작 신호로 하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법.
제12항 또는 제13항에 있어서,

상기 센서 동작 신호에 의해 상기 면압 분포 센서의 주변 회로의 기동 및 대기를 제어하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 동작 제어 방법.
센서 영역에 복수의 단위 검출 소자를 배치하여 이루어지는 면압 분포 센서에 있어서,

면압 분포를 측정하는 동작 모드와, 소비 전력을 삭감한 대기 모드를 전환하고,

상기 대기 모드 중에는 소정의 상기 단위 검출 소자 이외의 검출 소자에는 전력이 공급되지 않는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제5항에 있어서,

상기 스위치를 복수 배치하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.