KR100542830B1 - 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계 스위치를이용한 광대역/다중대역 안테나 - Google Patents

부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계 스위치를이용한 광대역/다중대역 안테나 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은, 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 방사패치를 공기 중에 부양시킴으로써 방사효율과 이득 및 대역폭 특성(광대역 특성)을 개선하고, 부가적으로 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용하여 안테나의 공진주파수를 제어하여 다중대역 특성을 구현하기 위한, 부양 방사패치 또는/및 MEMS 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나에 있어서, 고유전율의 유전체; 상기 고유전율의 유전체의 일측에 배치된 접지면; 상기 고유전율의 유전체의 타측에 배치되어 결합스터브에 급전하기 위한 급전 수단; 상기 급전 수단에 전기적으로 연결되도록 배치되어, 상기 방사패치에 전자기파를 결합시키기 위한 상기 결합스터브; 상기 결합스터브로부터 결합된 전자기파를 방사하기 위한 상기 방사패치; 및 상기 고유전율의 유전체와 상기 방사패치의 사이에 배치되어, 상기 고유전율의 유전체로부터 상기 방사패치를 부양시키기 위한 다수의 금속기둥을 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 밀리미터파 대역 안테나 시스템 등에 이용됨.
부양 방사패치, 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치, 광대역, 다중대역

Description

부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나{Broadband/Multiband Antenna using Floating Radiation Patch or/and Micro Electro Mechanical System(MEMS) Switches}
도 1은 종래의 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 안테나의 구조도.
도 2a는 본 발명에 따른 부양 방사패치를 이용한 광대역 안테나의 일실시예 측면도.
도 2b는 본 발명에 따른 부양 방사패치를 이용한 광대역 안테나의 일실시예 사시도.
도 3a는 본 발명에 따른 부양 방사패치 및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나의 일실시예 측면도.
도 3b는 본 발명에 따른 부양 방사패치 및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나의 일실시예 사시도.
도 4는 상기 도 3a 및 상기 도 3b의 광대역/다중대역 안테나의 이중대역 특성을 설명하기 위한 일실시예 그래프.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
200 : 고유전율의 유전체(HRS) 210 : 방사패치
220 : 금속기둥 230 : 결합스터브
240 : 급전선 250 : 접지면
310 : 금속스트립
320 : 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치
본 발명은 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계(Micro Electro Mechanical System; 이하, 간단히 'MEMS'라 함) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 MEMS 기술을 이용하여 방사패치를 고유전율의 유전체(High Resistivity Silicon; HRS)상에서 공기 중으로 부양시켜 고효율과 광대역 특성을 구현하고, 부가적으로 MEMS 스위치를 이용하여 다중대역 특성을 구현하기 위한, 부양 방사패치 또는/및 MEMS 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나에 관한 것이다.
최근 MEMS 기술은 광학, 센서, 모터, 생체학, 무선주파수(Radio Frequency; 이하, 간단히 'RF'라 함) 분야 등에서 폭넓게 응용되고 있고, 특히 RF 분야에서는 저잡음 장비, 필터, 인덕터, 스위치뿐만 아니라 안테나 분야에서도 연구가 활발히 진행되고 있다.
MEMS 공정 기술에는 몸체 가공(Bulk Micromachining), 표면 가공(Surface Micromachining), 표면 접착(Fusion Bonding) 및 리가(LIGA) 방식 등이 있는데, 안테나 분야에서는 얇은 필름(Membrane)상에 방사패치를 인쇄하고 몸체 가공 방법을 이용하여 방사패치 아래의 유전율을 공기와 같이 하여 방사효율을 증가시키는 방법을 사용하고 있다.
이와 같은 멤브래인와 몸체 가공을 이용한 고효율의 광대역 MEMS 안테나는 다음과 같은 논문[M. Abdel-Aziz, H. Ghali, H Ragaie, H. Haddara, E. Larique, B. Guilon and P. Pons, "Design, Implementation and Measurement of 26.6GHz Patch Antenna using MEMS Technology", IEEE AP-s Vol. 1, pp. 399-402, June 2003]에 개시되어 있다.
상기 논문에서는 모든 능동 소자와 안테나를 포함한 모든 수동 소자가 고유전율의 실리콘상에 집적화되었을 때 안테나 특성 저하의 원인이 되는 요소를 극복할 수 있는 구조를 제안하고 있다.
즉, 안테나가 고유전율의 실리콘상에 구현될 때, 표면파가 증가하고 대역폭이 좁아지며 방사효율이 낮아질 수 있고 실리콘 전도율에 의해 손실이 증가될 수 있는데, 멤브래인 필름상에 방사패치를 인쇄하고 MEMS 공정 중에서 몸체 가공 방법을 이용하여 방사패치 아래에 있는 고유전율의 실리콘을 제거함으로써, 이러한 특성 저하 원인을 제거하고 있다.
도 1은 종래의 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 안테나의 구조도로서, 상기 논문에 제시된 멤브래인 필름과 몸체 가공 기법을 이용하여 구현한 고효율의 광대역 안 테나의 구조를 나타내고 있다.
도면에 도시된 바와 같이, 상기 논문에 제시하는 MEMS 안테나는, 고유전율의 유전체(100) 위에 멤브래인 필름(110)이 위치하고, 상기 멤브래인 필름(110)상에는 방사패치(120)와 급전선(130)이 인쇄되어 있다. 상기 방사패치(120)는 마이크로스트립라인에 의해 직접 급전되는 구조이다.
상기 방사패치(120) 아래부분에 있는 상기 고유전율의 유전체(100)는 몸체 가공 기법을 이용하여 제거한다. 상기 방사패치(120) 아래부분의 유전체가 제거됨으로써 표면파 생성이 억압되고, 대역폭 특성이 향상되며, 유전체에 의한 손실이 낮아져 고효율 및 광대역 특성의 마이크로스트립 패치안테나를 구현할 수 있다.
그러나, 상기 논문에 제시된 종래의 안테나는, 몸체 가공 기법으로 유전체를 깎아내고, 상기 멤브래인 필름(110)의 평탄도를 유지해야만 하는 문제점이 있다.
또한, 상기 논문에 제시된 종래의 안테나는, MEMS 스위치와 결합하여 다중대역 특성을 구현하는 것이 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 방사패치를 공기 중에 부양시킴으로써 방사효율과 이득 및 대역폭 특성(광대역 특성)을 개선하고, 부가적으로 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용하여 안테나의 공진주파수를 제어하여 다중대역 특성을 구현하기 위한, 부양 방사패치 또는/및 MEMS 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나를 제공하는데 그 목적이 있다.
즉, 본 발명은 방사패치를 공기 중에 부양시킴으로써 방사효율과 이득 및 대역폭 특성(광대역 특성)을 개선하고, 금속기둥과 유전체가 접하는 부분에 스터브 형태의 스트립라인을 형성하고 상기 스트립라인에 MEMS 스위치를 접합시켜 MEMS 스위치의 온(ON)/오프(OFF)에 따라 패치안테나의 공진주파수를 제어함으로써 다중 대역 특성을 구현하기 위한, 부양 방사패치 또는/및 MEMS 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나에 있어서, 고유전율의 유전체; 상기 고유전율의 유전체의 일측에 배치된 접지면; 상기 고유전율의 유전체의 타측에 배치되어 결합스터브에 급전하기 위한 급전 수단; 상기 급전 수단에 전기적으로 연결되도록 배치되어, 상기 방사패치에 전자기파를 결합시키기 위한 상기 결합스터브; 상기 결합스터브로부터 결합된 전자기파를 방사하기 위한 상기 방사패치; 및 상기 고유전율의 유전체와 상기 방사패치의 사이에 배치되어, 상기 고유전율의 유전체로부터 상기 방사패치를 부양시키기 위한 다수의 금속기둥을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 방사변에 배치된 금속기둥의 하부에 형성된 금속스트립; 및 상기 금속스트립에 적어도 하나 이상 배치된 상기 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 반도체 공정으로 고유전율의 유전체(HRS) 상에 회로를 형성하고, 후처리 과정으로 MEMS 기술을 이용하여 부양 방사패치를 구현함으로써, 수율을 높일 수 있다. 또한, 본 발명은 MEMS 공정을 들어가기에 앞서 HRS 회로 상에 형성된 마이크로스트립 라인에 능동소자를 와이어-본딩(Wire-Bonding)으로 집적시키면 능동집적 안테나의 구현이 가능하다.
본 발명의 제 1실시예에 따른 고효율의 광대역 안테나는, 고유전율의 유전체 기판상에 네 개의 금속기둥을 형성하고 상기 금속기둥위에 방사패치를 배치한다. 이때, 금속기둥은 패치상의 전류와 방사필드를 교란하지 않도록 배치한다.
또한, 본 발명의 제 2실시예에 따른 광대역/다중대역 안테나는, 고유전율의 유전체 기판상에 세 개의 금속기둥을 형성하고, 상기 금속기둥위에 방사패치를 배치한다. 이때, 패치안테나의 기본 모드(Dominant Mode) 형성에 방해되지 않도록, 세 개의 금속기둥 중 두 개는 패치상에서 전계의 세기가 약한 패치 가운데에 배치하고, 공진주파수를 제어하기 위한 금속기둥은 전계의 세기가 강한 패치의 방사변(Radiating Edge)에 배치한다.
상기 방사변에 위치한 금속기둥의 하부에는 금속스트립을 구성한다. 상기 금속스트립은 등가적으로 정전용량(Capacitance) 특성을 형성하고, 금속스트립의 길이와 폭을 조정함으로써 정전용량을 변화시킬 수 있다.
이때, 방사패치상에서 전계의 세기가 강한 방사변에 형성된 금속기둥과 스터브 형태의 금속스트립은 공진주파수에 크게 영향을 줄 수 있다. 따라서, 스터브 형 태의 금속스트립 중간에 MEMS 스위치를 구현하여, MEMS 스위치의 온/오프(ON/OFF) 상태에 따라 공진주파수를 제어할 수 있다.
상기 금속스트립과 MEMS 스위치는 부양 방사패치 하부에 위치하므로 상단 패치를 형성하기 전에 구성한다. 그리고, 부양 방사패치의 면적보다는 금속스트립과 MEMS 스위치 크기가 작기 때문에 다중공진 특성을 구성하더라도 전체 안테나 크기는 증가하지 않는다. 방사패치와 급전선은 유전체에 형성된 결합스터브에 의해 전자기적으로 결합될 수 있다.
상술한 목적, 특징들 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.
도 2a는 본 발명에 따른 부양 방사패치를 이용한 광대역 안테나의 일실시예 측면도이고, 도 2b는 본 발명에 따른 부양 방사패치를 이용한 광대역 안테나의 일실시예 사시도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 부양 방사패치를 이용한 광대역 안테나는, 고유전율의 유전체층(200)의 하면에 접지면(250)이 형성되어 있고, 상기 유전체층(200)의 상단에는 급전선(240)과, 방사패치(210)에 전자기파를 결합시키기 위한 결합스터브(230)가 형성되어 있으며, 상기 급전선(240)과 상기 결합스터브(230)는 전기적으로 연결되어 있다.
또한, 상기 유전체층(200)의 상단에는 상기 방사패치(210)를 공기중으로 부양하기 위한 네 개의 금속기둥(220)이 형성되어 있고, 상기 네 개의 금속기둥(220)은 상기 방사패치(210)를 공기중으로 부양하고 있다. 상기 네 개의 금속기둥(220)은 상기 방사패치(210)상의 기본모드 전류를 방해하지 않도록 위치한다.
도 3a는 본 발명에 따른 부양 방사패치 및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나의 일실시예 측면도이고, 도 3b는 본 발명에 따른 부양 방사패치 및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나의 일실시예 사시도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 부양 방사패치 및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나는, 고유전율의 유전체층(200)의 하면에 접지면(250)이 형성되어 있고, 상기 유전체층(200)의 상단에는 급전선(240)과, 방사패치(210)에 전자기파를 결합시키기 위한 결합스터브(230)가 형성되어 있으며, 상기 급전선(240)과 상기 결합스터브(230)는 전기적으로 연결되어 있다.
또한, 상기 유전체층(200)의 상단에는 상기 방사패치(210)를 공기중으로 부양하기 위한 세 개의 금속기둥(220)이 형성되어 있고, 상기 금속기둥(220)은 상기 방사패치(210)를 공기중으로 부양하고 있다.
상기 세 개의 금속기둥(220)중 두 개는 상기 방사패치(210)상에서 전계의 세기가 약한 부분인 상기 방사패치(210)의 중앙 부분에 위치하고, 공진주파수를 제어하기 위한 다른 하나의 금속기둥은 전계의 세기가 강한 상기 방사패치(210)의 방사 변에 위치하고 있다. 상기 방사변에 위치한 다른 하나의 금속기둥의 하부에는 금속스트립(310)이 형성된다.
그리고, 상기 방사패치(210)상에서 전계의 세기가 강한 방사변에 형성된 금속기둥은 공진주파수에 크게 영향을 줄 수 있다. 따라서, 상기 방사패치(210)의 방사변(Radiating Edge)에 형성된 금속기둥(220)과 상기 금속기둥과 전기적으로 연결된 금속스트립(310) 및 상기 금속스트립(310)에 형성된 MEMS 스위치(320)는 상기 MEMS 스위치(320)의 온/오프 상태에 따라 공진주파수를 크게 변화시켜 다중대역을 구현한다.
도 4는 상기 도 3a 및 상기 도 3b의 광대역/다중대역 안테나의 이중대역 특성을 설명하기 위한 일실시예 그래프이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 광대역/다중대역 안테나는, 상기 MEMS 스위치(320)가 온(ON) 상태인 경우에는 39GHz 대역에서 공진하고, 상기 MEMS 스위치(320)가 오프(OFF) 상태인 경우에는 47GHz 대역에서 공진하여, 상기 MEMS 스위치(320)의 온/오프에 따라 공진주파수를 변화시키고 있음을 알 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기한 바와 같은 본 발명은, 고유전율의 기판상에 형성된 마이크로스트립 패치안테나의 협대역 및 저이득 특성을 개선하기 위해 MEMS 공정을 이용하고, 다중대역 특성을 구현하기 위해 MEMS 스위치를 이용함으로써, 고효율과 광대역 및 다중대역 특성을 가질 수 있도록 하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 최근 시스템-온-칩(System-on-Chip) 개념에 따라 모든 능동소자와 안테나를 포함한 모든 수동소자를 고유전율의 기판에 집적화하는 기술이 활발히 연구되고 있는 환경에서, 밀리미터파 대역에서 안테나를 다른 회로들과 집적화할 때, 대역폭과 효율 특성 그리고 방사패턴 특성이 양호한 MEMS 안테나를 구현할 수 있도록 하는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나에 있어서,
    고유전율의 유전체;
    상기 고유전율의 유전체의 일측에 배치된 접지면;
    상기 고유전율의 유전체의 타측에 배치되어 결합스터브에 급전하기 위한 급전 수단;
    상기 급전 수단에 전기적으로 연결되도록 배치되어, 상기 방사패치에 전자기파를 결합시키기 위한 상기 결합스터브;
    상기 결합스터브로부터 결합된 전자기파를 방사하기 위한 상기 방사패치; 및
    상기 고유전율의 유전체와 상기 방사패치의 사이에 배치되어, 상기 고유전율의 유전체로부터 상기 방사패치를 부양시키기 위한 다수의 금속기둥;
    상기 다수의 금속기둥 중 상기 방사패치의 방사변에 배치된 금속기둥의 하부에 형성된 금속스트립; 및
    상기 금속스트립에 적어도 하나 이상 배치된 전자 정밀기계(MEMS) 스위치
    를 포함하는 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 금속기둥은,
    상기 방사패치상의 기본모드 전류를 방해하지 않도록 배치된 것을 특징으로 하는 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 금속기둥 중 일부는 상기 방사패치상에서 전계의 세기가 약한 부분인 상기 방사패치의 중앙 부분에 배치되고, 나머지 일부는 전계의 세기가 강한 상기 방사패치의 방사변에 배치된 것을 특징으로 하는 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치의 온/오프(ON/OFF) 상태에 따라 공진주파수가 변화되는 것을 특징으로 하는 부양 방사패치 또는/및 초소형 전자 정밀기계(MEMS) 스위치를 이용한 광대역/다중대역 안테나.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022197162A1 (ko) * 2021-03-19 2022-09-22 삼성전자 주식회사 안테나 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7127255B2 (en) * 2002-10-01 2006-10-24 Trango Systems, Inc. Wireless point to multipoint system
KR100603594B1 (ko) * 2004-12-03 2006-07-24 한국전자통신연구원 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법
TW200743260A (en) * 2006-05-04 2007-11-16 Tatung Co Ltd Circular polarized antenna
CN101071900B (zh) * 2006-05-10 2011-12-07 大同股份有限公司 圆形极化天线
US9103902B2 (en) * 2007-05-09 2015-08-11 Infineon Technologies Ag Packaged antenna and method for producing same
WO2009103042A2 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Board Of Regents, The University Of Texas System Passive wireless antenna sensor for strain, temperature, crack and fatigue measurement
US8594961B2 (en) 2009-02-15 2013-11-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Remote interrogation of a passive wireless antenna sensor
KR101043764B1 (ko) * 2009-10-26 2011-06-22 중앙대학교 산학협력단 Ｒｆ ｍｅｍｓ 스위치를 사용하는 원형/선형 편파 재구성 안테나
US20110298665A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-08 Joymax Electronics Co., Ltd. Array antenna device
CN102163766B (zh) * 2011-03-24 2014-03-05 清华大学 片上集成贴片天线
CN102820540B (zh) * 2012-07-31 2014-06-04 电子科技大学 一种光控方向图可重构微带天线
CN110165413A (zh) * 2013-08-15 2019-08-23 同方威视技术股份有限公司 天线***、宽带微带天线和天线阵列
US10410981B2 (en) 2015-12-31 2019-09-10 International Business Machines Corporation Effective medium semiconductor cavities for RF applications
DE102018116141B3 (de) * 2018-07-04 2019-12-05 Technische Universität Chemnitz Verfahren und Sensor zur Belastungserfassung und Verfahren zu dessen Herstellung
CN109904607B (zh) * 2019-03-29 2020-11-24 华南理工大学 一种简单紧凑的宽阻带滤波贴片天线
CN112599973B (zh) * 2020-12-04 2022-09-27 南通大学 非接触式可变电容加载的频率可调谐微带贴片天线
CN114792881B (zh) * 2022-05-18 2024-02-13 赛莱克斯微***科技（北京）有限公司 一种微机电毫米波天线
CN115241648A (zh) * 2022-06-27 2022-10-25 四川大学 一种基于mems工艺的悬浮结构空腔贴片天线及其制作方法
CN114976621B (zh) * 2022-07-04 2023-05-26 安徽大学 一种高增益双贴片圆极化滤波天线及设计方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02308604A (ja) * 1989-05-23 1990-12-21 Harada Ind Co Ltd 移動通信用平板アンテナ
US6069587A (en) * 1998-05-15 2000-05-30 Hughes Electronics Corporation Multiband millimeterwave reconfigurable antenna using RF mem switches
JP2000114856A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Nec Saitama Ltd 逆ｆアンテナおよびそれを用いた無線装置
US6567047B2 (en) * 2000-05-25 2003-05-20 Tyco Electronics Logistics Ag Multi-band in-series antenna assembly
US6384797B1 (en) * 2000-08-01 2002-05-07 Hrl Laboratories, Llc Reconfigurable antenna for multiple band, beam-switching operation
SE518237C2 (sv) * 2000-11-27 2002-09-10 Allgon Ab Mikrovågsantenn med patchmonteringsanordning
JP3469880B2 (ja) 2001-03-05 2003-11-25 ソニー株式会社 アンテナ装置
US6501427B1 (en) * 2001-07-31 2002-12-31 E-Tenna Corporation Tunable patch antenna
KR100421764B1 (ko) 2001-08-09 2004-03-12 한국전자통신연구원 고효율 광대역 마이크로스트립 패치 배열 안테나
US6882318B2 (en) * 2002-03-04 2005-04-19 Siemens Information & Communications Mobile, Llc Broadband planar inverted F antenna

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022197162A1 (ko) * 2021-03-19 2022-09-22 삼성전자 주식회사 안테나 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치

Also Published As

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US20050104778A1 (en) 2005-05-19
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