KR100506741B1 - 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
Claims (13)
- 질화갈륨계 반도체 물질을 성장시키기 위한 기판;상기 기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 상의 적어도 일부 영역에 형성되는 활성층;상기 활성층 상에 형성되는 p형 질화물 반도체층;상기 p형 질화물 반도체층과의 밀착력을 확보하기 위해 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되며, Ni, Co, Pd, Ir, Rh, Ru, Zn, Mg, Sn으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나의 금속 또는 둘이상 금속의 합금으로 이루어진 밀착력 확보층;상기 활성층에서 생성되는 빛을 기판측으로 반사하고 전류를 확산시키기 위해 상기 밀착력 확보층 상에 형성되며, Ag, Rh, Al으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나의 금속 또는 둘이상 금속의 합금으로 이루어진 반사전극층; 및상기 반사전극층과 본딩 금속간의 밀착력을 확보하고 접촉저항을 감소시키기 위해 상기 반사전극층 상에 형성되며, Pt, Pd, Rh으로 구성된 그룹으로부터 선택된 일금속으로 이루어진 캡층을 포함하는 플립칩용 질화갈륨계 반도체 발광소자.
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- 제1항에 있어서,상기 밀착력 확보층의 두께는, 5Å 내지 50Å인 것을 특징으로 하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자.
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- 제1항에 있어서,상기 반사전극층의 두께는, 500Å 내지 5000Å인 것을 특징으로 하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 캡층의 두께는, 100Å 이상이며 상기 반사전극층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자.
- 질화물 반도체 물질을 성장시키기 위한 기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에, n형 질화물 반도체층과, 활성층과, p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 적어도 p형 질화물 반도체층과 활성층의 일부영역을 제거하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 노출시키는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에, 상기 p형 질화물 반도체층과의 밀착력을 확보하기 위한 밀착력 확보층을 형성하는 단계;상기 밀착력 확보층 상에, 상기 활성층에서 생성되는 빛을 기판측으로 반사하고, 전류를 확산시키기 위한 반사전극층을 형성하는 단계;상기 반사전극층 상에, 상기 반사전극층과 본딩 금속간의 밀착력을 확보하고 접촉저항을 감소시키기 위한 캡층을 형성하는 단계; 및상기 밀착력 확보층, 반사전극층 및 캡층을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩용 질화물 반도체 소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 n형 질화물 반도체층의 노출된 영역 상에 n측 전극을 형성하고, 상기 캡층 상에 p측 본딩전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는,질소(N2) 분위기에서 400℃ 내지 600℃의 온도로 1분 내지 5분 동안 급속 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 밀착력 확보층을 형성하는 단계는,상기 p형 질화물 반도체층 상에, Ni, Co, Pd, Ir, Rh, Ru, Zn, Mg 및 Sn으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나의 금속 또는 둘 이상 금속의 합금을, 5Å 내지 50Å의 두께로 증착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 반사전극층을 형성하는 단계는,상기 밀착력 확보층 상에, Ag, Rh, Al으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나의 금속 또는 둘이상 금속의 합금을, 500Å 내지 5000Å의 두께로 증착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 캡층을 형성하는 단계는,상기 반사전극층 상에, Pt, Pd, Rh로 구성된 그룹으로부터 선택된 일금속을, 100Å 이상이며 상기 반사전극층보다 작은 두께로 증착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0096025A KR100506741B1 (ko) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US10/861,511 US7235818B2 (en) | 2003-12-24 | 2004-06-07 | Flip chip type nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
TW093117136A TWI244775B (en) | 2003-12-24 | 2004-06-15 | Flip chip type nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2004178815A JP2005191521A (ja) | 2003-12-24 | 2004-06-16 | フリップチップ用窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0096025A KR100506741B1 (ko) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050064556A KR20050064556A (ko) | 2005-06-29 |
KR100506741B1 true KR100506741B1 (ko) | 2005-08-08 |
Family
ID=34709263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0096025A KR100506741B1 (ko) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7235818B2 (ko) |
JP (1) | JP2005191521A (ko) |
KR (1) | KR100506741B1 (ko) |
TW (1) | TWI244775B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101205524B1 (ko) | 2005-09-27 | 2012-11-27 | 서울옵토디바이스주식회사 | 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100706796B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 탑에미트형 발광소자 및 그 제조 방법 |
JP2007157852A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
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EP2226853B1 (en) | 2008-11-06 | 2014-02-26 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same |
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US10535804B2 (en) | 2015-07-22 | 2020-01-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting device package |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2003
- 2003-12-24 KR KR10-2003-0096025A patent/KR100506741B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-06-07 US US10/861,511 patent/US7235818B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-15 TW TW093117136A patent/TWI244775B/zh active
- 2004-06-16 JP JP2004178815A patent/JP2005191521A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050145875A1 (en) | 2005-07-07 |
KR20050064556A (ko) | 2005-06-29 |
US7235818B2 (en) | 2007-06-26 |
TWI244775B (en) | 2005-12-01 |
TW200522391A (en) | 2005-07-01 |
JP2005191521A (ja) | 2005-07-14 |
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