KR100457497B1 - Edge cover apparatus of plasma process apparatus to eliminate tri-layer particles formed on substrate - Google Patents

Edge cover apparatus of plasma process apparatus to eliminate tri-layer particles formed on substrate Download PDF

Info

Publication number
KR100457497B1
KR100457497B1 KR1019970019715A KR19970019715A KR100457497B1 KR 100457497 B1 KR100457497 B1 KR 100457497B1 KR 1019970019715 A KR1019970019715 A KR 1019970019715A KR 19970019715 A KR19970019715 A KR 19970019715A KR 100457497 B1 KR100457497 B1 KR 100457497B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
edge
distribution plate
bolt
cover
Prior art date
Application number
KR1019970019715A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19980084087A (en
Inventor
황진호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019970019715A priority Critical patent/KR100457497B1/en
Publication of KR19980084087A publication Critical patent/KR19980084087A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100457497B1 publication Critical patent/KR100457497B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel

Abstract

PURPOSE: An edge cover apparatus of a plasma process apparatus is provided to eliminate tri-layer particles formed on a substrate by making an edge bolt and a distribution plate covered with a cover apparatus having a predetermined thermal expansion coefficient and by preventing a tri layer from being peeled. CONSTITUTION: A reaction gas part supplies reaction gas to vacuum chamber. A heater is installed in the vacuum chamber. An electrode box is so disposed to confront the heater. An Al plate applies electrical power, connected to the electrode box. A distribution plate distributes the reaction gas to the inside of the vacuum chamber, attached to the Al plate. An edge bolt connects the distribution plate with the Al plate. The edge bolt and the distribution plate are covered with an insulating cover plate(100) disposed on the edge bolt and the distribution plate such that the insulating cover plate has a thermal expansion coefficient smaller than that of the edge ball and the distribution plate. The cover plate is reinforced by a reinforcement plate(101) made of a stainless material such that the reinforcement plate is coupled to the cover plate.

Description

플라즈마 처리장치의 엣지 커버장치Edge cover device of plasma processing device

본 발명은 플라즈마 CVD(Chemical Vaper Deposition)에 적용되는 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 분배판 고정용 엣지볼트 및 분배판을 소정의 열팽창계수를 갖는 커버장치로 커버링하고 이를 통해 삼층막의 박리를 방지함으로써, 기판에서 유발될 수 있는 삼층막 파티클(Particle)를 적절히 제거시킬 수 있도록 하는 플라즈마 처리장치의 엣지 커버장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus applied to plasma chemical vapor deposition (CVD), and more particularly, to cover an edge bolt for fixing a distribution plate and a distribution plate with a cover device having a predetermined coefficient of thermal expansion and thereby exfoliation of the three layer film. The present invention relates to an edge cover device of a plasma processing apparatus that can appropriately remove three-layer film particles that may be caused from a substrate by preventing the CVD process.

근래에, 300℃ 이하의 저온상태에서 반도체 소자에 막형성을 이루고자하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 연구의 진행과 더불어, 고주파형·용량결합형·평행평판형 플라즈마 CVD 기법, 그중에서도 특히 평행평판형 플라즈마 CVD 기법은 그것이 안정화된 디바이스를 형성할 수 있기 때문에 실공정에서의 활용영역이 더욱 더 증대되고 있다.Recently, studies have been actively conducted to form a film in a semiconductor device at a low temperature of 300 ° C or lower. With the progress of these studies, high frequency, capacitive coupling, and parallel planar plasma CVD techniques, especially parallel planar plasma CVD techniques, can form stable devices. It is becoming.

통상 평행평판형 플라즈마 CVD는 평판형 전극에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 방법을 일컫는 바, 이에 따라 기판에는 소정의 막, 예컨대, 질화실리콘(Si3N4)막이 형성된다.In general, the parallel plate type plasma CVD refers to a method of generating a plasma by applying high frequency power to the plate type electrode. Thus, a predetermined film such as a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film is formed on the substrate.

즉, 플라즈마에 존재하는 반응가스의 자유기(Free radical) 및 이온이 전극의 전계에 이끌려 기판에 증착됨으로써, 기판에는 소정의 막이 형성되는 것이다.That is, free radicals and ions of the reaction gas present in the plasma are attracted to the electric field of the electrode and deposited on the substrate, whereby a predetermined film is formed on the substrate.

도 1은 이러한 기능을 수행하는 종래의 플라즈마 처리장치의 형상을 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the shape of a conventional plasma processing apparatus that performs this function.

도시된 바와 같이, 진공챔버(1)내에는 기판(2)이 배치되어 있다.As shown, the substrate 2 is arranged in the vacuum chamber 1.

이때, 기판(2)은 당해 기판(2)의 온도를 소정의 크기로 가열시켜주는 히터 (3)위에 놓여진다.At this time, the substrate 2 is placed on the heater 3 which heats the temperature of the substrate 2 to a predetermined size.

한편, 기판(2)에 대향하는 위치에는, 전극부(4)가 배치된다.On the other hand, the electrode part 4 is arrange | positioned in the position which opposes the board | substrate 2. As shown in FIG.

이때, 전극부(4)에는 반응성 가스인 증착재료가스, 예컨대, NH3, SiH4등을 기판(2)을 향해 균일하게 공급하기 위한 가스노즐(미도시)이 이중으로 관통형성된 분배판(10)이 부착된 Al 플레이트(6)가 배치되며, 이러한 Al 플레이트(6)는 RF 파우어가 인가되는 전극박스(8)에 연결된다.In this case, a distribution plate 10 through which a gas nozzle (not shown) for supplying a deposition material gas, for example, NH 3 , SiH 4 , which is a reactive gas, uniformly toward the substrate 2, is formed in the electrode part 4 . ) Is attached to the Al plate 6 is attached, this Al plate 6 is connected to the electrode box 8 to which the RF power is applied.

이때, 분배판(10)은 스테인레스 재질을 이루며 소정의 개수, 예컨대, 20개 정도의 엣지볼트(5)에 의해 Al 플래이트(6)에 고정된다.At this time, the distribution plate 10 is made of stainless steel and is fixed to the Al plate 6 by a predetermined number, for example, about 20 edge bolts 5.

이러한 엣지볼트(5)는 분배판(10)이 Al 플래이트(6)로부터 탈거됨으로써, 발생할 수 있는 기판(2)의 이상증착을 방지해 준다.The edge bolt 5 prevents abnormal deposition of the substrate 2, which may occur by removing the distribution plate 10 from the Al plate 6.

또한, Al 플래이트(6)의 인접부에는 소정의 개수, 예컨대, 3개 정도의 역방지판(7)이 설치되는 데, 이러한 역방지판(7)은 RF 파우어 인가시 파우어가 Al 플래이트(6)에서 누설되는 것을 방지한다.In addition, a predetermined number, for example, three or more check valves 7 are installed in an adjacent portion of the Al plate 6, and these check valves 7 have an Al plate 6 when the RF power is applied. ) To prevent leakage.

한편, 진공챔버(1)에는 진공챔버(1)내의 잉여가스를 배기하기 위한 배기구(미도시) 및 증착재료가스를 진공챔버(1)내로 공급하기 위한 가스공급부(9)가 설치되어 있다.On the other hand, the vacuum chamber 1 is provided with an exhaust port (not shown) for exhausting surplus gas in the vacuum chamber 1 and a gas supply unit 9 for supplying vapor deposition material gas into the vacuum chamber 1.

종래의 플라즈마 처리장치는 상술한 바와 같이 구성되어, 기판(2)에 소정의 막을 형성하려면, 우선, 진공챔버(1)내를 배기구에 의하여 배기하면서, 반응가스 공급부(9)로부터 증착재료가스를 진공챔버(1)내로 도입한다.The conventional plasma processing apparatus is constructed as described above, in order to form a predetermined film on the substrate 2, first, the vapor deposition material gas is discharged from the reaction gas supply unit 9 while exhausting the inside of the vacuum chamber 1 through the exhaust port. It is introduced into the vacuum chamber 1.

이때, 증착재료가스는 분배판(10)의 가스노즐을 통해 도입되어 기판(2)을 향해 균일하게 분사된다.At this time, the deposition material gas is introduced through the gas nozzle of the distribution plate 10 and uniformly sprayed toward the substrate 2.

이어서, 상술한 전극박스(8)에 의하여 기판(2) 및 분배판(10) 사이에 고주파 전압이 인가되면 상술한 증착재료가스는 활성화되면서 플라즈마입자(11) 상태로 전이되고, 그 결과 중성분자 및 이온을 발생시킨다.Subsequently, when a high frequency voltage is applied between the substrate 2 and the distribution plate 10 by the electrode box 8 described above, the above-described deposition material gas is activated and transferred to the plasma particle 11 state, and as a result, And generate ions.

이러한 중성분자 및 이온은 기판(2)에 증착되고 그 결과 기판(2)에는 얻고자하는 소정의 막이 형성된다.These heavy molecules and ions are deposited on the substrate 2, and as a result, a desired film to be obtained is formed on the substrate 2.

그러나 이러한 기능을 수행하는 종래의 플라즈마 CVD 장치에는 치명적인 문제점이 있다.However, there is a fatal problem in the conventional plasma CVD apparatus that performs this function.

즉, 상술한 기판(2)은 통상 플라즈마 처리장치의 인라인(In-Line) 구동방식에 따라 진공챔버 및 진공챔버 사이를 이동해가며 CVD 공정을 수행받는 바, 이러한 이동중에는 히터(3)의 미설치로 인해 기판(2)의 온도가 급격히 저감된다.That is, the above-described substrate 2 is usually moved between the vacuum chamber and the vacuum chamber according to the in-line driving method of the plasma processing apparatus and subjected to the CVD process. During this movement, the heater 3 is not installed. As a result, the temperature of the substrate 2 is drastically reduced.

한편, 상술한 CVD 공정이 진행되면, 엣지볼트(5) 및 분배판(10)에는 플라즈마 이온중의 일부가 증착되어 소정의 삼층막을 형성시키는 데, 이때, 이송되어온 저온 상태의 기판(2)이 진공챔버(1)의 분배판(10) 엣지부에 머물면, 엣지볼트(5) 및 분배판(10)의 엣지부는 급속히 냉각되고 상술한 삼층막은 에치볼트(5) 및 분배판(10)과의 열팽창계수 차이에 의해 소정의 스트레스(Stress)를 입는다.On the other hand, when the above-described CVD process is performed, a portion of the plasma ions are deposited on the edge bolts 5 and the distribution plate 10 to form a predetermined three-layer film. At this time, the substrate 2 in the low temperature state that has been transferred is When staying at the edge portion of the distribution plate 10 of the vacuum chamber 1, the edge bolt 5 and the edge portion of the distribution plate 10 are rapidly cooled, and the above-mentioned three-layer film is separated from the etch bolt 5 and the distribution plate 10. Due to the difference in thermal expansion coefficient, a predetermined stress is applied.

이에 따라, 삼층막은 엣지볼트(5) 및 분배판(10)으로부터 박리되고, 박리된 삼층막은 기판(2)쪽으로 탈거된 후 기판(2)의 표면에 부착됨으로써, 소정의 삼층막 파티클를 유발시키는 치명적인 문제점을 초래한다.Accordingly, the three-layer film is peeled off from the edge bolt 5 and the distribution plate 10, and the peeled three-layer film is stripped toward the substrate 2 and then attached to the surface of the substrate 2 to cause a fatal three-layer film particle. Cause problems.

따라서, 본 발명의 목적은 상술한 엣지볼트 및 분배판을 소정의 열팽창계수를 갖는 커버장치로 커버링하여, 엣지볼트 및 분배판의 엣지부에 증착되던 삼층막의 형성부위를 커버장치 표면으로 대체하고, 이를 통해 삼층막의 박리를 방지함으로써, 기판에 형성되던 삼층막 파티클의 유발을 제거시킬 수 있도록 하는 플라즈마 처리장치의 엣지 커버장치를 제공함에 있다.Therefore, an object of the present invention is to cover the above-described edge bolt and distribution plate with a cover device having a predetermined coefficient of thermal expansion, thereby replacing the formation portion of the three-layer film deposited on the edge portion of the edge bolt and distribution plate with the surface of the cover device, Accordingly, the present invention provides an edge cover device of the plasma processing apparatus that prevents the three-layer film from being peeled off, thereby eliminating the generation of the three-layer film particles formed on the substrate.

도 1은 종래의 기술에 따른 플라즈마 처리장치의 형상을 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing the shape of a plasma processing apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 엣지 커버장치를 개략적으로 도시한 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view schematically showing the edge cover device of the plasma processing apparatus according to the present invention.

도 3은 도 2의 요부를 확대하여 도시한 사시도.3 is an enlarged perspective view illustrating main parts of FIG. 2;

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 반응가스를 상기 진공챔버내에 공급하는 반응가스 공급부, 상기 진공챔버내에 배치되는 히터, 상기 히터에 대향하여 배치된 전극박스, 상기 전극박스에 연결되어 전기적인 파우어를 전달하는 Al 플래이트, 상기 Al 플래이트에 부착되어 상기 반응가스를 상기 진공챔버내부로 분배하는 분배판, 상기 분배판 및 상기 Al 플래이트를 연결하는 엣지볼트, 상기 엣지볼트와 상기 분배판상에 설치되어 상기 엣지볼트 및 상기 분배판을 커버링하고, 상기 엣지볼트 및 상기 분배판보다 작은 열팽창계수를 갖는 절연성의 커버판 및 상기 커버판에 체결되어 상기 커버판을 보강하는 스테인레스 재질의 보강판을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a reaction gas supply unit for supplying a reaction gas into the vacuum chamber, a heater disposed in the vacuum chamber, an electrode box disposed opposite the heater, connected to the electrode box is electrically An Al plate for delivering a powder, a distribution plate attached to the Al plate to distribute the reaction gas into the vacuum chamber, an edge bolt connecting the distribution plate and the Al plate, and installed on the edge bolt and the distribution plate. An insulating cover plate covering the edge bolt and the distribution plate, the insulating cover plate having a coefficient of thermal expansion smaller than that of the edge bolt and the distribution plate, and a reinforcement plate made of a stainless material, which is fastened to the cover plate to reinforce the cover plate. It features.

바람직하게, 상기 커버판의 재질은 SiC 임을 특징으로 한다.Preferably, the material of the cover plate is characterized in that the SiC.

이에 따라, 본 발명에서는 삼층막의 박리가 방지되고, 그 결과, 기판에 생성되던 삼층막 파티클이 제거된다.Accordingly, in the present invention, peeling of the three layer film is prevented, and as a result, the three layer film particles generated on the substrate are removed.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 엣지 커버장치를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the edge cover device of the plasma processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 엣지 커버장치의 형상을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 3은 이의 요부를 확대한 사시도이다.Figure 2 is a plan view schematically showing the shape of the edge cover device of the plasma processing apparatus according to the present invention, Figure 3 is an enlarged perspective view of the main portion thereof.

도시된 바와 같이, 본 발명은 상술한 엣지볼트(5) 및 분배판(10)상에 설치되어 당해 엣지볼트(5) 및 분배판(10)을 커버링하는 절연성의 커버판(100)과, 이러한 커버판(100)에 채결되어 당해 커버판(100)을 보강하는 스테인레스 재질의 보강판 (Reinforcement plate:101)을 포함한다.As shown, the present invention is installed on the above-described edge bolt 5 and the distribution plate 10 and the insulating cover plate 100 for covering the edge bolt 5 and the distribution plate 10, and A stainless steel reinforcement plate (Reinforcement plate: 101) is formed on the cover plate 100 to reinforce the cover plate 100.

이러한 본 발명의 구성을 상세히 설명한다.This configuration of the present invention will be described in detail.

먼저, 상술한 바와 같이, 진공챔버(1)내에는 기판(2)이 배치되어 있다.First, as described above, the substrate 2 is disposed in the vacuum chamber 1.

이때, 기판(2)은, 소정의 가열기능 및 지지대 기능을 하는 히터(3)위에 놓여진다.At this time, the board | substrate 2 is put on the heater 3 which has a predetermined | prescribed heating function and a support stand function.

한편, 기판(2)에 대향하는 위치에는 소정의 RF 파우어를 제공하는 전극박스 (8)가 배치되어 있고, 이러한 전극박스(8)와 연결된 Al 플래이트(6)에는 반응성 가스인 증착재료가스를 기판(2)을 향하여 균일하게 공급하기 위한 분배판(10)이 엣지볼트(5)에 의해 고정·배치되어 있다.On the other hand, an electrode box 8 for providing a predetermined RF power is disposed at a position opposite to the substrate 2, and an Al plate 6 connected to the electrode box 8 is provided with a deposition material gas as a reactive gas. The distribution plate 10 for uniformly feeding toward (2) is fixed and arranged by the edge bolt 5.

이때, 본 발명의 커버판(100)은 엣지볼트(5) 및 분배판(10)을 커버링한다.At this time, the cover plate 100 of the present invention covers the edge bolt 5 and the distribution plate 10.

이에 따라, 엣지볼트(5) 및 분배판(10)의 엣지부는 외부와 차단된다.Accordingly, the edge portion of the edge bolt 5 and the distribution plate 10 is blocked from the outside.

한편, 상술한 커버판(100)상에는 스테인레스 재질의 보강판(101)이 고정된다.On the other hand, the reinforcing plate 101 made of stainless steel is fixed on the cover plate 100 described above.

이를 상세히 설명한다.This will be described in detail.

먼저, 상술한 보강판(101)에는 소정의 볼트홈(101a)이 다수개 형성되며, 이에 대응되도록 커버판(100)상에도 소정의 볼트홈(미도시)이 다수개 형성된다.First, a plurality of predetermined bolt grooves 101a are formed in the reinforcement plate 101, and a plurality of predetermined bolt grooves (not shown) are formed on the cover plate 100 so as to correspond thereto.

이때, 보강판(101) 및 커버판(100)은 서로 중첩되며, 이에 따라, 상호 대응되도록 형성된 볼트홈(101a)은 소정의 위치에서 정확히 일치된다.At this time, the reinforcement plate 101 and the cover plate 100 overlap each other, and thus, the bolt grooves 101a formed to correspond to each other exactly match at a predetermined position.

이어서, 소정의 볼트(102)를 상술한 볼트홈(101a)에 삽입·체결하면 보강판 (101) 및 커버판(100)은 견고히 결합된다.Subsequently, when the predetermined bolt 102 is inserted and fastened into the above-described bolt groove 101a, the reinforcement plate 101 and the cover plate 100 are firmly coupled.

한편, 보강판(101)에는 상술한 볼트홈(101a) 이외에 복수개의 볼트홈(101b)이 재차 형성되는데, 이러한 볼트홈(101b)은 전극부(4)의 본체(Main body)에 위치된다.On the other hand, in the reinforcing plate 101 a plurality of bolt grooves (101b) in addition to the above-described bolt groove (101a) is formed again, the bolt groove (101b) is located in the main body (Main body) of the electrode portion (4).

이때, 소정의 볼트(미도시)를 상술한 볼트홈(101b)에 삽입·채결하면 보강판은 전극부(4)의 본체에 견고히 고정되고, 이에 따라, 보강판(101)과 결합되어 있던 커버판(100) 또한 상술한 엣지볼트(5) 및 분배판(10)을 커버링한 상태에서 견고히 고정된다. 이에 따라, 커버판은 안정된 커버링 상태를 유지한다.At this time, when a predetermined bolt (not shown) is inserted into and squeezed into the above-described bolt groove 101b, the reinforcement plate is firmly fixed to the main body of the electrode portion 4, and accordingly, the cover that is coupled with the reinforcement plate 101 The plate 100 is also firmly fixed in the state of covering the above-mentioned edge bolt 5 and the distribution plate 10. Thus, the cover plate maintains a stable covering state.

한편, 이러한 커버판(100)에는 소정의 홈(100a)이 형성되는데, 이는 상술한 커버링이 이루어질 경우, 커버판(100) 내부에서 엣지볼트(5)가 차지할 공간을 제공한다.On the other hand, the cover plate 100 is formed with a predetermined groove (100a), which provides a space occupied by the edge bolt 5 in the cover plate 100, when the above-mentioned covering is made.

이러한 본 발명의 작용을 상세히 설명한다.The operation of the present invention will be described in detail.

먼저, 소정의 진공챔버에서 공정을 마친 웨이퍼가 당해 진공챔버(1)로 로딩되어 분배판(10)의 엣지부에 다다르는 경우, 분배판(10) 및 엣지볼트(5)는 상술한 바와 같이 그 표면의 온도가 소정의 값으로 하강한다.First, when a wafer which has been processed in a predetermined vacuum chamber is loaded into the vacuum chamber 1 and reaches the edge portion of the distribution plate 10, the distribution plate 10 and the edge bolt 5 are as described above. The temperature of the surface falls to a predetermined value.

이때, 종래의 경우, 분배판(10) 및 엣지볼트(5)에 증착되어 있던 삼층막은 분배판(10) 및 엣지볼트(5)와의 열팽창계수 차이에 의해 소정의 스트레스를 받고, 이에 따라, 기판(2)표면으로 탈거됨으로써, 기판(2)표면에서 소정의 삼층막 파티클을 발생시켰다.At this time, in the conventional case, the three-layer film deposited on the distribution plate 10 and the edge bolt 5 is subjected to a predetermined stress due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the distribution plate 10 and the edge bolt 5. (2) The surface was removed to generate a predetermined three-layer film particle on the surface of the substrate 2.

그러나, 본 발명의 경우, 분배판(10) 및 엣지볼트(5)는 상술한 커버판(100)을 통해 커버링되어 있음으로써, 분배판(10) 및 엣지볼트(5)에 증착되던 삼층막은 분배판(10) 및 엣지볼트(5) 대신에 커버판(100)에 증착된다.However, in the present invention, the distribution plate 10 and the edge bolts 5 are covered by the cover plate 100 described above, so that the three-layer film deposited on the distribution plate 10 and the edge bolts 5 is distributed. It is deposited on the cover plate 100 instead of the plate 10 and the edge bolts 5.

이에 따라, 분배판(10) 및 엣지볼트(5)의 표면온도가 하강되더라도, 삼층막은 별다른 영향을 받지 않는다.Accordingly, even if the surface temperature of the distribution plate 10 and the edge bolt 5 is lowered, the three-layer film is not significantly affected.

더욱이, 본 발명의 특징에 따르면, 커버판(100)은 열팽창계수가 극미한 절연재, 좀더 바람직하게는 SiC로 형성되는 바, 저온 상태의 기판(2)이 인접부로 다가와 커버판(100)의 온도를 저감시키더라도, 본 발명의 커버판(100)은 본래의 형상을 적절히 유지함으로써, 증착된 삼층막에 물리적인 충격을 미치지않는다.Furthermore, according to the characteristics of the present invention, the cover plate 100 is formed of an insulating material having a very small thermal expansion coefficient, more preferably SiC, so that the substrate 2 in a low temperature state approaches the adjacent portion and the temperature of the cover plate 100 is increased. Even if it is reduced, the cover plate 100 of the present invention does not physically impact the deposited three-layer film by appropriately maintaining the original shape.

이에 따라, 상술한 삼층막은 기판(2)쪽으로 탈거되지 않고 커버판(100)에 부착된 상태를 지속적으로 유지함으로써, 기판(2)에 발생되던 삼층막 파티클을 유발시키지 않는다.Accordingly, the above-described three-layer film is not detached toward the substrate 2 and is continuously maintained in the state attached to the cover plate 100, thereby not inducing the three-layer film particles generated in the substrate 2.

이와 같이, 본 발명에서는 삼층막의 증착부위를 엣지볼트(5) 및 분배판(10)의 엣지부에서 소정의 커버판(100)으로 대체되도록 함으로써, 삼층막이 기판(2)으로 탈거되는 것을 방지하고, 그 결과 기판(2)에 야기되던 삼층막 파티클의 발생을 양호하게 억제한다.As described above, in the present invention, the deposition portion of the three-layer film is replaced by the predetermined cover plate 100 at the edge portions of the edge bolt 5 and the distribution plate 10, thereby preventing the three-layer film from being removed to the substrate 2. As a result, generation | occurrence | production of the three layer film particle which generate | occur | produced in the board | substrate 2 is suppressed favorably.

이와 같은 본 발명은 제조라인에 배치된 다양한 플라즈마 처리장치에서 두루 유용한 효과를 나타내며, 특히, PECVD(Plasma enhanced CVD)설비의 경우, 그 효과가 더욱 증대된다.The present invention exhibits useful effects in various plasma processing apparatuses arranged in a manufacturing line, and particularly, in the case of a plasma enhanced CVD (PECVD) facility, the effect is further increased.

그리고, 본 발명의 특정한 실시예가 설명 및 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.And while certain embodiments of the invention have been described and illustrated, it will be apparent that the invention may be embodied in various modifications by those skilled in the art.

이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.Such modified embodiments should not be individually understood from the technical spirit or the viewpoint of the present invention, and such modified embodiments should fall within the scope of the appended claims of the present invention.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 엣지 커버장치에서는 상술한 엣지볼트 및 분배판을 소정의 열팽창계수를 갖는 커버장치로 커버링하여, 엣지볼트 및 분배판의 엣지부에 증착되던 삼층막의 형성부위를 커버장치 표면으로 대체하고, 이를 통해 삼층막의 박리를 방지함으로써, 기판에 형성되던 삼층막 파티클의 유발을 제거시킬 수 있다.As described above in detail, in the edge cover device of the plasma processing apparatus according to the present invention, the edge bolt and the distribution plate are covered with a cover device having a predetermined coefficient of thermal expansion, and thus the edge bolt and the distribution plate are deposited on the edge portion. By replacing the formation portion of the three-layer film with the surface of the cover device, and by preventing the peeling of the three-layer film through it, it is possible to eliminate the induction of the three-layer film particles formed on the substrate.

Claims (2)

반응가스를 진공챔버내에 공급하는 반응가스부;A reaction gas unit for supplying the reaction gas into the vacuum chamber; 상기 진공챔버내에 배치되는 히터;A heater disposed in the vacuum chamber; 상기 히터에 대향하여 배치된 전극박스;An electrode box disposed to face the heater; 상기 전극박스에 연결되어 전기적인 파우어를 전달하는 Al 플래이트;An Al plate connected to the electrode box to transfer an electric powder; 상기 Al 플래이트에 부착되어 상기 반응가스를 상기 진공챔버내부로 분배하는 분배판;A distribution plate attached to the Al plate to distribute the reaction gas into the vacuum chamber; 상기 분배판 및 상기 Al 플래이트를 연결하는 엣지볼트;An edge bolt connecting the distribution plate and the Al plate; 상기 엣지볼트 및 상기 분배판상에 설치되어 상기 엣지볼트 및 상기 분배판을 커버링하고, 상기 엣지볼트 및 상기 분배판보다 작은 열팽장계수를 갖는 절연성의 커버판; 및An insulating cover plate installed on the edge bolt and the distribution plate to cover the edge bolt and the distribution plate and having a thermal expansion coefficient smaller than that of the edge bolt and the distribution plate; And 상기 커버판에 체결되어 상기 커버판을 보강하는 스테인레스 재질의 보강판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 엣지 커버장치.Edge cover device of the plasma processing apparatus comprising a reinforcing plate of a stainless material is fastened to the cover plate to reinforce the cover plate. 제 1 항에 있어서, 상기 보강판은 소정의 볼트홈을 가지고, 상기 볼트홈에 삽입되는 볼트에 의해 상기 보강판은 상기 커버판에 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 엣지 커버장치.The edge cover apparatus of claim 1, wherein the reinforcement plate has a predetermined bolt groove, and the reinforcement plate is coupled to the cover plate by a bolt inserted into the bolt groove.
KR1019970019715A 1997-05-21 1997-05-21 Edge cover apparatus of plasma process apparatus to eliminate tri-layer particles formed on substrate KR100457497B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970019715A KR100457497B1 (en) 1997-05-21 1997-05-21 Edge cover apparatus of plasma process apparatus to eliminate tri-layer particles formed on substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970019715A KR100457497B1 (en) 1997-05-21 1997-05-21 Edge cover apparatus of plasma process apparatus to eliminate tri-layer particles formed on substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980084087A KR19980084087A (en) 1998-12-05
KR100457497B1 true KR100457497B1 (en) 2005-02-05

Family

ID=37376847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970019715A KR100457497B1 (en) 1997-05-21 1997-05-21 Edge cover apparatus of plasma process apparatus to eliminate tri-layer particles formed on substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100457497B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112981372B (en) * 2019-12-12 2024-02-13 Asm Ip私人控股有限公司 Substrate support plate, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4778561A (en) * 1987-10-30 1988-10-18 Veeco Instruments, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source
US5310453A (en) * 1992-02-13 1994-05-10 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma process method using an electrostatic chuck
US5529657A (en) * 1993-10-04 1996-06-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US5556500A (en) * 1994-03-03 1996-09-17 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4778561A (en) * 1987-10-30 1988-10-18 Veeco Instruments, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source
US5310453A (en) * 1992-02-13 1994-05-10 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma process method using an electrostatic chuck
US5529657A (en) * 1993-10-04 1996-06-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US5556500A (en) * 1994-03-03 1996-09-17 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980084087A (en) 1998-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7524397B2 (en) Lower electrode design for higher uniformity
KR102430205B1 (en) Plasma processing apparatus
EP0839217B1 (en) A plasma enhanced chemical processing reactor and method
US20020078893A1 (en) Plasma enhanced chemical processing reactor and method
US20020046989A1 (en) RF matching network with distributed outputs
US20120037314A1 (en) Substrate processing apparatus and side wall component
KR20060100302A (en) Anodized substrate support
KR20090071060A (en) Electrostatic chuck and apparatus for treating substrate including the same
US11495442B2 (en) Batch type substrate processing apparatus
US11183372B2 (en) Batch type plasma substrate processing apparatus
KR100457497B1 (en) Edge cover apparatus of plasma process apparatus to eliminate tri-layer particles formed on substrate
US11031214B2 (en) Batch type substrate processing apparatus
KR101213391B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20010056655A (en) Apparatus for fabricating semiconductor devices
JPH0837178A (en) Ashing apparatus
KR100541448B1 (en) Plasma Reactor
JP2004183071A (en) Plasma film deposition method, and plasma film deposition system
KR20080070115A (en) Electro static chuck of semiconductor device manufacturing equipment
KR20150081505A (en) Electrostatic chuck of plasma processing system
KR20080072593A (en) Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20071029

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee