KR100506335B1 - 유기전자발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 수명이 길고 발광 효율이 높은 유기 전자 발광 소자(유기 EL소자)를 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명은 적어도 유기 발광층을 갖는 유기 화합물층이 양극과 음극으로 이루어진 한쌍의 전극 사이에 협지(挾持)되어 있고, 상기 유기 발광층이 2층 이상의 층으로 되어 있으며, 또한 유기 발광층 모두에 동일종 또는 동일색의 형광성 물질이 도핑되어진 유기 EL소자에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유기 전자발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수명이 길고, 높은 발광 효율을 갖는 유기 전자발광 소자에 관한 것이다.
전계 발광을 이용한 전자발광 소자(이하, 전자발광을 [EL]이라 칭함)는 자기발광을 위한 시인성(視認性)이 크고 완전한 고체소자로 되기 위해 내충격성이 우수한 특징을 가졌기 때문에 각종 표시 장치에서 발광소자로서의 이용이 주목되고 있다.
상기 EL소자에는 발광재료에 무기 화합물을 사용한 무기 EL소자와 유기 화합물을 이용한 유기 EL소자가 있으며, 이중에서도 특히 유기 EL소자는 인가 전압을 크게 낮추고 소형화가 용이하고 소비전력이 낮으며 면발광이 가능하기 때문에 미래의 발광소자로서 연구 개발되고 있다.
상기 유기 EL소자의 구성에 있어서, 양극/유기 발광층/음극의 구성을 기본으로 하고, 이것에 정공 도입 운송층 및 전자 도입층을 적절하게 설치하는 것, 예를들면 양극/정공 도입 운송층/유기 발광층/음극 및 양극/정공 도입 운송층/유기 발광층/전자 도입 운송층/음극등으로 구성된 것이 알려져 있다.
상기에서, 정공 도입 운송층은 양극에서 정공을 도입하여 유기 발광층에 이것을 운송하는 기능을 가지고 있으며, 전자 도입 운송층은 음극에서 전자를 도입하여 유기 발광층에 이것을 운송하는 기능을 갖는다. 또한, 유기 발광층은 정공과 전자의 도입을 받는 기능과 정공과 전자의 재결합에 의하여 형광을 발생하는 기능을 가지고 있다.
지금까지, 발광 효율을 향상시키고 수명을 연장시키기 위하여 각종의 소자구성이 검토되고 있었다. 예를들면, 유기 형광층을 다층화시켜 발광 효율을 발광시키려는 시도로서, 일본 특허공개 제 93-326146 호는 2층의 유기 발광층을 갖는 유기 EL소자를 개시하고 있다. 그러나, 2층에서 발광을 방출하는 경우의 발광 효율은 1칸델라/암페어 정도로 낮고 수명도 1000시간(초기 휘도 100칸델라/㎡)정도로 낮다. 또한, 유기 발광층에 형광성 물질을 첨가(도핑)하는 기술의 개시도 없었다.
유기 발광층에 형광성 물질을 도핑하는 기술도 개시되어 있다. 예를들면, 일본 특허 공개 제 95-65958 호는 유기홀운송층과 유기 발광층의 양쪽에 형광물질을 도핑하는 것에 의하여 유기 EL소자의 수명을 길게하는 기술을 개시하고 있다. 그러나, 연속구동시의 휘도반감시간이 짧아진다. 또한, 형광물질의 도핑에 의한 발광 효율의 개량에 대한 개시도 없었다.
또한, 일본 특허 공개 제 96-213172 호 공보에는 2층의 유기 발광층을 가질뿐만 아니라 그의 한 층에 형광성 물질을 도핑한 유기 EL소자가 개시되어 있다. 그러나 이러한 구성에 있어서는 도핑되어 있지 않은 유기 발광층의 발광 효율이 저하되기 때문에 유기 EL소자 전체의 발광 효율도 저하되는 결점이 있었다.
본 발명은 이러한 상황하에서 수명이 길고 높은 발광 효율을 갖는 유기 EL소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명가들은 상술된 바람직한 성질을 갖는 유기 EL소자를 개발하기 위하여 연구한 결과, 다수의 유기 발광층 전체의 층에 동일한 종류 또는 동일한 색의 형광성 물질을 도핑하는 것에 의하여 상기 목적이 달성된다는 것을 발견하였다. 본 발명은 이러한 발견을 기초로 하여 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명의 요지는 다음과 같다:
(1) 적어도 유기 발광층을 함유하는 유기 화합물층을 양극과 음극으로 이루어진 한쌍의 전극에 끼운 유기 전자발광 소자에 있어서 상기 유기 발광층이 2이상의 층으로 되어 있으면서, 유기 발광층을 구성하는 물질로서 동일종 또는 동일색의 형광성 물질을 모든 유기 발광층에 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전자발광 소자.
(2) 각각 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 전자 친화력이 전부 2.6eV인 상기 (1)에 기재된 유기 전자발광소자.
(3) 각각 유기 발광층을 구성하는 호스트 물질의 이온화 포텐샬의 관계가 하기 표시된 수학식 1의 관계를 갖는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 유기 전자발광 소자.
(상기 식에서, Ip(1)는 양극측에서부터 세어서 첫 번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 이온화 포텐샬이고, Ip(2)는 양극측에서부터 세어서 두 번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 이온화 포텐샬이고, Ip(n)은 양극측에서부터 세어서 n번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 이온화 포텐샬이다.)
(4) 각각의 유기 발광층을 구성하는 호스트 물질의 전자 친화력의 관계가 다음에 표시되는 수학식 2의 관계를 갖는 상기 (1) 내지 (3)에서부터 선택된 어느 하나에 기재된 유기 전자발광 소자.
(상기 식에 있어서, Ea(1)는 양극측에서부터 세어서 첫 번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 전자 친화력이고, Ea(2)는 양극측에서부터 세어서 두 번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 전자 친화력이고, Ea(n)는 양극측에서부터 세어서 n번째의 유기 발광체를 구성하는 유기 호스트 물질의 전자 친화력이다.)
(5) 인접하는 유기 발광층에 있어서, 각각 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질간의 이온화 포텐샬의 차이가 0.2eV 이상인 상기 (1) 내지 (4)에서부터 선택된 어느 하나에 기재된 유기 전자발광 소자.
(6) 인접하는 유기 발광층에 있어서, 각각의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질간의 전자 친화력의 차이가 0.2eV 이하인 상기 (1) 내지 (5)에서부터 선택된 어느 하나에 기재된 유기 전자발광 소자.
본 발명의 유기 EL소자에 있어서, 유기 호스트 물질과 형광성 물질로 구성된 유기 발광층을 2층 이상으로 제조한다.
상기 유기 발광층의 구성성분중의 하나인 유기 호스트 물질로서는, 정공과 전자의 도입이 가능하고 정공과 전자를 운송시키고 재결합하여 형광을 발생하는 기능을 갖는다면 특별한 제한은 없지만 다양한 화합물을 사용하는 것이 가능하며, 전자의 도입성 면에서 전자 친화력이 2.6eV 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 따라서, 전자 친화력이 2.6eV 내지 3.2eV의 범위인 것이 특히 바람직하며, 음극에 가장 가까운 유기 발광층의 호스트 물질의 전자 친화력은 2.8 내지 3.1eV인 것이 수명을 길게 한다는 점에서 바람직하다. 또한 상기 호스트 물질의 이온화 포텐샬은 5.4 내지 6.0eV 인 것이 수명을 길게 한다는 점에서 바람직하다.
또한, 본발명에 있어서, 전자 친화력은 진공 준위와 호스트 물질의 전도 레벨의 에너지 차이에 상응하는 것이고, 이온화 포텔샬은 진공 준위와 호스트 물질의 가전자 레벨의 에너지 차이에 상응하는 것이다.
상술한 유기 호스트 물질은 예컨대 화학식 1로 표시되는 디스티릴아릴렌 유도체 중에서 선택될 수 있다:
상기 화학식 1에서, k,m 및 n은 각각 0 또는 1이며, 이때 (k+m+n)은 1이상이고, X 및 Y는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며, R1 ∼ R12, R3', R4', R9', R10', R3", R4", R9", R10"는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 20의 알킬기, 아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 시아노기, 니트로기, 수산기, 할로겐 원자 또는 하기 화학식 2이다:
상기에서, X 및 Y중의 탄소수 6 내지 20의 아릴기의 보기로서, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기, 안트라닐기, 페난트릴기, 피레닐기, 페리레닐기 등을 들 수 있다. 또한, 치환기로서는 예를들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, i-펜틸기, t-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, i-헥실기 등의 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부틸옥시기, i-부틸옥시기, sec-부틸옥시기, i-펜틸옥시기, t-펜틸옥시, n-헥실옥시기 등의 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 펜옥시기, 나프틸옥시기 등의 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 페닐기, 아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 시아노기, 니트로기, 수산기 혹은 플루오로, 염소, 브롬, 요오드 원자등의 할로겐 원자등을 들 수 있다. 이러한 치환기는 한 개 또는 다수의 치환이 가능하다.
상기에서, R1 ∼ R12, R3', R4', R9', R10', R3", R4", R9", R10"로 표시되는 탄소수 1 내지 6의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, i-펜틸기, t-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, i-헥실기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 내지 6의 알콕시로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부틸옥시기, i-부틸옥시기, sec-부틸옥시기, i-펜틸옥시기, t-펜틸옥시, n-헥실옥시기 등을 들 수 있다. 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기로서는 펜옥시기, 나프틸옥시기 등을 들 수 있고, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. 또한 아미노기는 -NH2로 표시되고, 알킬아미노기는 -NHR, -NR2(R은 탄소수 1 내지 6의 알킬기)로 표시되고, 아릴아미노기는 -NHAr, -NAr2(Ar은 탄소수 6 내지 20의 아릴기)로 표시된다.
또한, 할로겐 원자는 플루오로, 염소, 브롬, 요오드 원자 등이다.
일반적으로, 화학식 1에 있어서, k가 1이고, m 및 n이 0인 경우, R1 및 R2, R3 및 R4, R5 및 R6, R7 및 R8, R9 및 R10, R11 및 R12 중에서 적어도 하나는 서로 결합하여 포화 또는 불포화의 5원환 또는 6원환을 형성할 수 있다. 이러한 경우, 헤테로원자(N,O,S)를 개재하는 환을 형성할 수 있다. 이러한 것의 구체적인 보기로서 R1 및 R2, R9 및 R10, R5 및 R6가 각각 불포화 6원환을 형성하는 경우는 다음의 화학식 3의 화합물을 들 수 있다:
R7 및 R8가 헤테로 원자 O를 개재하여 포화 5원환을 형성하며, R11 및 R12가 헤테로 원자 N을 개재하여 포화 5원환을 형성하고, R3 및 R4, R9 및 R10가 포화 6원환을 형성하는 경우는 하기 화학식 4의 화합물을 들 수 있다:
또한 화학식 1에 있어서, k 및 m이 1이고, n이 0인 경우, 하기 화학식 5로 표시된다:
(상기 식에서, R1 ∼ R12, R3', R4', R9', R10'는 상기와 동일하다.)
R1 및 R2, R3 및 R4, R3' 및 R4', R5 및 R6, R7 및 R8, R9 및 R10, R9' 및 R10', R11 및 R12는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 5원환 또는 6원환을 형성하거나 또는 형성하지 않을 수 있다. 이러한 경우 헤테로원자(N,O,S)를 개재하는 환을 형성할 수 있다.
또한, R2 및 R3, R4 및 R3', R4'및 R5, R8 및 R9, R10 및 R9', R10' 및 R11는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 5원환 또는 6원환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있다. 이러한 경우 헤테로원자(N,O,S)를 개재하는 환을 형성할 수 있다.
이러한 것의 구체적인 보기로서, R2 및 R3, R10 및 R9', R4'및 R5 가 각각 포화 5원환을 형성하는 경우 그 보기로서 하기 화학식 6의 화합물을 들 수 있다:
R4 및 R3', R10 및 R9'가 포화 6원환을 형성하는 경우 하기 화학식 7의 화합물을 들 수 있다:
R10이 하기 화학식 8이고, R9'가 수소인 경우에서 5원환을 형성하는 경우는 하기 화학식 9의 화합물을 들 수 있다:
일반적으로, 화학식 1에 있어서, k, m 및 n이 1인 경우에는 하기 화학식 10으로 표시된다:
(상기에서, R1 ∼ R12, R3', R4', R9', R10', R3", R4", R9", R10"는 상기에서와 동일하다.)
R1 및 R2, R3 및 R4, R3' 및 R4', R3" 및 R4", R5 및 R6, R7 및 R8, R9 및 R10, R9' 및 R10', R9" 및 R10", R11 및 R12는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 5원환 또는 6원환을 형성하거나 또는 형성하지 않을 수 있다. 이러한 경우 헤테로원자(N,O,S)를 개재하여 환을 형성할 수 있다.
또한, R2 및 R3, R4 및 R3', R4' 및 R3", R4" 및 R5, R8 및 R9, R10 및 R9', R10' 및 R9", R10" 및 R11는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 5원환 또는 6원환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있다. 이러한 경우 헤테로원자(N,O,S)를 개재하여 환을 형성할 수 있다.
이러한 것의 보기로서, R8, R9, R10", R11가 화학식 11이고, 각각 불포화 6원환을 형성하고, R3', R4'가 헤테로 원자 N을 개재하여 포화 5원환을 형성하는 경우 하기 화학식 12를 그 보기로서 들 수 있다:
또한, X 및 Y는 치환기와 결합하여 치환 또는 비치환의 포화 5원환 또는 포화 6원환을 형성할 수 있다. 구체적으로, 포화 5원환 또는 6원환을 가진 스티릴화합물로서, X 및 Y이 포화 5원환을 형성하는 경우는 k 및 m는 1이고 n이 0인 경우의 하기 화학식 13의 화합물을 그 보기로서 들 수 있으며, X 및 Y가 포화 6원환을 형성하는 경우는 하기 화학식 14의 화합물을 들 수 있다:
본 발명에 있어서, 유기 발광층의 유리전이온도는 75℃이상인 것이 바람직하다. 또한 유기 호스트 화합물로서 중앙의 폴리페닐 주쇄가 전부 파라 위치에서 결합하는 화학식 15로 표시되는 화합물중에서 선택될 수 있다:
(상기식에서, R1 ∼ R12, R3', R4', R9', R10', R3", R4", R9", R10", X, Y, k, m 및 n은 상기에서와 동일하다.)
상기 화학식 1으로 표시되는 스티릴 화합물은 각종의 공지 방법에 의해 제조될 수 있다. 구체적으로 하기 3개의 방법을 들 수 있다.
[방법 1]
화학식 16으로 표시되는 포스폰산 에스테르와 화학식 17로 표시되는 카보닐 화합물을 염기의 존재하에서 축합시키는 방법(Wittig 반응 또는 Wittig-Horner 반응)에 의해 합성시킬 수 있다:
(상기에서, k, m 및 n은 각각 0 또는 1이고, 이때 k+m+n은 1보다 크다. 또한, R1 ∼ R12, R3', R4', R9', R10', R3", R4", R9", 및 R10"는 상기에서와 동일하며, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기이다.)
(상기에서 X 및 Y는 상기에서와 동일하다.)
[방법 2]
화학식 18로 표시되는 디알데히드 화합물과 화학식 19로 표시되는 포스폰산 에스테르를 염기의 존재하에서 축합시키는 방법(Wittig 반응 또는 Wittig-Horner 반응)에 의해 합성시킬 수 있다:
(상기에서, k, m 및 n은 각각 0 또는 1이고, 이때 k+m+n은 1보다 크다. 또한, R1 ∼ R12, R3', R4', R9', R10', R3", R4", R9", 및 R10"는 상기에서와 동일하다.)
(상기에서, X 및 Y는 상기에서와 동일하고, R은 화학식 16에서와 동일하다.)
상기 합성에서 사용하는 반응 용매로서는 탄화수소, 알콜류, 에테르류가 바람직하다. 구체적으로, 메탄올; 에탄올; 이소프로판올; 부탄올; 2-메톡시에탄올; 1,2-디메톡시에탄; 비스(2-메톡시에틸)에테르; 디옥산; 테트라히드로푸란; 톨루엔; 크실렌 등을 들 수 있다. 또한 디메틸술폭시드; N,N-디메틸포름아미드; N-메틸피롤리돈; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등이 바람직하게 사용된다. 특히, 테트라히드로푸란, 디메틸술폭시드가 바람직하다.
또한, 축합제로서 가성 소다, 가성 알칼리, 나트륨 아미드, 수소화 나트륨, n-부틸리튬, 또는 나트륨메틸레이트, 칼륨-t-부톡시드 등의 알콜레이트가 바람직하고, 특히 n-부틸리튬, 칼륨-t-부톡시드가 바람직하다.
반응 온도는 사용하는 반응원료의 종류에 따라 다르므로 일반적으로 정의할 수 없지만, 통상 0 내지 약 100℃를 선택할 수 있다. 특히 바람직한 온도 범위는 0℃ 내지 실온이다.
[방법 3]
화학식 20으로 표시되는 브롬 화합물을 Mg와 반응시켜 제조된 그리그나드 시약과 화학식 21로 표시되는 디브로모아릴렌을 금속촉매하에서 커플링시키는 그리그나드 반응에 의하여 합성시킬 수 있다:
(상기 식에서, X, Y, R1, R2, R7, R8, R5, R6, R11, R12"는 상기에서와 동일하다.)
(상기 식에서, k, m, 및 n은 각각 0 또는 1이며, 이때 k+m+n은 1보다 크며, 또한 R3, R4, R9, R10, R3', R4', R9', R10', R3", R4", R9", 및 R10"는 상기에서와 동일하다.)
커플링에 사용되는 전이금속착체 촉매로서는 니켈 촉매, 팔라듐 촉매가 바람직하고, NiCl2(dppp)(동경화성(東京化成)), [NiCl2(PPh3)2], PdCl2(dppf), Pd(PPh3)가 유용하다.
반응용매로서는 탈수된 디에틸에테르, THF, 디-n-프로필에테르, 디-n-부틸에테르, 디-i-프로필에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르(디글림), 디옥산, 디메톡시에탄(DME)이 사용될 수 있다.
바람직하기로는 디에틸에테르 또는 THF가 좋다. 본 발명에 사용되는 상기 스티릴 화합물의 구체예(1) 내지 (62)를 하기 화학식 22 내지 30으로 기재하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상술된 바와 같은 기능을 갖는다면 상기 디스티릴아릴렌 유도체에 한정되지 않으며, 다른 유기 호스트 물질을 사용할 수 있다. 그러나, 발광 효율면에서 디스티릴아릴렌 유도체를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 전체 유기 발광체에 대해 호스트 물질의 전자 친화력을 2.6eV 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이것은 유기 EL소자의 발광 효율을 높이기 위해서는 유기 발광층의 전자 도입을 방해하는 전자도입장벽(전자도입레벨과 유기발광층의 전도레벨의 에너지 차이)을 가능한 작게 하는 것이 효과적이기 때문이다.
일반적으로, 음극을 구성하는 금속의 일함수는 3.0eV 이상이고, 또한 전자 도입 운송층의 전도레벨도 3.0eV인 경우가 많다. 때문에, 유기 발광층중의 호스트 물질의 전자 친화력을 2.6eV 이상으로 함으로써 상기 전자도입장벽을 낮게 하고, 이에 의하여 유기 발광층에의 전자의 도입을 용이하게 하고, 발광 효율을 높일 수 있다. 이러한 이유 때문에, 전자 친화력이 2.6 내지 3.2eV의 범위인 호스트 물질을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 음극에 가장 가까운 유기 발광층의 호스트 물질의 전자 친화력이 2.8 내지 3.1eV의 범위인 것이 수명을 길게 하기 때문에 바람직하다.
또한, 유기 호스트 물질의 이온화 포텐샬이 5.4 내지 6.0eV의 범위인 것이 유기 발광층에의 정공의 도입을 용이하게 하고, 무리한 전압이 걸리지 않기 때문에 수명을 길게 한다는 점에서 바람직하다.
본 발명의 유기 EL소자에 있어서, 상기 유기 발광층중의 호스트 물질의 전자 친화력이 2.6eV 이상인 것이 바람직하지만, 각 유기 발광층에의 전자 도입성을 더욱 개선하여 발광 효율을 높이기 위해서 호스트 물질의 전자 친화력이 양극으로부터 음극쪽으로 갈수록 크게 되도록 배치하는 것이 바람직하다(수학식 2 참조).
상기 배치에 있어서, 구체적으로 예를들면 양극에 인접한 발광층(제 1 발광층)의 호스트 물질로서 전자 친화력이 2.7eV인 9,10-디[4-(2,2'-디페닐비닐-1-일)페닐]안트라센(이하, DPVDPAN 이라고 약술함, 구조식은 상기 화학식 22의 (2))을 사용하고, 이것의 발광층에 인접한 발광층(제 2 발광층)의 호스트 물질로서는 전자 친화력이 2.82eV인 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)-2',7'-디페닐-4',5',9',10'-테트라히드로피렌(이하, DPVDPTHPy로 약술함, 구조식은 상기 화학식 27의 (40)) 및 전자 친화력이 2.80eV인 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)-터페닐렌(이하, DPVTP로 약칭함)을 사용하는 구성을 들 수 있다.
유기 발광층에의 전자 도입성을 더욱 개선하여 발광 효율을 상승시키기 위한 상술한 배치에 있어서, 인접하는 호스트 물질의 전자 친화력의 차이를 0.2eV 이하로 하는 것이 바람직하다. 이러한 배치로서는 구체적으로 예를들면 상기 열거한 것을 들 수 있다.
이하, 본 발명의 유기 발광층을 구성하는 호스트 물질간의 이온화 포텐샬의 관계에 대하여 설명한다. 일반적으로, 유기물에서는 정공쪽이 전자보다 이동도가높기 때문에 유기 발광층내에서 전자와 재결합하지 않은 정공은 상술한 바와 같이 음극으로 투과하고 발광에 기여하지 않는다. 이 때문에, 발광 효율을 상승시키려면 정공을 가능한한 유기 발광층내에 두어서 전자와 정공의 재결합 확률을 높일 필요가 있다. 이를 위하여 정공이 양극에서부터 음극으로 이동할 때 에너지 장벽을 만드는 것이 효과적이다.
따라서, 본 발명의 바람직한 양태에서는 유기 발광층 내의 호스트 물질의 이온화 포텐샬이 양극쪽에 근접하는 층에서부터 음극쪽으로 갈수록 크게 되게 배치한다.
이러한 배치에서 있어서 이온화 포텐샬이 다른 호스트 물질을 사용해도 좋으며, 이러한 것의 예로서는 양극에 인접한 발광층(제 1 발광층)의 호스트 물질로 이온화 포텐샬이 5.60eV인 DPVDPAN을 사용하고, 그의 발광층에 인접하는 발광층(제 2 발광층)의 호스트 물질로 이온화 포텐샬이 5.86eV인 DPVDPTHPy 및 이온화 포텐샬이 5.96eV인 DPVTP를 사용하는 구성을 들 수 있다.
유기 EL소자의 발광 효율을 상승시키려면 호스트 물질의 이온화 포텐샬을 상기와 같이 배치하면 좋지만, 상기에서와 같은 배치에 있어서 인접하는 호스트 물질의 이온화 포텐샬의 차이가 0.2eV 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기와 같이 배치함으로써 정공이 유기 발광층내에 놓일 확률이 더욱 높아지고 발광 효율이 더욱 향상된다. 이러한 배치로서는 상술한 바와 같은 호스트 물질의 배치를 들 수 있다.
이하, 도면을 참고로 하여 각각의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 바람직한 에너지 레벨의 관계에 대하여 설명한다.
일반적으로, 유기 EL소자는 유기 발광층에의 캐리어(정공과 전자)의 도입, 이송, 재결합, 형광 발생과 같은 일련의 과정을 거쳐 발광에 이른다. 도 1은 유기 발광층이 한 층으로 된 종래의 유기 EL소자의 에너지 레벨의 위치관계를 도시하고 있다. 도 1에 있어서(도 2 , 도 3에서도 동일하다), 전자도입레벨(1)은, 유기 발광층에 인접하는 층이 전자 운송층의 경우는 전자 운송층의 전도레벨을 의미하고, 유기 발광층에 직접 음극이 인접하는 경우는 음극을 구성하는 금속의 페르미 레벨에 대응한다. 한편, 정공도입레벨(2)는, 유기 발광층에 인접하는 층이 정공 운송층의 경우는 정공 운송층의 가전자 레벨을 의미하고, 유기 발광층에 직접 양극이 접하는 경우는 양극을 구성하는 금속의 페르미 레벨에 대응한다.
도시되어 있지 않은 양극, 음극 사이에 전압을 인가함으로써 전자도입레벨(1)에서부터 전자발광층의 전도레벨(3)로 전자가 도입되고, 한편 정공도입레벨(2)에서부터는 유기발광층의 가전자 레벨(4)로 정공이 도입된다. 유기 발광층에 도입시킨 전자와 정공은 유기 발광층내에서 재결합하고, 생성된 여기상태보다 호스트 물질이 발광한다. 이러한 경우에 있어서, 유기 발광층내에 형광성 물질이 도핑되어 있는 경우는 전자와 정공의 재결합에 의하여 생성된 호스트 물질의 여기상태로부터 도판트의 여기상태로 에너지 이동이 일어나서 도판트가 발광한다. 유기 호스트 물질과 형광성 물질로 구성된 유기 발광층을 2층 이상 함유한 소자의 경우, 유기 발광층에 도입시킨 정공과 전자의 균등이 보다 양호하게 되고, 결과적으로 소자의 발광 효율 및 수명이 개선된다.
도 2는 본 발명의 유기 EL소자의 유기 발광층에서의 바람직한 에너지 레벨의 위치관계의 한 양태를 도시한 것이다. 도 2에서는 양극 및 정공 운송층 등에 인접하는 유기 발광층으로서 제 1 발광층을, 음극 및 전자 운송층 등에 인접하는 유기 발광층으로서 제 2 발광층을 설치하고 있다. 도 2에 있어서(제 3도에서도 동일함), 진공준위와 전도 레벨(31)(제 1 발광층의 전도 레벨)과의 에너지 레벨 차이, 또는 진공 준위와 전도 레벨(32)(제 2 발광층의 전도 레벨)과의 에너지 레벨 차이가 전자 친화력에 상당한다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 전자 친화력이 큰 호스트 물질을 사용함으로써 유기 발광층에의 전자 도입 장벽(52)이 적어지고 발광층에의 전자 도입이 용이하게 되어 발광 효율이 향상된다. 또한, 제 2 발광층의 전자 친화력 보다도 제 1 발광층의 전자 친화력이 낮은 구성을 사용함으로써 제 2 발광층에의 전자 도입이 용이한 것을 도 2에서부터 볼 수 있다. 또한, 제 1 발광층과 제 2 발광층 사이의 전자 친화력의 차이를 작게 함으로써 제 2 발광층에서부터 제 1 발광층으로의 전자 도입 장벽(51)이 작게 되고, 제 1 발광층에의 전자 도입이 용이하게 되어 발광 효율이 향상된다. 이러한 이유 때문에 본 발명에서는, 전체 유기 발광층을 구성하는 호스트 물질의 전자 친화력을 2.6eV 이상으로 하는 양태, 양극측에서부터 음극측으로 이동함에 따라서 각 호스트 물질의 친화력이 높아지도록 배열하는 양태, 그리고 각 호스트 물질의 전자 친화력의 차이를 0.2eV 이하로 하는 양태가 바람직하다.
한편, 본 발명에 있어서, 각 유기 발광층을 구성하는 호스트 물질 사이의 이온화 포텐샬에 대해서, 양극측에서부터 음극측으로 이동함에 따라 상기 호스트 물질의 이온화 포텐샬이 높아지도록 배열하는 것이 바람직한 양태이다. 그것은 도 2에 도시된 바와 같이, 정공도입레벨(2), 제 1 발광층의 가전자 레벨(41) 및 제 2 발광층의 가전자 레벨(42)의 순서로 에너지 레벨을 저하시킴으로써(즉, 이온화 포텐샬을 높임으로써) 각 발광층에 도입시킨 정공이 그대로 음극을 통과하지 않도록 발광층에 정공을 놓고 발광층 내에서 전자와 재결합되는 것이 가능하기 때문이다. 특히, 정공 도입 장벽(62)에 상당하는 이온화 포텐샬의 차이를 0.2eV 이상으로 하는 것으로 제 1 발광층내에 효율적으로 정공을 놓는 것이 가능하며, 발광 효율을 향상시키는 것이 가능하다.
도 3은 본 발명의 유기 EL소자의 유기 발광층에서의 바람직한 에너지 레벨의 위치 관계의 한 양태를 도시한 것이다. 도 2 및 도 3은 이온화 포텐샬에 대하여 같은 양태에 있다. 그러나, 제 1 발광층과 제 2 발광층과의 전자 친화력의 관계는 다르다. 도 3의 경우, 제 2 발광층의 전자 친화력은 제 1 발광층보다도 낮다. 이 때문에 제 2 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 전자 친화력을 2.6eV보다 크게 하는 것은 어렵고, 전자 도입장벽(52)이 도 2의 경우보다 클 가능성이 높다. 이러한 경우, 도 2에서와 같은 정도로 전자 도입성이 개선되지 않는다. 따라서, 본 발명에서는 도 3보다 도 2의 구성이 바람직하다.
한편, 유기 발광층을 구성하는 또 다른 성분인 형광성 물질은, 유기 EL소자의 효율 및 수명을 향상시키기 위하여 유기 발광층에 첨가(도핑)된다.
유기 발광층에서, 전자와 정공의 재결합에 의하여 생성된 호스트 물질의 여기 상태로부터 형광성 물질의 여기 상태로 에너지가 이동하는 것에 의하여 형광성 물질이 발광한다.
상기 형광성 물질은, 정공과 전자의 재결합에 응하여 발광할 수 있다면 특별히 한정되지 않는다. 예를들면 공지의 형광색소 등을 사용하는 것도 가능하지만 그의 에너지 갭(가전자 레벨과 전도 레벨의 에너지 차)이 유기 호스트 물질의 에너지 갭보다 작은 것을 선택하는 것이 중요하다. 그것은 유기 호스트 물질의 여기 상태로부터 형광성 물질(도판트)의 여기 상태로 효율적인 에너지 이동이 발생하기 때문이다.
상술한 바와 같은 형광성 물질로서는, 예를들면 스틸벤 유도체, 트리스티릴아릴렌 유도체, 디스티릴아릴렌 유도체등을 들 수 있다. 이중에서도 디스티릴아릴렌 유도체를 바람직하게 사용할 수 있으며, 이러한 유도체의 보기로는 디페닐아미노비닐아릴렌를 들 수 있다. 본 발명에서 상기 형광성 물질은 1종 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋지만, 동일종 또는 동일색을 사용할 필요가 있다.
각각의 유기 발광층에서, 유기 호스트 물질과 형광성 물질과의 구성 비율은 발광 효율 및 소자의 수명을 고려하여 적절하게 선택할 수 있지만, 바람직하게는 유기 호스트 물질과 형광성 물질의 중량비가 100 : 1 내지 10 : 1이 되게 첨가하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 2층 이상의 유기 발광층을 필요로 하고, 전체의 유기 발광층에 동일종 또는 동일색의 형광성 물질을 도핑할 필요가 있다. 일반적으로 소자를 구동시키는 경우, 열화의 패턴은 각 유기 발광층의 성상에 크게 의존한다. 따라서, 발광색 또는 발광 종류가 다른 형광성 물질을 도핑하는 경우, 소자의 휘도의 저하가 발광층에 따라 다르기 때문에 소자의 구동과 발광색이 시간에 따라 열화되는 문제가 발생한다. 이 때문에 발광색이 동일색인 형광성 물질 또는 동일종의 형광성 물질을 도핑할 필요가 있다.
여기에서, 동일종은 예를들면 로다민 6G와 로다민 19과 같은 기본 구조가 같은 화합물이고, 동일 색은 발광색이 삼원색으로 구분될 때 동일한 색으로 분류되는 색이다.
본 발명에서는 전체의 유기 발광층에 형광성 물질을 도핑할 필요가 있다. 이것은 도핑되어 있지 않은 유기 발광층이 한 층이라도 있으면, 그 층의 발광 효율이 저하되고, 따라서 소자 전체의 발광 효율이 저하되기 때문이다. 또한, 도핑되어 있지 않은 유기 발광층은 구동 열화가 신속하기 때문에 그 층의 열화를 시발점으로 하여 유기 EL소자 전체의 열화가 빠르게 진행될 수 있다.
본 발명의 유기 EL소자의 층구성에는 특별한 제한은 없으며, 각종의 양태가 있지만 기본적으로 한 개씩의 전극(양극 및 음극) 사이에 2층 이상의 상기 유기 발광층을 협지하는 구성으로 하고, 필요에 따라 유기 화합물층으로서 정공 도입 운송층 및 전자 도입층을 개재시키는 것이 좋다. 투명 기판위에 형성시킨 유기 EL소자의 층구성의 예로서 하기와 같은 것이 있다:
1) 양극/유기 발광층 (2층 이상)/음극
2) 양극/정공 도입층/유기 발광층(2층 이상)/음극
3) 양극/유기 발광층(2층 이상)/전자 도입층/음극
4) 양극/정공 도입층/유기 발광층(2층 이상)/전자 도입층/음극
5) 양극/정공 도입층/정공 운송층/유기 발광층(2층 이상)/전자 도입층/음극
상기 구성에 있어서, 정공 도입층, 정공 운송층, 전자 도입층 등의 유기 화합물층은 후술하는 기능을 갖는 것이라면 특별한 제한은 없다. 또한, 상기 구성에서 투명한 기판위에 양극측으로부터 적층시킨 소자를 제조하는 것도, 음극측으로부터 적층시켜 제조하는 것도 가능하다. 또한, 양극 및/또는 음극에 투명성 재료를 사용함으로써 투명 기판의 반대측에서부터 빛을 방출시킬 수도 있다.
본 발명의 유기 EL소자에 있어서, 필요에 따라 설치된 정공 도입 운송층은 양극에서 정공을 도입하여 발광층에 전달하는 기능을 갖는다. 이 때문에 이 층에전자가 도입되는 것은 고려되지 않으며, 또한 그의 도입은 어렵다. 따라서, 상기 층에 형광성 물질을 도핑하더라도 발광 효율은 극히 낮아지고, 발광 효율에 대한 소자의 기여는 극히 작다.
정공을 전달하는 기능으로서 104 내지 106V/cm의 전계인가시에 10-6㎠/V.s이상의 정공 이동도를 갖는 것이 적당하다. 또한, 필요에 따라 정공 도입층과 정공운송층을 중복시키는 것도 가능하다.
이러한 정공 도입 운송층에 사용하는 재료로서는 예를들면 화학식 31로 표시되는 화합물을 들 수 있다:
상기 화학식 31에있어서, Q1 및 Q2는 각각의 질소 원자 및 적어도 3개의 탄소환(이것중 적어도 1개는 페닐기 등과 같은 방향족 환이다)을 갖는 기를 표시하고, 이것들은 동일하거나 상이해도 좋으며, G는 시클로알킬렌기, 아릴렌기 또는 탄소-탄소결합으로된 결합기를 표시한다.
본 발명에 있어서, 정공 도입 운송층의 재료로서는, 화학식 31로 표시된 화합물에서 3개 이상 직쇄상 또는 분지쇄상에 아릴아민을 결합시킨 올리고머아민 중에서 선택하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 화합물로서 예를들면 화학식 32로 표시되는 화합물을 들 수 있고, 그의 구체적인 보기로서는 하기에 열거된 화학식 33의 화합물들을 들 수 있다.
(식중, R13 내지 R17은 각각 알킬기, 알콕시기 또는 페닐기를 표시하며, 이러한 것들은 동일하거나 다를 수 있다. 또한 치환기가 페닐기인 경우 치환된 기와 축합하여 나프틸기를 형성해도 좋다)
이러한 것들을 1종 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
또한, 본 발명의 유기 EL소자에 있어서, 필요에 따라 설치된 전자 도입층(전자 도입 운송층)은 음극에서 도입된 전자층을 유기 발광층에 전달하는 기능을 갖으며, 이러한 재료로서 종래 공지의 전자 전달 화합물중에서 임의적으로 선택할 수 있다. 이러한 전자 도입층에 사용되는 재료로서는 예를들면 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 또는 옥사디아졸 유도체 등이 바람직하다.
상기 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체의 예로서는 옥심(일반적으로는 8-퀴놀리놀 또는 8-히드록시퀴놀린)의 킬레이트를 함유하는 금속킬레이트옥사노이드 화합물등을 들 수 있다.
이러한 화합물은 1종을 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
또한, 상기 구성의 소자에 있어서, 임의의 기판에 지지되어 있는 것이 바람직하지만 상기 기판에 대해서는 특별한 제한은 없으며, 종래 유기 EL소자에 관용적으로 사용하는 것, 예를들면 유리 및 투명 플라스틱으로 이루어진 것이 사용될 수 있다.
상기 유기 EL소자에 있어서, 양극은 소자중에 정공을 도입하기 위한 전극이며, 상기 양극으로서 일함수가 큰(4eV 이상) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 및 이것의 혼합물을 전극물질로 한 것이 바람직하게 사용된다. 이러한 전극물질의 구체적인 예로서는 Au등의 금속, CuI, ITO(인듐 주석옥시드), SnO2, ZnO등의 전도성 투명재료를 들 수 있다. 이러한 양극은 예를들면 상기 전극물질을 진공증착 및 스퍼터링하는 방법에 의하여 박막을 형성시켜 제조하는 것이 가능하다. 상기 전극에서 발광을 방출하는 경우에는 발광에 대하여 투과율을 10%보다 크게 하는 것이 바람직하며, 또한 시트 저항은 수백Ω/□이하가 바람직하다.
또한, 막의 두께는 재료에 따라 통상 10㎚ 내지 1㎛, 바람직하게는 50 내지 20㎚의 범위가 선택된다.
한편, 음극은 소자중에 전자를 도입하기 위한 전극이며, 이러한 음극으로서 일함수가 작은(4eV 이하) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 및 그의 혼합물을 전극물질로 사용한 것이 사용된다. 이러한 전극물질의 구체적인 예로서는 나트륨, 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘, 리튬, 마그네슘/구리 혼합물, 마그네슘/은 합금, 알루미늄-리튬 합금, Al/Al2O3 혼합물, 인디움, 희토류 금속등을 들 수 있다. 상기 음극은 예를들면 상기 전극물질을 진공증착 및 스퍼터링 등의 방법에 의하여 박막을 형성시켜 제조할 수 있다. 상기 전극에서 발광을 방출하는 경우 발광에 대한 투과율을 10%보다 크게 하는 것이 바람직하며, 또한 전극으로서의 시트 저항은 100Ω/?이하가 바람직하다. 또한, 막의 두께는 재료에 따라 통상 10㎚ 내지 1㎛, 바람직하게는 50 내지 20㎚의 범위가 선택된다.
하기, 본 발명의 유기 EL소자를 제조하는 바람직한 예를 설명한다. 또한, 적당한 기판위에 소망의 전극 물질, 예를들면 양극용 물질로 된 박막을 10㎚ 내지 1㎛, 바람직하게는 50 내지 20㎚의 범위의 막의 두께로 증착 및 스퍼터링등의 방법에 의해 형성시켜 양극을 제조한다. 그 다음에 이것위에 소자재료로 된 정공 도입층, 정공 운송층, 2층 이상의 유기 발광층, 전자 도입층의 재료로 된 박막을 형성시킨다.
상기 박막의 제조 방법으로서, 스핀코팅법, 캐스트법, 증착법등이 있지만, 균질한 박막을 얻기가 쉽고, 또한 핀볼이 생성되기 어렵다는 점 때문에 진공증착법이 바람직하다. 상기 박막화에 상기 증착법을 사용하는 경우 그의 증착 조건은 사용하는 화합물의 종류, 분자 퇴적막의 목적으로 하는 결정 구조, 회합구조 등에 따라 다르지만 일반적으로 보트 가열온도 50 내지 400℃, 진공도 10-6 내지 10-3의 Pa, 증착 속도 0.01 내지 50㎚/초, 기판온도 -50 내지 300℃, 막 두게 5㎚ 내지 5㎛의 범위로 적절하게 선택하는 것이 바람직하다.
유기 발광층에 형광성 물질을 도핑하는 방법으로서 예를들면 유기 호스트 물질과의 공증착법을 들 수 있다. 구체적으로는 진공증착 장치내에 2개의 저항 가열 보트를 사용하여 한쪽에서는 유기 호스트 물질을 주입하고, 다른 쪽에서는 도판트 등으로 된 형광성 물질을 주입하여 2개의 보트를 동시에 가열하고 이러한 물질을 동시에 증착시키는 방법에 의하여 형광성 물질을 도핑할 수 있다.
이러한 층의 형성후, 이것위에 음극용 물질로 된 박막을 10㎚ 내지 1㎛, 바람직하게는 50 내지 200㎚범위의 막의 두께가 되도록 예를들면 증착 및 스퍼터링등의 방법에 의해 형성시키고, 음극을 설치하여 소망의 유기 EL소자를 수득한다. 또한, 상기 EL소자의 제조에 있어서 제조순서를 역으로 하여 기판위에 음극을 설치한후, 상기 층들을 역순으로 적층시켜 제작하는 것도 가능하다.
이렇게 하여 수득된 유기 EL소자에 직류전압을 인가하는 경우 양극을 +, 음극을 -의 극으로 하여 3 내지 40V의 전압이 인가되면, 발광이 관측된다. 또한, 역의 극성으로 전압을 인가하더라도 전류는 흐르지 않고 발광은 전혀 발생하지 않는다. 또한, 교류전압을 인가하는 경우 정극이 "+", 부극이 "-"의 상태로 되는 경우에 발광한다. 또한, 인가하는 교류의 파형은 어느 것이라도 좋다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명하지만 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않는다.
실시예 1
(1) 유기 EL소자의 제조
25㎜ X 75㎜ X 1.1㎜크기의 유리기판위에 ITO전극을 120㎚의 두께로 적층시킨 것을 투명지지 기판으로 하였다. 이것을 이소프로필알콜로 5분간 초음파 세정한후 순수한 물로 5분간 세정하고, 마지막으로 다시 이소프로필알콜로 5분간 초음파세정하였다. 그후, 건조 질소를 흡입시켜 기판표면에서부터 이소프로필알콜을 제거한후 자외선/오존세정을 행하였다.
상기 투명 지지기판을 시판의 진공흡착장치(일본진공기술(日本眞空技術)(株) 製)의 기판홀더에 고정하고, 몰리브덴제의 저항가열보트 6개를 사용하여 각각에 4,4'-비스[N,N-디-(m-트릴)아미노]-4"-페닐-트리페닐아미노(이하, TPD 74로 약술) 500㎎, 4,4'-비스[N-페닐-N-(1-나프틸)-4-아미노페닐]트리페닐아미노(이하, TPD 78로 약술함) 500㎎, 9,10-디[4-(2,2'-디페닐비닐-1-일)페닐]안트라센(DPVDPAN. 구조식은 상기 화학식 22의 (2)) 100㎎, 4,4'-비스[2-(4-(N,N-디페닐아미노페닐)비닐]비페닐(이하, DPAVBi로 약술함) 100㎎, 4,4"'-비스(2,2-디페닐비닐)-(2',2"-디페닐쿼터페닐)(이하, DPVDPQP로 약술함, 구조식은 화학식 26의 (31)) 100㎎ 및 트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄(이하, Alq 로 약술함) 100㎎을 주입하였다.
진공챔버내를 1 x 10-4Pa 까지 감압한 후에 우선 TPD 74이 들어 있는 보트를 가열하고 TPD 74를 상술한 투명지지 기판상에 적층시키고, 60㎚ 막두께의 정공 도입층을 성막(成膜)하였다. 그후, TPD 78이 들어 있는 보트를 가열하고 TPD 78을 증발시키고, 막의 두께가 20㎚인 정공 운송층을 성막하였다. 이어서, DPVDPAN이 들어 있는 보트와 DPAVBi가 들어 있는 보트를 동시에 가열하고, DPVDPAN 및 DPAVBi를 증발시키고 정공 운송층위에 제 1 발광층으로서 20㎚ 적층증착시켰다. 제 1 발광층에서의 DPVDPAN와 DPAVBi의 비중비는 40 : 1 이었다. 이후, DPVDPQP가 들어 있는 보트와 DPAVBi가 들어 있는 보트를 동시에 가열하고 DPVDPQP와 DPAVBi를 증발시키고 정공 운송층위에 제 2 발광층으로서 20㎚ 적층증착시켰다. 또한, 제 2 발광층에서 DPVDPQP와 DPAVBi의 중량비는 40 : 1 이었다. 마지막으로 Alq가 들어 있는 보트를 동시에 가열하고 Alq를 제 2 발광층위에 적층시키고 막의 두께가 20㎚인 전자 도입층을 성막하였다.
그후, 이것을 진공조에서부터 꺼내고, 상기 전자 도입층위에 스테인레스 강철제의 마스크를 설치하고 다시 기판홀더에 고정시켰다. 그 다음, 알루미늄과 리튬으로 된 리튬농도가 5원자%인 합금모재를 음극형성용의 증착재료로서 사용하고 증착시의 진공도가 1 x 10-4 Pa이고, 증착속도가 0.5 내지 1.0㎚/초의 조건으로 증착시키고 막의 두께가 150㎚인 음극으로 성막하였다.
상기 방법에 의해 DPVDPAN중에 형광성 물질로서 DPAVBi를 도핑시킨 제 1 발광층과 DPVDPQP중에 형광성 물질로서 DPAVBi를 도핑시킨 제 2 발광층이 정공 운송층과 전자 도입층을 매개로 하여 양극과 음극에 협지된 유기 EL소자를 만들었다.
(2) 유기 EL소자의 발광 시험
얻어진 소자에 ITO 전극을 양으로, Al-Li합금 전극을 음으로 하여 6V의 직류전압을 인가시켜 균일한 청색 발광을 얻었다.
초기성능은 인가인압 6V, 전류밀도 1.9mA/㎠, 휘도 101칸델라(cd)/㎡이었고, 발광 효율은 4.7cd/A로 높은 효율이었다. 또한, 목시(目視) 및 휘도계(미놀타사제, CS-100)으로 관측할때 발광면내에 무발광점은 확인되지 않았으며 발광의 균일성은 우수하였다.
또한, 상기 소자를 초기 휘도 100cd/㎡으로 질소기류하에서 일정한 전류로 구동시키면 휘도가 50cd/㎡가 되기까지의 반감기는 6700시간이었다. 또한, 발광색의 변화도 없는 것이 확인되었다.
실시예 2
제 2 발광층의 호스트 물질으로서 DPVDPQP에 대하여 4,4'-비스(2,2-디디페닐비닐)-2',7'-디페닐-4',5',9',10'-테트라히드로피렌(DPVDPTHPy. 구조식은 상기 화학식 27의 (40))를 사용하는 이외에 실시예 1과 동일한 방법에 따라 유기 EL소자를 제조하였다. 그리고, 실시예 1과 동일한 방법으로 시험을 행하여 균일한 청색 발광을 수득하였다. 또한, 발광면내에 무발광점이 보이지 않았으며 수명시험 후에도 발광색의 변화는 없었다. 발광 효율 및 수명에 있어서의 결과를 표 1에 기재했다.
실시예 3
제 2 발광층의 호스트 물질으로서 DPVDPQP에 대하여 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)-터페닐렌(DPVTP)를 사용하는 이외에 실시예 1과 동일한 방법에 따라 유기 EL소자를 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 발광시험을 행하여 균일한 청색 발광을 수득하였다. 또한, 발광면내에 무발광점은 보이지 않았지만 수명시험 후에도 발광색의 변화는 없었디. 발광 효율 및 수명에 대한 결과를 표 1에 기재하였다.
비교예 1
제 2 발광층의 제조시 DPAVBi(형광성 물질)을 사용하지 않는 것 이외에 실시예 1과 동일한 방법에 따라 유기 EL소자를 제작하고, 동일한 방법으로 발광시험을 수행하였다. 결과를 표 1에 기재하였다.
비교예 2
실시예 1에 있어서 DPVDPAN를 사용하고 막의 두께가 40㎚인 1층의 유기 발광층을 형성시키는(제 2 발광층은 형성되지 않음) 이외에 실시예 1과 모두 동일한 방법으로 유기 EL소자를 제조하고, 동일한 방법으로 발광시험을 수행하였다. 또한, 유기 발광층에 있어서 DPVDPAN와 DPAVBi의 중량비는 실시예 1과 동일하게 40 : 1이었다. 결과를 표 1에 기재하였다.
비교예 3
비교예 2에 있어서, TPD 78을 증착시킬 때에 DPAVBi가 들어 있는 보트를 동시에 가열하고 DPAVBi를 도핑시킨 막의 두께가 20㎚인 정공 운송층을 형성시키는 이외에 실시예 2와 모두 동일하게 하여 유기 EL소자를 제조하고 동일한 방법으로 발광시험을 하였다. 또한, 정공 운송층에 있어서 TPD 78과 DPAVBi의 중량비는 40 : 1이었다. 결과를 표 1에 기재하였다.
비교예 4
실시예 1에 있어서, 하기 화학식 34의 1,3,5-트리스[4'-{5-(p-시아노페닐)옥사졸릴}페닐]벤젠(TOP)를 사용하고 막의 두께가 40㎚인 1층의 유기 발광층을 형성시키는(제 2 발광층은 형성되지 않음) 이외에 실시예 1과 모두 동일하게 하여 유기 EL소자를 제조하고, 동일한 방법으로 발광 시험을 실시하였다. 또한, 유기 발광층에 있어서, TOD와 DPAVBi의 중량비는 실시예 1과 동일하게 40 : 1 이었다. 결과를 표 1에 기재하였다.
또한, 실시예, 비교예에서 사용된 유기 발광층을 구성하는 호스트 물질의 전자 친화력 및 이온화 포텐샬을 표 2에 기재하였다.
표 1 및 표 2에서 발광층이 1층으로 되어 있는 비교예 2 내지 4를 비교해 볼 때 실시예 1 내지 3에서는 동등 이상의 발광 효율이 달성되며, 또한 수명이 크게 길어진다는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 비교예 3에서와 같이 정공 운송층에 형광성 물질을 도핑하더라도 비교예 2와 동일한 정도의 성능이 얻어지지 않으며 정공 운송층에의 형광성 물질의 도핑만으로는 높은 효율 및 수명이 긴 유기 EL소자를 제조할 수 없다는 것이 확인되었다.
또한, 제 2 발광층에 형광성 물질을 도핑하지 않는 비교예 1과 실시예 1을 비교해 보면 전자가 형광성 효율이 낮고, 수명도 짧다. 이러한 것으로부터 전체의 발광층에의 동일한 색 및 동일한 종의 형광성 물질의 도핑이 발광 효율을 향상시키고 수명도 길게 하는데에 기여할 수 있다는 것이 확인되었다.
그러므로 각각의 실시예의 성능이 비교예보다 우세한 것은 상술한 바와 같으며, 또한 실시예들을 비교해 볼 때 실시예 1보다도 실시예 2 및 3이 더욱 우수하다는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예 2 및 3에서는 제 2 발광층을 구성하는 호스트 물질이 전자 친화력이 큼에 비하여, 실시예 1에서는 제 1 발광층을 구성하는 호스트 물질이 전자 친화력이 크다는 것을 알 수 있다. 때문에, 실시예 2 및 3에서는 유기 발광층에의 전자 도입성이 보다 개선되고, 발광 효율이 보다 향상되는 것을 볼 수 있다. 또한, 유기 발광층에의 전자 도입성이 보다 개선되고 유기 발광층내의 정공과 전자의 존재량이 보다 균일하며, 보다 원활한 에너지 이동이 이루어지기 때문에 더욱 긴 수명이 실현될 수 있음을 알 수 있다.
본 발명의 유기 EL소자는 수명이 길고, 또한 발광 효율이 큰 유기 EL소자이며, 각종의 표시장치의 발광소자로서 바람직하게 사용할 수 있다.
도 1은 유기 전자발광 소자의 발광층 근처에서의 에너지 레벨의 위치관계를 표시하는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 유기 전자발광 소자의 발광층 근처에서의 에너지 레벨의 위치관계의 특별히 바람직한 양태를 보여주는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 유기 전자발광 소자의 발광층 근처에서의 에너지 레벨의 위치관계의 바람직한 양태를 표시하는 개략도이다.
도면 부호의 간단한 설명
1: 전자 도입 레벨
2: 정공(正孔) 도입 레벨
3: 전도 레벨
4: 가전자 레벨
31: 제 1 발광층의 전도 레벨
32: 제 2 발광층의 전도 레벨
41: 제 1 발광층의 가전자 레벨
42: 제 2 발광층의 가전자 레벨
51: 제 1 발광층과 제 2 발광층의 전자 친화력의 차이
52: 제 2 발광층의 전자 친화력과 전자 도입 레벨의 차이
61: 제 1 발광층의 이온화 포텐샬과 정공 도입 레벨의 차이
62: 제 1 발광층과 제 2 발광층의 이온화 포텐샬의 차이
Claims (6)
- 적어도 유기 발광층을 함유하는 유기 화합물 층이 양극 및 음극으로 이루어진 한쌍의 전극에 협지(挾持)되어 있는 유기 전자 발광 소자에 있어서, 상기 유기 발광층이 2이상의 층으로 되어 있으면서, 유기 발광층을 구성하는 물질로서 동일종 또는 동일색의 형광성 물질을 모든 유기 발광층에 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,각각의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 전자 친화력이 모두 2.6eV 이상인 유기 전자 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,각각의 유기 발광층을 구성하는 호스트 물질의 이온화 포텐샬의 관계가 하기 수학식 1로 표시되는 관계를 갖는 유기 전자 발광 소자.수학식 1(상기 식에서, Ip(1)는 양극측에서부터 세어서 첫 번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 이온화 포텐샬이고, Ip(2)는 양극측에서부터 세어서 두 번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 이온화 포텐샬이고, Ip(n)은 양극측에서부터 세어서 n번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 이온화 포텐샬이다.)
- 제 1 항 또는 제 2 항중 어느 한항에 있어서,각각의 유기 발광층을 구성하는 호스트 물질의 전자 친화력의 관계가 하기 수학식 2로 표시되는 관계를 이루는 유기 전자 발광 소자.수학식 2(상기 식에 있어서, Ea(1)는 양극측에서부터 세어서 첫 번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 전자 친화력이고, Ea(2)는 양극측에서부터 세어서 두 번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 전자 친화력이고, Ea(n)는 양극측에서부터 세어서 n번째의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질의 전자 친화력이다.)
- 제 1 항 또는 제 2 항중 어느 한항에 있어서,인접하는 유기 발광층에서, 각각의 유기 발광층을 구성하는 유기 호스트 물질간의 이온화 포텐샬의 차이가 0.2eV 이상인 유기 전자 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항중 어느 한항에 있어서,인접하는 유기 발광층에서, 각각의 유기 발광층을 구성하는 호스트 물질간의 전자 친화력의 차이가 0.2eV 이하인 유기 전자 발광 소자.
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Families Citing this family (42)
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|---|---|---|---|---|
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| KR100274871B1 (ko) * | 1998-11-12 | 2000-12-15 | 김순택 | 발광 화합물 및 이를 발색 재료로서 채용하고 있는 표시소자2 |
| JP2000164359A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3983405B2 (ja) * | 1999-01-19 | 2007-09-26 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| DE19916745A1 (de) * | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Mannesmann Vdo Ag | Lichtemittierende Diode mit organischen lichtemittierenden Stoffen zur Erzeugung von Licht mit Mischfarben |
| US6521360B2 (en) * | 1999-06-08 | 2003-02-18 | City University Of Hong Kong | White and colored organic electroluminescent devices using single emitting material by novel color change technique |
| JP3650552B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2005-05-18 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いたパネル |
| KR100790663B1 (ko) * | 1999-09-21 | 2008-01-03 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전자발광 소자 및 유기 발광 매체 |
| WO2001058222A1 (en) * | 2000-02-02 | 2001-08-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent element and method of manufacture thereof |
| JP4094203B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2008-06-04 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体 |
| US7053255B2 (en) | 2000-11-08 | 2006-05-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Substituted diphenylanthracene compounds for organic electroluminescence devices |
| US6693295B2 (en) * | 2000-12-25 | 2004-02-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Indole derivative, material for light-emitting device and light-emitting device using the same |
| WO2002071813A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-12 | The Trustees Of Princeton University | Double doped-layer, phosphorescent organic light emitting devices |
| KR100478520B1 (ko) | 2001-08-13 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 청색 발광 화합물 및 이를 발색재료로 채용하고 있는 유기전계 발광 소자 |
| TW529317B (en) * | 2001-10-16 | 2003-04-21 | Chi Mei Electronic Corp | Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display |
| KR100844004B1 (ko) * | 2002-03-15 | 2008-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자용 투명 도전막의 제조 방법 |
| KR100454750B1 (ko) | 2002-06-20 | 2004-11-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자용 청색 발광 화합물 및 이를 사용한유기 전계 발광 소자 |
| JP4152173B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2008-09-17 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4287198B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2009-07-01 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN1820550A (zh) * | 2003-07-11 | 2006-08-16 | 出光兴产株式会社 | 白色系有机电致发光元件 |
| US6881502B2 (en) * | 2003-09-24 | 2005-04-19 | Eastman Kodak Company | Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer |
| US7045952B2 (en) * | 2004-03-04 | 2006-05-16 | Universal Display Corporation | OLEDs with mixed host emissive layer |
| EP1786242B1 (en) * | 2004-08-05 | 2014-08-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence device, display apparatus and lighting apparatus |
| US8653537B2 (en) * | 2004-08-13 | 2014-02-18 | Novaled Ag | Layer assembly for a light-emitting component |
| JP4697577B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2011-06-08 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US7645525B2 (en) * | 2005-12-27 | 2010-01-12 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
| WO2007139124A1 (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and an electronic device |
| EP1863105B1 (en) * | 2006-06-02 | 2020-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| EP1876658A3 (en) * | 2006-07-04 | 2014-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| US9397308B2 (en) * | 2006-12-04 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
| EP1973386B8 (en) * | 2007-03-23 | 2016-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| JP4919163B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2012-04-18 | 日本精機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| TWI479710B (zh) * | 2007-10-19 | 2015-04-01 | Semiconductor Energy Lab | 發光裝置 |
| EP2075860A3 (en) * | 2007-12-28 | 2013-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
| JP2009188045A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| WO2010026859A1 (en) | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| WO2010137509A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
| JP5550311B2 (ja) | 2009-11-10 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| JP2011204801A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
| US20140027751A1 (en) * | 2011-04-07 | 2014-01-30 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element anf lighting device |
| US9299942B2 (en) * | 2012-03-30 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| WO2018159834A1 (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-07 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | エナミン化合物及びその用途 |
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| JP3332491B2 (ja) * | 1993-08-27 | 2002-10-07 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US5503910A (en) | 1994-03-29 | 1996-04-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| KR0146491B1 (ko) | 1994-09-16 | 1998-10-01 | 양승택 | 적층구조로 구성된 유기고분자 전계발광소자 |
| US5693428A (en) | 1995-02-06 | 1997-12-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US5593788A (en) * | 1996-04-25 | 1997-01-14 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices with high operational stability |
| US5773929A (en) * | 1996-06-24 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Organic EL device with dual doping layers |
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