KR100465929B1 - 연마상황 모니터링 방법, 연마상황 모니터링 장치,연마장치, 프로세스 웨이퍼, 반도체 디바이스 제조방법 및반도체 디바이스 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 연마체와 연마대상물 사이에 연마제를 개재시킨 상태에서, 상기 연마체와 상기 연마대상물 사이에 하중을 더하고 상대이동시킴으로써 상기 연마대상물을 연마하는 연마상황을 그 연마중에 모니터링하는 연마상황 모니터링 방법으로서, 소정의 광원으로부터 발사한 프로브광을 상기 연마대상물에 조사하여 상기 연마대상물에서 반사된 반사광의 스펙트럼인 계측 스펙트럼을 연마중에 취득하고, 이 계측 스펙트럼에 기초하여 상기 연마상황을 연마중에 모니터링하는 연마상황 모니터링 방법에 있어서, 상기 연마대상물의 연마에 앞서, 또는 상기 연마대상물의 연마중에 상기 광원으로부터 발사한 광을 소정의 반사체에 조사하여 이 반사체에서 반사된 반사광의 스펙트럼인 기준 스펙트럼을 취득하고, 상기 계측 스펙트럼의 상기 기준 스펙트럼에 대한 관계에 기초하여, 상기 연마상황을 상기 연마대상물의 연마중에 모니터링하는 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 프로브광 및 상기 반사체에 조사되는 광이 상기 연마체에 설치된 하나 이상의 창을 통하여 상기 연마대상물 또는 상기 반사체에 조사되거나, 또는 상기 프로브광 및 상기 반사체에 조사되는 광이 상기 연마대상물 또는 상기 반사체에 있어서의 상기 연마체로부터 노출된 부분에 조사되는 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사체로 조사하는 상기 광 및 해당 광에 의한 상기 반사체로부터의 반사광의 광로중에 상기 연마제를 개재시킨 상태에서, 상기 기준 스펙트럼을 취득하는 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사체로 조사하는 상기 광 및 해당 광에 의한 상기 반사체로부터의 반사광의 광로중에 상기 연마제를 개재시키고, 또한 상기 연마체와 상기 반사체와의 사이에, 상기 연마대상물의 연마시의 하중과 실질적으로 동일한 하중을 더한 상태에서, 상기 기준 스펙트럼을 취득하는 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사체로 조사하는 상기 광 및 해당 광에 의한 상기 반사체로부터의 반사광의 광로중에 상기 연마제를 개재시키고, 또한 상기 연마대상물의 연마시의 연마조건과 실질적으로 동일한 조건으로 상기 반사체를 연마하면서 상기 기준 스펙트럼을 취득하는 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사체 또는 상기 반사체를 갖는 부재가 상기 연마대상물과 실질적으로 동일한 형상 및 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 연마대상물이 프로세스 웨이퍼이며, 이 프로세스 웨이퍼를 대기시에 수용하는 용기에 상기 반사체 또는 상기 부재도 미리 수용하고, 상기 프로세스 웨이퍼를 상기 용기로부터 소정의 연마위치에 세팅하는 장치를 이용하여, 상기 기준 스펙트럼의 취득시에 상기 반사체 또는 상기 부재를 상기 소정의 연마위치로 세팅하는 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사체가, 상기 연마대상물을 연마중에 유지하는 유지부에 배치된 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 연마대상물이 프로세스 웨이퍼이며, 상기 반사체가 상기 프로세스 웨이퍼에 있어서의 디바이스 영역 이외의 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 방법.
- 디바이스 영역 이외의 영역에 있어서, 연마면측에 반사체가 형성되고, 상기 반사체의 형성영역의 크기가 상기 반사체에서 반사된 반사광의 스펙트럼인 기준 스펙트럼을 취득하기 위하여 상기 반사체를 향하여 조사되는 광의 스폿보다 큰 것을 특징으로 하는 프로세스 웨이퍼.
- 연마체와 연마대상물과의 사이에 연마제를 개재시킨 상태에서, 상기 연마체와 연마대상물과의 사이에 하중을 가하고, 동시에 상대 이동시킴으로써, 상기 연마대상물을 연마하는 연마장치에 장착되어, 상기 연마대상물을 연마중에 모니터링하는 연마상황 모니터링 장치로서,상기 모니터링 장치는, 광원과, 이 광원으로부터 발사된 프로브광을 상기 연마대상물에 조사하는 광학계와, 상기 연마대상물에서 반사된 반사광의 스펙트럼인 계측 스펙트럼을 연마중에 취득하는 광학계와, 상기 계측 스펙트럼에 기초하여 상기 연마상황을 연마중에 검지하는 수단을 가지고, 추가로 상기 모니터링 장치에 기준 스펙트럼을 부여하기 위한 반사체를 갖는 것을 특징으로 하는 연마상황 모니터링 장치.
- 연마체와, 연마대상물을 연마중에 유지하는 유지부를 구비하며, 상기 연마체와 상기 연마대상물 사이에 연마제를 개재시킨 상태에서, 상기 연마체와 상기 연마대상물 사이에 하중을 가하고 상대이동시킴으로써 상기 연마대상물을 연마하는 연마장치에 있어서, 제 11 항에 기재된 연마상황 모니터링 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마체와, 연마대상물을 연마중에 유지하는 유지부를 구비하며, 상기 연마체와 상기 연마대상물 사이에 연마제를 개재시킨 상태에서, 상기 연마체와 상기 연마대상물 사이에 하중을 가하고 상대이동시킴으로써 상기 연마대상물을 연마하는 연마장치에 있어서, 상기 유지부에 상기 연마대상물이 유지되는 측과 동일한 측을 향하도록 반사체가 배치된 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 실리콘 웨이퍼에 대해, 필요에 따라 표면을 산화시키는 산화공정, CVD공정, 전극형성공정, 이온주입공정을 행하고, CVD공정, 전극형성공정의 후에 필요에 따라 CMP공정을 행하며, 산화공정 또는 CMP공정에 이어서 포토리소그래피 공정과 레지스트의 에칭공정을 행하고, 이상의 공정을 필요한 만큼 반복하여, 반도체 디바이스를 제조하는 방법으로서,상기 CMP공정이, 제 12 항 또는 제 13 항에 기재된 연마장치를 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
- 제 14 항에 기재된 반도체 디바이스 제조방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
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