KR100503957B1 - 탄성 표면파 장치 - Google Patents

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KR100503957B1
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

본 발명은 한쌍의 평형 신호 단자 사이의 평형도가 개선된 탄성 표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 압전 기판상에 있어서, 표면파 전파 방향을 따라 적어도 1개의 IDT(103∼105, 103A∼105A)가 각각 배치되어 있고, 입력 신호 단자(110)와, 출력 신호 단자(111, 112)를 포함하며, 출력 신호 단자(111, 112)가 제 1 및 제 2 평형 신호 단자이고, 제 1 평형 신호 단자(111) 또는 제 2 평형 신호 단자(112)에, 압전 기판상에 형성된 커패시턴스 성분(118)이 부가되어 있는 탄성 표면파 장치.

Description

탄성 표면파 장치{Surface acoustic wave device}
본 발명은 예를 들면 대역 필터 등에 사용되는 탄성 표면파 장치에 관한 것으로, 특히, 입력측 및/또는 출력측에 한쌍의 평형 신호 단자를 갖는 탄성 표면파 장치에 관한 것이다.
최근, 휴대 전화기의 소형화 및 경량화가 진행되고 있다. 그래서, 휴대 전화기는 구성 부품수의 삭감, 부품의 소형화 및 기능의 복합화가 진행되고 있다.
상기와 같은 상황을 감안하여, 휴대 전화기의 RF단에 사용되는 탄성 표면파 필터에 평형－불평형 변환 기능, 이른바 밸룬(balun)의 기능을 갖게 한 것이 다양하게 제안되고 있다.
도 24는 종래의 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
여기에서는, 탄성 표면파 전파 방향을 따라 제 1∼제 3 IDT(601∼603)가 배치되어 있다. IDT(601∼603)가 형성되어 있는 영역의 표면파 전파 방향 양측에 반사기(604, 605)가 배치되어 있다. IDT(601)와 IDT(602)의 간격 및 IDT(602)와 IDT(603)의 간격은 IDT(601∼603)의 전극지 피치로 정해지는 파장(λI)으로 한 경우, 모두 0.75λI가 된다. IDT(602)의 양단의 전극지(609, 610)를 굵게 함으로써, IDT－IDT 사이의 공간 부분이 작아지고, 벌크파(bulk wave)의 방사에 의한 손실이 저감된다. 또한, 도 23에서, 단자(606, 607)는 평형 신호 단자이며, 단자(608)는 불평형 신호 단자이다.
평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 필터에서는 불평형 신호 단자(608)와 평형 신호 단자(606) 사이 및 불평형 신호 단자(608)와 평형 단자(607) 사이의 각각의 통과 대역 내에서의 전송 특성이 진폭 특성에 있어서 동일하고 또한 위상이 180°반전하고 있는 것이 요구된다. 이 진폭 특성이 동일한 조건을 진폭 평형도라고 하고, 위상이 180°반전하고 있는 정도를 위상 평형도라고 한다.
상기 진폭 평형도 및 위상 평형도는 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 필터를 3포트(port)의 다바이스라고 생각하며, 예를 들면 불평형 입력 단자를 포트 1, 평형 출력 단자 각각을 포트 2, 포트 3이라 한 경우, 이하와 같이 정의된다.
진폭 평형도=│A│, 단, A=│20logS21│－│20logS31│
위상 평형도=│B－180│, 단, B=│∠S21－∠S31│
또한, S21은 포트 1로부터 포트 2에의 전달 계수를, S31은 포트 1로부터 포트 3에의 전달 계수를 나타낸다.
이상적으로는, 필터의 통과 대역 내에 있어서 진폭 평형도가 0dB이고, 위상 평형도는 0도가 될 필요가 있다. 그러나, 도 24에 나타낸 구성에서, 평형－불평형 변환 기능을 갖는 필터를 얻고자 하면, IDT(602)의 전극지의 갯수가 홀수개이기 때문에, 평형 신호 단자(606)에 연결되어 있는 전극지의 수가 평형 신호 단자(607)에 접속되어 있는 전극지의 수보다도 1개 많아져, 평형도가 나빠진다는 문제가 있었다. 이 문제는 특히, 필터의 중심 주파수가 높아질수록 현저하게 나타나고, DCS용이나 PCS용과 같이 1.9GHz 부근이 중심 주파수가 되는 필터에서는 충분한 평형도를 얻을 수 없었다.
본 발명의 목적은 상술한 종래 기술의 결점을 해소하여, 한쌍의 평형 신호 단자 사이의 평형도가 개선된 탄성 표면파 장치를 제공하는데 있다.
본원의 제 1 발명은 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서, 표면파 전파 방향을 따라 배치된 적어도 1개의 IDT와, 입력 신호 단자 및 출력 신호 단자를 포함하고, 상기 입력 신호 단자 및 출력 신호 단자 중 적어도 한쪽이 제 1 및 제 2 평형 신호 단자를 가지며, 상기 제 1 또는 제 2 평형 신호 단자에 부가되어 있고, 또한 상기 압전 기판상에 형성된 리액턴스(reactance) 성분을 더 포함하는 탄성 표면파 장치이다.
본원의 제 2 발명은 압전 기판과, 상기 압전 기판상에 있어서, 표면파 전파 방향을 따라 배치된 적어도 1개의 IDT와, 입력 신호 단자 및 출력 신호 단자를 포함하고, 입력 신호 단자 및 출력 신호 단자 중 적어도 한쪽이 제 1 및 제 2 평형 신호 단자를 가지며, 상기 제 1 및 제 2 평형 신호 단자에 각각 부가되어 있고, 또한 상기 압전 기판상에 형성된 제 1 및 제 2 리액턴스 성분을 더 포함하며, 제 1 및 제 2 리액턴스 성분이 다른 탄성 표면파 장치이다.
본 발명의 특정의 국면에서는 탄성 표면파 장치는 3개 이상의 IDT를 가지며, 상기 3개 이상의 IDT에 의해 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터가 구성된다.
본 발명의 다른 특정의 국면에서는 상기 리액턴스 성분은 커패시턴스 성분이며, 또한 상기 평형 신호 단자에 병렬로 접속되어 있다.
상기 커패시턴스 성분은 바람직하게는 압전 기판상에 형성된 용량 전극을 사용하여 구성된다.
본 발명에 따른 듀플렉서는 본 발명에 따라 구성된 탄성 표면파 장치를 대역 필터로서 포함한다.
본 발명에 따른 통신기는 본 발명에 따라 구성된 탄성 표면파 장치를 대역 필터로서 포함한다.
<발명의 실시형태>
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 명백히 한다.
아직 공지되지는 않았으나, 일본국 특허출원 2001-115642호에는 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치에 있어서 평형도를 개선하는 구조로서, 한쌍의 평형 신호 단자의 한쪽에 지연선 또는 리액턴스 성분을 부가한 구성이 개시되어 있다. 여기에서는, 상기 지연선 또는 리액턴스 성분은 탄성 표면파 장치의 외부에 부착되어 있거나, 또는 탄성 표면파 소자를 수납하는 패키지 내부에 형성되어 있었다.
예를 들면, 도 25에 나타내는 바와 같이, 탄성 표면파 장치(401)가 한쌍의 평형 신호 단자(402, 403)를 가지며, 또한 1개의 불평형 신호 단자(404)를 갖는다. 여기에서, 한쪽의 평형 신호 단자(402)측에 리액턴스 성분(405)이 탄성 표면파 장치(401)의 외부에 있어서 접속되어 있다.
그러나, 리액턴스 성분(405)이 탄성 표면파 장치(401) 외부에 구성되고, 탄성 표면파 장치(401)의 외부에 부착되는 경우, 부품수가 증가하며, 또한 실장 면적이 증가한다는 문제가 있었다. 또한, 패키지 내부에 리액턴스 성분을 형성한 경우에는, 압전 기판이나 IDT 등의 탄성 표면파 소자상의 전극 구조에 의해 최적의 리액턴스 값이 다르기 때문에, 패키지의 범용성이 저하된다는 문제가 있었다.
본 발명은 이 아직 공지되지 않은 상기 선행 기술의 문제점을 개선하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 탄성 표면파 장치의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이고, 도 2는 도 1에 나타낸 실시예의 탄성 표면파 장치에서의 실제의 압전 기판상에 있어서의 전극 배치를 나타내는 약도적 평면도이다.
또한, 본 실시예의 탄성 표면파 장치(1)는 EGSM 수신용 필터로서 사용되는 것이지만, 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치(1)의 용도는 이것에 한정되는 것은 아니다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에서는 압전 기판(2)이 사용되고 있다. 압전 기판(2)은 40±5°Ycut X전파 LiTaO3기판에 의해 구성되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 탄성 표면파 장치(1)에서는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(101, 102)가 Al전극에 의해 형성되어 있다.
탄성 표면파 필터(101)에서는 표면파 전파 방향을 따라 3개의 IDT(103∼105)가 배치되어 있으며, IDT(103∼105)가 형성되어 있는 영역의 표면파 전파 방향 양측에 반사기(106, 107)가 형성되어 있다.
도 1에서 알 수 있는 바와 같이, IDT(103)의 IDT(104)측의 수개의 전극지의 피치는 IDT(103)의 나머지 전극지의 피치보다도 작게 되어 있다. IDT(104)에서는 IDT(103)측의 수개의 전극지 및 IDT(105)측의 수개의 전극지의 피치가 IDT(104)의 중앙의 전극지의 피치보다도 작게 되어 있다. 또한, IDT(105)의 IDT(104)측의 수개의 전극지의 피치가 IDT(105)의 나머지 전극지의 피치보다도 좁게 되어 있다.
즉, IDT(103∼105)는 상기 전극지 피치가 상대적으로 좁은 협피치 전극지 부분을 갖는다.
협피치 전극지 부분은 IDT(103, 104)가 서로 이웃하고 있는 부분 및 IDT(104, 105)가 서로 이웃하고 있는 부분에서, 각 IDT에 형성되어 있다.
탄성 표면파 필터(102)는 탄성 표면파 필터(101)와 동일하게 구성되어 있다. 즉, IDT(103∼105)와 동일하게 구성된 IDT(103A∼105A)와, 반사기(106, 107)와 동일하게 구성된 반사기(106A, 107A)를 갖는다.
탄성 표면파 필터(102)는 신호 라인(113, 114)을 통하여 탄성 표면파 필터(101)에 접속되어 있다. 즉, IDT(103)의 한 단부와, IDT(103A)의 한 단부가 신호 라인(113)을 통하여 접속되어 있으며, IDT(105)의 한 단부와 IDT(105A)의 한 단부가 신호 라인(114)을 통하여 접속되어 있다. 신호 라인(113, 114)을 전파하는 신호의 위상이 반대가 되도록, 탄성 표면파 필터(101, 102)의 IDT(103, 105, 103A, 105A)의 방향이 조정된다.
한편, 탄성 표면파 장치(1)는 불평형 신호 단자(110)와, 제 1 및 제 2 평형 신호 단자(111, 112)를 갖는다. 불평형 신호 단자(110)는 신호 라인(115)을 통하여 탄성 표면파 필터(101)의 IDT(104)에 접속되어 있다. 제 1 및 제 2 평형 신호 단자(111, 112)는 각각 신호 라인(116, 117)을 통하여 탄성 표면파 필터(102)의 IDT(104A)에 접속되어 있다.
본 실시예의 특징은 상기 제 2 평형 신호 단자(112)에 접속되어 있는 신호 라인(117)에, 압전 기판상에 구성된 커패시턴스 성분(118)이 리액턴스 성분으로서 병렬로 접속되어 있는데 있다.
다음으로, 본 실시예의 탄성 표면파 장치(1)의 압전 기판(2)상에 있어서의 실제의 전극 구조를 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2에 있어서의 IDT, 반사기 및 신호 라인의 참조 번호는 도 1에 나타나 있는 IDT, 반사기 및 신호 라인의 참조 번호와 동일하다. 또한, 도 2에 나타낸 바와 같이, 탄성 표면파 장치(1)는 접지 단자(119∼121)를 갖는다.
본 실시예에서는 커패시턴스 성분(118)은 신호 라인(117)과, 접지 단자(121) 사이의 거리를 좁게 함으로써 구성된다.
또한, 비교를 위하여, 도 3에 종래의 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 평면도로 나타낸다.
도 3에 나타내는 종래예의 탄성 표면파 장치(500)에서는 상기 실시예의 탄성 표면파 장치(1)와 마찬가지로, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(501, 502)가 형성되어 있다. 이 탄성 표면파 필터(501, 502)는 탄성 표면파 필터(101, 102)와 완전히 동일하게 구성되어 있다. 실시예의 탄성 표면파 장치(1)와 마찬가지로, 탄성 표면파 장치(500)에 있어서도, 신호 라인(513, 514)을 통하여 탄성 표면파 필터(501, 502) 사이가 접속되어 있다. 또한, 신호 라인(515)을 통하여 불평형 신호 단자(510)가 탄성 표면파 필터(501)의 IDT(504)에 접속되어 있으며, 신호 라인(516, 517)을 통하여 제 1 및 제 2 평형 신호 단자(511, 512)가 탄성 표면파 필터(502)의 IDT(504A)에 접속되어 있다.
단, 종래예의 탄성 표면파 장치(500)에서는 신호 라인(517)과 접지 단자(512) 사이의 거리가 넓게 되어 있다.
즉, 실시예의 탄성 표면파 장치(1)에서는 신호 라인(117)과 접지 단자(122) 사이의 거리가 종래예의 탄성 표면파 장치(500)에서의 신호 라인(517)과 접지 단자(122) 사이의 거리에 비하여 0.1pF의 정전 용량을 부가하도록 좁게 되어 있다.
본 실시예의 탄성 표면파 장치(1)에서는 상기와 같이 제 2 평형 신호 단자(512)에 병렬로 커패시턴스 성분이 부가됨으로써, 평형도가 효과적으로 개선된다. 이것을 구체적인 실험예에 기초하여 설명한다.
이하의 실험예에서는, 탄성 표면파 필터(101, 102)를 이하와 같이 설계하였다. 또한, 상기 협피치 전극지부로 정해지는 파장을 λI2라고 하고, 다른 전극지의 피치로 정해지는 파장을 λI1이라고 한다.
IDT에 있어서의 교차폭(W) : 50.0λI1
IDT의 전극지의 갯수 : IDT(103)는 협피치 전극지부의 전극지의 갯수는 4개이고, 나머지 전극지의 갯수가 21개, IDT(104)에서는 양측의 협피치 전극지부의 전극지의 갯수가 각 4개이고, 나머지 전극지의 갯수가 28개, IDT(105)에서는 협피치 전극지부의 전극지의 갯수가 4개, 나머지 전극지의 갯수가 21개이다.
λI1=4.20㎛
λI2=3.84㎛
반사기(106, 107)의 파장(λR)=4.27㎛
반사기의 전극지의 갯수=100개
IDT－IDT 간격=0.512λI2
IDT－반사기 간격=0.465λR
또한, IDT－IDT 간격 및 IDT－반사기 간격은 서로 이웃하고 있는 부분의 전극지 중심간 거리이다.
IDT(103∼105)의 듀티(duty)=0.72, 반사기(106, 107)의 듀티=0.52
전극막 두께=0.086λI1
도 4는 본 실시예의 탄성 표면파 장치(1)를 플립칩(flip chip) 공법에 의해 패키지에 실장한 구조의 주파수에 대한 진폭 특성을 나타내고, 도 5 및 도 6은 주파수에 대한 VSWR 특성을 나타내며, 도 5는 주파수－S11 VSWR 특성, 도 6은 S22 VSWR 특성을 나타낸다.
또한, 도 7 및 도 8은 주파수－진폭 평형도 및 주파수－위상 평형도를 나타낸다.
도 4∼도 6에서는 실시예의 특성이 실선으로 나타나 있으며, 상술한 종래예의 탄성 표면파 장치의 특성이 비교를 위하여 파선으로 나타나 있다.
또한, 종래예의 탄성 표면파 장치(500)에서는 신호 라인(517)이 접지 단자(522)에 인접되어 있지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일하게 하였다.
도 4∼도 6에서 알 수 있는 바와 같이, 주파수－진폭 특성 및 VSWR 특성에 대해서는 본 실시예의 탄성 표면파 장치(1)는 종래예의 탄성 표면파 장치(500)와 동등하다.
그런데, EGSM 수신용 필터의 통과 대역은 925∼960MHz이다. 도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 이 주파수 범위에서의 최대 진폭 평형도는 실시예 및 종래예의 어떠한 경우에 있어서도 약 1.0dB이며, 실질적으로 차이가 없다. 그러나, 도 8에서 알 수 있는 바와 같이, 최대 위상 평형도에 대해서는 상기 주파수 범위에 있어서 종래예에서는 약 6.5도인 것에 반하여, 실시예에서는 약 4.5도로 위상 평형도가 약 2도 개선되어 있는 것을 알 수 있다.
즉, 본 발명에 따라 신호 라인(117)을 접지 단자(122)에 인접시켜 커패시턴스 성분(118)을 제 2 평형 신호 단자(112)에 병렬 접속함으로써, 위상의 어긋남을 보정할 수 있다는 것을 알 수 있다.
다음으로, 상기 종래예의 탄성 표면파 장치(500)에 있어서, 실시예의 탄성 표면파 장치에 부가된 커패시턴스 성분 약 0.1pF와 동일한 커패시턴스 성분을 패키지 외부에 부착한 탄성 표면파 장치를 비교예로서 준비하였다. 즉, 상술한 아직 공지되지 않은 일본국 특허출원 2001-115642호에 개시되어 있는 공보에 따라 구성된 탄성 표면파 장치를 비교예의 탄성 표면파 장치로서 준비하였다.
도 9는 상기 실시예 및 비교예의 주파수－진폭 특성을, 도 10 및 도 11은 실시예 및 비교예의 주파수－S11 VSWR 특성 및 주파수－S22 VSWR 특성을 나타내며, 도 12는 주파수－진폭 평형도 및 도 13은 주파수－위상 평형도를 나타낸다. 또한, 도 14는 보다 넓은 주파수 범위에 걸친 주파수－진폭 특성을 나타낸다. 도 9∼도 14에서, 실선은 실시예의 결과를, 파선은 비교예의 결과를 나타낸다.
도 9∼도 13에서 알 수 있는 바와 같이, 종래예의 탄성 표면파 장치에 0.1pF의 정전 용량을 외부에 부착함으로써 구성된 비교예와 상기 실시예 사이에 있어서 특성에는 실질적으로 차이는 없다. 그러나, 도 14에서 알 수 있는 바와 같이, 통과 대역외 감쇠량에는 비교예에 비하여 실시예에 따르면 약 2∼3dB정도 크게 할 수 있는 것을 알 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1 및 제 2 평형 신호 단자의 한쪽에, 압전 기판상에 있어서 형성된 커패시턴스 성분을 병렬로 부가함으로써, 평형도가 개선되고, 또한 커패시턴스 성분을 외부에 부착한 경우보다도, 통과 대역외 감쇠량을 확대할 수 있다.
또한, 압전 기판상에 있어서 커패시턴스 성분이 형성되기 때문에, 실장 면적의 확대를 회피할 수 있고, 또한 패키지의 범용성의 저하도 발생하지 않는다.
또한, 상기 실시예에서는 제 2 평형 신호 단자(112)에만 커패시턴스 성분을 접속하였으나, 도 1에 상상선으로 나타내는 바와 같이, 제 1 평형 신호 단자(111)에 대해서도 커패시턴스 성분(118A)을 압전 기판상에 있어서 부가해도 된다. 이 경우에는, 제 1 및 제 2 평형 신호 단자(111, 112)에 부가되는 커패시턴스 성분(118, 118A)의 크기를 다르게 하여 조정함으로써, 평형도를 개선할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 신호 라인(117)에 접지 단자(122)를 인접시킴으로써 커패시턴스 성분이 부가되어 있었으나, 큰 커패시턴스 성분을 얻고자 하는 경우에는, 큰 정전 용량을 얻을 수 있는 용량 전극을 압전 기판상에 형성해도 된다. 예를 들면, 도 15에 나타내는 바와 같이, 빗살형 전극으로 이루어지는 용량 전극(131)을 압전 기판상에 형성하여 커패시턴스 성분을 구성해도 된다.
상기 실시예에서는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(101, 102)가 2단 종속 접속되어 있으며, 한쪽의 탄성 표면파 필터(102)의 중앙의 IDT(104A)가 제 1 및 제 2 평형 신호 단자(111, 112)에 접속되어 있었으나, 본 발명은 다른 구성의 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치에도 적용할 수 있다.
예를 들면, 도 16에 나타내는 바와 같이, 4개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(201∼204)를 사용하여 평형 신호 단자(205, 206)에서 평형 신호를 입출력하는 구성의 탄성 표면파 장치, 또는 도 17에 나타내는 바와 같이, 도 1에 나타낸 탄성 표면파 필터(102)만이 사용되고, 또한 탄성 표면파 공진자(301)가 탄성 표면파 필터(102)에 종속 접속되어 있으며, 평형 신호 단자(302, 303)에 의해 평형 신호가 입출력되는 탄성 표면파 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
마찬가지로, 도 18∼도 20에 나타나 있는 바와 같이, 1개 또는 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(311, 312)에, 탄성 표면파 공진자(313)가 접속되어 있으며, 불평형측의 임피던스보다도 평형측의 임피던스가 높아지도록 구성되어 있는 탄성 표면파 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 3개의 IDT를 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터가 사용되고 있었으나, 도 21에 나타내는 바와 같이, 5개의 IDT(321∼325)를 갖는 탄성 표면파 필터(320), 또는 그 이상의 수의 IDT를 갖는 탄성 표면파 필터, 또한, 2개의 IDT를 갖는 탄성 표면파 필터에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터가 사용되고 있었으나, 횡결합 공진자형 탄성 표면파 필터나 트랜스버셜(transversal)형 탄성 표면파 필터를 사용하여 평형 신호를 입출력하는 탄성 표면파 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
상기 실시예에서는 탄성 표면파 필터(101, 102)는 동일하게 설계되어 있었으나, 교차 폭 등의 설계 파라미터를 탄성 표면파 필터(101, 102)에서 다르게 해도 된다.
또한, 40±5°Ycut X전파 LiTaO3기판에 한정되지 않으며 64∼72°Ycut X전파 LiNbO3기판, 41°Ycut X전파 LiNbO3기판 등의 다양한 압전 기판을 사용한 탄성 표면파 장치에 본 발명을 적용할 수 있다.
도 22는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치를 사용한 통신기(160)를 설명하기 위한 각 개략 블록도이다.
도 22에서, 안테나(161)에 듀플렉서(162)가 접속되어 있다. 듀플렉서(162)와 수신측 믹서(163) 사이에, 탄성 표면파 필터(164) 및 증폭기(165)가 접속되어 있다. 또한, 듀플렉서(162)와 송신측 믹서(166) 사이에는 증폭기(167) 및 탄성 표면파 필터(168)가 접속되어 있다. 이와 같이, 증폭기(165)가 평형 신호에 대응되어 있는 경우, 본 발명에 따라 구성된 탄성 표면파 장치를 상기 탄성 표면파 필터(164)로서 바람직하게 사용할 수 있다.
본원의 제 1 발명에 따른 탄성 표면파 장치에서는 입력 단자 및 출력 단자 중 적어도 한쪽이 제 1 및 제 2 평형 신호 단자를 갖는 구성에 있어서, 제 1 및 제 2 평형 신호 단자 중 한쪽에 리액턴스 성분이 부가되어 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 평형 신호 단자 사이의 주파수 특성의 어긋남에 따른 리액턴스 성분을 부가함으로써, 진폭 평형도나 위상 평형도 등의 평형도를 효과적으로 개선할 수 있다.
덧붙여, 리액턴스 성분이 압전 기판상에 형성되어 있기 때문에, 탄성 표면파 장치 외부에 리액턴스 성분을 부가한 구성에 비하여, 통과 대역외 감쇠량의 확대를 도모할 수 있다. 또한, 리액턴스 성분이 압전 기판상에 형성되어 있기 때문에, 부품수의 증대를 초래하는 일이 없고, 또한 패키지의 범용성이 저하되는 일도 없다.
또한, 본원의 제 2 발명에 있어서는, 입력 단자 및 출력 단자 중 적어도 한쪽이 제 1 및 제 2 평형 신호 단자를 갖는 구성에 있어서, 제 1 평형 신호 단자에 부가되어 있는 리액턴스 성분의 크기와, 제 2 평형 신호 단자에 부가되어 있는 리액턴스 성분의 크기가 다르기 때문에, 제 1 및 제 2 평형 신호 단자 사이의 주파수 특성의 어긋남에 따라, 양자에 부가되는 리액턴스 성분의 크기를 다르게 함으로써, 제 1 발명과 마찬가지로 진폭 평형도나 위상 평형도를 효과적으로 개선할 수 있다.
본원의 제 2 발명에 있어서도, 상기 리액턴스 성분이 압전 기판상에 형성되어 있기 때문에, 통과 대역외 감쇠량의 확대를 도모할 수 있다. 또한, 부품수의 증대나 실장 면적의 증대를 초래하는 일이 없고, 또한 패키지의 범용성의 저하도 발생하기 어렵다.
본 발명의 탄성 표면파 장치에 있어서, 3개 이상의 IDT에 의해 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터가 구성되어 있는 경우에는, 본 발명에 따라 평형－불평형 변환 기능을 가지며, 또한, 평형도가 개선된 종결합 공진자형의 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다.
상기 리액턴스 성분으로서, 커패시턴스 성분이 압전 기판상에 형성된 용량 전극을 갖는 경우에는, 커다란 커패시턴스 성분을 용이하게 평형 신호 단자에 접속할 수 있다.
본 발명에 따른 듀플렉서에서는 본 발명에 따라 구성된 탄성 표면파 장치를 대역 필터로서 포함하기 때문에, 한쌍의 평형 신호 단자 사이에 있어서의 평형도가 개선되며, 평형도가 우수한 주파수 특성을 갖는 듀플렉서를 구성할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치를 사용하여 구성된 통신기에서는 한쌍의 평형 신호 단자 사이에 있어서의 평형도가 개선되기 때문에, 평형도가 우수한 주파수 특성을 갖는 통신기를 구성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예의 탄성 표면파 장치의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 실시예의 탄성 표면파 장치의 압전 기판상에 있어서의 실제의 전극 배치를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 3은 종래예의 탄성 표면파 장치의 전극 구조를 나타내는 평면도이다.
도 4는 실시예 및 종래예의 탄성 표면파 장치의 주파수에 대한 진폭 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 실시예 및 종래예의 탄성 표면파 장치의 주파수－S11 VSWR 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은 실시예 및 종래예의 탄성 표면파 장치의 주파수－S22 VSWR 특성을 나타내는 도면이다.
도 7은 실시예 및 종래예의 탄성 표면파 장치의 주파수－진폭 평형도를 나타내는 도면이다.
도 8은 실시예 및 종래예의 탄성 표면파 장치의 주파수－위상 평형도를 나타내는 도면이다.
도 9는 실시예 및 비교예의 탄성 표면파 장치의 주파수－진폭 특성을 나타내는 도면이다.
도 10은 실시예 및 비교예의 S11－VSWR 특성을 나타내는 도면이다.
도 11은 실시예 및 비교예의 S22－VSWR 특성을 나타내는 도면이다.
도 12는 실시예 및 비교예의 탄성 표면파 장치의 주파수－진폭 평형도를 나타내는 도면이다.
도 13은 실시예 및 비교예의 탄성 표면파 장치의 주파수－위상 평형도를 나타내는 도면이다.
도 14는 실시예 및 비교예의 탄성 표면파 장치의 보다 넓은 주파수 범위에 걸친 주파수－진폭 특성을 나타내는 도면이다.
도 15는 도 2에 나타낸 변형예를 나타내며, 리액턴스 성분을 구성하기 위하여 빗살형 전극으로 이루어지는 용량 전극이 형성되어 있는 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 16은 본 발명이 적용되는 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치의 전극 구조의 변형예를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 17은 본 발명이 적용되는 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치의 전극 구조의 다른 변형예를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 18은 본 발명이 적용되는 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치의 전극 구조의 또 다른 변형예를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 19는 본 발명이 적용되는 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치의 전극 구조의 다른 변형예를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 20은 본 발명이 적용되는 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치의 전극 구조의 또 다른 변형예를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 21은 본 발명이 적용되는 평형－불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치의 전극 구조의 또 다른 변형예를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 22는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치를 사용한 듀플렉서를 갖는 통신기를 설명하기 위한 개략 블록도이다.
도 23은 종래의 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 24는 아직 공지되지는 않았으나, 본 발명을 이루는 전제가 된 탄성 표면파 장치의 개략 블록도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
1 : 탄성 표면파 장치
2 : 압전 기판
101, 102 : 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터
103∼105, 103A∼105A : IDT
106, 107, 106A, 107A : 반사기
110 : 불평형 신호 단자
111, 112 : 제 1, 제 2 평형 신호 단자
113∼117 : 신호 라인
118 : 커패시턴스 성분
119∼122 : 접지 단자
160 : 통신기
162 : 듀플렉서
164 : 탄성 표면파 필터
164A : 탄성 표면파 필터
201∼204 : 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터
205, 206 : 평형 신호 단자
301 : 탄성 표면파 공진자
302, 303 : 평형 신호 단자
311, 312 : 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터
313 : 탄성 표면파 공진자
320 : 탄성 표면파 필터
321∼325 : IDT

Claims (7)

  1. 압전 기판과,
    상기 압전 기판상에 형성된, 표면파 전파 방향을 따라 배치된 적어도 1개의 IDT와, 입력 신호 단자 및 출력 신호 단자를 포함하며,
    상기 입력 신호 단자 및 출력 신호 단자 중 적어도 한쪽은 제 1 및 제 2 평형 신호 단자를 가지고,
    상기 제 1 평형 신호 단자 또는 제 2 평형 신호 단자에 부가되어 있고 상기 압전 기판상에 형성된, 리액턴스(reactance) 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  2. 압전 기판과,
    상기 압전 기판상에 형성된, 표면파 전파 방향을 따라 배치된 적어도 1개의 IDT와, 입력 신호 단자 및 출력 신호 단자를 포함하며,
    상기 입력 신호 단자 및 출력 신호 단자 중 적어도 한쪽은 제 1 및 제 2 평형 신호 단자를 가지고,
    상기 제 1 및 제 2 평형 신호 단자에 각각 부가되어 있고 상기 압전 기판상에 형성된, 제 1 및 제 2 리액턴스 성분을 더 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 리액턴스 성분이 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 3개 이상의 IDT를 가지며, 상기 3개 이상의 IDT에 의해 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터가 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 리액턴스 성분이 커패시턴스 성분이며, 또한 상기 평형 신호 단자에 병렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 커패시턴스 성분이 상기 압전 기판상에 형성된 용량 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 제 1 항에 기재된 탄성 표면파 장치를 대역 필터로서 포함하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  7. 안테나와;
    상기 안테나에 접속된 듀플렉서와;
    상기 듀플렉서의 한쪽 측에 접속된 제1 탄성 표면파 필터를 구비하는 수신부;를 포함하며,
    상기 제1 탄성 표면파 필터는 청구항 제 1 항에 기재된 탄성 표면파 필터인 것을 특징으로 하는 통신기.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3729081B2 (ja) * 2000-06-27 2005-12-21 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP2003069383A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3838128B2 (ja) * 2002-03-18 2006-10-25 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、および、これを搭載した通信装置
JP4062154B2 (ja) * 2002-05-16 2008-03-19 株式会社村田製作所 弾性表面波装置および通信装置
JP3931767B2 (ja) * 2002-08-29 2007-06-20 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
EP1737126A4 (en) * 2004-04-16 2008-01-16 Epson Toyocom Corp SURFACE WAVE FILTER OF BALANCED TYPE
US7446629B2 (en) * 2004-08-04 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same
JP4504278B2 (ja) * 2004-08-04 2010-07-14 パナソニック株式会社 アンテナ共用器、ならびに、それを用いた高周波モジュールおよび通信機器
JP4800026B2 (ja) * 2005-12-16 2011-10-26 三星電子株式会社 複素係数トランスバーサルフィルタおよび周波数変換器
JP5052172B2 (ja) * 2006-04-03 2012-10-17 京セラ株式会社 弾性表面波装置および通信装置
DE102006057340B4 (de) * 2006-12-05 2014-05-22 Epcos Ag DMS-Filter mit verbesserter Anpassung
DE102010055664B4 (de) * 2010-12-22 2024-04-25 Snaptrack, Inc. Oberflächenwellenfilter und Duplexerbauelement
WO2014035530A2 (en) * 2012-06-15 2014-03-06 Gong Songbin Microelectronic structures with suspended lithium-based thin films

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09172342A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Japan Energy Corp ２重モ−ド弾性表面波共振子フィルタ
JPH09172350A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Victor Co Of Japan Ltd 多重モード弾性表面波フィルタ
JPH11251861A (ja) * 1998-03-04 1999-09-17 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合多重モードｓａｗフィルタ
JP2000312125A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2001028530A (ja) * 1999-07-13 2001-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタおよび通信機器
JP2002084165A (ja) * 2000-06-27 2002-03-22 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3872410A (en) * 1972-12-04 1975-03-18 Gte Laboratories Inc Surface wave filter for tv if stage
US3868608A (en) * 1974-04-01 1975-02-25 Gte Sylvania Inc Surface wave filter
US4625184A (en) * 1982-07-02 1986-11-25 Clarion Co., Ltd. Surface acoustic wave device with impedance matching network formed thereon
DE69424737T2 (de) * 1993-10-08 2000-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Akustisches Oberflächenwellenfilter
JP3224202B2 (ja) * 1996-11-28 2001-10-29 富士通株式会社 弾性表面波装置
CA2199238C (en) * 1997-03-05 2002-07-02 Ji-Dong Dai Surface wave device with capacitance
EP0961404B1 (en) * 1998-05-29 2008-07-02 Fujitsu Limited Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band
JP2000209061A (ja) * 1999-01-12 2000-07-28 Toshiba Corp 弾性表面波素子および弾性表面波装置
US6472959B1 (en) * 1999-03-11 2002-10-29 Nortel Networks Limited Longitudinally coupled double mode resonator filters using shallow bulk acoustic waves
JP3607833B2 (ja) * 1999-05-28 2005-01-05 沖電気工業株式会社 差動弾性表面波フィルタ
US6720842B2 (en) * 2000-02-14 2004-04-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter device having first through third surface acoustic wave filter elements
JP3687566B2 (ja) * 2000-07-25 2005-08-24 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3480445B2 (ja) * 2001-01-10 2003-12-22 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
EP1263137B1 (en) * 2001-05-31 2017-07-26 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Surface acoustic wave filter, balanced type filter and communication device
DE60300311T2 (de) * 2002-03-15 2005-06-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Symmetrische Hochfrequenzvorrichtung mit einem Oberflächenwellenfilter.
JP3838128B2 (ja) * 2002-03-18 2006-10-25 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、および、これを搭載した通信装置
US6882250B2 (en) * 2002-04-15 2005-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency device and communication apparatus
JP3931767B2 (ja) * 2002-08-29 2007-06-20 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09172342A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Japan Energy Corp ２重モ−ド弾性表面波共振子フィルタ
JPH09172350A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Victor Co Of Japan Ltd 多重モード弾性表面波フィルタ
JPH11251861A (ja) * 1998-03-04 1999-09-17 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合多重モードｓａｗフィルタ
JP2000312125A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2001028530A (ja) * 1999-07-13 2001-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタおよび通信機器
JP2002084165A (ja) * 2000-06-27 2002-03-22 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置

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