KR100460206B1 - 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치 - Google Patents

마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100460206B1
KR100460206B1 KR10-2001-0018561A KR20010018561A KR100460206B1 KR 100460206 B1 KR100460206 B1 KR 100460206B1 KR 20010018561 A KR20010018561 A KR 20010018561A KR 100460206 B1 KR100460206 B1 KR 100460206B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
ray
micro actuator
holder
electrodes
Prior art date
Application number
KR10-2001-0018561A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020078700A (ko
Inventor
이승섭
이광철
문상준
Original Assignee
학교법인 포항공과대학교
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 학교법인 포항공과대학교 filed Critical 학교법인 포항공과대학교
Priority to KR10-2001-0018561A priority Critical patent/KR100460206B1/ko
Priority to US10/046,170 priority patent/US6501824B1/en
Publication of KR20020078700A publication Critical patent/KR20020078700A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100460206B1 publication Critical patent/KR100460206B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치에 관한 것으로, 기판 위에 얇은 멤브레인 구조물(11), 즉 셔틀 매스가 형성되고 그 멤브레인 구조물(11)위에 형성된 X-선 흡수체((12)로 구성되는 마스크부(10)와, 마스크부(10)를 지지하기 위해 일정간격 떨어져 둘러싸도록 설치되는 마스크 홀더부(20)와, 마스크부(10)를 상기 마스크 홀더(20)로부터 탄성이동가능하도록 마스크부(10)와 마스크 홀더부(20)사이를 연결하는 하나이상의 탄성지지체(31)와, 마스크부(10) 외측과 마스크 홀더부(20) 내측에 각각 다수개의 빗형상체(comb)로 이루어진 전극(32)을 상호 이격된 거리를 두고 교차되게 형성하여 전극(32)에 인가된 전기력에 의해 미소 변위생성능력을 발생시켜 마스크(10)의 위치를 정밀하게 제어하는 마이크로 액츄에이터부(30)를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 따르면, 방사광 가속기의 X-선을 이용하는 LIGA 공정 시 마스크부만을 직접 움직여가면서 3차원 구조물을 정밀하게 제작할 수 있다.

Description

마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치{X-RAY MASK APPARATUS WITH AN MICRO ACTUATOR}
본 발명은 방사광 가속기의 X-선(ray)을 이용하는 LIGA공정에서 마이크로 액츄에이터에 의해 마스크의 위치가 미세하게 제어되는 마이크로 액츄에이터 내장형 마스크를 이용하여 3차원 구조물 형상을 만들 수 있는 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치에 관한 것이다.
최근들어 3차원 미세 구조물을 제조하는 기술로 X-선 마스크를 이용한 LIGA 공정 기술이 이용되고 있다.
LIGA(LIthographie, Galvanoformung, Abformung) 란 독일어 LIthographie, Galvanoformung, Abformung의 첫 글자를 따서 만든 단어로 이를 풀이하면 사진 식각(lithography), 전기 도금을 이용한 미세 금형틀 제작기술(electroforming), 사출공정을 이용한 미세구조물 대량 생산 기술(molding)을 의미한다. 즉 LIGA는 X-선을 이용한 식각과 도금 및 사출 공정을 통하여 미세 구조물을 제작하는 미세가공 기술을 의미한다.
LIGA 공정으로 제작할 수 있는 구조물의 높이가 수십 ㎛ ∼ 수 ㎝이고, 수직구조의 구조무을 제작할 수 있으며, 그 수직 벽면의 거칠기가 수백 Å 정도를 나타내므로, 매우 정밀한 3차원 미세 구조물을 제작하는데 유리하다.
X-선 마스크는 X-선 식각(lithography) 공정에서 감광막(resist film)와 X-선 광원 사이에 위치하여 X-선을 선택적으로 투과시키는 기구이다.
종래의 X-선 마스크는 기판 위에 실리콘 혹은 질화실리콘 재질의 얇은 멤브레인막 위에 금(Au) 재질의 X-선 흡수체(absorber)가 형성되어 있다. 질화 실리콘 재질의 멤브레인은 X-선이 거의 손실되지 않고 투과하며, X-선 흡수체가 형성되어 있는 부분은 X-선이 투과하지 못하여, 흡수체의 형상이 PMMA 또는 감광막에 전사된다.
도 1 및 도 2는 종래의 3차원 미세 구조물을 제작하기 위한 X-선 마스크 운용방식을 도시한 개략 정면도 및 평면도이다.
도시된 바와 같이, X-선 마스크는 멤브레인 구조물(1)과 흡수체(2)로 구성되어, 마스크 홀더(3)에 의해 지지되며, 마스크 홀더(3)는 x-y-z 구동 스테이지(4)에 의해 지지되어 있다.
x-y-z 구동 스테이지(4)는 3차원 방향으로 마스크(5) 및 마스크 홀더(3)를 이동시킨다.
X-선 마스크(5) 상부에는 도면상 미도시되어 있으나 X-선 광원이 위치하고, 하부에는 노광하고자 하는 PMMA 또는 감광막(6)이 위치하게 된다.
도 3은 종래의 X-선 마스크 운용방식을 이용한 3차원 구조물의 제작예를 도시한 개략도로서, 노광시 X-선 마스크(5)를 x-y-z 구동 스테이지(미도시됨)를 이용하여 원형으로 움직이면, 연속적으로 광원이 투과되는 부분인 내경(r1)과 간헐적으로 광원이 투과되는 부분인 외경(r2) 크기의 원추형 실린더 구조물을 얻을 수 있다.
그런데 이와 같은 종래의 X-선 마스크 운용방식은 장치는 x-y-z 구동 스테이지가 직접 이동하여 3차원 방향으로 X-선 마스크를 구동하는 것으로, X-선 마스크 및 홀더는 x-y-z 구동 스테이지에 고정된 구조를 이룬다. 따라서, 복잡한 x-y-z 구동 스테이지 및 이를 정밀하게 제어하기 위한 부대장치를 갖춰야 하는 단점이 있었다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 단점을 해결하기 위한 것으로, X-선 마스크를 직접 구동시킬 수 있도록 X-선 마스크에 액츄에이터를 내장한 마스크 장치와 이를 이용한 3차원 구조물 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 3차원 미세 구조물을 제작하기 위한 X-선 마스크 운용방식을 도시한 개략 정면도 및 평면도,
도 3은 종래의 X-선 마스크 운용방식을 이용한 3차원 구조물의 제작예를 도시한 개략도,
도 4는 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치를 도시한 종단면도,
도 5는 본 발명에 따른 도 4의 평면도,
도 6은 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치의 변형예를 도시한 평면도,
도 7은 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치를 이용한 임의의 3차원 구조물 제작방법을 개략적으로 나타낸 사시도,
도 8은 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치를 이용한 임의의 3차원 구조물들을 도시한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 마스크부 11 : 멤브레인 구조물
12 : X-선 흡수체 13 : PMMA 또는 감광막
20 : 마스크 홀더부 30 : 마이크로 액츄에이터부
31 : 탄성지지체 32 : 전극
33 : 고정자 전극 34 : 이동자 전극
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치에 있어서, 방사광 가속기를 이용한 깊은 X-선 노광공정(DXRL : Deep X-ray Radiation Lithography)에 사용되는 X-선 마스크에 마이크로 액튜에이터를 내장하는 X-선 마스크 장치를 제공한다.본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판 위에 얇은 멤브레인 구조물이 형성되고 그 멤브레인 구조물위에 형성된 X-선 흡수체로 구성되는 마스크부와, 마스크부를 지지하기 위해 일정간격 떨어져 둘러싸도록 설치되는 마스크 홀더부와, 마스크부를 상기 마스크 홀더로부터 탄성이동 가능하도록 마스크부와 마스크 홀더부 사이를 연결하는 하나이상의 탄성지지체와, 마스크부 외측과 마스크 홀더부 내측에 각각 다수개의 빗형상체(comb)로 이루어진 전극을 상호 이격된 거리를 두고 교차되게 형성하여 전극에 인가된 전기력에 의해 미소 변위생성능력을 발생시켜 마스크의 위치를 정밀하게 제어하는 마이크로 액츄에이터부를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 따르면, 방사광 가속기의 X-선을 이용하는 LIGA 공정 시 마스크부만을 직접 움직여가면서 3차원 구조물을 정밀하게 제작할 수 있다.
이하 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치를 첨부도면과 함께 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치를 도시한 종단면도이며, 도 5는 도 4의 평면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치는 마스크부(10), 마스크 홀더부(20) 및 마이크로 액츄에이터부(30)로 이루어져 있다.
마스크부(10)는 기판 위에 실리콘 재질의 얇은 멤브레인 구조물(11), 즉 셔틀매스가 형성되고 그 셔틀매스위에 형성된 금(Au) 재질의 X-선 흡수체(12)로 구성되어 있다. 질화 실리콘 재질의 멤브레인 구조물(11)은 X-선이 거의 손실되지 않고 투과하며, X-선 흡수체(12)가 형성되어 있는 부분은 X-선이 투과하지 못하고, 흡수체(12)가 없는 부분에는 X-선이 잘 투과하여 PMMA 또는 감광막(13)을 노광시키게 된다.
이와같은 X-선 마스크부(10)는 통상적으로 10㎛ 두께의 흡수체(12)로 100㎛의 감광막을 노광시킬 수 있으며, 흡수체(12)의 두께를 더 증가시켜 그 이상의 감광막 두께까지도 노광할 수 있다.
마스크 홀더부(20)는 마스크부(10)의 가장자리 둘레를 따라 일정간격 이격되게 설치된다.
한편, 마스크부(10)와 상기 마스크 홀더부(20) 사이에는 하나이상의 탄성지지체(31)가 형성되어 마스크부(10)가 마스크 홀더부(20)로부터 탄성이동이 가능하도록 되어 있다.
마이크로 액츄에이터부(30)는 마스크부(10) 외측과 마스크 홀더부(20) 내측에 각각 다수개의 빗형상체(comb)로 이루어진 전극(32)을 상호 이격된 거리를 두고 교차되게 형성하여 상기 전극에 인가된 전기력에 의해 미소 변위생성능력을 발생시켜 마스크부(10)의 위치를 정밀하게 제어한다.
이와 같은 마이크로 액츄에이터부(30)는 정전 방식의 빗살형 마이크로 액츄에이터로서, 마스크 홀더부(20)에는 다수의 고정자 전극(33)이 형성되고 마스크부(10)에는 다수의 이동자 전극(34)이 형성된다.
이와 같은 구조로 이루어진 마이크로 액츄에이터의 고정자 전극(33)과 이동자 전극(34)에 전압을 인가하면 고정자 전극(33)과 이동자 전극(34) 사이의 전위차에 의거하여 이동자 전극(34)의 변위가 발생된다.
즉, 고정자 전극(33)과 이동자 전극(34) 사이에 소정의 구동 전압을 제공하면, 고정자 전극(33)과 이동자 전극(34) 간에는 소정의 정전력이 발생하고, 이때 발생된 정전력에 의거하여 이동자 전극(34)가 이동하게 되는 것이다.
이처럼, 정전력에 의해 구동되는 정전 방식의 마이크로 액츄에이터는 2 개의 전극을 미소한 갭(gap)으로 대향시키는 단순한 구조로서, 치수를 작게할수록 표면에 작용하는 힘인 정전력이 중력 등에 비해 지배적인 힘이 되기 때문에 초정밀 위치제어를 구현할 수 있다.
한편, 도 6은 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치의 변형예를 도시한 평면도이다.
예시도면에서, 가로방향으로 배치된 전극(32a)은 마스크부(10)에 X-축 방향의 변위를 가져오고, 세로방향으로 배치된 전극(32b)은 Y-축 방향의 변위를 가져오게 함으로써 2축방향의 초정밀 위치제어를 구현할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치는 통상적인 전기도금과 사진식각(Photo-lithography) 공정 및 전통적인 MEMS공정을 이용하여 손쉽게 제작할 수 있다.
이와 같이 제조된 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치는 방사광 가속기의 X-선을 이용하는 LIGA공정시 평면구조물의 제약을 벗어난 임의 형태의 3차원 구조물 가공에 응용할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치를 이용한 임의의 3차원 구조물 제작방법을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도시된 바와 같이, X-선 노광공정 중 마이크로 액츄에이터부를 작동시켜 PMMA(13)에 조사되는 X-선량을 조정함으로써 임의의 3차원 구조물(도 8에 도시됨), 예를 들면 임의의 기울기를 갖는 경사면 형상(a), 임의의 높이를 갖는 단차형상(b), 임의의 곡률을 갖는 곡면형상(c) 또는 임의의 경사면, 곡면, 단차의 조합형상(d) 등을 구현할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따르면, 방사광 가속기의 X-선을 이용하는 LIGA 공정시 마스크부만을 직접 움직여가면서 3차원 구조물을 정밀하게 제작할 수 있다.

Claims (3)

  1. 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치에 있어서,
    기판 위에 얇은 멤브레인 구조물이 형성되고 그 멤브레인 구조물위에 형성된 X-선 흡수체로 구성되는 마스크부와,
    상기 마스크부를 지지하기 위해 일정간격 떨어져 둘러싸도록 설치되는 마스크 홀더부와,
    상기 마스크부를 상기 마스크 홀더로부터 탄성이동 가능하도록 상기 마스크부와 상기 마스크 홀더부사이를 연결하는 하나이상의 탄성지지체와,
    상기 마스크부 외측과 상기 마스크 홀더부 내측에 각각 다수개의 빗형상체(comb)로 이루어진 전극을 상호 이격된 거리를 두고 교차되게 형성하여 전극에 인가된 전기력에 의해 미소 변위생성능력을 발생시켜 마스크의 위치를 정밀하게 제어하는 마이크로 액츄에이터부를 포함하는 마이크로 액튜에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 전극 중 다수의 고정자 전극은 마스크 홀더부에 형성되고 다수의 이동자 전극은 마스크부에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치.
KR10-2001-0018561A 2001-04-09 2001-04-09 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치 KR100460206B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0018561A KR100460206B1 (ko) 2001-04-09 2001-04-09 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치
US10/046,170 US6501824B1 (en) 2001-04-09 2002-01-16 X-ray mask with a micro-actuator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0018561A KR100460206B1 (ko) 2001-04-09 2001-04-09 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020078700A KR20020078700A (ko) 2002-10-19
KR100460206B1 true KR100460206B1 (ko) 2004-12-08

Family

ID=19707985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0018561A KR100460206B1 (ko) 2001-04-09 2001-04-09 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6501824B1 (ko)
KR (1) KR100460206B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0612710A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Canon Inc カンチレバー型変位素子の駆動方法、走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置、及びカンチレバー型変位素子
JPH09140171A (ja) * 1995-09-13 1997-05-27 Hewlett Packard Co <Hp> マイクロムーバ
JPH10214978A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Aisin Seiki Co Ltd 半導体マイクロマシン及びその製造方法
JPH11341835A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Nec Corp マイクロアクチュエータとその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3120783B2 (ja) * 1998-06-10 2000-12-25 日本電気株式会社 Ｌｉｇａプロセス用マスクの作製方法
US6387578B1 (en) * 2000-05-05 2002-05-14 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Post-exposure heat treatment to reduce surface roughness of PMMA surfaces formed by radiation lithography

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0612710A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Canon Inc カンチレバー型変位素子の駆動方法、走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置、及びカンチレバー型変位素子
JPH09140171A (ja) * 1995-09-13 1997-05-27 Hewlett Packard Co <Hp> マイクロムーバ
JPH10214978A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Aisin Seiki Co Ltd 半導体マイクロマシン及びその製造方法
JPH11341835A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Nec Corp マイクロアクチュエータとその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020078700A (ko) 2002-10-19
US6501824B1 (en) 2002-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5364742A (en) Micro-miniature structures and method of fabrication thereof
US7019876B2 (en) Micro-mirror with rotor structure
Sugiyama et al. Plain-pattern to cross-section transfer (PCT) technique for deep x-ray lithography and applications
Mita et al. A micromachined impact microactuator driven by electrostatic force
US7090781B2 (en) Micro-actuator and method making the same
Tabata et al. Moving mask LIGA (M/sup 2/LIGA) process for control of side wall inclination
Bley The LIGA process for fabrication of three-dimensional microscale structures
Kondo et al. High aspect ratio electrostatic micro actuators using LIGA process
JPH0564464A (ja) 微小可動機械とその製造方法
KR100460206B1 (ko) 마이크로 액츄에이터를 구비한 엑스선 마스크 장치
Salim et al. Microgrippers created in microstructurable glass
Kwon et al. MicroXY stages with spider-leg actuators for two-dimensional optical scanning
Yu et al. Flexible fabrication of three-dimensional multi-layered microstructures using a scanning laser system
CN107111246B (zh) 反射镜装置
Mita et al. Electrostatic impact-drive microactuator
Christenson et al. Deep x-ray lithography for micromechanics
Sugiyama et al. Novel shaped microstructures processed by deep X-ray lithography
Konishi et al. Parallel linear actuator system with high accuracy and large stroke
Muller et al. LIGA microstructures on top of micromachined silicon wafers used to fabricate a micro-optical switch
Shukla et al. Fabrication of high aspect ratio comb-drive actuator using deep x-ray lithography at Indus-2
Maruo et al. New microstereolithography (Super-IH process) to create 3D freely movable micromechanism without sacrificial layer technique
Tabata et al. 3-Dimensional Microstructure Fabrication using Multiple Moving Mask Deep X-ray Lithography Process
Park et al. Orientation-specific self-assembly at air-water interface using magnetic field
Lee et al. Deep X-ray mask with integrated actuator for 3D microfabrication
KR100456015B1 (ko) 고에너지 광원을 이용한 구조물 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20081125

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee