KR100475213B1 - 고신뢰성 유리 도포형 칩 ntc 서미스터 및 그 제조 방법 - Google Patents

고신뢰성 유리 도포형 칩 ntc 서미스터 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 센서, 온도보상, 돌입전류 차단용으로 사용되는 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 구조 및 제조 방법에 관한 것으로, 전극을 이용하여 단자선과 결합시킨 칩 NTC 소자를 저온에서 소성(경화)이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 코팅한 후 유리 튜브를 삽입 또는 유리 페이스트를 도포하여 열처리하거나, 단자선이 결합된 칩 NTC 소자를 유리 튜브 또는 유리 페이스트로 도포하여 열처리 한 후 저온에서 경화가 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 코팅한 후 건조함으로써 기존 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 신뢰성을 유지하면서 제조 공정을 단순화하고, 상대적으로 저렴한 원료를 사용함으로써 가격 경쟁력 높이고, 장기적 신뢰성이 우수한 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 제조하는 것을 특징으로 한다.

Description

고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터 및 그 제조 방법 {High Reliability Chip-in-Glass Type NTC Thermistor and fabricating method therefor}
본원 발명은 부온도계수 특성을 이용한 유리 도포형 칩 NTC 서미스터 (Chip-in-Glass Type Negative Temperature Coefficient Thermistor)를 제조하는 방법 및 그 구조에 관한 것으로서, 제조 공정이 복잡하고 원재료비가 높은 종래의 부온도계수 특성을 이용한 유리 도포형 칩 NTC 써미스터 (Chip-in-Glass Type Negative Temperature Coefficient Thermistor)의 제조 공정을 개선하고 단순화하며 원재료의 제조원가를 감소시킨 신뢰성이 우수한 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 NTC 서미스터는 저항 온도 특성을 이용한 화재감지기, 가전 기기, 산업용 기기, 항공 기기, OA 기기, 의료 기기 등의 온도검출용 센서 및 각종 전자 기기 전자 회로의 온도 보상용 소자로 광범위하게 이용된다. 또한 전류, 전압 특성을 이용한 자동용 액위 센서, 습도 및 풍속계 센서와 전류, 시간 특정을 이용한 전자 회로 기기의 돌입 전류 제한용 등 응용 분야도 매우 광범위하다.
종래의 유리 도포형 칩 NTC 서미스터 도1과 같은 공정으로 제조된다. 서미스터 특성을 가지는 칩 NTC 소체(11)는 양쪽 끝단의 넓은 면에 금 또는 은-유사계열(Ag-Pd)의 전극(12)이 형성되어 있고, 같은 계열의 전극 페이스트(Paste)에 의해 칩 NTC 소체의 전극에 2개의 단자선(13)이 결합된다. 그리고 칩 NTC 소자를 보호하기 위한 외부 보호부로 유리를 도포하기 위해 유리 튜브(Tube, 14)를 위로부터 삽입한 후 400∼1000℃의 열처리로(Furnace)에서 열처리를 하여 유리를 용융시켜 유리 도포형 칩 NTC 서미스터(15)를 제조한다.
그러나, 상기와 같이 종래의 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 제조 공정은 복잡하며, 이때 사용되는 지그(Jig) 및 용융 열처리로는 고가의 설비이며, 원재료로서 사용되는 유리 튜브(14) 및 단자선(13)으로 사용해야하는 듀멧선은 고가의 원재료이다. 종래의 유리 도포형 칩 NTC 서미스터(15)의 제조시 단자선으로써 금속 중심선(17)에 유리를 코팅(18)한 고가의 듀멧선을 사용해야하는 이유는 듀멧선의 열팽창계수는 유리의 열팽창 계수와 유사하며, 듀멧선에 코팅이 되어 있는 유리층(18)이 유리 튜브 용융시 유리 튜브와 반응하여 단자선이 유리로부터 돌출되는 부분을 완전히 밀봉을 해주어 외부의 수분 침투를 막는 역할을 하기 때문이다. 그러므로 종래의 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 제조 공정이 복잡하여 생산성이 저하되며, 사용 설비가 고가이고 사용되는 원재료도 고가이므로 생산 단가가 증가되는 문제점이 있다.
유리층이 없는 일반적인 금속 단자선을 사용할 경우는 생산 단가는 감소시킬 수 있지만 도2과 같이 일반 단자선(21)과 도포 유리 사이(22)에 밀착성이 떨어서 미세한 틈(23)이 발생하며, 이 틈 사이로 수분 등이 침투하여 내부에 존재하는 칩 NTC 소자와 반응을 일으키고 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 특성 변화를 일으키어 신뢰성을 현저히 저하시키는 문제점이 있다.
상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 제조 공정을 개선하여 저온에서 소성(경화)이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 칩 NTC 소자에 단층 또는 다층으로 코팅한 후 유리 페이스트 또는 유리 튜브를 이용하여 외부 유리 도포 물질을 형성하거나, 유리 페이스트 또는 유리 튜브를 이용하여 먼저 유리 도포 물질을 형성한 후 저온 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 단층 또는 다층으로 코팅한 후 건조함으로써 공정 단순화시키고 및 원재료 비용을 절감시킨 가격 경쟁력이 우수하고 신뢰성이 우수한 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 제조하고 이러한 서미스터를 제조하는 제조방법을 제공하는 데 있다.
또한 일반적인 저가의 단자선을 사용하면서도 저온에서 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 코팅하고 적절하게 소성(경화)시켜 치밀한 유리구조(SiO2)를 얻음으로써 외부 유리층과 단자선 사이 및 외부 유리층과 칩 NTC 소체 사이의 미세한 틈을 치밀하게 밀봉하여 칩 NTC 소자를 수분으로부터 완벽하게 보호하여 신뢰성을 향상시키는데 본 발명의 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 부온도계수 특성을 이용한 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 일정 조성(서미스터용 조성)의 분말 혼합물을 성형체로 제조하고 열처리하여 우선적으로 칩 NTC 소결체를 제조한다. 소결체의 양단에 금전극 등의 전극재를 도포하여 전극을 형성한 후에 금전극 페이스트를 이용하여 전극에 단자선을 부착하여 칩 NTC 소자를 제조한다. 이때 단자선은 유리와 열팽창계수가 유사한 금속선(Fe-Ni 합금 등)을 이용한다. 단자선이 부착된 칩 NTC 소자에 저온에서 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 코팅하여 건조 및 소성시켜 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 제조한다.
또한, 본 발명에 따른 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 서미스터 조성의 분말 혼합물을 성형체로 제조하고 열처리하여 우선적으로 칩 NTC 소결체를 제조한다. 소결체의 양단에 전극재를 도포하여 전극을 형성한 후에 금전극 페이스트를 이용하여 전극에 단자선을 부착하여 칩 NTC 소자를 제조한다. 이때 단자선은 유리와 열팽창계수가 유사한 금속선(Fe-Ni 합금 등)을 이용한다. 단자선이 부착된 칩 NTC 소자에 저온에서 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 코팅하여 건조 및 소성시킨다. 그 위에 디핑(Dipping) 방법 등에 의해 유리 페이스트를 도포하고 건조 및 열처리하여 치밀화시키거나, 유리 튜브를 삽입하고 400∼1000℃의 열처리로(Furnace)에서 열처리를 하여 유리를 용융시켜 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터 완성품을 제조한다.
또한, 다른 방법으로써 금전극 페이스트를 이용하여 전극에 단자선을 부착한 칩 NTC 소자를 우선 유리 페이스트에 디핑하여 유리 페이스트를 소자에 도포하고 이를 건조 및 열처리하거나, 칩 NTC 소자에 유리 튜브를 삽입하고 400∼1000℃의 열처리로(Furnace)에서 열처리를 하여 유리를 용융시켜 도포 유리를 형성한다. 다음에 도포 유리로 둘러싸인 칩 NTC 소자를 저온에서 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액에 디핑하거나 또는 분사방법으로 코팅한 후 건조 및 소성시켜 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터 완성품을 제조한다.
또한 신뢰성을 더욱 향상시켜 혹독한 내습조건에서도 안정적인 본 발명에 따를 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 상기과 같이 제조된 칩 NTC 소자에 저온에서 소성 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 수차례 반복 코팅하여 건조 및 소성을 행하여 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 제조하거나, 단자선이 부착된 칩 NTC 소자에 저온에서 소성 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액의 코팅과 유리 페이스트 코팅을 교대로 수차례 반복 코팅하여 제조한다.
또한, 더욱 높은 고신뢰성이 필요한 경우는 단자선과 외부 유리층의 밀착성을 더욱 향상시키기 위해 단자선으로 듀멧선을 사용하고 상기와 동일한 각각의 방법으로 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터을 제조한다.
본 발명에 따른 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 제조에 관한 실시예를 도면을 참조하여 하기에서 보다 상세하게 살펴본다.
우선 칩 NTC 소체를 제조하는 방법을 살펴본다. 부온도계수 특성을 갖도록 NTC의 일반적인 조성물인 Mn, Ni, Co, Fe, Al, Cu 등의 전이금속원료 적당량, 바람직하게는 Mn3O4, NiO, Co3O4의 원료를 Ni-Mn-Co 스핀넬(spinel)의 조성에 따라 측량한 적당량을 볼밀(ball mill)을 이용하여 24시간 정도 충분히 습식 혼합하고, 건조한 후 900℃ 정도에서 3시간 동한 하소한 후, 하소된 분말을 볼밀로 24시간 이상 분쇄하여 테이프 캐스팅에 적합한 입도로 미분쇄 한다.
상기와 같이 제조된 하소 분말(약 60wt%)과, 결합제(약 5wt%), 가소제(약 4.3wt%), 용매(약 30wt%), 분산제(약 0.7wt%) 등을 혼합하여 NTC 조성의 슬러리(slurry)를 만든다.
상기와 같이 제조된 슬러리를 테이프 캐스팅법을 통하여 일정 두께(약 70μm)의 그린 시트(Green sheet)로 제조하여 적당한 크기(15X15 cm)로 절단된 그린 시트 원하는 층수(예를 들면 5층)로 적층한 후 가압한다. 적층된 그린 시트는 결합제 및 가소제 등의 유기물의 탈지를 위해 burn-out을 600℃의 온도에서 3시간 정도 유지하여 충분히 유기물을 날려보낸 후 1300℃정도의 온도에서 3시간 정도 소결을 수행하여 소결체로 제조하고, 원하는 칩 NTC 칩 소체를 제조하기 위해 상하 연마를 수행하여 원하는 두께(예를 들면 0.2mm)를 얻는다.
상기와 같이 제조된 판상의 NTC Wafer는 스크린 인쇄를 통하여 양면에 금전극을 도포한 후, 약 750℃가 유지되는 가열 Oven에 3시간 넣어 금전극을 반응시킨다. 전극이 도포된 NTC Wafer는 원하는 칩 NTC 소체의 크기(예로 들면 0.6x0.6mm)로 Dicing Saw를 이용하여 절단하여 원하는 크기의 칩 NTC 소체로 제조한다.
칩 NTC 소체는 상기의 테이프 캐스팅 방법 외에 NTC 조성의 분말을 일반적인 프레싱(Pressing) 방법으로 원하는 크기로 프레스하여 성형체를 형성하고 이를 소결한 후 소결체의 양면에 금전극을 도포하여 제조한다.
또한 칩 NTC 소체는 필요에 따라 테이프 캐스팅법 또는 스크린 프링팅법등에 의해 제조된 그린 시트에 내부 전극을 인쇄한 복수의 NTC 성형 시트를 적층하고 적층된 성형 시트를 가압한 후, 소성후의 크기가 패키지(package)에 적합한 크기, 예를들면 1mmX 1mm가 되도록 절단하고, 유기물의 탈지를 위해 burn-out하여 충분히 유기물을 날려보낸 후 소결을 수행하여 소결체로 제조하고, 적층 NTC 소결체의 내부전극과 연결되도록 소결체의 양 끝단에 외부 전극을 형성하여 적층형 칩 NTC 소체로 제조한다.
〈실시예1〉
첫 번째 실시예로서 도3에 나타낸 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 아래와 같이 제조된다.
상기와 같이 여러 방법으로 제조된 칩 NTC 소체의 전극 부분이 단자선과 접촉되도록 칩 NTC 소체(31)를 끝부분이 금페이스트(32)가 묻어 있는 두 개의 단자선(33) 사이에 끼운 후 860℃ 근처에서 건조를 수행하여 칩 NTC 소체에 단자선을 부착한다. 이때 단자선은 유리와 열팽창 계수가 유사한 금속을 사용해야 하며, 가격이 비싼 듀멧선 대신 저렴한 일반 금속(Fe-Ni계)을 사용한다. 단자선을 결합시킨 칩 NTC 소자를 저온 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액인 저온형 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) 또는 폴리시라잔(Polysilazane)으로 코팅한다. 이때 코팅은 저온유기용매용액에 칩 NTC 소자를 디핑(Dipping)하는 디핑법 또는 용액을 스프레이하는 스프레이법(Spray)을 이용하여 칩 NTC 소체에 부착된 단자선 부분 및 칩 NTC 소체 전체가 코팅되도록 실리카 코팅부(34)를 형성하며, 코팅이 수행되는 온도는 상온 또는 상온 근처의 온도이다.
저온유기용매용액으로 코팅된 칩 NTC 소자는 200℃이하의 온도, 24시간 이내로 건조 및 소성시켜 유리구조인 SiO2를 형성시켜준다. 코팅된 저온유기용매용액은 저온에서 소성이 가능하며 소성 경화되면서 치밀한 유리구조의 SiO2를 형성하여 칩 NTC 소자 전체를 치밀하게 밀봉하게 된다. 이때 형성되는 SiO2 막의 두께는 0.1에서 수십 ㎛까지 형성된다. 코팅 조건 및 코팅 회수를 적절히 조절하여 실리카 코팅부(34)의 두께를 변화시켜 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 완성한다.
〈실시예2〉
두 번째 실시예로서 도4에 나타낸 바와 같이 유리질 보호막을 형성한 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 아래와 같이 제조된다.
상기와 같이 여러 방법으로 제조된 칩 NTC 소체(41)에 단자선(43)을 부착한다. 단자선을 부착시킨 칩 NTC 소자를 저온 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액인 저온형 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) 또는 폴리시라잔(Polysilazane)으로 코팅하여 실리카 코팅부(44)를 형성하며 200℃이하의 온도, 24시간 이내로 건조 및 소성시킨다.
건조 및 경화된 실리카 코팅부를 도4의 (a)와 같이 유리 페이스트가 들어 있는 용기에 디핑하여 전체에 유리 페이스트를 도포한 후, 300∼700℃에서 열처리하여 실리카 코팅부(44) 및 유리 도포부(45)로 보호되는 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 제조한다. 이때 도포된 유리 페이스트는 열처리 과정을 거치며 유리 페이스트 중의 유리 분말들이 결합을 일으켜 치밀한 구조의 밀봉체를 형성한다.
〈실시예3〉
세 번째 실시예로서 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 아래와 같이 제조할 수 있다.
상기 두 번째 실시예와 동일한 방법으로 단자선이 부착된 칩 NTC 소자에 실리카 코팅부(44)를 형성한다. 다음에 실리카 코팅부 상부에서부터 유리 튜브를 삽입하고(도1 참조) 400∼1000℃의 열처리로(Furnace)에서 열처리를 진행하여 삽입된 유리 튜브를 용융시켜 실리카 코팅부에 밀착시켜 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터 완성품을 제조한다.
〈실시예4〉
네 번째 실시예로서 도5에 나타낸 바와 같이 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 아래와 같이 제조할 수 있다.
상기와 같이 여러 방법으로 제조된 칩 NTC 소체(51)에 단자선(53)을 부착시킨 칩 NTC 소자를 우선 유리 페이스트가 들어 있는 용기에 디핑하여 소자 전체에 유리 페이스트를 도포한 후, 300∼700℃에서 열처리를 진행하여 유리 페이스트의 유리 분말들이 결합을 일으켜 유리 도포부(54)를 형성시킨다. 다음 저온 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액인 저온형 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) 또는 폴리시라잔(Polysilazane)으로 코팅하여 칩 NTC 소체에 부착된 단자선 부분 및 유리 도포부(54) 전체가 코팅되도록 실리카 코팅부(55)를 형성한다.
〈실시예5〉
다섯 번째 실시예로서 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 아래와 같이 제조할 수 있다.
상기와 같이 여러 방법으로 제조된 칩 NTC 소체에 단자선을 부착시킨 칩 NTC 소자의 상부에서부터 유리 튜브를 삽입하고(도1 참조) 400∼1000℃의 열처리로(Furnace)에서 열처리를 진행하여 삽입된 유리 튜브를 용융시켜 유리 도포부를 형성시킨다. 다음 저온 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액인 저온형 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) 또는 폴리시라잔(Polysilazane)으로 코팅하여 칩 NTC 소체에 부착된 단자선 부분 및 유리 도포부 전체가 코팅되도록 실리카 코팅부를 형성한다.
저온유기용매용액으로 코팅된 칩 NTC 소자는 200℃이하의 온도, 24시간 이내로 건조 및 소성시켜 유리구조인 SiO2를 형성시켜 소자 및 유리 도포부를 치밀하게 밀봉하여 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 완성한다.
〈실시예6〉
여섯 번째 실시예로서 도6에 나타낸 바와 같이 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 아래와 같이 제조할 수 있다.
상기와 같은 방법으로 단자선(63)이 부착된 칩 NTC 소체(61)에 저온에서 소성 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액의 코팅에 의해 단자선 부분 및 칩 NTC 소체 전체가 코팅되도록 제1 실리카 코팅부(64)를 형성한다.
제1 실리카 코팅부(64)를 완전히 건조 경화시킨 후 제1 실리카 코팅부(64) 전체가 코팅되도록 유리 페이스트를 디핑법으로 도포한 후, 300∼700℃에서 열처리를 진행하여 제1 유리 도포부(65)를 형성한다. 제1 유리 도포부(65)가 형성된 칩 NTC 소자를 상기와 동일한 방법으로 저온유기용매용액으로 제1 유리 도포부(65) 전체를 코팅하여 제2 실리카 코팅부(66)를 형성한다. 제2 실리카 코팅부(66)를 상기와 같은 방법으로 건조시킨 후 제2 실리카 코팅부(66) 전체가 코팅되도록 유리 페이스트를 도포한 후 도포된 유리 페이스트를 열처리하여 제2 유리 도포부(67)를 형성하여 다층형 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 완성한다. 이때 실리카 코팅부의 두께, 층수 및 유리 도포 부의 두께, 층수는 원하는 소자 특성에 따라 적절하게 조절된다.
다른 실시예로서 칩 NTC 소자에 직접 접촉하는 유리 도포부를 먼저 형성하고 실리카 코팅부와 유리 도포부를 교호로 상기와 같은 방법으로 복수회 형성하여 다층형 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 제조한다.
〈실시예7〉
또한, 더욱 높은 고신뢰성이 필요한 경우는 단자선과 외부 유리층의 밀착성을 더욱 향상시키기 위해 단자선으로 듀멧선을 사용하고 상기와 동일한 각각의 방법으로 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 제조한다.
상기와 같이 제조된 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터는 도7에 나타낸 바와 같이 외부로부터의 수분 침투가 차단된다. 즉, 상기와 같이 저온에서 소성 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 소자 전체에 코팅하여 실리카 코팅부(72)를 형성하고 유리 페이스트 도포 또는 유리 튜브의 용융에 의한 유리 도포부(73)를 형성한 경우(도7의 (a))와 유리 페이스트 도포 또는 유리 튜브 용융에 의해 유리 도포부(73)를 먼저 형성하고 실리카 함유 저온유기용매용액을 소자 전체에 코팅하여 실리카 코팅부(72)를 형성한 경우(도7의 (b))는 단자선과 외부 코팅부 사이에 미세한 틈이 완전히 밀봉되어 수분 침투를 차단하므로 신뢰성이 우수한 유리 도포형 칩 NTC 서미스터를 구현하게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명은 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 제조 공정 중에 저온에서 소성이 가능한 실리카 함유 저온유기용매용액을 소자 전체에 코팅하여 치밀한 밀봉을 형성하므로 수분의 침투를 차단하여 칩 NTC 소자의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
또한 상술한 바와 같이 본 발명은 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 제조 공정을 단순하고 용이하게 개선하여 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
또한 상술한 바와 같이 본 발명은 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 단자선으로 고가의 듀멧선을 대체하여 일반적인 금속선을 사용하고 고가의 유리 튜브를 사용하지 않음으로써 생산 원가를 절감시키는 효과가 있다.
도 1 종래 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 구성도
도 2 일반 금속 단자선을 이용하는 경우 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 문제점 도시도
도 3 본 발명에 의한 실리카 코팅부 보호막을 형성한 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 구성도
도 4 본 발명에 의한 실리카 코팅부 및 유리 도포부를 형성한 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 구성도
도 5 본 발명에 의한 유리 도포부 및 실리카 코팅부를 형성한 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 구성도
도 6 본 발명에 의한 실리카 코팅부 및 유리 도포부를 다층으로 형성한 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 구성도
도 7 본 발명에 의해 제조된 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 수분 침투 방지 효과 모식도
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
31, 41: 칩 NTC 소체 32, 42: 전극
33, 43: 단자선 34, 44: 실리카 코팅부
45: 유리 도포부

Claims (15)

  1. 부온도 계수 특성을 가지는 칩 NTC 소결체;
    상기 칩 NTC 소결체의 양끝단의 표면에 형성된 전극;
    상기 칩 NTC 소결체 표면의 상기 전극에 부착된 단자선;
    상기 단자선이 부착된 칩 NTC 소자를 감싸는 외부 보호부를 포함하며,
    상기 외부 보호부는 실리카 함유 저온유기용매용액을 코팅하여 형성된 실리카 코팅부를 포함하는 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부 보호부는 유리 도포부를 포함하는 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터.
  3. 삭제
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 외부 보호부는 적어도 한개 이상의 상기 실리카 코팅부를 포함하거나, 각기 적어도 한개 이상의 상기 실리카 코팅부와 상기 유리 도포부가 순차적으로 형성되거나, 각기 적어도 한개 이상의 상기 유리도포부와 상기 실리카 코팅부가 순차적으로 형성된 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리카 코팅부의 두께가 0.1 내지 수십 ㎛인 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리카 함유 저온유기용매용액으로 저온형 TEOS 또는 폴리시라잔을 이용하고, 상기 단자선으로 유리와 열팽창계수가 유사한 금속선을 이용하는 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터.
  7. 삭제
  8. 부온도 계수 특성을 가지는 칩 NTC 소결체를 제조하는 단계;
    상기 칩 NTC 소결체의 양끝단의 표면에 전극을 형성하는 단계,
    상기 칩 NTC 소결체 표면의 상기 전극에 단자선을 부착하는 단계;
    실리카 함유 저온유기용매용액을 이용하여 실리카 코팅부를 형성하여 상기 단자선이 부착된 칩 NTC 소자를 감싸는 외부 보호부를 형성하는 단계;를 포함하는 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 실리카 함유 저온유기용매용액을 이용하여 상기 실리카 코팅부를 형성하여 상기 단자선이 부착된 상기 칩 NTC 소자를 감싸는 상기 외부 보호부를 형성하는 단계는,
    유리 페이스트를 도포하거나, 유리 튜브를 용융시켜 유리 도포부를 형성하는 단계를 포함하는 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 실리카 함유 저온유기용매용액을 이용하여 형성된 상기 실리카 코팅부는 디핑법 또는 스프레이법을 이용하여 상온에서 코팅한 후 200℃ 이하에서 24시간 이내로 건조 소성하여 형성되는 고신뢰성 유리 도포형 칩 NTC 서미스터의 제조방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
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