KR100534204B1 - Nanowire assisted laser desorption/ionization mass spectrometric analysis - Google Patents

Nanowire assisted laser desorption/ionization mass spectrometric analysis Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법에 관한 것으로서, 시료를 고정할 수 있고 조사되는 시료에 레이저의 에너지를 보다 효과적으로 전달하면서 시료를 탈착 및 이온화 시키는 나노선(nanowire)을 사용하여 매트릭스 용액 없이도 시료의 질량분석을 수행할 수 있는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method, which uses a nanowire that can fix a sample and desorb and ionize the sample while delivering energy of the laser to the irradiated sample more effectively. The present invention relates to a nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method capable of performing mass spectrometry of a sample without a matrix solution.

이러한 본 발명에 의하면, 상기와 같은 나노선을 사용함으로써, 매트릭스 없이 시료를 효과적으로 탈착 및 이온화 시켜 정성 및 정량분석, 미량분석 및 저분자량 시료의 분석을 효과적으로 수행할 수 있으며, 기존 말디-톱 질량분석법(MALDI-Tof MS)에서 이용하는 장치를 그대로 이용할 수 있는 장점이 있게 된다. 특히, 매트릭스를 사용하지 않기 때문에 1000 달튼 이내의 작은 분자량을 갖는 시료의 질량분석을 수행할 수 있고, 나노선이 시료를 일정 면적에 고정시키기 때문에 정량분석을 수행할 수 있다.According to the present invention, by using the nanowires as described above, the sample can be effectively desorbed and ionized without a matrix to perform qualitative and quantitative analysis, trace analysis and analysis of low molecular weight samples, and conventional Maldi-Top mass spectrometry There is an advantage that the device used in (MALDI-Tof MS) can be used as it is. In particular, since no matrix is used, mass spectrometry of a sample having a small molecular weight within 1000 Daltons can be performed, and quantitative analysis can be performed because the nanowires fix the sample to a predetermined area.

Description

나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법{NANOWIRE ASSISTED LASER DESORPTION/IONIZATION MASS SPECTROMETRIC ANALYSIS} Nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry {NANOWIRE ASSISTED LASER DESORPTION / IONIZATION MASS SPECTROMETRIC ANALYSIS}

본 발명은 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법에 관한 것으로서, 시료를 고정할 수 있고 조사되는 시료에 레이저의 에너지를 보다 효과적으로 전달하면서 시료를 탈착 및 이온화 시키는 나노선(nanowire)을 사용하여 매트릭스 용액 없이도 시료의 질량분석을 수행할 수 있는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method, which uses a nanowire that can fix a sample and desorb and ionize the sample while delivering energy of the laser to the irradiated sample more effectively. The present invention relates to a nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method capable of performing mass spectrometry of a sample without a matrix solution.

일반적으로 질량분석기(mass spectrometer)는 화합물의 질량을 측정하는 분석기기로서, 이는 분석하고자 하는 화합물을 하전시켜 이온화 한 후 질량 대 전하량(mass-to-charge; m/z)을 측정하여 화합물의 분자량을 결정하도록 되어 있다. 화합물을 이온화 하는 방법으로는 전자빔을 이용하는 전자이온화법, 고속의 원자를 충돌시키는 방법, 레이저를 이용하는 방법, 그리고 시료를 전기장 속에 스프레이 하는 방법 등이 알려져 있다.In general, a mass spectrometer is an analyzer that measures the mass of a compound. The mass spectrometer is a molecular weight of a compound by measuring mass-to-charge (m / z) after charging and ionizing the compound to be analyzed. To determine. As a method of ionizing a compound, an electron ionization method using an electron beam, a method of colliding atoms at high speed, a method using a laser, and a method of spraying a sample into an electric field are known.

한편, 단백질, 핵산 등과 같은 거대 분자량을 갖는 생화학 물질의 질량분석을 위한 방법으로는 레이저를 이용하는 말디-톱 질량분석법(MALDI-Tof Mass Spectroscopy:Matrix Assisted Laser Desorption Ionization Time of Flight Mass Spectroscopy; 이하, 말디라 약칭함)이 있으며, 이러한 방법을 이용한 분석기기가 근래에 개발, 상품화 되어 널리 이용되고 있다. 이는 레이저의 에너지를 분석하고자 하는 화합물에 전달 및 이온화를 돕는 매트릭스를 사용하여 300 킬로달튼(kDa)의 고분자 물질의 분자량 측정이 가능하다. 또한, 감도가 높아 펨토몰(femtomole) 수준의 시료도 분석이 가능하며, 이온화시 분석하고자 하는 화합물이 조각나는 현상이 현저히 줄어들어 혼합물의 경우에도 분석이 가능하다. Meanwhile, as a method for mass spectrometry of biochemical substances having large molecular weights such as proteins and nucleic acids, MALDI-Tof Mass Spectroscopy: Matrix Assisted Laser Desorption Ionization Time of Flight Mass Spectroscopy; Dira abbreviated), an analyzer using this method has been developed and commercialized in recent years and widely used. It is possible to measure the molecular weight of a 300 kilodalton (kDa) polymer material by using a matrix that assists the transfer and ionization of a compound to be analyzed for the energy of the laser. In addition, femtomole-level samples can be analyzed due to its high sensitivity, and the fragmentation of the compound to be analyzed during ionization is significantly reduced, so that even a mixture can be analyzed.

이러한 말디를 이용한 질량분석을 위해서는 다음과 같은 시료 준비 과정이 필요하다. 우선, 소량의 매트릭스 용액을 금속판으로 제조된 타겟판에 가해 건조시킨 후 분석하고자 하는 시료용액을 떨어뜨려 건조시킨다. 혹은, 매트릭스 물질을 시료용액에 혼합한 후 타겟판에 위치시켜 결정화 시킨다. 이후, 매트릭스와 결정화 된 시료가 위치된 곳에 레이저를 조사하면 매트릭스의 도움으로 시료가 탈착/이온화 된다. 통상적인 질량분석기는 시료가 위치한 타겟판과 질량을 분석하는 센서 사이에 전기장을 걸어 이온화 된 시료가 전기장의 포텐셜 차이에 의해 센서쪽으로 이동하도록 된 구조로 되어 있다. 이때, 시료의 전하량을 알 경우 센서에 도착하는 시간 등을 변수로 시료의 질량을 분석할 수 있다.For mass spectrometry using the maldi, the following sample preparation process is required. First, a small amount of the matrix solution is added to a target plate made of a metal plate and dried, and then the sample solution to be analyzed is dropped and dried. Alternatively, the matrix material is mixed with the sample solution and placed on the target plate to crystallize. Then, when the laser is irradiated where the matrix and the crystallized sample is located, the sample is desorbed / ionized with the help of the matrix. Conventional mass spectrometers have an electric field between a target plate on which a sample is located and a sensor that analyzes the mass so that ionized samples move toward the sensor due to potential differences in the electric field. In this case, when the amount of charge of the sample is known, the mass of the sample may be analyzed using a variable such as the time to arrive at the sensor.

그러나, 상기 말디 방법은 질량분석에 유용하나 매트릭스를 사용하여 시료를 탈착/이온화 하기 때문에 시료의 성질에 따라 이온화에 적합한 매트릭스 물질 선정이 필요하다. 통상적으로 매트릭스로 사용되는 물질은 니코틴산(nicotinic acid), 계피산(cinnamic acid), 2,5-dihydroxybenzoic acid 등이 있으며, 이들 매트릭스는 조사하는 레이저의 에너지를 흡수, 수소 양이온(proton)을 발생시켜 시료에 결합시킴으로써 시료 물질을 이온화 시키는 것으로 알려져 있으나, 정확한 이온화 기작은 알려져 있지 않다. 따라서, 시료에 적합한 매트릭스 물질의 선정에 어려움이 있다.However, although the Maldi method is useful for mass spectrometry, it is necessary to select a matrix material suitable for ionization according to the nature of the sample since the sample is desorbed / ionized using the matrix. Commonly used materials for the matrix include nicotinic acid, cinnamic acid, 2,5-dihydroxybenzoic acid, and these matrices absorb hydrogen energy and generate hydrogen cations. It is known to ionize a sample material by binding it to, but the exact ionization mechanism is unknown. Therefore, there is a difficulty in selecting a matrix material suitable for the sample.

그리고, 말디의 경우, 레이저에 의해 활성화 된 매트릭스에 의해 시료가 이온화 되는 과정에서 저분자 물질인 매트릭스와 매트릭스 분해물이 질량분석 스펙트럼에 나타나게 되어, 1000 달튼 이하의 분자량을 갖는 물질 분석에는 이용이 제한된다. In the case of Maldi, as the sample is ionized by the laser-activated matrix, the low molecular weight matrix and the matrix decomposition product appear in the mass spectrometry, and thus the use of the material is limited to the analysis of the molecular weight of 1000 Dalton or less.

또한, 매트릭스의 선정에 따라 분석물의 이온화 여부가 결정되므로 적절한 매트릭스의 선정이 필요하여 혼합물 시료 내의 미지 시료의 경우 분석이 어렵다 [G. Suizdak, 1. Ion sources and sample introduction, In: Mass spectroscopy for biotechnology, Acedemic press, 1996, p13 참조]. In addition, the selection of the matrix determines whether or not the analyte is ionized. Therefore, it is difficult to analyze an unknown sample in the mixture sample because it is necessary to select an appropriate matrix [G. Suizdak, 1. Ion sources and sample introduction, In: Mass spectroscopy for biotechnology, Acedemic press, 1996, p13].

또한, 말디 방법은 시료 준비 과정을 통해 얻어지는 시료 결정의 공간적 분포가 고르지 않아 레이저가 조사되는 위치에 따라 레이저에 의해 여기되는 시료의 양이 상이하다. 따라서, 정량 분석을 위해서는 결정상의 여러 위치에 레이저를 조사하여 얻은 결과를 통계적으로 처리한다. 말디를 위한 정량 분석방법으로는 분석하고자 하는 화합물과 거의 동일한 구조를 갖는 화합물에 동위원소를 결합시킨 내부 표준물질(internal standard)을 일정 비율로 혼합하여 스펙트럼을 측정하는 방법이 알려져 있다[M. J. Kang, E. Heinzle, Rapid Communications in Mass Spectrometry, 15 (2001) 1327-1333. 참조]. 그러나, 이같은 방법을 이용하여도 말디의 경우 시료의 정확한 정량 분석이 어렵다.In addition, in the Maldi method, the spatial distribution of the sample crystal obtained through the sample preparation process is uneven, so the amount of the sample excited by the laser differs depending on the position where the laser is irradiated. Therefore, for quantitative analysis, the results obtained by irradiating lasers to various locations on the crystal phase are statistically processed. As a quantitative analysis method for Maldi, a method of measuring a spectrum by mixing an internal standard in which a isotope is bound to a compound having a structure almost identical to that of the compound to be analyzed is known [M. J. Kang, E. Heinzle, Rapid Communications in Mass Spectrometry, 15 (2001) 1327-1333. Reference]. However, even with such a method, it is difficult to accurately quantify the sample in Maldi.

레이저를 시표의 탈착/이온화 에너지원으로 사용하되 매트릭스를 사용하지 않고 분석하는 방법으로는 디오스(DIOS MS:Desorption Ionization on Silicon Mass Spectroscopy; 이하, 디오스라 약칭함)가 알려져 있다. 일반적으로 알려진 디오스는 다공성 실리콘을 타겟으로 사용하여 매트릭스 없이 질량분석을 수행하는 방법이다. 여기서, 타겟으로 사용되는 다공성 실리콘은 전기 에칭방법으로 제조하며, 다공성 정도와 산화도를 조절하여 디오스가 가능한 것으로 알려져 있다. 디오스에 사용되는 다공성 실리콘은 매트릭스와 마찬가지로 레이저 에너지를 흡수하여 시료의 이온화를 일으키는 것으로 추정되나, 시료의 탈착/이온화가 가능하도록 하는 정확한 에너지 전달경로는 알려져 있지 않고 있다. DIOS (Desorption Ionization on Silicon Mass Spectroscopy; hereinafter abbreviated as Dios) is known as a method of using a laser as a desorption / ionization energy source of a target but analyzing without using a matrix. Known dios is a method of performing mass spectrometry without a matrix using porous silicon as a target. Here, the porous silicon used as the target is manufactured by the electric etching method, it is known that the dios by controlling the degree of porosity and the degree of oxidation. Porous silicon used in DIOS is estimated to cause laser ionization by absorbing laser energy like matrix, but the exact energy transfer path for desorption / ionization of the sample is not known.

디오스는 매트릭스를 사용하지 않고도 저분자량 화합물 뿐 아니라 단백질, 핵산 등 고분자량 물질도 정량 분석할 수 있는 것으로 알려져 있다[J. Wel, J. M. Burlak, G. Suizdak, Nature, 399 (1999) 243-246; W. G. Lewis, Z. Shen, M. G. Finn, G. Suizdak, International Journal of Mass spectrometry, 226 (2003) 107-116; 미국특허 제6,288,390 B1 참조]. Dios is known to be able to quantitate not only low molecular weight compounds but also high molecular weight materials such as proteins and nucleic acids without using a matrix [J. Wel, J. M. Burlak, G. Suizdak, Nature, 399 (1999) 243-246; W. G. Lewis, Z. Shen, M. G. Finn, G. Suizdak, International Journal of Mass spectrometry, 226 (2003) 107-116; See US Pat. No. 6,288,390 B1.

한편, 디오스의 경우, 다공성 실리콘 기판에 시료용액을 주입하고 건조하는 과정에서 시료용액이 다공성 구조에 침투하여 결정을 이루게 되므로 결정의 크기를 제한할 수 없으며, 시료결정의 중심을 레이저 조사점에 일치시키기가 어렵다. 이와 같은 이유로 1 ~ 2회의 측정을 통한 시료의 정량적 측정은 거의 불가능하다. 또한, 실리콘만 가능하기 때문에 다양한 시료에 적합한 에너지 전달 매체를 선택할 수 없으며, 레이저 에너지가 2차원적으로만 전달되기 때문에 효과적인 탈착/이온화가 어렵다.On the other hand, in the case of DIOS, the sample solution penetrates into the porous structure in the process of injecting and drying the sample solution into the porous silicon substrate to form a crystal, and thus the size of the crystal cannot be limited, and the center of the sample crystal coincides with the laser irradiation point. Difficult to make For this reason, quantitative measurement of samples through one or two measurements is nearly impossible. In addition, since only silicon is available, it is not possible to select an energy transfer medium suitable for various samples, and since the laser energy is transferred only in two dimensions, effective desorption / ionization is difficult.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 기존 다공성 실리콘을 사용하는 대신에 시료를 고정할 수 있고 조사되는 시료에 레이저의 에너지를 보다 효과적으로 전달하면서 시료를 탈착 및 이온화 시키는 나노선(nanowire)을 사용하여 매트릭스 용액 없이도 시료의 질량분석을 수행할 수 있는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. Therefore, the present invention has been invented to solve the above problems, it is possible to fix the sample instead of using the existing porous silicon and to desorb and ionize the sample while transferring the energy of the laser to the sample to be irradiated more effectively. It is an object of the present invention to provide a nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method capable of performing mass spectrometry of a sample without using a matrix solution using a nanowire.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 일 실시예로, 레이저를 에너지원으로 하는 시료의 탈착/이온화 질량분석 방법에 있어서,The present invention for achieving the above object, in one embodiment, in the desorption / ionization mass spectrometry method of a sample using a laser as an energy source,

전압을 인가할 수 있는 전도체 또는 반도체 기판 상의 선택된 영역에 다수의 미세한 나노선(nanowire)을 성장시켜 나노선 스폿(spot)을 형성시키는 단계와; 질량분석의 대상이 되는 분석물을 포함한 시료를 상기 나노선 스폿에 위치시킨 뒤 건조시켜 결정화 하는 단계와; 감압상태에서 시료가 나노선에 흡착 결정화 된 상기 나노선 스폿에 레이저를 조사하여 나노선을 통해 에너지를 시료에 전달함으로써 시료를 탈착 및 이온화 시키는 동시에 상기 기판 상에 전압을 인가시킨 상태에서 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Growing a plurality of fine nanowires in a selected region on a conductor or semiconductor substrate capable of applying a voltage to form nanowire spots; Placing a sample including the analyte to be subjected to mass spectrometry on the nanowire spot and drying to crystallize the sample; The sample is desorption and ionized by applying laser to the nanowire spot where the sample is adsorbed and crystallized on the nanowire under reduced pressure to transfer energy to the sample through the nanowire, and ionized analysis while applying voltage on the substrate. Physical mass spectrometry of the water; characterized in that it comprises a.

또한, 본 발명은, 다른 실시예로, 레이저를 에너지원으로 하는 시료의 탈착/이온화 질량분석 방법에 있어서, In another embodiment, the present invention provides a method for desorption / ionization mass spectrometry of a sample using a laser as an energy source.

다수의 미세한 나노선을 함유한 나노선 서스펜젼(suspension)을 제조하는 단계와; 전압을 인가할 수 있는 전도체 또는 반도체 기판 상의 선택된 영역에 상기 나노선 서스펜젼을 도포한 후 건조시켜 나노선 섬(islet)을 형성시키는 단계와; 질량분석의 대상이 되는 분석물을 포함한 시료를 상기 나노선 섬에 위치시킨 뒤 건조시켜 결정화 하는 단계와; 감압상태에서 시료가 나노선에 흡착 결정화 된 상기 나노선 섬에 레이저를 조사하여 나노선을 통해 에너지를 시료에 전달함으로써 시료를 탈착 및 이온화 시키는 동시에 상기 기판 상에 전압을 인가시킨 상태에서 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preparing a nanowire suspension containing a plurality of fine nanowires; Applying the nanowire suspension to a selected region on a conductor or semiconductor substrate capable of applying a voltage and then drying to form a nanowire islet; Placing a sample including an analyte to be subjected to mass spectrometry on the nanowire islands and then drying to crystallize the sample; In the decompressed state, the sample is irradiated and irradiated with a laser to the nanowire island, and the energy is transferred to the sample through the nanowire to desorb and ionize the sample, while simultaneously applying a voltage on the substrate. Physical mass spectrometry of the water; characterized in that it comprises a.

또한, 본 발명은, 또 다른 실시예로, 레이저를 에너지원으로 하는 시료의 탈착/이온화 질량분석 방법에 있어서,In still another embodiment, the present invention provides a method for desorption / ionization mass spectrometry of a sample using a laser as an energy source.

다수의 미세한 나노선과 질량분석의 대상이 되는 분석물을 포함한 시료용액을 혼합하여 나노선 서스펜젼을 제조하는 단계와; 전압을 인가할 수 있는 전도체 또는 반도체 기판 상의 선택된 영역에 상기 나노선 서스펜젼을 도포한 후 건조시켜 나노선 및 이에 흡착 결정화 된 시료가 포함된 나노선 섬을 형성시키는 단계와; 감압상태에서 상기 나노선 섬에 레이저를 조사하여 나노선을 통해 에너지를 시료에 전달함으로써 시료를 탈착 및 이온화 시키는 동시에 상기 기판 상에 전압을 인가시킨 상태에서 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preparing a nanowire suspension by mixing a plurality of fine nanowires and a sample solution including an analyte to be subjected to mass spectrometry; Applying the nanowire suspension to a selected region on a conductor or semiconductor substrate capable of applying a voltage, and then drying the nanowire suspension to form a nanowire island including the nanowire and a sample crystallized by adsorption thereon; Irradiating a laser on the nanowire island under reduced pressure to transfer energy through the nanowire to the sample to desorb and ionize the sample, and physically mass spectrometry of the ionized analyte while applying a voltage on the substrate; Characterized in that it comprises a.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 기존 다공성 실리콘을 사용하는 대신에 시료를 고정할 수 있고 조사되는 레이저의 에너지를 시료에 효과적으로 전달하면서 시료를 탈착 및 이온화 시키는 나노선(nanowire)을 이용하여 매트릭스 용액 없이도 시료의 질량분석을 수행할 수 있는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법(NADI MS:Nanowire Assisted Laser Desorption/Ionization Mass Spectrometric Analysis; 이하, 나디라 약칭함)을 제공한다.In the present invention, instead of using conventional porous silicon, the sample can be fixed and the mass spectrometry of the sample can be performed without using a matrix solution by using nanowires that desorb and ionize the sample while effectively transferring the energy of the irradiated laser to the sample. A nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method (NADI MS: Nanowire Assisted Laser Desorption / Ionization Mass Spectrometric Analysis; hereinafter abbreviated as Nadi) is provided.

먼저, 이러한 본 발명의 일 실시예를 상술하면 다음과 같다.First, such an embodiment of the present invention will be described in detail as follows.

첫 번째 단계로서, 기존의 말디 공정에 사용될 수 있는 기판 상의 선택된 영역에 다수의 미세한 나노선을 성장시켜 나노선 스폿(spot)을 형성시킨다. 여기서, 기판은 전압을 인가할 수 있는 전도체 또는 반도체 기판을 사용한다. 그리고, 나노선은 지름 500nm 이하에 장경비가 10 이상이 되도록 성장시키는 것이 바람직하며, 이때 지름 500nm를 초과하는 나노선을 성장시키는 경우 조사되는 레이저의 에너지를 증폭하는 역할 및 에너지의 시료 내 균일한 분산을 달성하기 어려운 문제가 있고, 또한 장경비를 10 미만으로 하여 나노선을 성장시키는 경우 조사되는 레이저의 에너지를 증폭하면서 에너지를 효율적으로 전달하기 어렵다는 문제가 있어, 바람직하지 않다. 또한, 나노선으로는 실리콘을 포함한 단일 금속, 산화물, 탄화물, 질화물, 인화물 및 비소화물 반도체 나노선 중 선택된 것을 성장시킨다. 또한, 나노선이 성장하는 면적, 즉 나노선 스폿의 면적은 시료를 탈착 및 이온화 시키기 위하여 조사하게 되는 레이저의 조사면적에 비해 작거나 동일하게 하면 정량분석에 유용하다. As a first step, a number of fine nanowires are grown in selected areas on a substrate that can be used in existing Maldi processes to form nanowire spots. Here, the substrate uses a conductor or a semiconductor substrate capable of applying a voltage. In addition, the nanowires are preferably grown to have a long diameter ratio of 10 or more at a diameter of 500 nm or less, and in this case, when the nanowires having a diameter of more than 500 nm are grown, the nanowires amplify the energy of the irradiated laser and uniform the energy in the sample. There is a problem that it is difficult to achieve dispersion, and there is a problem that it is difficult to efficiently transfer energy while amplifying the energy of the irradiated laser when the nanowires are grown with a long ratio of less than 10, which is not preferable. In addition, as the nanowires, a single metal including silicon, oxides, carbides, nitrides, phosphides and non-sulfide semiconductor nanowires are grown. In addition, the area where the nanowires grow, that is, the area of the nanowire spots, is useful for quantitative analysis if they are smaller than or equal to the irradiation area of the laser to be irradiated to desorb and ionize the sample.

이후, 나노선이 성장한 부분에 말디에서 사용하는 공정과 동일한 공정을 이용하여 질량분석의 대상이 되는 분석물을 포함한 시료를 나노선에 흡착될 수 있도록 위치시키고, 이를 건조하여 시료를 결정화시킨다. 여기서, 시료는 염과, 분석하고자 하는 분석물로 구성하며, 바람직하게는 염의 농도를 10 밀리몰라 이상으로 하고, 이때 상기 시료 내 분석물의 농도를 1 펨토몰 이하가 되도록 준비하여 도포한다. Then, using the same process as used in Maldi in the growth of the nanowires, the sample containing the analyte to be subjected to mass spectrometry is placed to be adsorbed on the nanowires, and dried to crystallize the sample. Here, the sample is composed of a salt and an analyte to be analyzed, and preferably, the concentration of the salt is 10 mmol or more, and the preparation is applied so that the concentration of the analyte in the sample is 1 femtomol or less.

이후, 나노선과 이에 흡착 결정화된 시료가 위치한 기판을 일반적인 말디 공정에서 사용하는 기기와 같은 진공상태에서, 상기 나노선 스폿에 레이저를 조사하여 시료를 탈착 및 이온화시키는 동시에 상기 기판 상에 전압을 인가시킨 상태로 하여 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석한다. 이때, 나노선을 통해 에너지가 시료에 전달되면서 탈착 및 이온화가 이루어지고, 탈착/이온화된 시료가 기판과 분석기능을 수행하는 센서 사이에 가해진 전기장에 의해 센서 부분으로 이동하면서 질량분석을 수행할 수 있게 된다.Subsequently, in a vacuum state such as a device used in a general Maldi process, a substrate on which a nanowire and an adsorbed crystallized sample is placed, is irradiated with a laser to the nanowire spot to desorb and ionize a sample and simultaneously apply a voltage on the substrate. In the state, the mass of the ionized analyte is analyzed. At this time, as energy is transferred to the sample through the nanowire, desorption and ionization are performed, and the desorption / ionized sample can be moved to the sensor part by the electric field applied between the substrate and the sensor performing the analysis function. Will be.

다음으로, 본 발명의 다른 실시예를 상술하면 다음과 같다.Next, another embodiment of the present invention will be described in detail.

첫 번째 단계로서, 소정의 기판에 다수의 미세한 나노선을 성장시킨 다음 이 나노선들을 기판에서 분리하고, 이와 같이 분리한 나노선들을 휘발이 가능한 용액, 즉 나노선 재료에 따라 증류수나 기타 수용액 또는 알콜 등과 혼합하여 나노선 서스펜젼을 제조한다. 예컨대, 나노선을 성장시킨 기판(이하, 나노선을 갖는 기판을 나노선 칩이라 칭함)을 휘발성 용액 내에 넣은 후 초음파를 가하여 나노선을 기판으로부터 분리시킴으로써 휘발성 용액에 나노선이 혼합된 상태의 나노선 서스펜젼을 제조하는 것이 가능하다. 또는, 나노선을 성장시킨 기판에서 나노선을 스크래칭(scratching)하여 분리한 후 이에 휘발성 용액을 혼합하여 기판 살포가 가능하도록 나노선 서스펜젼을 제조하는 것도 실시 가능하다. 여기서, 상기 일 실시예의 방법과 마찬가지로, 나노선은 지름 500nm 이하에 장경비가 10 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 나노선으로는 실리콘을 포함한 단일 금속, 산화물, 탄화물, 질화물, 인화물 및 비소화물 반도체 나노선 중 선택된 것을 사용한다. As a first step, a plurality of fine nanowires are grown on a given substrate, and then the nanowires are separated from the substrate, and the separated nanowires are separated by distilled water or other aqueous solution, depending on the nanowire material. Nanowire suspension is prepared by mixing with alcohol and the like. For example, a nanowire-grown substrate (hereinafter referred to as a nanowire chip is referred to as a nanowire chip) is placed in a volatile solution, and the nanowire is separated from the substrate by applying ultrasonic waves to remove the nanowire from the substrate. It is possible to produce a route suspension. Alternatively, the nanowire suspension may be prepared so that the nanowires are scratched and separated from the substrate on which the nanowires have been grown, and then the volatile solution is mixed with the nanowires so as to spray the substrate. Here, as in the method of the embodiment, it is preferable to use a nanowire having a long diameter ratio of 10 or more and less than 500nm in diameter. In addition, the nanowires may be selected from a single metal including silicon, oxides, carbides, nitrides, phosphides and non-sulfide semiconductor nanowires.

이후, 기존의 말디 공정에 사용될 수 있는 기판의 선택된 영역에 상기 나노선 서스펜젼을 살포한 후 건조시켜 나노선 섬을 형성시킨다. 여기서, 기판은 전압을 인가할 수 있는 전도체 또는 반도체 기판을 사용한다. 또한, 상기 나노선 섬은 나노선 서스펜션을 기판 상의 선택된 영역에 분사시켜 형성하는 것이 실시 가능하다. 또한, 나노선 섬의 면적은 시료를 탈착 및 이온화 시키기 위하여 조사하게 되는 레이저의 조사면적에 비해 작거나 동일하게 하면 정량분석에 유용하다. The nanowire suspension is then sprayed onto selected areas of the substrate that can be used in existing Maldi processes and then dried to form nanowire islands. Here, the substrate uses a conductor or a semiconductor substrate capable of applying a voltage. In addition, the nanowire island may be formed by spraying the nanowire suspension to a selected region on the substrate. In addition, the area of the nanowire island is useful for quantitative analysis if it is smaller than or equal to the irradiation area of the laser to be irradiated for desorption and ionization of the sample.

이후, 질량분석의 대상이 되는 분석물을 포함한 시료용액을 상기와 같이 형성한 나노선 섬 위에 도포한 후 건조시켜 시료를 결정화시킨다. 이때, 시료는 나노선에 흡착되어지는데, 나노선이 살포영역에서 시료를 잡아주는 케이지(cage) 역할을 하면서 도포된 부분에서만 결정화된 시료와 나노선 혼합물이 위치하게 된다. 상기 시료는 염과, 분석하고자 하는 분석물로 구성하며, 바람직하게는 염의 농도를 10 밀리몰라 이상으로 하고, 이때 상기 시료 내 분석물의 농도를 1 펨토몰 이하가 되도록 준비하여 도포한다. Thereafter, the sample solution including the analyte to be subjected to mass spectrometry is coated on the nanowire islands formed as described above and dried to crystallize the sample. At this time, the sample is adsorbed on the nanowires, the nanowires act as a cage (cage) to hold the sample in the spraying area, the crystallized sample and the nanowire mixture is located only in the coated portion. The sample is composed of a salt and an analyte to be analyzed. Preferably, the concentration of the salt is 10 mmol or more, and at this time, the concentration of the analyte in the sample is prepared and applied to be 1 femtomol or less.

이후, 나노선과 결정화된 시료가 위치한 기판을 일반적인 말디 공정에서 사용하는 기기와 같은 진공상태에서, 상기 나노선 섬에 레이저를 조사하여 시료를 탈착 및 이온화시키는 동시에 상기 기판 상에 전압을 인가시킨 상태로 하여 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석한다. 이때, 나노선을 통해 에너지가 시료에 전달되면서 탈착 및 이온화가 이루어지고, 탈착/이온화된 시료가 기판과 분석기능을 수행하는 센서 사이에 가해진 전기장에 의해 센서 부분으로 이동하면서 질량분석을 수행할 수 있게 된다.Subsequently, in a vacuum state in which the substrate on which the nanowires and the crystallized sample are located is vacuumed, such as a device used in a general Maldi process, the nanowire island is irradiated with a laser to desorb and ionize the sample, while simultaneously applying a voltage on the substrate. Physical mass spectrometry of the ionized analytes. At this time, as energy is transferred to the sample through the nanowire, desorption and ionization are performed, and the desorption / ionized sample can be moved to the sensor part by the electric field applied between the substrate and the sensor performing the analysis function. Will be.

다음으로, 본 발명의 또 다른 실시예를 설명하면 다음과 같다.Next, another embodiment of the present invention will be described.

첫 번째 단계로서, 소정의 기판에 다수의 미세한 나노선을 성장시킨 다음 이 나노선들을 기판에서 분리하고, 이와 같이 분리한 나노선들을 질량분석의 대상이 되는 분석물을 포함한 시료용액과 혼합하여 나노선 서스펜젼을 제조한다. 예컨대, 나노선을 성장시킨 기판, 즉 나노선 칩을 휘발성 용액 내에 넣은 후 초음파를 가하여 나노선을 기판으로부터 분리시키고 이에 시료용액을 첨가함으로써, 나노선과 시료가 포함된 상태의 나노선 서스펜젼을 제조하는 것이 가능하다. 또는, 나노선을 성장시킨 기판에서 나노선을 스크래칭(scratching)하여 건조상태로 분리한 후 이에 시료용액을 혼합하여 기판 살포가 가능하도록 나노선 서스펜젼을 제조하는 것도 실시 가능하다. 여기서, 상기 일 실시예의 방법과 마찬가지로, 나노선은 지름 500nm 이하에 장경비가 10 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 나노선으로는 실리콘을 포함한 단일 금속, 산화물, 탄화물, 질화물, 인화물 및 비소화물 반도체 나노선 중 선택된 것을 사용한다. 아울러, 시료는 염과, 분석하고자 하는 분석물로 구성하며, 바람직하게는 염의 농도를 10 밀리몰라 이상으로 하고, 이때 상기 시료 내 분석물의 농도를 1 펨토몰 이하가 되도록 준비하여 혼합한다. As a first step, a plurality of fine nanowires are grown on a substrate, and the nanowires are separated from the substrate, and the nanowires thus separated are mixed with a sample solution containing the analyte to be subjected to mass spectrometry. Prepare the route suspension. For example, a nanowire-grown substrate, ie, a nanowire chip, is placed in a volatile solution, and ultrasonic waves are applied to separate the nanowires from the substrate and to add a sample solution to the nanowire suspension in the state where the nanowires and the sample are contained. It is possible to manufacture. Alternatively, the nanowire suspension may be prepared by scratching the nanowires on the substrate on which the nanowires have been grown, separating them into a dry state, and then mixing the sample solution with the sample solution. Here, as in the method of the embodiment, it is preferable to use a nanowire having a long diameter ratio of 10 or more and less than 500nm in diameter. In addition, the nanowires may be selected from a single metal including silicon, oxides, carbides, nitrides, phosphides and non-sulfide semiconductor nanowires. In addition, the sample is composed of a salt and an analyte to be analyzed, and preferably, the concentration of the salt is 10 mmol or more, and at this time, the concentration of the analyte in the sample is prepared to be 1 femtomol or less and mixed.

이후, 기존의 말디 공정에 사용될 수 있는 기판의 선택된 영역에 상기 나노선 서스펜젼을 살포한 후 건조시켜, 나노선과 시료가 포함된 나노선 섬을 형성시키고, 시료를 결정화 시킨다. 여기서, 기판은 전압을 인가할 수 있는 전도체 또는 반도체 기판을 사용한다. 또한, 상기 나노선 섬은 나노선 서스펜션을 기판 상의 선택된 영역에 분사시켜 형성하는 것이 실시 가능하다. 또한, 나노선 섬의 면적은 시료를 탈착 및 이온화 시키기 위하여 조사하게 되는 레이저의 조사면적에 비해 작거나 동일하게 하면 정량분석에 유용하다. Thereafter, the nanowire suspension is sprayed onto a selected area of the substrate that can be used in the conventional Maldi process, followed by drying to form a nanowire island including the nanowire and the sample and to crystallize the sample. Here, the substrate uses a conductor or a semiconductor substrate capable of applying a voltage. In addition, the nanowire island may be formed by spraying the nanowire suspension to a selected region on the substrate. In addition, the area of the nanowire island is useful for quantitative analysis if it is smaller than or equal to the irradiation area of the laser to be irradiated for desorption and ionization of the sample.

이후, 나노선과 결정화된 시료가 위치한 기판을 일반적인 말디 공정에서 사용하는 기기와 같은 진공상태에서, 상기 나노선 섬에 레이저를 조사하여 시료를 탈착 및 이온화시키는 동시에 상기 기판 상에 전압을 인가시킨 상태로 하여 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석한다. 이때, 나노선을 통해 에너지가 시료에 전달되면서 탈착 및 이온화가 이루어지고, 탈착/이온화된 시료가 기판과 분석기능을 수행하는 센서 사이에 가해진 전기장에 의해 센서 부분으로 이동하면서 질량분석을 수행할 수 있게 된다.Subsequently, in a vacuum state in which the substrate on which the nanowires and the crystallized sample are located is vacuumed, such as a device used in a general Maldi process, the nanowire island is irradiated with a laser to desorb and ionize the sample, while simultaneously applying a voltage on the substrate. Physical mass spectrometry of the ionized analytes. At this time, as energy is transferred to the sample through the nanowire, desorption and ionization are performed, and the desorption / ionized sample can be moved to the sensor part by the electric field applied between the substrate and the sensor performing the analysis function. Will be.

전술한 본 발명의 각 실시예 방법에서, 레이저를 조사할 시에는 나노선의 종류에 따라 나노선의 밴드갭 이상이 되는 에너지를 갖는 레이저를 조사하며, 분위기 압력인 진공압의 압력은 10-16 torr 이하로 하여 실시한다. 또한, 기판 상의 전압 인가시에 5000V ~ 30000V의 전압을 인가하고, 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 과정에서 이온의 질량 대 전하의 값(m/z)을 측정하게 된다.In each of the above-described exemplary embodiments of the present invention, when irradiating a laser, a laser having an energy equal to or more than a band gap of the nanowire is irradiated according to the type of the nanowire, and the pressure of vacuum pressure, which is an atmospheric pressure, is 10 -16 torr or less It is carried out as. In addition, a voltage of 5000V to 30000V is applied when the voltage on the substrate is applied, and the mass-to-charge value (m / z) of ions is measured in the process of physical mass spectrometry of the ionized analyte.

전술한 본 발명의 나디 공정에서 매트릭스 없이 나노선이 제공하게 되는 효율적인 시료의 탈착 및 이온화 원리는 다음과 같이 보다 상세히 설명할 수 있다.In the Nadi process of the present invention described above, the principle of efficient desorption and ionization of the nanowires without a matrix may be described in more detail as follows.

나노선은 레이저를 조사할 경우 레이저로부터 에너지를 흡수해서 자체적으로 포톤(photon)을 생성할 수 있으며, 이때 나노선 자체는 포톤을 증폭시킬 수 있는 캐비티(cavity) 구조를 갖고 있다[1.J. Johnson, Heon-Jin Choi, K.P. Knutsen, R.D. Schaller, P. Yang, R.J. Saykally, "Single Gallium Nitride Nanowire Laser," Nature Materials, 1, 2, 106-110 (2002) 참조]. 따라서, 나노선은 외부에서 가해지는 레이저의 에너지를 자체적으로 증폭시켜 스티뮬레이티드 에미션(stimulated emission) 형태의 집중된 에너지를 시료에 전달할 수 있다. 따라서, 다른 어떤 형태의 에너지 전달 매질 보다도 효율적으로 에너지를 시료에 전달할 수 있으며, 이에 따라 시료의 탈착/이온화가 용이하게 일어날 수 있다.When the nanowires are irradiated with the laser, they can absorb energy from the laser and generate photons by themselves. In this case, the nanowires themselves have a cavity structure that can amplify the photons [1.J. Johnson, Heon-Jin Choi, K.P. Knutsen, R.D. Schaller, P. Yang, R. J. Saykally, "Single Gallium Nitride Nanowire Laser," Nature Materials, 1, 2, 106-110 (2002)]. Therefore, the nanowires can self-amplify the energy of the laser applied from the outside to transfer the concentrated energy in the form of stimulated emission to the sample. Thus, energy can be delivered to the sample more efficiently than any other form of energy transfer medium, and thus desorption / ionization of the sample can easily occur.

또한, 본 발명에서 이용되는 나노선은 지름이 나노 크기에 장경비가 큰 바늘 모양을 하고 있다. 따라서, 나노선의 양 끝 부분은 원자 단위의 매우 예리한 팁(tip) 모양을 갖는 선단을 이루고 있다. 이와 같은 기하학적 구조는 질량분석을 수행하는 장치에서 기판과 센서 사이에 전기장을 걸어줄 때 나노선 선단 부분에 매우 높은 전기장을 유발하며, 선단 부분의 높은 전기장은 전기장 탈착(field desorption)을 일으켜 시료의 탈착/이온화가 가능하게 한다.In addition, the nanowires used in the present invention has a needle shape having a large diameter and a long diameter ratio. Therefore, both ends of the nanowire form a tip having a very sharp tip shape in atomic units. This geometry causes very high electric fields in the nanowire tip when an electric field is applied between the substrate and the sensor in a mass spectrometry device, and the high electric field at the tip causes field desorption, Desorption / ionization is possible.

또한, 상기와 같은 나노선 선단의 기하학적 모양은 레이저를 조사할 때 나노선 선단에 레이저에 의한 높은 전기장의 발생을 유도한다[J. M. Bermond, M. Lenoir, J. P. Prulhiere, M. Drechsler, Sur. Sci. 42, 306 (1974) 참조]. 이같은 국부적인 높은 전기장의 발생은 나노선의 끝 부분에 탈착/이온 방출을 가속화 할 수 있기 때문에 결과적으로 시료의 탈착/이온화를 용이하게 한다.In addition, the geometric shape of the nanowire tip as described above induces the generation of a high electric field by the laser on the nanowire tip when irradiating the laser [J. M. Bermond, M. Lenoir, J. P. Prulhiere, M. Drechsler, Sur. Sci. 42, 306 (1974). The generation of such locally high electric fields can accelerate the desorption / ion release at the end of the nanowires, thus facilitating the desorption / ionization of the sample.

또한, 상기와 같은 나노선 선단의 기하학적 모양은 전기장이 가해질 때 나노선 선단에서 전자의 방출이 일어난다. 이 같은 전자 방출은 시료의 이온화를 용이하게 한다[V. E. Frankevich, J. Zhang, S. D. Friess, M. Dashtiev, R. Zenobi, Anal. Chem. 2003, 75, 6063 참조]. In addition, such a geometric shape of the tip of the nanowire is the emission of electrons from the tip of the nanowire when an electric field is applied. Such electron emission facilitates ionization of the sample [V. E. Frankevich, J. Zhang, S. D. Friess, M. Dashtiev, R. Zenobi, Anal. Chem. 2003, 75, 6063].

기존의 다공성 실리콘을 이용한 디오스의 경우 다공성 구조에 시료용액을 주입하고 건조하기 때문에 레이저가 시료에 이차원적으로만 조사될 수 있다. 반면, 본 발명의 경우 다공성 실리콘과 달리 나노선에 형성된 시료결정은 3차원 형태로 레이저에 노출되어 시료에 레이저 에너지를 더 효과적으로 전달 가능하기 때문에 탈착/이온화가 효과적으로 수행된다. In the case of dios using conventional porous silicon, the laser can be irradiated onto the sample only two-dimensionally because the sample solution is injected into the porous structure and dried. On the other hand, in the case of the present invention, unlike porous silicon, the sample crystal formed on the nanowire is exposed to the laser in a three-dimensional form, so that the laser energy can be more effectively transferred to the sample, so that desorption / ionization is effectively performed.

이와 같이 나노선을 사용하는 경우 나노선이 효과적으로 시료에 에너지를 전달하여 시료의 탈착/이온화가 가능하도록 하기 때문에 매트릭스 없이 질량분석을 수행할 수 있다.As such, when the nanowires are used, the nanowires effectively transfer energy to the sample to enable desorption / ionization of the sample, thereby enabling mass analysis without a matrix.

또한, 본 발명에 따른 나디 공정의 경우 시료 결정 내의 시료 분포를 고르게 하여 높은 정량성을 보장한다. 즉, 나노선을 사용할 경우 기판에 촉매의 패턴화를 통해 나노선 성장위치를 정확히 제어할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 방법 중 기판 상에 나노선을 성장시키는 단계에서, 실리콘 나노선을 성장시키는 경우(나노선 스폿 형성시), 실리콘 기판의 한 면에 스퍼터링 증착법으로 촉매 역할을 하는 금속인 Au를 마스크를 이용하여 소정 두께 및 지름의 원형이 되도록 증착하고, 상기 기판에 화학증착법(CVD)에 의해 500℃에서 SiCl4를 공급하여 실리콘 나노선을 성장시킬 수 있다. 또는, InN 나노선을 성장시키는 경우, 실리콘 기판의 한 면에 스퍼터링 증착법으로 촉매 역할을 하는 금속인 Au를 마스크를 이용하여 소정 두께 및 지름의 원형이 되도록 증착하고, 상기 기판에 화학증착법(CVD)에 의해 500℃에서 InCl3 및 NH3를 공급하여 InN 나노선을 성장시킬 수 있다. 그리고, 나노선이 성장한 위치에 시료를 위치시킬 경우 나노선이 시료 결정이 형성될 때까지 액체 시료를 머물게 하는 3차원 케이지(cage) 역할을 하여 나노선이 위치한 부분에 시료 결정의 중심부가 형성된다. 이러한 시료 결정의 중심부의 크기를 조사하는 레이저의 지름에 해당하는 크기로 조절하면 1 ~ 2회의 레이저 조사로도 분자량 측정이 가능한 시료의 탈착/이온화가 이루어지기 때문에 정량분석이 가능하다.In addition, the Nadi process according to the present invention ensures high quantity by evenly distributing the sample in the sample crystal. In other words, when the nanowires are used, the nanowire growth position can be precisely controlled by patterning the catalyst on the substrate. For example, in the process of growing nanowires on a substrate in the method of the present invention, when silicon nanowires are grown (when forming a nanowire spot), a metal that acts as a catalyst by sputter deposition on one side of the silicon substrate is used. Au may be deposited to have a circular shape having a predetermined thickness and diameter using a mask, and silicon nanowires may be grown by supplying SiCl 4 at 500 ° C. by chemical vapor deposition (CVD). Alternatively, when InN nanowires are grown, Au, a metal serving as a catalyst, is deposited on one surface of a silicon substrate so as to have a circular shape having a predetermined thickness and diameter using a mask, and chemical vapor deposition (CVD) is performed on the substrate. InCl 3 and NH 3 may be supplied at 500 ° C. to grow InN nanowires. When the sample is positioned at the position where the nanowires are grown, the center of the sample crystal is formed at the portion where the nanowires are located by acting as a three-dimensional cage that keeps the liquid sample until the sample crystals are formed. . When the size of the center of the sample crystal is adjusted to the size corresponding to the diameter of the laser to be irradiated, quantitative analysis is possible because desorption / ionization of the sample which can measure molecular weight is performed even with one or two laser irradiations.

또는, 나노선 용액을 이용하는 경우 분산된 나노선이 건조과정에서 시료를 고정하는 케이지 역할을 하기 때문에 레이저 지름 크기 이내로 시료의 고정이 가능하여 1 ~ 2회의 레이저 조사로도 분자량 측정이 가능한 시료 이온화가 이루어지기 때문에 정량분석이 가능하다. Alternatively, in the case of using nanowire solution, the dispersed nanowires act as a cage to fix the sample in the drying process, so that the sample can be fixed within the diameter of the laser. Quantitative analysis is possible.

기존의 다공성 실리콘은 제조 공정상 사용 가능한 재료의 선택에 한계가 있어 효과적으로 레이저 에너지를 전달할 수 있는 물질을 이용하는데 제약이 따른다. 이와는 달리, 본 발명에서 제공하는 나노선을 사용한 탈착/이온화 방법의 경우 다양한 에너지 갭을 갖은 나노선을 사용하여 시료에 전달되는 레이저 에너지를 원하는 범위에서 조절이 가능하다.Existing porous silicon has a limited selection of materials that can be used in the manufacturing process, and there are limitations in using a material that can effectively transmit laser energy. On the contrary, in the case of the desorption / ionization method using the nanowires provided by the present invention, the laser energy delivered to the sample can be controlled in a desired range using the nanowires having various energy gaps.

기존의 다공성 실리콘을 이용한 디오스의 경우 다공성 구조를 제한된 영역 안에서만 제조하는데 한계가 있다. 즉, 시료용액을 주입하고 건조하는 과정에서 시료용액이 다공성 구조에 침투하여 결정을 이루게 되므로 결정의 크기를 제한할 수 없다. 반면, 본 발명에 따른 나디 방법의 경우 나노선 케이지를 이용해 시료를 결정화 시키기 때문에 결정의 크기를 제한할 수 있다.Dios using conventional porous silicon has a limitation in manufacturing a porous structure only within a limited area. That is, in the process of injecting and drying the sample solution, since the sample solution penetrates into the porous structure to form a crystal, the size of the crystal cannot be limited. On the other hand, in the Nadi method according to the present invention, since the sample is crystallized using the nanowire cage, the size of the crystal can be limited.

또한, 타겟의 재사용이 어려운 다공성 실리콘을 사용하는 디오스의 경우와 다르게 본 발명의 나디에서는 나노선 용액을 이용할 경우 기존의 금속판을 타겟으로 사용하면 사용 후 적절한 세척과정을 통해 재사용이 가능하다.In addition, unlike the dios using porous silicon, which is difficult to reuse the target, in the Nadi of the present invention, if a nanowire solution is used, an existing metal plate may be used as a target and then reused through an appropriate washing process.

또한, 디오스의 경우 산화로 인해 디오스 효율이 현저히 떨어지는 것으로 보고되어 있어 밀폐된 상태에서 보관되어야 하나, 나노선을 사용한 타겟판은 산화물의 사용이 가능하여 포장이 용이할 뿐 아니라 대기 중에서 장기 보관이 용이한 장점이 있다. In addition, Dios has been reported to have a significant drop in the efficiency of the Dios due to oxidation, but should be stored in a sealed state, but the target plate using nanowires is not only easy to package and easy to store in the air due to the use of oxides There is one advantage.

이상의 나디 방법를 사용하여 매트릭스 없이 질량분석이 가능함을 보이기 위하여, ZnO 나노선 칩과 펩티드를 사용하여 실험하였다. ZnO 나노선 칩은 실리콘 기판의 한면에 스퍼터링 증착법으로 촉매 역할을 하는 Au를 2nm 두께로 특정 부분에만 증착하고, 상기 기판에 화학증착법(CVD)에 의해 500℃에서 디에칠징크 (diethylzinc)와 산소를 공급, ZnO 나노선을 원하는 부분에만 선택적으로 성장시켜 제조하였다. 이와 같이 나노선이 제조된 기판을 질량분석기의 시료 검체판에 삽입한 타겟판을 첨부한 도 1과 같이 제조하였다. 도 1에서 도면부호 1은 검체판을, 도면부호 2는 타겟판을, 도면부호 3은 기판을, 도 4는 나노선 스폿을 나타낸다. 또한, 도 1에서 (a)는 ZnO 나노선 스폿을 형성시킨 기판과 이를 질량분석기 시료 검체판에 삽입한 타겟판을 보여주는 사진이고, (b)와 (C)는 나노선이 성장한 부분을 확대하여 보여주는 주사전자현미경 사진이다. 나노선 스폿(4)에 성장시킨 ZnO 나노선의 평균지름은 100nm, 평균길이는 3㎛, 평균밀도는 약 1×106 나노선(NWs)/mm2로 성장조건을 제한하였다. 나노선 스폿(4)의 지름은 0.2mm로 제한하여 시료의 이온화를 위한 레이저의 원형 스폿(지름 0.2mm)이 검체의 결정을 조사하도록 하였다. 이와 같이, 시료 결정의 대부분이 레이저에 노출되므로 시료 결정 표면을 통한 시료의 이온화 양이 실제 시료의 농도와 정량적인 관계를 갖도록 하였다. 질량분석에는 독일 Bruker Daltonics사의 리플렉스3가 사용되었다. 시료로는 펩티드인 안지오텐신(분자량 1014, Sigma Chemical Co., USA)과 루신엔케팔린(분자량 588, Sigma Chemical Co., USA)이 각각 사용되었다.In order to show that mass spectrometry is possible without matrices using the above Nadi method, experiments were performed using ZnO nanowire chips and peptides. The ZnO nanowire chip deposits Au, which serves as a catalyst, on a surface of a silicon substrate by a sputtering deposition method to a specific portion of a thickness of 2 nm, and then applies diezine zinc and oxygen at 500 ° C. by chemical vapor deposition (CVD). Supply, ZnO nanowires were prepared by selectively growing only in the desired portion. The nanowire-prepared substrate was prepared as shown in FIG. 1 to which the target plate inserted into the sample sample plate of the mass spectrometer was attached. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a specimen plate, reference numeral 2 denotes a target plate, reference numeral 3 denotes a substrate, and FIG. 4 denotes a nanowire spot. In addition, in Figure 1 (a) is a photograph showing a substrate on which a ZnO nanowire spot is formed and a target plate inserted into the mass spectrometer sample plate, (b) and (C) is to enlarge the portion where the nanowire is grown Scanning electron micrograph showing. The growth conditions of the ZnO nanowires grown in the nanowire spot 4 were 100 nm, the average length was 3 μm, and the average density was about 1 × 10 6 nanowires (NWs) / mm 2 . The diameter of the nanowire spot 4 was limited to 0.2 mm so that the circular spot (diameter 0.2 mm) of the laser for ionization of the sample irradiated the crystal of the sample. As described above, since most of the sample crystals are exposed to the laser, the ionization amount of the sample through the sample crystal surface has a quantitative relationship with the actual sample concentration. Mass spectrometry used Reflex 3 from Bruker Daltonics, Germany. Angiotensin (molecular weight 1014, Sigma Chemical Co., USA) and leucine enkephalin (molecular weight 588, Sigma Chemical Co., USA) as peptides were used as samples.

첨부한 도 2는 ZnO 나노선을 시료 없이 레이저에 조사한 후 분자량 피크를 측정한 그래프이다. 도 2에서 보이는 바와 같이, ZnO 나노선은 1000 달톤 이하의 분자량 범위에서 시료의 분자량 피크와 교란을 일으킬 가능성이 있는 분자량 피크를 발생시키지 않음을 알 수 있다.2 is a graph illustrating molecular weight peaks after irradiating ZnO nanowires to a laser without a sample. As shown in FIG. 2, it can be seen that the ZnO nanowires do not generate a molecular weight peak that may cause disturbance with the molecular weight peak of the sample in the molecular weight range of 1000 Daltons or less.

첨부한 도 3은 루신엔케팔린을 ZnO 나노선 칩에 각각 0.13, 0.25, 0.50, 1.0mg/㎖의 농도로 가한 후 질량분석을 한 결과를 나타낸 것이다. 먼저, ZnO 나노선 칩을 이용하여 질량분석이 가능하다는 것을 알 수 있으며, 각각의 농도별 질량분석도를 비교하면 루신엔케팔린 분자량 피크의 높이와 농도가 정량관계를 나타냄을 보여준다. FIG. 3 shows the results of mass spectrometry after leucine enkephalin was added to ZnO nanowire chips at concentrations of 0.13, 0.25, 0.50, and 1.0 mg / ml, respectively. First, it can be seen that the mass spectrometry is possible using the ZnO nanowire chip, and comparing the mass spectrometry of each concentration shows that the height and the concentration of the leucine-enkephalin molecular weight peak show a quantitative relationship.

첨부한 도 4는 안지오텐신을 같은 나노선 칩에 각각 0.25, 0.50, 1.0mg/㎖의 농도로 가한 후 질량분석을 한 결과를 보여주며, 루신엔케팔린의 경우와 마찬가지로 농도와 분자량 피크 높이 사이에 정량관계가 존재함을 보여준다. 4 shows the results of mass spectrometry after angiotensin was added to the same nanowire chip at concentrations of 0.25, 0.50 and 1.0 mg / ml, respectively, and quantitative relationship between concentration and molecular weight peak height, as in the case of leucine and kephaline. Shows that it exists.

이상의 결과에서 본 발명에 따른 나노선 칩 타겟판을 사용하는 경우 매트릭스 없이 질량분석이 가능하며, 또한 정량분석이 가능함을 입증한다. 비교를 위해 동일 시료를 사용하여 기존의 금속재 타겟판을 사용하여 질량분석을 수행하는 경우 CCA(Cholangiocarcinoma)를 매트릭스로 사용한 경우에는 CCA 자체 피크와 펩티드 피크가 모두 얻어졌으나, 매트릭스를 사용하지 않은 경우에는 고농도의 시료에서도 분자량 피크가 얻어지지 않았다. 즉, 매트릭스 없이 기존의 금속재 타겟판을 사용한 경우 앞서 제시한 시료의 질량분석이 불가능하였다. In the above results, when using the nanowire chip target plate according to the present invention, it is possible to perform mass spectrometry without a matrix, and also quantitative analysis. For comparison, when mass spectrometry was performed using an existing metal target plate using the same sample, when CCA (Cholangiocarcinoma) was used as a matrix, both CCA itself peak and peptide peak were obtained, but when the matrix was not used The molecular weight peak was not obtained even in a high concentration sample. That is, in the case of using the existing metal target plate without the matrix it was impossible to mass analysis of the sample presented above.

한편, 기존의 매트릭스 없이 질량분석을 수행할 수 있는 다공성 실리콘을 이용한 디오스 방법은 제조 공정상 실리콘 이외의 재료를 사용할 수 없기 때문에 효과적으로 레이저 에너지를 전달할 수 있는 물질을 이용하는데 제약이 따른다. 이와 달리, 본 발명에서 제공하는 나노선을 사용한 말디 타겟의 경우 다양한 에너지 갭을 갖는 나노선 재료를 사용하여 시료에 따라 전달되는 레이저 에너지를 원하는 범위에서 조절이 가능하다. 다음 표 1은 사용된 나노선 재료 별 밴드갭(bandgap)과 펩티드를 사용한 디오스 실험 결과를 토대로 디오스 가능 여부를 보여준다.Meanwhile, the Dios method using porous silicon, which can perform mass spectrometry without a conventional matrix, has limitations in using a material that can effectively transmit laser energy because materials other than silicon cannot be used in the manufacturing process. On the contrary, in the case of the maldi target using the nanowire provided by the present invention, the laser energy transmitted according to the sample can be adjusted in a desired range using a nanowire material having various energy gaps. Table 1 below shows the possibility of dios based on the results of dios experiments using a bandgap and peptide for each nanowire material used.

나노선 물질Nanowire material 밴드갭(eV)Bandgap (eV) 디오스 여부Dios ZnOZnO 3.23.2 가능possible SiCSiC 2.42.4 가능possible SnO2SnO2 3.63.6 가능possible GaNGaN 3.43.4 가능possible SiSi 1.111.11 가능possible

또한, 본 발명에서는 기존 말디를 이용한 정량분석시 사용하는 금속재 타겟판을 이용하여 나노선 서스펜젼을 나노선 스폿 대신 사용하는 방법을 제시하고 있다. 이 방법을 사용하면 전술한 나노선 스폿을 사용하지 않고도 기존의 금속 타겟판을 변형 없이 사용하여 1000 달톤 이내의 분자량 범위에서 매트릭스 피크의 간섭을 받지 않고 질량분석이 가능하다. In addition, the present invention proposes a method for using nanowire suspension instead of nanowire spots by using a metal target plate used for quantitative analysis using existing Maldi. This method enables mass spectrometry without the interference of matrix peaks in the molecular weight range within 1000 Daltons without modification of the existing metal target plate without using the aforementioned nanowire spot.

앞서 나노선 칩을 사용한 정량 실험에서 설명한 바와 같이 시료 결정의 중심을 레이저 조사위치와 일치시키기 위하여 나노선 섬(islet)을 금속재 타겟판의 한점에 집중하여 형성하며, 이를 위해 독일 브루커사의 앵커가 배열된 타겟판(MTP plate, Bruker Co., Germany)을 사용하였다. 타겟판의 앵커점은 수용액 시료의 경우 시료의 용매가 건조되면서 결정이 형성되는 위치로, 수용액 상에 제조된 나노선 서스펜젼의 용매가 건조되면서 나노선 섬이 이러한 앵커점에 집중하여 형성되도록 하였다. 즉, 나노선 서스펜젼을 수용액 또는 휘발성을 가진 이소프로판올과 혼합 제조하여 금속재 타겟판에 분주하는 방법으로 앵커점에 나노선 섬을 형성시키는 것이다. 또한, 이 방법으로 형성된 나노선 섬에 소량의 시료를 분주한 후 건조시켜 시료 결정을 제조하였으며, 첨부한 도 5의 실험에서는 ZnO, SiC, SnO2, GaN 나노선 서스펜젼이 사용되었다. 이때, 실리콘 기판에 약 5000 NWs/mm2의 밀도로 성장시킨 나노선 칩(나노선을 성장시킨 기판을 칭함)을 증류수에 넣고 초음파를 가하여 분리시킴으로써 상기 재료의 나노선과 증류수가 혼합된 나노선 서스펜젼을 제조하였다.As described in the quantitative experiment using the nanowire chip, the nanowire islet is formed by focusing on one point of the metal target plate to match the center of the sample crystal with the laser irradiation position. Arranged target plates (MTP plate, Bruker Co., Germany) were used. The anchor point of the target plate is a position where crystals are formed when the solvent of the sample is dried in the case of the aqueous solution sample, so that the nanowire islands are formed by concentrating on the anchor point as the solvent of the nanowire suspension prepared on the aqueous solution is dried. It was. In other words, the nanowire suspension is mixed with an aqueous solution or volatile isopropanol to form a nanowire island at the anchor point by dispensing the metal target plate. In addition, a small amount of sample was dispensed on the nanowire islands formed by this method and then dried to prepare sample crystals. In the experiment of FIG. 5, ZnO, SiC, SnO 2 , and GaN nanowire suspension were used. At this time, a nanowire chip (referred to as a substrate on which nanowires were grown) grown on a silicon substrate at a density of about 5000 NWs / mm 2 was placed in distilled water and separated by ultrasonication, thereby mixing nanowires of the material with distilled water. Spensions were prepared.

도 5는 상기 네 가지의 나노선을 사용하여 얻은 펩티드의 분자량 피크를 보여주고 있다. 상기 방법으로 나노선 섬을 앵커가 배열된 타겟판에 형성시킨 후, 펩티드인 루신엔케팔린(분자량1014, Sigma Chemical Co., USA)을 0.5mg/㎖의 농도로 제조하여 각 나노선 섬에 10㎕씩 가한 후 실내에서 건조시켰다. 질량분석은 독일 Bruker Daltonics사의 리플렉스3 기종을 사용하여 수행하였다. 5 shows the molecular weight peaks of peptides obtained using the four nanowires. After the nanowire islands were formed on the target plate in which the anchors were arranged, the peptide leucine enkephalin (molecular weight 1014, Sigma Chemical Co., USA) was prepared at a concentration of 0.5 mg / ml, and 10 µl of each nanowire island was prepared. After each addition, it was dried indoors. Mass spectrometry was performed using a Reflex 3 model from Bruker Daltonics, Germany.

다공성 실리콘의 경우 산화로 인해 디오스 효율이 현저히 떨어지는 것으로 보고되어 있어 상품화된 다공성 실리콘 재질의 디오스용 타겟판은 아르곤을 사용하여 낱개로 포장되어 일회용으로 사용된다. 위의 표 1에서 보이는 바와 같이 나노선을 사용한 타겟판은 산화물의 사용이 가능하여 포장이 용이할 뿐 아니라 대기 중에서 장기 보관이 용이한 장점이 있다. 또한, 나노선을 기존 금속판에 사용한 본 발명에서의 타겟판의 경우 사용한 후 적절한 세척과정을 통해 재사용이 가능하다. 이와는 달리 다공성 실리콘을 사용한 디오스용 타겟판은 다공성 실리콘의 구조적 이유 때문에 용매를 사용하여 시료 결정을 타겟판으로부터 세척하는 것이 곤란하다. 따라서, 다공성 실리콘을 사용한 디오스용 타겟판은 일회 사용 후 폐기된다. 반면, 나노선을 사용한 타겟판의 경우 기존 금속 타겟판과 같이 증류수, 이소프로필 알콜, 아세톤 등을 순차적으로 흘려 세척한 후 재사용이 가능하다.In the case of porous silicon, Dios efficiency is reported to be significantly lowered due to oxidation, so the target plate for commercially available Dios is individually packaged and used for argon. As shown in Table 1 above, the target plate using the nanowires has the advantage that the oxide can be used for easy packaging and long-term storage in the air. In addition, in the case of the target plate in the present invention using the nanowires in the existing metal plate can be reused through an appropriate cleaning process. On the contrary, in the target plate for Dios using porous silicon, it is difficult to wash the sample crystal from the target plate using a solvent due to the structural reasons of the porous silicon. Therefore, the target plate for Dios using porous silicon is discarded after one use. On the other hand, the target plate using nanowires can be reused after washing with distilled water, isopropyl alcohol, acetone, etc., in sequence like the existing metal target plate.

첨부한 도 6은 ZnO 나노선 칩을 10회간 세척을 통해 재사용 후 0.5mg/㎖ 농도의 루신엔케팔린(분자량1014, Sigma Chemical Co., USA)의 질량분석을 수행한 결과를 나타낸 것이다. 이러한 결과는 세척을 통한 나노선 칩의 재사용이 가능함을 입증한다.6 shows the results of performing mass spectrometry of leucine enkephalin (molecular weight 1014, Sigma Chemical Co., USA) at a concentration of 0.5 mg / ml after reuse of the ZnO nanowire chip by washing 10 times. These results demonstrate that nanowire chips can be reused by cleaning.

또한, 기존 금속판을 사용한 타겟을 이용하여 나노선과 시료를 혼합한 서스펜젼을 제조하여 말디 타겟 기판에 분사할 경우 시료 분포가 고르고 레이저 에너지를 효과적으로 흡수할 수 있는 결정을 제조할 수 있는 바, 이를 이용하면 기존의 재사용이 가능한 말디 타겟의 특성을 그대로 이용하면서 우수한 질량분석 효과를 얻을 수 있다.In addition, by using a target using a conventional metal plate to prepare a suspension mixed with nanowires and a sample when spraying on the Maldi target substrate it can be produced a crystal that evenly distributed the sample and can effectively absorb the laser energy, When used, it is possible to obtain excellent mass spectrometry effect while using the characteristics of the existing reusable Maldi target.

이하, 본 발명에 따른 나노선을 이용한 시료의 탈착/이온화 질량분석 방법의 실시예를 설명하겠는 바. 이 실시예에 의하여 본 발명이 보다 구체적으로 설명될 수 있지만, 이러한 실시예는 단지 본 발명의 예시이며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, an embodiment of a desorption / ionization mass spectrometry method of a sample using a nanowire according to the present invention will be described. Although this invention can be demonstrated more concretely by this Example, this Example is only an illustration of this invention, This invention is not limited to this.

실시예 1. 나노선을 사용한 질량분석Example 1 Mass Spectrometry Using Nanowires

실리콘 기판의 한 면에 스퍼터링 증착법으로 Au를 2nm 두께로 증착하였다. 이때, 마스크를 이용하여 증착되는 부분이 지름 200㎛ 이하의 원형이 되도록 하였다. 이후, 상기 기판에 화학증착법(CVD)에 의해 500℃에서 SiCl4를 공급하여 실리콘 나노선을 성장시켰으며, 도 1은 기판에 성장시킨 실리콘 나노선을 보여주고 있다. 사용된 실리콘 나노선의 길이는 5㎛, 지름은 100nm, 밀도는 약 1.8 ×106 NWs/mm2로 성장조건을 제한하였다. 상기와 같이 나노선을 성장시킨 기판을 질량분석기 검체판에 삽입한 타겟판을 사용하여 질량분석을 시도하였으며, 질량분석에는 독일 Bruker Daltonics사의 리플렉스3를 사용하였고, 검체로는 두 가지 펩티드(안지오텐신과 루신엔케팔린)가 사용되었다. 나노선 스폿의 지름은 0.2mm로 제한하여 검체의 이온화를 위한 말디의 레이저의 원형 스폿(지름 0.2mm)이 검체의 결정을 조사하도록 하였다. 이와 같이 검체의 결정이 레이저에 노출되므로 검체 이온화 양이 검체의 양과 정량적인 관계를 갖도록 하였다. 검사결과 나노선 검체판을 사용하여 매트릭스 없이 말디를 이용한 펩티드의 질량분석이 가능하였으며, 결과의 비교를 위하여 일반 질량분석기 검체판을 사용한 경우에는 매트릭스 없이 펩티드의 질량분석이 불가능하였다. 또한, 실제 실험결과 상기와 같은 방법으로 검체의 정량이 가능함을 확인하였다.Au was deposited on one side of the silicon substrate by 2 nm thickness by sputter deposition. At this time, the portion to be deposited using the mask was to have a circular diameter of 200㎛ or less. Then, the silicon nanowires were grown by supplying SiCl 4 at 500 ° C. by chemical vapor deposition (CVD) to the substrate, and FIG. 1 shows the silicon nanowires grown on the substrate. The length of the silicon nanowires used was 5 μm, the diameter was 100 nm, and the density was about 1.8 × 10 6 NWs / mm 2 . Mass spectrometry was attempted using the target plate into which the nanowire-grown substrate was inserted into the mass spectrometer sample plate. Reflex 3 of Bruker Daltonics, Germany was used for mass spectrometry, and two peptides (Angiotensin and Leucine Enkephalin) was used. The diameter of the nanowire spot was limited to 0.2 mm so that the circular spot (0.2 mm in diameter) of Maldi's laser for ionization of the sample was irradiated with the crystal of the sample. As the crystal of the sample is exposed to the laser as described above, the amount of ionization of the sample has a quantitative relationship with the amount of the sample. As a result of the test, the mass spectrometry of the peptide using Maldi without the matrix was possible using the nanowire specimen plate, and the mass spectrometry of the peptide without the matrix was impossible for the comparison of the results. In addition, the actual test results confirmed that the sample can be quantified in the same manner as described above.

실시예 2. 나노선 서스펜젼을 이용한 질량분석Example 2 Mass Spectrometry Using Nanowire Suspensions

실리콘 기판의 한 면에 스퍼터링 증착법으로 Au를 2nm 두께로 증착하고, 상기 기판에 CVD에 의해 500℃에서 InCl3와 NH3를 공급하여 InN 나노선을 성장시켰다. 상기 기판을 이소프로필 알콜에 넣고 10초간 초음파를 가하여 기판으로부터 나노선을 분리하는 방법으로 나노선 서스펜젼을 준비하였다. 이와 같은 나노선 서스펜젼을 종래의 매트릭스 대신 사용하여 말디 측정을 수행하기 위하여 독일 브루커사의 앵커가 달린 말디 타겟을 사용하였다. 이 말디 타겟의 경우 앵커에 시료결정의 중심이 모이는 성질을 이용하여 나노선 서스펜젼을 소량 처리하여 앵커 주변에 나노선 섬(islet)이 형성되도록 하였다. 이후, 시료인 펩티드를 나노선 섬에 떨어뜨려 시료 결정이 형성되도록 하였다. 펩티드 시료를 사용하여 측정한 결과 나노선 서스펜젼은 매트릭스 대용이 가능함을 확인하였으며, 정량적인 측정결과를 얻었다.Au was deposited to a thickness of 2 nm on one surface of a silicon substrate, and InN 3 nanowires were grown by supplying InCl 3 and NH 3 at 500 ° C. by CVD to the substrate. The nanowire suspension was prepared by placing the substrate in isopropyl alcohol and applying ultrasonic waves for 10 seconds to separate the nanowire from the substrate. In order to perform the Maldi measurement using this nanowire suspension instead of the conventional matrix, an Maldi target with an anchor of Bruker, Germany was used. In the case of the Maldi target, the nanowire suspension was treated with a small amount of nanocrystals to form nanowire islets around the anchor by using the property of collecting the center of the sample crystal in the anchor. Thereafter, the peptide, which was a sample, was dropped on the nanowire island to form sample crystals. As a result of the measurement using the peptide sample, it was confirmed that the nanowire suspension could be substituted for the matrix, and quantitative measurement results were obtained.

실시예 3. 나노선을 사용한 결합반응의 검출Example 3. Detection of binding reaction using nanowires

실시예 1과 같은 나노선이 성장된 나노선 타겟에 B형 간염 항원 용액을 가하여 1시간 동안 수분이 포화된 37℃의 항온조에 인큐베이션하여 나노선 상에 B형 간염 항원이 고정되도록 하였다. 그리고, 나노선 타겟을 세척액에 담가 고정되지 않은 B형 간염 항원은 유리되도록 하였다. B형 간염의 항체가 포함된 시료용액을 나노선에 가하여 항원-항체 반응이 일어나도록 한 후, 나노선 타겟을 세척액에 담아 항원-항체반응 후 남아 있는 시료를 제거하였다. 이후, 말디를 사용하여 나노선 상에 결합된 항원-항체 결합물의 정성과 정량이 가능함을 확인하였다. 이와 같은 방법으로 나노선 말디 타겟을 사용한 DNA간의 결합 및 DNA 와 RNA 혹은 단백질간의 결합의 정량적인 검출이 가능하며, 여타 유기물, 무기물 등의 리간드(ligand)와 리셉터(receptor)간의 결합반응의 정량적인 검출이 가능하다.Hepatitis B antigen solution was added to the nanowire target nanowire target as in Example 1 and incubated in a thermostat at 37 ° C. for 1 hour to fix the hepatitis B antigen on the nanowire. The nanowire target was immersed in the wash solution to release the hepatitis B antigen that was not immobilized. After the sample solution containing the hepatitis B antibody was added to the nanowire to allow the antigen-antibody reaction to occur, the sample remaining after the antigen-antibody reaction was removed by putting the nanowire target in the washing solution. Then, it was confirmed that maldi can be used for qualitative and quantitative determination of the antigen-antibody conjugate bound on the nanowire. In this way, it is possible to quantitatively detect the binding between DNA and the binding between DNA and RNA or protein using the nanowire maldi target, and the quantitative detection of the binding reaction between ligands and receptors of other organic and inorganic substances. Detection is possible.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법에 의하면, 시료를 고정할 수 있고 조사되는 시료에 레이저의 에너지를 보다 효과적으로 전달하면서 시료를 탈착 및 이온화 시키는 나노선(nanowire)을 사용하여 매트릭스 용액 없이도 시료의 질량분석을 수행할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method, the sample can be fixed and desorbed and ionized while delivering the energy of the laser to the irradiated sample more effectively. Nanowires can be used to perform mass spectrometry of samples without the need for a matrix solution.

즉, 본 발명에서는 상기와 같은 나노선을 사용함으로써, 매트릭스 없이 시료를 효과적으로 탈착 및 이온화 시켜 정성 및 정량분석, 미량분석 및 저분자량 시료의 분석을 효과적으로 수행할 수 있으며, 기존 말디-톱 질량분석법(MALDI-Tof MS)에서 이용하는 장치를 그대로 이용할 수 있다. That is, in the present invention, by using the nanowires as described above, the sample can be effectively desorbed and ionized without a matrix to perform qualitative and quantitative analysis, microanalysis and low molecular weight sample analysis effectively. The apparatus used by MALDI-Tof MS) can be used as it is.

도 1에서 본 발명에서 (a)는 ZnO 나노선 스폿을 형성시킨 기판과 이를 질량분석기 시료 검체판에 삽입한 타겟판을 보여주는 사진이고, (b)와 (C)는 나노선이 성장한 부분을 확대하여 보여주는 주사전자현미경 사진,In the present invention (a) is a photograph showing a substrate on which a ZnO nanowire spot is formed and a target plate inserted into the mass spectrometer sample plate, (b) and (C) is an enlarged portion of the nanowire growth Scanning electron micrograph,

도 2는 ZnO 나노선을 시료 없이 레이저에 조사한 후 분자량 피크를 측정한 결과도,Figure 2 is also the result of measuring the molecular weight peak after irradiating ZnO nanowires to the laser without a sample,

도 3은 본 발명에서 루신엔케팔린을 ZnO 나노선 칩에 각각 0.13, 0.25, 0.50, 1.0mg/㎖의 농도로 가한 후 질량분석을 한 결과도,Figure 3 is the result of mass spectroscopy after adding leucine enkephalin to the ZnO nanowire chip at a concentration of 0.13, 0.25, 0.50, 1.0mg / ㎖ in the present invention,

도 4는 본 발명에서 안지오텐신을 같은 ZnO 나노선 칩에 각각 0.25, 0.50, 1.0mg/㎖의 농도로 가한 후 질량분석을 한 결과도,Figure 4 is also the result of mass analysis after adding angiotensin to the same ZnO nanowire chip at a concentration of 0.25, 0.50, 1.0mg / ㎖ in the present invention,

도 5는 본 발명에서 ZnO, SiC, SnO2, GaN 나노선 서스펜젼을 사용해 질량분석을 수행하여 얻은 펩티드의 분자량 피크,5 is a molecular weight peak of a peptide obtained by performing mass spectrometry using ZnO, SiC, SnO 2 , GaN nanowire suspension in the present invention,

도 6은 본 발명에서 ZnO 나노선 칩을 10회간 세척을 통해 재사용 후 0.5mg/ml 농도의 루신엔케팔린의 질량분석을 수행한 결과도.Figure 6 is a result of performing mass spectrometry of leucine enkephalin concentration of 0.5mg / ml after reuse of the ZnO nanowire chip in the present invention by washing 10 times.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 검체판 2 : 타겟판1: sample plate 2: target plate

3: 기판 4: 나노선 스폿3: substrate 4: nanowire spot

Claims (27)

레이저를 에너지원으로 하는 시료의 탈착/이온화 질량분석 방법에 있어서,In the desorption / ionization mass spectrometry method of a sample using a laser as an energy source, 전압을 인가할 수 있는 전도체 또는 반도체 기판 상의 선택된 영역에 다수의 미세한 나노선(nanowire)을 성장시켜 나노선 스폿(spot)을 형성시키는 단계와;Growing a plurality of fine nanowires in a selected region on a conductor or semiconductor substrate capable of applying a voltage to form nanowire spots; 질량분석의 대상이 되는 분석물을 포함한 시료를 상기 나노선 스폿에 위치시킨 뒤 건조시켜 결정화 하는 단계와;Placing a sample including the analyte to be subjected to mass spectrometry on the nanowire spot and drying to crystallize the sample; 감압상태에서 시료가 나노선에 흡착 결정화 된 상기 나노선 스폿에 레이저를 조사하여 나노선을 통해 에너지를 시료에 전달함으로써 시료를 탈착 및 이온화 시키는 동시에 상기 기판 상에 전압을 인가시킨 상태에서 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 단계;The sample is desorption and ionized by applying laser to the nanowire spot where the sample is adsorbed and crystallized on the nanowire under reduced pressure to transfer energy to the sample through the nanowire, and ionized analysis while applying voltage on the substrate. Physical mass spectrometry of water; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법. Nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method comprising a. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 나노선 스폿을 형성시키는 단계에서, 지름 500nm 이하에 장경비가 10 이상인 나노선을 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the step of forming the nanowire spot, nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry characterized in that for growing the nanowire having a long diameter ratio of 10 or more in the diameter of 500nm or less. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 나노선 스폿을 형성시키는 단계에서, 상기 나노선으로서 실리콘을 포함한 단일 금속, 산화물, 탄화물, 질화물, 인화물 및 비소화물 반도체 나노선 중 선택된 것을 성장시키는 것을 특징으로 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the forming of the nanowire spot, the nanowire-assisted laser desorption / ionization comprising growing a selected one of silicon, oxide, carbide, nitride, phosphide and non-sulfide semiconductor nanowires including silicon as the nanowires. Mass spectrometry method. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 나노선 스폿을 형성시키는 단계에서, 상기 나노선 스폿의 면적을 레이저의 조사면적에 비해 작거나 동일한 면적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법. In the forming of the nanowire spot, the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method, wherein the area of the nanowire spot is formed to be smaller than or equal to the irradiation area of the laser. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 시료는 염과, 분석하고자 하는 분석물로 구성되며, 염의 농도를 10 밀리몰라 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.The sample comprises a salt and an analyte to be analyzed, the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method characterized in that the concentration of the salt is at least 10 mmol. 청구항 1 또는 청구항 5에 있어서,The method according to claim 1 or 5, 상기 시료 내 분석물의 농도를 1 펨토몰 이하로 하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.Nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry characterized in that the concentration of the analyte in the sample is 1 femtomol or less. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 레이저 조사시에는 나노선의 종류에 따라 상기 기판 상에 성장시킨 나노선의 밴드갭(bandgap) 이상이 되는 에너지를 갖는 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.The laser desorption / ionization mass spectrometry method of claim 1, wherein the laser irradiation is performed by irradiating a laser having an energy equal to or more than a bandgap of the nanowires grown on the substrate according to the type of the nanowires. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 단계에서, 이온의 질량 대 전하의 값(m/z)을 측정하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the step of physical mass spectrometry of the ionized analyte, the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry characterized in that the value of the mass of the ion (m / z) is measured. 레이저를 에너지원으로 하는 시료의 탈착/이온화 질량분석 방법에 있어서,In the desorption / ionization mass spectrometry method of a sample using a laser as an energy source, 다수의 미세한 나노선을 함유한 나노선 서스펜젼(suspension)을 제조하는 단계와;Preparing a nanowire suspension containing a plurality of fine nanowires; 전압을 인가할 수 있는 전도체 또는 반도체 기판 상의 선택된 영역에 상기 나노선 서스펜젼을 도포한 후 건조시켜 나노선 섬(islet)을 형성시키는 단계와;Applying the nanowire suspension to a selected region on a conductor or semiconductor substrate capable of applying a voltage and then drying to form a nanowire islet; 질량분석의 대상이 되는 분석물을 포함한 시료를 상기 나노선 섬에 위치시킨 뒤 건조시켜 결정화 하는 단계와;Placing a sample including an analyte to be subjected to mass spectrometry on the nanowire islands and then drying to crystallize the sample; 감압상태에서 시료가 나노선에 흡착 결정화 된 상기 나노선 섬에 레이저를 조사하여 나노선을 통해 에너지를 시료에 전달함으로써 시료를 탈착 및 이온화 시키는 동시에 상기 기판 상에 전압을 인가시킨 상태에서 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 단계;In the decompressed state, the sample is irradiated and irradiated with a laser to the nanowire island, and the energy is transferred to the sample through the nanowire to desorb and ionize the sample, while simultaneously applying a voltage on the substrate. Physical mass spectrometry of water; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법. Nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method comprising a. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 나노선 서스펜젼을 제조하는 단계에서, 나노선을 성장시킨 기판을 휘발성 용액 내에 넣은 후 초음파를 가하여 나노선을 기판으로부터 분리시킴으로써 휘발성 용액에 나노선이 혼합된 상태의 나노선 서스펜젼을 제조하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the manufacturing of the nanowire suspension, the nanowire suspension is placed in a volatile solution, and then ultrasonic waves are applied to separate the nanowire from the substrate, thereby forming nanowire suspension in a state in which the nanowire is mixed with the volatile solution. Nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry characterized in that it is prepared. 청구항 9에 있어서, The method according to claim 9, 상기 나노선 서스펜젼을 제조하는 단계에서, 상기 나노선으로서 지름 500nm 이하에 장경비가 10 이상인 나노선을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the preparing of the nanowire suspension, nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method, characterized in that as the nanowire, a nanowire having a long ratio of 10 or more and a diameter of 500 nm or less is used. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 나노선 서스펜젼을 제조하는 단계에서, 상기 나노선으로서 실리콘을 포함한 단일 금속, 산화물, 탄화물, 질화물, 인화물 및 비소화물 반도체 나노선 중 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the manufacturing of the nanowire suspension, the nanowire-assisted laser desorption, characterized in that selected from a single metal, oxide, carbide, nitride, phosphide and non-sulfide semiconductor nanowires including silicon as the nanowires / Ionization mass spectrometry method. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 나노선 섬을 형성하는 단계에서, 상기 나노선 서스펜젼을 상기 기판 상의 선택된 영역에 분사시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.The nanowire assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method of forming the nanowire islands comprises spraying the nanowire suspension onto a selected region on the substrate. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 나노선 섬을 형성하는 단계에서, 상기 나노선 섬의 면적을 레이저의 조사면적에 비해 작거나 동일한 면적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법. In the forming of the nanowire island, the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method, wherein the area of the nanowire island is formed to be smaller than or equal to the irradiation area of the laser. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 시료는 염과, 분석하고자 하는 분석물로 구성되며, 염의 농도를 10 밀리몰라 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.The sample comprises a salt and an analyte to be analyzed, the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method characterized in that the concentration of the salt is at least 10 mmol. 청구항 9 또는 청구항 15에 있어서,The method according to claim 9 or 15, 상기 시료 내 분석물의 농도를 1 펨토몰 이하로 하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.Nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry characterized in that the concentration of the analyte in the sample is 1 femtomol or less. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 레이저 조사시에는 나노선의 종류에 따라 나노선의 밴드갭 이상이 되는 에너지를 갖는 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.The laser desorption / ionization mass spectrometry method of assisting nanowires according to the type of nanowires, irradiating a laser having an energy that is greater than or equal to a band gap of the nanowires according to the type of nanowires. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 단계에서, 이온의 질량 대 전하의 값을 측정하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the step of physical mass spectrometry of the ionized analyte, the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry characterized in that for measuring the value of the mass versus charge of the ion. 레이저를 에너지원으로 하는 시료의 탈착/이온화 질량분석 방법에 있어서,In the desorption / ionization mass spectrometry method of a sample using a laser as an energy source, 다수의 미세한 나노선과 질량분석의 대상이 되는 분석물을 포함한 시료용액을 혼합하여 나노선 서스펜젼을 제조하는 단계와;Preparing a nanowire suspension by mixing a plurality of fine nanowires and a sample solution including an analyte to be subjected to mass spectrometry; 전압을 인가할 수 있는 전도체 또는 반도체 기판 상의 선택된 영역에 상기 나노선 서스펜젼을 도포한 후 건조시켜 나노선 및 이에 흡착 결정화 된 시료가 포함된 나노선 섬을 형성시키는 단계와;Applying the nanowire suspension to a selected region on a conductor or semiconductor substrate capable of applying a voltage, and then drying the nanowire suspension to form a nanowire island including the nanowire and a sample crystallized by adsorption thereon; 감압상태에서 상기 나노선 섬에 레이저를 조사하여 나노선을 통해 에너지를 시료에 전달함으로써 시료를 탈착 및 이온화 시키는 동시에 상기 기판 상에 전압을 인가시킨 상태에서 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 단계;Irradiating a laser on the nanowire island under reduced pressure to transfer energy through the nanowire to the sample to desorb and ionize the sample, and physically mass spectrometry of the ionized analyte while applying a voltage on the substrate; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법. Nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method comprising a. 청구항 19에 있어서, The method according to claim 19, 상기 나노선 서스펜젼을 제조하는 단계에서, 상기 나노선으로서 지름 500nm 이하에 장경비가 10 이상인 나노선을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the preparing of the nanowire suspension, nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method, characterized in that as the nanowire, a nanowire having a long ratio of 10 or more and a diameter of 500 nm or less is used. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19, 상기 나노선 서스펜젼을 제조하는 단계에서, 상기 나노선으로서 실리콘을 포함한 단일 금속, 산화물, 탄화물, 질화물, 인화물 및 비소화물 반도체 나노선 중 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the manufacturing of the nanowire suspension, the nanowire-assisted laser desorption, characterized in that selected from a single metal, oxide, carbide, nitride, phosphide and non-sulfide semiconductor nanowires including silicon as the nanowires / Ionization mass spectrometry method. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19, 상기 시료는 염과, 분석하고자 하는 분석물로 구성되며, 염의 농도를 10 밀리몰라 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.The sample comprises a salt and an analyte to be analyzed, the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method characterized in that the concentration of the salt is at least 10 mmol. 청구항 19 또는 청구항 22에 있어서,The method according to claim 19 or 22, 상기 시료 내 분석물의 농도를 1 펨토몰 이하로 하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.Nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry characterized in that the concentration of the analyte in the sample is 1 femtomol or less. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19, 상기 나노선 섬을 형성하는 단계에서, 상기 나노선 서스펜젼을 상기 기판 상의 선택된 영역에 분사시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.The nanowire assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method of forming the nanowire islands comprises spraying the nanowire suspension onto a selected region on the substrate. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19, 상기 나노선 섬을 형성하는 단계에서, 상기 나노선 섬의 면적을 레이저의 조사면적에 비해 작거나 동일한 면적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법. In the forming of the nanowire island, the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry method, wherein the area of the nanowire island is formed to be smaller than or equal to the irradiation area of the laser. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19, 상기 레이저 조사시에는 나노선의 종류에 따라 나노선의 밴드갭 이상이 되는 에너지를 갖는 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.The laser desorption / ionization mass spectrometry method of assisting nanowires according to the type of nanowires, irradiating a laser having an energy that is greater than or equal to a band gap of the nanowires according to the type of nanowires. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19, 상기 이온화 된 분석물을 물리적 질량분석하는 단계에서, 이온의 질량 대 전하의 값을 측정하는 것을 특징으로 하는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법.In the step of physical mass spectrometry of the ionized analyte, the nanowire-assisted laser desorption / ionization mass spectrometry characterized in that for measuring the value of the mass versus charge of the ion.
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