CN115240935A - 一种抗高浪涌电流能力的ntc元件组成物及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物，包括NTC元件组成物体、抗高浪涌电流护层，所述抗高浪涌电流护层溅射呈薄膜将NTC元件组成物体包裹。本发明采用多晶硅、金属化阴极、金属化阳极将NTC元件组成物表面形成抗高浪涌电流层，使高浪涌电流经过金属化阴极和金属化阳极导电，导出，进而对NTC元件组成物形成保护层，达到防止高浪涌电流对NTC元件组成物造成损伤的情况发生。
Description
技术领域
本发明涉及NTC元件组成物领域，具体涉及一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物及其制备方法。
背景技术
NTC元件组成物包括NTC热敏电阻，NTC热敏电阻是利用锰、钴、镍、铜、硅、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺制成的半导体陶瓷，具有对温度敏感、互换性好、响应快以及体积小等诸多优点，被广泛应用于温度控制、补偿、测量等方面。
随着应用研究的广泛深入，发现NTC热敏电阻在使用过程中存在严重的老化问题，具体表现为：随着时间的推移，NTC热敏电阻室温阻值不稳定，即热敏指数(B值)和电阻值(R值)随使用时间的增加而变大。
NTC热敏电阻老化现象容易导致热敏元器件的综合性能参数严重偏离设计值，极大的限制NTC热敏陶瓷材料在精密控温和测温等高端技术领域的应用，因此需要对NTC热敏陶瓷材料的老化性能进行评估，采用的老化条件是在150℃放置时间超过30h，老化后的NTC热敏陶瓷材料一般会出现R值和B值均变大的现象，R值和B值的变化率均会大于2.5％。
但是，现有技术中对经高浪涌电流会导致NTC元件组成物体损坏，造成NTC元件组成物体的电流损坏。
因此，本领域技术人员提供了一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供：
一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物，包括NTC元件组成物体、抗高浪涌电流护层，所述抗高浪涌电流护层溅射呈薄膜将NTC元件组成物体包裹。
优选的：由包含以下重量份的原料制成：
Mn3O4 500～550份；
Nio 20～25份；
Co3o4 400～420份；
Sio2 10～15份；
B2o3 3～5份；
Fe2o3 10～12份；
Zno3 5～6份；
尖晶石 20～25份；
优选的：由包含以下重量份的原料制成：
金属氧化物粉末 65～70份；
乙二醇 10～13份；
丁基卡必醇 12～13份；
无水乙醇 15～16份；
丁酮 12～17份；
乙酸戊酯 9～11份；
乙酸异戊酯 8～15份；
碳酸甲酯 30～35份；
一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物的制备方法，包括以下步骤：
(1)秤料：
将Mn3O4、Nio、Co3o4、Sio2、B2o3、Fe2o3、Zno3、尖晶石、金属氧化物粉末、乙二醇、丁基卡必醇、无水乙醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯按重量比称取，存放备用；
(3)初步粉碎：
a.一次粉碎：将Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石放置进行粉碎机内，粉碎处理20～23min；
b.取料：取蒸馏水800～900份、消泡剂1～1.5份、分散剂5～6.5份；
(3)混合：
a.将步骤(2)内步骤a.b.中的Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石粉末混合物和蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进搅拌器内，搅拌时间为7～9min；
b.将步骤(3)内步骤a的搅拌混合物放置进模具内，并将盛有混合物的模具放置进冻干机内，冻干时间为2～3h，后脱模；
c.将步骤(3)内步骤b冻干的混合物放置进微粉碎机内粉碎处理，粉碎时间为5～9min；
(4)煅烧：
a.将步骤(3)内步骤c内粉碎后的混合物放置进干燥机内，干燥时间为22～24h，干燥温度为150～200℃；
b.将步骤(4)内步骤a内干燥后的混合物放置进煅烧炉内，煅烧时间为5～7h，煅烧温度为850～900℃，后冷却，备用；
(5)微粉碎：
a.将步骤(1)内Sio2、B2o3、无水乙醇、丁基卡必醇放置进器皿内；
b.将步骤(2)内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进步骤(5)内步骤a的器皿内；
c.将步骤(4)内步骤b的混合物放置进步骤(5)内步骤b的器皿内，并搅拌，搅拌时间为8～10min；
(6)喷雾造粒：
a.将步骤(5)内步骤c中的混合物料浆雾化处理，并雾粒干燥成球，将颗粒粉料卸出，喷雾压强为0.1～0.3MPa，压差为0.2～0.5MPa，喷雾进口温度为180～190℃，出口温度为80～90℃，雾化转速为20～30r/min；
b.将步骤(6)内步骤a的颗粒进行筛选，并筛目为80，备用；
c.将步骤(6)内步骤b的颗粒放置模具内，加压，压制成型；
(7)制备电极浆料；
a.将Fe2o3、Zno3、金属氧化物粉末、乙二醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯放置进器皿内，并加入步骤(2)内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂进行搅拌处理，搅拌时间为30～40min；
(8)真空搅拌；
a.将步骤(7)内步骤a的搅拌物放置进真空搅拌器内，真空度为-0.09MPa，进行低速分散搅拌30～35min，转速为100～150r/min，再进行高速分散搅拌35～40min，转速为700～750r/min，后取出，制成电极浆料，备用；
b.将步骤(8)内步骤a内的电极浆料溅射在步骤(6)内步骤c压制成型的NTC元件的外部，并干燥10～15h，得到NTC元件组成物；
(9)抗高浪涌电流层制备；
a.取多晶硅、金属化阴极、金属化阳极；
b.将步骤(9)内步骤a的多晶硅制成薄膜将步骤(8)内步骤b的NTC元件组成物表面覆盖；
c.将步骤(9)内金属化阴极放置在多晶硅薄膜内侧一端，再将金属化阳极放置在多晶硅薄膜内侧另一端，形成抗高浪涌电流层。
本发明有益效果：
本发明采用多晶硅、金属化阴极、金属化阳极将NTC元件组成物表面形成抗高浪涌电流层，使高浪涌电流经过金属化阴极和金属化阳极导电，导出，进而对NTC元件组成物形成保护层，达到防止高浪涌电流对NTC元件组成物造成损伤的情况发生。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物及其制备方法的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物及其制备方法中的结构示意图；
图中：
1、NTC元件组成物体；2、抗高浪涌电流护层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。本发明的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本发明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
实施例1
请参阅图1，在本实施例中：
一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物，包括NTC元件组成物体1、抗高浪涌电流护层2，所述抗高浪涌电流护层2溅射呈薄膜将NTC元件组成物体1包裹。
由包含以下重量份的原料制成：
Mn3O4 500～550份；
Nio 20～25份；
Co3o4 400～420份；
Sio2 10～15份；
B2o3 3～5份；
Fe2o3 10～12份；
Zno3 5～6份；
尖晶石 20～25份；
由包含以下重量份的原料制成：
金属氧化物粉末 65～70份；
乙二醇 10～13份；
丁基卡必醇 12～13份；
无水乙醇 15～16份；
丁酮 12～17份；
乙酸戊酯 9～11份；
乙酸异戊酯 8～15份；
碳酸甲酯 30～35份；
请参阅图2，提供一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物的制备方法，包括以下步骤：
(1)秤料：
将Mn3O4、Nio、Co3o4、Sio2、B2o3、Fe2o3、Zno3、尖晶石、金属氧化物粉末、乙二醇、丁基卡必醇、无水乙醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯按重量比称取，存放备用；
(4)初步粉碎：
a.一次粉碎：将Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石放置进行粉碎机内，粉碎处理20～23min；
b.取料：取蒸馏水800～900份、消泡剂1～1.5份、分散剂5～6.5份；
(3)混合：
a.将步骤(2)内步骤a.b.中的Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石粉末混合物和蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进搅拌器内，搅拌时间为7～9min；
b.将步骤(3)内步骤a的搅拌混合物放置进模具内，并将盛有混合物的模具放置进冻干机内，冻干时间为2～3h，后脱模；
c.将步骤(3)内步骤b冻干的混合物放置进微粉碎机内粉碎处理，粉碎时间为5～9min；
(4)煅烧：
a.将步骤(3)内步骤c内粉碎后的混合物放置进干燥机内，干燥时间为22～24h，干燥温度为150～200℃；
b.将步骤(4)内步骤a内干燥后的混合物放置进煅烧炉内，煅烧时间为5～7h，煅烧温度为850～900℃，后冷却，备用；
(5)微粉碎：
a.将步骤(1)内Sio2、B2o3、无水乙醇、丁基卡必醇放置进器皿内；
b.将步骤(2)内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进步骤(5)内步骤a的器皿内；
c.将步骤(4)内步骤b的混合物放置进步骤(5)内步骤b的器皿内，并搅拌，搅拌时间为8～10min；
(6)喷雾造粒：
a.将步骤(5)内步骤c中的混合物料浆雾化处理，并雾粒干燥成球，将颗粒粉料卸出，喷雾压强为0.1～0.3MPa，压差为0.2～0.5MPa，喷雾进口温度为180～190℃，出口温度为80～90℃，雾化转速为20～30r/min；
b.将步骤(6)内步骤a的颗粒进行筛选，并筛目为80，备用；
c.将步骤(6)内步骤b的颗粒放置模具内，加压，压制成型；
(7)制备电极浆料；
a.将Fe2o3、Zno3、金属氧化物粉末、乙二醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯放置进器皿内，并加入步骤(2)内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂进行搅拌处理，搅拌时间为30～40min；
(8)真空搅拌；
a.将步骤(7)内步骤a的搅拌物放置进真空搅拌器内，真空度为-0.09MPa，进行低速分散搅拌30～35min，转速为100～150r/min，再进行高速分散搅拌35～40min，转速为700～750r/min，后取出，制成电极浆料，备用；
b.将步骤(8)内步骤a内的电极浆料溅射在步骤(6)内步骤c压制成型的NTC元件的外部，并干燥10～15h，得到NTC元件组成物；
(9)抗高浪涌电流层制备；
a.取多晶硅、金属化阴极、金属化阳极；
b.将步骤(9)内步骤a的多晶硅制成薄膜将步骤(8)内步骤b的NTC元件组成物表面覆盖；
c.将步骤(9)内金属化阴极放置在多晶硅薄膜内侧一端，再将金属化阳极放置在多晶硅薄膜内侧另一端，形成抗高浪涌电流层。
实施例2
请参阅图1，在本实施例中提供：
一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物，包括NTC元件组成物体1、抗高浪涌电流护层2，所述抗高浪涌电流护层2溅射呈薄膜将NTC元件组成物体1包裹。
由包含以下重量份的原料制成：
Mn3O4 450～500份；
Nio 15～20份；
Co3o4 350～380份；
Sio2 5～10份；
B2o3 2～4份；
Fe2o3 8～10份；
Zno3 3～4份；
尖晶石 15～20份；
由包含以下重量份的原料制成：
金属氧化物粉末 50～60份；
乙二醇 8～11份；
丁基卡必醇 10～11份；
无水乙醇 13～14份；
丁酮 10～15份；
乙酸戊酯 7～9份；
乙酸异戊酯 6～12份；
碳酸甲酯 25～30份；
请参阅图2，提供一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物的制备方法，包括以下步骤：
(1)秤料：
将Mn3O4、Nio、Co3o4、Sio2、B2o3、Fe2o3、Zno3、尖晶石、金属氧化物粉末、乙二醇、丁基卡必醇、无水乙醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯按重量比称取，存放备用；
(5)初步粉碎：
a.一次粉碎：将Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石放置进行粉碎机内，粉碎处理15～18min；
b.取料：取蒸馏水750～850份、消泡剂0.8～1.3份、分散剂4～5.5份；
(3)混合：
a.将步骤(2)内步骤a.b.中的Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石粉末混合物和蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进搅拌器内，搅拌时间为5～7min；
b.将步骤(3)内步骤a的搅拌混合物放置进模具内，并将盛有混合物的模具放置进冻干机内，冻干时间为1.8～2.5h，后脱模；
c.将步骤(3)内步骤b冻干的混合物放置进微粉碎机内粉碎处理，粉碎时间为4～8min；
(4)煅烧：
a.将步骤(3)内步骤c内粉碎后的混合物放置进干燥机内，干燥时间为20～22h，干燥温度为120～170℃；
b.将步骤(4)内步骤a内干燥后的混合物放置进煅烧炉内，煅烧时间为4～6h，煅烧温度为800～850℃，后冷却，备用；
(5)微粉碎：
a.将步骤(1)内Sio2、B2o3、无水乙醇、丁基卡必醇放置进器皿内；
b.将步骤(2)内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进步骤(5)内步骤a的器皿内；
c.将步骤(4)内步骤b的混合物放置进步骤(5)内步骤b的器皿内，并搅拌，搅拌时间为7～8min；
(6)喷雾造粒：
a.将步骤(5)内步骤c中的混合物料浆雾化处理，并雾粒干燥成球，将颗粒粉料卸出，喷雾压强为0.2～0.5MPa，压差为0.3～0.6MPa，喷雾进口温度为170～180℃，出口温度为70～80℃，雾化转速为15～25r/min；
b.将步骤(6)内步骤a的颗粒进行筛选，并筛目为90，备用；
c.将步骤(6)内步骤b的颗粒放置模具内，加压，压制成型；
(7)制备电极浆料；
a.将Fe2o3、Zno3、金属氧化物粉末、乙二醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯放置进器皿内，并加入步骤(2)内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂进行搅拌处理，搅拌时间为25～35min；
(8)真空搅拌；
a.将步骤(7)内步骤a的搅拌物放置进真空搅拌器内，真空度为-0.09MPa，进行低速分散搅拌25～30min，转速为80～120r/min，再进行高速分散搅拌30～35min，转速为650～700r/min，后取出，制成电极浆料，备用；
b.将步骤(8)内步骤a内的电极浆料溅射在步骤(6)内步骤c压制成型的NTC元件的外部，并干燥8～13h，得到NTC元件组成物；
(9)抗高浪涌电流层制备；
a.取多晶硅、金属化阴极、金属化阳极；
b.将步骤(9)内步骤a的多晶硅制成薄膜将步骤(8)内步骤b的NTC元件组成物表面覆盖；
c.将步骤(9)内金属化阴极放置在多晶硅薄膜内侧一端，再将金属化阳极放置在多晶硅薄膜内侧另一端，形成抗高浪涌电流层。
显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。本发明中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法，如无特别说明和限定，均按照本领域的常规手段进行实施。
Claims (4)
1.一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物，其特征在于，包括NTC元件组成物体(1)、抗高浪涌电流护层(2)，所述抗高浪涌电流护层(2)溅射呈薄膜将NTC元件组成物体(1)包裹。
2.根据权利要求1所述的一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物的制备方法，其特征在于，由包含以下重量份的原料制成：
Mn3O4500～550份；
Nio 20～25份；
Co3o4400～420份；
Sio210～15份；
B2o33～5份；
Fe2o310～12份；
Zno35～6份；
尖晶石20～25份。
3.根据权利要求1所述的一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物的制备方法，其特征在于，由包含以下重量份的原料制成：
金属氧化物粉末65～70份；
乙二醇10～13份；
丁基卡必醇12～13份；
无水乙醇15～16份；
丁酮12～17份；
乙酸戊酯9～11份；
乙酸异戊酯8～15份；
碳酸甲酯30～35份。
4.根据权利要求1所述的一种抗高浪涌电流能力的NTC元件组成物的制备方法，包括以下步骤：
(1)秤料：
将Mn3O4、Nio、Co3o4、Sio2、B2o3、Fe2o3、Zno3、尖晶石、金属氧化物粉末、乙二醇、丁基卡必醇、无水乙醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯按重量比称取，存放备用；
(2)初步粉碎：
a.一次粉碎：将Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石放置进行粉碎机内，粉碎处理20～23min；
b.取料：取蒸馏水800～900份、消泡剂1～1.5份、分散剂5～6.5份；
(3)混合：
a.将步骤(2)内步骤a.b.中的Mn3O4、Nio、Co3o4、尖晶石粉末混合物和蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进搅拌器内，搅拌时间为7～9min；
b.将步骤(3)内步骤a的搅拌混合物放置进模具内，并将盛有混合物的模具放置进冻干机内，冻干时间为2～3h，后脱模；
c.将步骤(3)内步骤b冻干的混合物放置进微粉碎机内粉碎处理，粉碎时间为5～9min；
(4)煅烧：
a.将步骤(3)内步骤c内粉碎后的混合物放置进干燥机内，干燥时间为22～24h，干燥温度为150～200℃；
b.将步骤(4)内步骤a内干燥后的混合物放置进煅烧炉内，煅烧时间为5～7h，煅烧温度为850～900℃，后冷却，备用；
(5)微粉碎：
a.将步骤(1)内Sio2、B2o3、无水乙醇、丁基卡必醇放置进器皿内；
b.将步骤(2)内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂放置进步骤(5)内步骤a的器皿内；
c.将步骤(4)内步骤b的混合物放置进步骤(5)内步骤b的器皿内，并搅拌，搅拌时间为8～10min；
(6)喷雾造粒：
a.将步骤(5)内步骤c中的混合物料浆雾化处理，并雾粒干燥成球，将颗粒粉料卸出，喷雾压强为0.1～0.3MPa，压差为0.2～0.5MPa，喷雾进口温度为180～190℃，出口温度为80～90℃，雾化转速为20～30r/min；
b.将步骤(6)内步骤a的颗粒进行筛选，并筛目为80，备用；
c.将步骤(6)内步骤b的颗粒放置模具内，加压，压制成型；
(7)制备电极浆料；
a.将Fe2o3、Zno3、金属氧化物粉末、乙二醇、丁酮、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、碳酸甲酯放置进器皿内，并加入步骤(2)内步骤b的蒸馏水、分散剂、消泡剂进行搅拌处理，搅拌时间为30～40min；
(8)真空搅拌；
a.将步骤(7)内步骤a的搅拌物放置进真空搅拌器内，真空度为-0.09MPa，进行低速分散搅拌30～35min，转速为100～150r/min，再进行高速分散搅拌35～40min，转速为700～750r/min，后取出，制成电极浆料，备用；
b.将步骤(8)内步骤a内的电极浆料溅射在步骤(6)内步骤c压制成型的NTC元件的外部，并干燥10～15h，得到NTC元件组成物；
(9)抗高浪涌电流层制备；
a.取多晶硅、金属化阴极、金属化阳极；
b.将步骤(9)内步骤a的多晶硅制成薄膜将步骤(8)内步骤b的NTC元件组成物表面覆盖；
c.将步骤(9)内金属化阴极放置在多晶硅薄膜内侧一端，再将金属化阳极放置在多晶硅薄膜内侧另一端，形成抗高浪涌电流层。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020077292A (ko) * | 2002-07-29 | 2002-10-11 | 유니썸테크놀로지 주식회사 | 고신뢰성 유리 도포형 칩 ntc 서미스터 및 그 제조 방법 |
| CN1711665A (zh) * | 2002-11-12 | 2005-12-21 | 半导体元件工业有限责任公司 | 集成浪涌电流限制器电路及方法 |
| CN202282206U (zh) * | 2011-09-19 | 2012-06-20 | 厦门万明电子有限公司 | 一种ntc热敏电阻 |
| EP2980806A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-03 | Thinking Electronic Industrial Co., Ltd. | Electrode component with pretreated layers |
| KR20160148127A (ko) * | 2015-06-15 | 2016-12-26 | 고려전자주식회사 | 배터리팩 온도감지용 ntc 서미스터 및 그 제조방법 |
| US20180301253A1 (en) * | 2015-12-16 | 2018-10-18 | Epcos Ag | NTC Ceramic Part, Electronic Component for Inrush Current Limiting, and Method for Manufacturing an Electronic Component |
| CN109942285A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-06-28 | 济南大学 | 一种原位生成层状复合负温度系数热敏陶瓷材料和制备方法及应用 |
| CN210893464U (zh) * | 2019-12-13 | 2020-06-30 | 无锡中汇汽车电子科技有限公司 | 一种应用于动力电池的温度传感器 |
| CN212161426U (zh) * | 2020-07-07 | 2020-12-15 | 恒基电子(泰州)有限公司 | 一种新型ntc热敏电阻器 |
| CN212874183U (zh) * | 2020-08-21 | 2021-04-02 | 天津市倍利加科技发展有限公司 | 一种抑制浪涌电流型负温度系数热敏电阻器 |
-
2022
- 2022-07-27 CN CN202210889086.2A patent/CN115240935A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020077292A (ko) * | 2002-07-29 | 2002-10-11 | 유니썸테크놀로지 주식회사 | 고신뢰성 유리 도포형 칩 ntc 서미스터 및 그 제조 방법 |
| CN1711665A (zh) * | 2002-11-12 | 2005-12-21 | 半导体元件工业有限责任公司 | 集成浪涌电流限制器电路及方法 |
| CN202282206U (zh) * | 2011-09-19 | 2012-06-20 | 厦门万明电子有限公司 | 一种ntc热敏电阻 |
| EP2980806A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-03 | Thinking Electronic Industrial Co., Ltd. | Electrode component with pretreated layers |
| KR20160148127A (ko) * | 2015-06-15 | 2016-12-26 | 고려전자주식회사 | 배터리팩 온도감지용 ntc 서미스터 및 그 제조방법 |
| US20180301253A1 (en) * | 2015-12-16 | 2018-10-18 | Epcos Ag | NTC Ceramic Part, Electronic Component for Inrush Current Limiting, and Method for Manufacturing an Electronic Component |
| CN109942285A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-06-28 | 济南大学 | 一种原位生成层状复合负温度系数热敏陶瓷材料和制备方法及应用 |
| CN210893464U (zh) * | 2019-12-13 | 2020-06-30 | 无锡中汇汽车电子科技有限公司 | 一种应用于动力电池的温度传感器 |
| CN212161426U (zh) * | 2020-07-07 | 2020-12-15 | 恒基电子(泰州)有限公司 | 一种新型ntc热敏电阻器 |
| CN212874183U (zh) * | 2020-08-21 | 2021-04-02 | 天津市倍利加科技发展有限公司 | 一种抑制浪涌电流型负温度系数热敏电阻器 |
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