KR100511431B1 - 비스페놀 에이형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지조성물 및 이를 이용한 회로기판 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 회로기판에 관한 것으로, 본 발명에 따른 비스페놀 A형 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물은 평균 에폭시 당량이 400 내지 1,000인 비스페놀 A형 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 평균 에폭시 당량이 2,000 내지 10,000인 고분자형 비스페놀 A형 에폭시 수지 5 내지 80 중량부; 다관능성 에폭시 수지 1 내지 100 중량부; 아민계 경화제 1 내지 4 중량부; 및 이미다졸계 경화촉진제 0.01 내지 1 중량부를 포함하여 이루어지며, 본 발명은 고분자 비스페놀 A형 에폭시를 사용하여 무기충전재를 함유하지 않은 에폭시 수지 조성물 자체만으로도 우수한 물성을 갖은 회로기판 소재를 제조할 수 있을 뿐 아니라, 무기충전재 사용 시 원하는 물성을 만족 시키는 동시에 기타 다른 물성 저하 없이 무기충전재 사용에 따른 동박 접착력 등의 기계적인 물성 저하를 보상할 수 있어 에폭시 수지 조성물 내의 무기충전재 함량을 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

비스페놀 에이형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 회로기판{Epoxy Resin Composition Containing Bisphenol A Epoxy Resin and Printed Circuit Board Using the Same}
본 발명은 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 회로기판에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 평균 에폭시 당량이 400 내지 1000인 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 평균 에폭시 당량이 2,000 내지 10,000인 고분자형 비스페놀 A형 에폭시 수지를 포함하고 다관능성 에폭시 수지, 아민계 경화제, 이미다졸계 경화촉진제, 무기충전재 및 분산제를 더 포함하여 이루어짐으로써 기존 회로기판 소재의 요구 물성을 만족시키고, 회로 기판 소재 내에 높은 무기충전재 함유량을 갖는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 회로기판에 관한 것이다.
최근 전자 제품의 다기능화 및 경박 단소화에 따라 기존의 인쇄 회로 기판으로 사용되어지는 소재보다 열적, 기계적으로 안정하고, 회로 기판 소재 자체에 표면 실장형 수동소자의 기능을 포함시켜 이를 회로 기판 내층으로 내장 시키는 기술등이 대두 되고 있다.
따라서 근래 기존 회로 기판 소재로 사용되어지는 고분자 재료의 물성 한계를 극복하고 원하는 기능을 부여하기 위하여 무기충전재가 사용되고 있다. 그러나, 회로 기판 소재 내의 무기충전재 다량 함유 시, 소재의 취성이 증가하고, 수지와 동박간의 부착력이 떨어지는 등의 문제가 발생하게 된다. 따라서, 회로 기판 소재 내의 무기물의 함유량이 제한을 받는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 무기충전재에 의해 원하는 물성을 살리기 위하여, 기존 회로기판 소재의 요구 물성을 만족시키며 상기 회로 기판 소재 내에 높은 무기충전재 함유량을 갖는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 상기 목적 및 기타 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
평균 에폭시 당량이 400 내지 1,000인 비스페놀 A형 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 평균 에폭시 당량이 2,000 내지 10,000인 고분자 형 비스페놀 A형 에폭시 수지 5 내지 80 중량부; 다관능성 에폭시 수지 1 내지 100 중량부; 아민계 경화제 1 내지 4 중량부; 이미다졸계 경화촉진제 0.01 내지 1 중량부를 포함하여 이루어지는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
상기 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물은 무기 충전제 및 분산제가 더 포함될 수 있다.
상기 무기충전제는 바륨 티타튬 옥사이드(barium tiatanum oxide), 바륨스트론티움 티탄에이트(barium strontium titanate), 티타튬 옥사이드(titanium oxide), 리드 지로코니움 티타네이트(lead ziroconium titanate), 리드 렌타움 지르코네이트 티타네이트(lead lanthanum zirconate titanate), 림 마그네슘 니보에이트-리드 티타네이트(leam magnesium niobate-lead tiatanate), 은, 니켈, 니켈-코팅 폴리머 스페어(nickel-coated polymer sphere), 금-코팅 폴리머 스페어(gold-coated polymer sphere), 틴 소울더(tin solder), 그래피트(graphite), 탄탈륨 니티데(tantalum nitides), 메탈 실리콘 니트라이드(metal silcon nitride), 카본 블랙(carbon black), 실리카(silica), 클레이(clay) 및 알루미늄 보레이트(aluminum borate)로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 분산제는 카르복실레이트, 설포네이트 및 포스페이트로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 아민계 경화제는 4,4'-디아미노 디페닐 술폰(DDS), 4,4'-디아미노 디페닐 메탄, 디시안 디아마이드(Dicy) 및 이들의 혼합물로 이루지는 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 이미다졸계 경화촉진제는 2-에틸-메틸 이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-알킬 이미다졸, 2-페닐 이미다졸 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물을 이용하여 제조된 회로기판을 제공한다.
이하, 본 발명에 대항 상세히 설명하면 다음과 같다
본 발명에서 사용된 평균 에폭시 당량이 400 내지 1,000인 비스페놀 A형 에폭시 수지(a)는 메틸 에틸 케톤(MEK), 디 메틸 포름 아마이드(DMF), 메틸셀로솔브(MCS) 등의 혼합 용매에 용해시켜 사용할 수 있으며, 브롬이 무게비로 15 내지 55% 함유된 것으로 이는 수지를 성형하여 제조된 회로기판에 난연성을 부여하기 위함이다.
평균 에폭시 당량이 2,000 내지 10,000인 고분자 비스페놀 A형 에폭시 수지(b)는 메틸 에틸 케톤(MEK), 디 메틸 포름 아마이드(DMF), 메틸셀로솔브(MCS) 등의 혼합 용매에 용해시켜 사용할 수 있으며, 상기 고분자 비스페놀 A형 에폭시 수지(b)는 비스페놀 A형 에폭시 수지(a) 100 중량부에 대하여 5 내지 70 중량부의 범위가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 60 중량부의 범위가 바람직하다.
상기 고분자 비스페놀 A형 에폭시(b)의 사용 시 수지 조성물의 동박 접착력과 인성이 증가하지만, 비스페놀 A형 에폭시(a) 대비 70 중량부 이상의 경우, 수지 조성물의 유리 전이 온도(Tg)가 떨어질 우려가 있다.
다관능성 에폭시 수지(c)는 분자당 에폭시 관능기 수가 3개 이상인 것으로 일반적으로 3관능성, 4관능성 및 노볼락 수지가 있으며, 메틸 에틸 케톤(MEK), 디 메틸 포름 아마이드(DMF), 메틸셀로솔브(MCS) 등의 혼합 용매에 용해시켜 사용할 수 있다.
상기 다관능성 에폭시는 당량이 200 내지 400 범위이고 중량 평균 분자량이 200 내지 1,500 범위에 있는 것이 적당하며, 다관능성 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지(a) 100 중량부에 대하여 1 내지 100 중량부의 범위가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 3 내지 50 중량부의 범위가 바람직하다. 다관능성 에폭시가 100 중량부 이상 일 경우 수지의 가교 밀도가 증가하여 내열성이 향상 되지만, 에폭시 조성물의 취성이 증가하여 무기충전재 사용에 있어서 양적 제한을 가져올 우려가 있다.
아민계 경화제(d)는 지방족 아민계 경화제, 지환족 아민계 경화제, 방향족 아민계 경화제 등이 예시된다. 특히, 4,4'-디아미노 디페닐 술폰(이하, 'DOS'이라함), 4,4'-디아미노 디페닐 메탄, 디시안 디아마이드(DICY) 등이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 병용하여 사용하는 것이 가능하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지(a) 100 중량부에 대하여 1 내지 50 중량부의 범위가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2 내지 10의 범위가 바람직하다. 아민계 경화제가 1 중량부 이하일 경우 충분한 경화가 이루어지지 않으며, 50 중량부 이상인 경우 속경화가 일어나고 접착성 및 보존 안정성이 저하된다.
이미다졸계 경화촉진제(e)는 2-에틸-4메틸 이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-알킬 이미다졸, 2-페닐 이미다졸 등의 이미다졸 화합물을 만들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 병용하여 사용하는 것이 가능하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지(a) 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1 중량부의 범위가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 0.3의 범위가 바람직하다. 이미다졸계 경화촉진제가 0.01 중량부 이하일 경우 경화 속도가 현저히 떨어지며, 미경화가 발생되며, 1 중량부 이상일 경우 속경화가 일어나고 접착성 및 보존 안정성이 저하된다.
본 발명에서 사용될 수 있는 무기충전재(f)에 특별한 제한은 없고, 원하는 물성에 따라 바륨 티타튬 옥사이드(barium tiatanum oxide), 바륨스트론티움 티탄에이트(barium strontium titanate), 티타튬 옥사이드(titanium oxide), 리드 지로코니움 티타네이트(lead ziroconium titanate), 리드 렌타움 지르코네이트 티타네이트(lead lanthanum zirconate titanate), 림 마그네슘 니보에이트-리드 티타네이트(leam magnesium niobate-lead tiatanate), 은, 니켈, 니켈-코팅 폴리머 스페어(nickel-coated polymer sphere), 금-코팅 폴리머 스페어(gold-coated polymer sphere), 틴 소울더(tin solder), 그래피트(graphite), 탄탈륨 니티데(tantalum nitides), 메탈 실리콘 니트라이드(metal silcon nitride), 카본 블랙(carbon black), 실리카(silica), 클레이(clay) 및 알루미늄 보레이트(aluminum borate)를 사용할 수 있으며, 전자 현미경으로 관찰하여 0.1 내지 10㎛의 평균 입자 크기를 갖는 분말을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용될 수 있는 분산제(g)에 특별한 제한은 없고, 상기의 무기충전재(f)에 따라 카르복실레이트(carboxylate), 설포네이트(sulfonate) 및, 포스페이트(phosphate)와 같은 다양한 종류가 사용될 수 있다. 상기 분산제(g)는 무기충전재(f) 1 중량부에 대하여 0.005 내지 0.05 중량부의 범위가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.03 중량부의 범위가 바람직하다.
이하 하기의 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명의 범위가 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 ∼ 7 및 비교예 1 ∼ 4] : 에폭시 수지 조성물 및 동판적층판을 하기 표 1의 조성대로 첨가하여 다음과 같이 실시예 및 비교예들을 제조하였다.
[실시예 1]
평균 에폭시 당량이 400 내지 1,000인 비스페놀 A형 에폭시 수지 100g(베크라이트사, LER1222), 다관능성 에폭시수지(베크라이트사, LER451) 5g, 평균 에폭시 당량이 2,000 내지 10,000인 고분자 비스페놀 A형 에폭시 수지(국도화학, YD019) 20g, 아민계 경화제 디시안 디아마이드(Dicyandiamide) 2.7g, 이미다졸계 경화촉진제 2PI(2-Phenylimidazole) 0.15g을 메틸 에틸 케톤 : 디 메틸 포름 아마이드의 비가 1:1인 혼합용액에 고형분이 45%가 되게 녹여 바니쉬를 제작하였다.
상기에서 제조된 바니쉬를 유리섬유(일본, 니토보사, 7628)에 함친 시킨 후 열풍 건조시켜 프리프레그(prepreg)를 제조하였다. 제조된 프리프레그 5매를 적층한 후 양면으로 두께 35㎛인 동박을 놓아 적층한 후 프레스를 이용하여 185℃, 90분간 가열, 가압하여 두께 1mm의 회로기판을 제조하였다.
[실시예 2]
실시예 1에서 고분자 비스페놀 A형 에폭시 수지의 함량을 40g으로 증량 시킨 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 바니쉬를 제조한 후, 1mm의 회로기판을 제조하였다.
[실시예 3]
실시예 1에서 고분자 비스페놀 A형 에폭시 수지의 함량을 70g으로 증량 시킨 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 바니쉬를 제조한 후, 1mm의 회로기판을 제조하였다.
[비교예 1]
평균 에폭시 당량이 400 내지 1,000인 비스페놀 A형 에폭시 수지 100g(베크라이트사, LER1222), 다관능성 에폭시수지(베크라이트사, LER451) 5g, 아민계 경화제 디시안 디아마이드(Dicyandiamide) 2.7g, 이미다졸계 경화촉진제 2PI(2-Phenylimidazole) 0.3g을 메틸 에틸 케톤: 디 메틸 포름 아마이드의 비가 1:1인 혼합용액에 고형분이 45%가 되게 녹여 바니쉬를 제작하였다. 이때 실시예 1의 고분자 비스페놀 A형 에폭시 수지는 첨가하지 않았다.
상기에서 제조된 바니쉬를 유리섬유(일본, 니토보사, 7628)에 함친 시킨 후 열풍 건조시켜 프리프레그(prepreg)를 제조하였다. 제조된 프리프레그 5매를 적층한 후 양면으로 두께 35㎛인 동박을 놓아 적층한 후 프레스를 이용하여 185℃, 90분간 가열, 가압하여 두께 1mm의 회로기판을 제조하였다.
[비교예 2]
평균 에폭시 당량이 400 내지 1,000인 비스페놀 A형 에폭시 수지 100g(베크라이트사, LER1222), 다관능성 에폭시수지(베크라이트사, LER451) 5g, 아민계 경화제 디시안 디아마이드(Dicyandiamide) 2.7g, 이미다졸계 경화촉진제 2PI(2-Phenylimidazole) 0.15g, 중량 평균 분자량이 200,000 내지 300,000 범위인 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무(Nippon Zeon사, NBR1031) 5g, 중량 평균 분자량이 100,000 내지 300,000 범위인 반응형 폴리비닐 아세탈 수지(Sekisui사 KS-23Z) 10g을 메틸 에틸 케톤: 디 메틸 포름 아마이드의 비가 1:1인 혼합용액에 고형분이 45%가 되게 녹여 바니쉬를 제조하였다.
상기에서 제조된 바니쉬를 유리섬유(일본, 니토보사, 7628)에 함친 시킨 후 열풍 건조시켜 프리프레그(prepreg)를 제조하였다. 제조된 프리프레그 5매를 적층한 후 양면으로 두께 35㎛인 동박을 놓아 적층한 후 프레스를 이용하여 185℃, 90분간 가열, 가압하여 두께 1mm의 회로기판을 제조하였다.
[실시예 4]
평균 에폭시 당량이 400 내지 1,000인 비스페놀 A형 에폭시 수지 100g(베크라이트사, LER1222), 다관능성 에폭시수지(베크라이트사, LER451) 5g, 평균 에폭시 당량이 2,000 내지 10,000인 고분자 비스페놀 A형 에폭시 수지(국도화학, YD019) 40g, 아민계 경화제 디시안 디아마이드(Dicyandiamide) 2.7g, 이미다졸계 경화촉진제 2PI(2-Phenylimidazole) 0.15g을 메틸 에틸 케톤 : 디 메틸 포름 아마이드의 비가 1:1인 혼합용액에 고형분이 45%가 되게 녹여 바니쉬를 제조하였다.
무기충전재로서 강유전 세라믹인 BaTiO3 분말(일본 사카이사, BT05) 300g, MEK:DMF 의 비가 1:1인 혼합용액 60g, 분산제(BYK-chemie사, BYK-W9010) 5g을 볼밀용기에 넣고 2시간 동안 볼밀을 하여 무기충전재를 분산시킨 후, 이를 상기 실시예 2에서 제조한 바니쉬와 함께 믹싱하여 슬러리를 제조했다. 상기에서 제조된 슬러리를 유리섬유(일본, 니토보사, 7628)에 함친 시킨 후 열풍 건조시켜 프리프레그(prepreg)를 제조하였다. 제조된 프리프레그 5매를 적층한 후 양면으로 두께 35㎛인 동박을 놓아 적층한 후 프레스를 이용하여 180℃, 90분간 가열, 가압하여 두께 1mm의 회로기판을 제조하였다.
[실시예 5]
상기 실시예 4에서 무기충전제를 750g으로 증량하고, 분산제를 10g으로 증량하는 것을 제외하고, 실시예 4와 동일한 방법으로 슬러리를 제조한 후, 두께 1mm인 회로기판을 제조하였다.
[실시예 6]
상기 실시예 4에서 이미다졸계 경화촉진제 2PI(2-Phenylimidazole)를 0.3g으로 증량하고, 무기충전제를 750g으로 증량하고, 분산제를 10g으로 증량하는 것을 제외하고, 실시예 4와 동일한 방법으로 슬러리를 제조한 후, 두께 1mm인 회로기판을 제조하였다.
[실시예 7]
상기 실시예 4에서 이미다졸계 경화촉진제 2PI(2-Phenylimidazole)를 0.3g으로 증량하고 무기충전제를 750g으로 증량하는 것을 제외하고, 실시예 4와 동일한 방법으로 슬러리를 제조한 후, 두께 1mm인 회로기판을 제조하였다.
[비교예 3]
무기충전재(BT05) 750g, MEK:DMF 의 비가 1:1인 혼합용액 100g, 분산제(BYK-chemie사, BYK-W9010) 10g을 볼밀용기에 넣고 2시간동안 볼밀을 하여 무기충전재를 분산시킨 후 이를 상기 비교예 1에서 제조한 바니쉬와 함께 믹싱하여 슬러리를 제조하였다. 상기에서 제조된 슬러리를 유리섬유(일본, 니토보사, 7628)에 함친 시킨 후 열풍 건조시켜 프리프레그(prepreg)를 제조하였다.
제조된 프리프레그 5매를 적층한 후 양면으로 두께 35㎛인 동박을 놓아 적층한 후 프레스를 이용하여 185℃, 90분간 가열, 가압하여 두께 1mm의 회로기판을 제조하였다.
[비교예 4]
무기충전재(BT05) 750g, 메틸 에틸 케톤 : 디 메틸 포름 아마이드의 비가 1:1인 혼합용액 100g, 분산제(BYK-chemie사, BYK-W9010) 10g을 볼밀용기에 넣고 2시간 동안 볼밀을 하여 무기충전재를 분산시킨 후, 이를 상기 비교예 2에서 제조한 바니쉬와 함께 믹싱하여 슬러리를 제조하였다. 상기에서 제조된 슬러리를 유리섬유(일본, 니토보사, 7628)에 함친 시킨 후 열풍 건조시켜 프리프레그(prepreg)를 제조하였다. 제조된 프리프레그 5매를 적층한 후 양면으로 두께 35㎛인 동박을 놓아 적층한 후 프레스를 이용하여 180℃, 90분간 가열, 가압하여 두께 1mm의 회로기판을 제조하였다.
실시예(g) 비교예(g)
1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4
비스페놀A형 에폭시수지(표준 당량 400 내지 1,000) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
다관능성 에폭시 수지 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5
고분자비스페놀A형 에폭시수지(표준 당량 2,000 내지 10,000) 20 40 70 40 40 40 40 - - - -
부타디엔 아크릴로니트릴 공중합 고무 - - - - - - - - 5 - 5
반응형 폴리비닐 아세탈수지 - - - - - - - - 10 - 10
아민계경화제 디시안 디아마이드 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7
이미다졸계 경화촉진제 0.15 0.15 0.15 0.15 0.15 0.3 0.3 0.3 0.15 0.3 0.15
무기충전제 - - - 300 750 750 750 - - 750 750
분산제 - - - 5 10 10 5 - - 10 10
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 시편으로, 수지 조성물의 유리전이온도(Tg), 동박 접착력, 30 내지 260℃ 범위의 열팽창률 및 유전율을 측정하였다. 유리전이온도는 TA instruments사의 디에스시(DSC, Q100)을 이용하여 측정하였다. 시편의 동박접착력은 상온에서 쯔이크(ZWICK)사의 인장 강도계를 이용하여 50mm/분의 속도로 90˚ 접착력을 측정하였으며, 폭 1cm로 동박을 박리하면서 측정하였다. 30 내지 260℃의 열팽창률은 티엠에이(TMA)를 이용하였고, 30 내지 260℃의 범위에서 10℃/분의 속도로 승온시켜 시편의 두께방향 열팽창률을 측정하였다. 또한 시편의 유전율은 휴렛페커드(HP)사의 임페던스 분석기(impedance analyzer, 4194A)를 이용하여 제이아이에스(JIS)법으로 측정하였고 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
실시예(g) 비교예(g)
1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4
유리전이온도 (℃) 131 128 112 115 94 96 117 132 130 116 85
동박접착강도(35㎛,kgf/cm) 2.2 2.5 2.4 1.8 1.5 1.4 1.5 2.0 1.3 1.0 0.6
Z축 팽창률(%)(30~260℃) 3.5 3.6 3.6 3.1 2.4 2.4 2.4 3.5 3.7 2.4 2.6
유전율 4.7 4.7 4.8 14 20 21 20 4.6 4.2 20 16
상기 실시예와 비교예는 무기충전재를 이용하여 내장형 축전지용 회로기판 소재를 제조하기 위한 것으로서, 상기 표 2의 결과로부터 살펴보면 실시예 4 내지 7 및 비교예 3과 4에서 무기충전재의 양에 따라 목표 물성인 유전율이 커짐을 알 수 있다. 그러나 고유전율의 제품을 얻기 위하여 무기충전재의 양을 늘리는 경우, 무기충전재의 바인더 역할을 하는 에폭시 수지의 양이 상대적으로 감소하여 제품의 기계적 물성이 떨어지고, 실시예 4 내지 7 및 비교예 3과 4의 결과에서 알 수 있듯이 무기충전재에 따른 분산제의 사용에 따라 유리전이 온도가 떨어지는 현상이 발생한다.
따라서 무기충전재 함유에 따른 기계적 물성의 보상을 위하여 실시예 1 내지 7에서는 고분자 비스페놀 A형 에폭시수지를 첨가하였고, 비교예 2 및 4에서는 다른 고분자 물질인 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무(Nippon Zeon사, NBR1031) 또는 반응형 폴리비닐 아세탈 수지(Sekisui사 KS-23Z)를 첨가하였다.
상기의 결과로부터 알 수 있듯이 적당한 양의 고분자 비스페놀 A형 에폭시 수지를 첨가한 경우, 유리전이 온도가 크게 떨어지지 않는 범위 내에서 무기물을 제외한 에폭시 수지 조성물 자체의 동박 접착력이 향상됨을 확인 할 수 있었으며, 무기충전제가 첨가되면 유전율이 증가되지만, 동박접착강도는 떨어짐을 확인할 수 있었다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에서는 고분자 비스페놀 A형 에폭시를 사용하여 무기충전재를 함유하지 않은 에폭시 수지 조성물 자체만으로도 우수한 물성을 갖은 회로기판 소재를 제조할 수 있으며, 무기충전재 사용 시 원하는 물성을 만족 시키는 동시에 기타 다른 물성 저하 없이 무기충전재 사용에 따른 동박 접착력 등의 기계적인 물성 저하를 보상할 수 있어 에폭시 수지 조성물 내의 무기충전재 함량을 높일 수 있는 효과가 있는 유용한 발명인 것이다.
상기에서 본 발명은 기재된 구체예를 중심으로 상세히 설명되었지만, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.

Claims (7)

  1. 평균 에폭시 당량이 400 내지 1,000인 비스페놀 A형 에폭시 수지 100 중량부에 대하여,
    평균 에폭시 당량이 2,000 내지 10,000인 고분자 형 비스페놀 A형 에폭시 수지 5 내지 80 중량부;
    다관능성 에폭시 수지 1 내지 100 중량부;
    아민계 경화제 1 내지 4 중량부; 및
    이미다졸계 경화촉진제 0.01 내지 1 중량부;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 에폭시 수지 조성물은 무기 충전제 및 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 무기충전제는 바륨 티타튬 옥사이드(barium tiatanum oxide), 바륨스트론티움 티탄에이트(barium strontium titanate), 티타튬 옥사이드(titanium oxide), 리드 지로코니움 티타네이트(lead ziroconium titanate), 리드 렌타움 지르코네이트 티타네이트(lead lanthanum zirconate titanate), 림 마그네슘 니보에이트-리드 티타네이트(leam magnesium niobate-lead tiatanate), 은, 니켈, 니켈-코팅 폴리머 스페어(nickel-coated polymer sphere), 금-코팅 폴리머 스페어(gold-coated polymer sphere), 틴 소울더(tin solder), 그래피트(graphite), 탄탈륨 니티데(tantalum nitides), 메탈 실리콘 니트라이드(metal silcon nitride), 카본 블랙(carbon black), 실리카(silica), 클레이(clay) 및 알루미늄 보레이트(aluminum borate)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 분산제는 카르복실레이트, 설포네이트 및 포스페이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징을 하는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 아민계 경화제는 4,4'-디아미노 디페닐 술폰(DDS), 4,4'-디아미노 디페닐 메탄, 디시안 디아마이드(Dicy) 및 이들의 혼합물로 이루지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 이미다졸계 경화촉진제는 2-에틸-메틸 이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-알킬 이미다졸, 2-페닐 이미다졸 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제 1항의 비스페놀 A형 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지 조성물을 이용하여 제조된 회로기판.
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