KR100399695B1 - 빠른 검사 처리 속도를 갖는 외관 검사 방법 및 외관 검사장치 - Google Patents

빠른 검사 처리 속도를 갖는 외관 검사 방법 및 외관 검사장치 Download PDF

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Abstract

다음의 단계 (a), (b), (c), (d), (e), (f), (g), 및 (h)를 포함하는 외관 검사 방법이 개시된다. 단계 (a)는 피검사체가 촬상되어 있는 화상 데이터를 제공하는 단계를 제공한다. 단계 (b)는 화상 데이터에 기초하여 화상 데이터에 포함된 복수의 화상 단위 각각의 휘도를 검출하는 단계를 포함한다. 단계 (c)는 각 휘도에 대해 휘도가 서로 동일한 화상 단위의 수를 검출하는 단계를 포함한다. 단계 (d)는 단계 (c)의 결과로서 검출된 수 중 최대의 수를 측정 최대수로서 검출하는 단계를 포함한다. 단계 (e)는 측정 최대수를 연산하여 설정 최대수를 결정하는 단계를 포함한다. 단계 (f)는 설정 최대수에 기초하여 휘도의 임계 레벨을 결정하는 단계를 포함한다. 단계 (g)는 임계 레벨에 기초하여 화상 데이터를 2진 패턴으로 변환하는 단계를 포함한다. 단계 (h)는 2진 패턴에 기초하여 피검사체의 결함을 검출하는 단계를 포함한다.

Description

빠른 검사 처리 속도를 갖는 외관 검사 방법 및 외관 검사 장치{APPEARANCE INSPECTION METHOD AND APPEARANCE INSPECTION APPARATUS HAVING HIGH INSPECTION PROCESSING SPEED}
본 발명은 외관 검사 방법 및 외관 검사 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 IC 패키지용 외관 검사 방법 및 외관 검사 장치에 관한 것이다.
일반적으로, IC 패키지용 외관 검사 장치로서 다음의 기술이 공지되어 있다.
일본 특허 출원 공보(JP-A-Heisei, 10-213417)에서 IC 패키지의 위치를 검출하는 다음의 방법을 개시하였다. 패키지의 측면과 상면 사이의 경계가 히스토그램을 사용하여 검출된다. 각 점의 연속적인 분포의 직선성이 경계 지점에서 분포의 미분값으로부터 검출된다. 또한, 비직선부를 야기하는 나머지 점들을 제거하는 최소 자승법을 이용하여 패키지 직선이 검출된다. 또한, x 방향 및 y 방향에서 검출된 직선의 교점을 원점으로 가정한다. 그리고, x, y 직선이 서로 동일한 각도만큼 회전되어 두 직선과 중심으로서의 원점 사이의 각도가 90도가 된다. 그리고, x 방향 표준축과 y 방향 표준축이 계산된다. 따라서, 돌기와 같은 손실이 있을지라도 IC 위치를 정확하게 검출하고 외관 검사를 참조하여 불량 항목의 검출 위치, 리드의 검출 위치 등을 정확하게 설정하는 것이 가능하다.
일본 특허 공보(JP-A-Heisei, 11-14317)에서 다음의 외관 검사 방법이 개시되었다. TV 카메라를 사용하여 IC 패키지를 촬영한다. 화상 데이터를 참조하여, 화상 데이터 처리 장치의 영역 설정 장치를 사용함으로써 스캐닝 개시 영역이 IC 패키지의 주변에 설정되고 스캐닝이 이루어진다. IC 패키지의 말단의 위치 데이터 그룹이 위치 데이터 검출기에 의해 검출된다. 이 위치 데이터 그룹에 따라, 검사대상 영역 설정 장치를 사용하여 검사 대상 영역이 화상 데이터용으로 설정된다. 장치의 판단에 의해 화상 처리가 수행된다. 그리고, IC 패키지가 양품인지 불량품인지가 판정된다.
일본 특허 공개(JP-A-Heisei, 7-128249)에서 다음의 IC 이물질 검사 장치가 개시되었다. 카메라는 검사 타켓 IC의 리드를 촬영한다. AD 컨버터는 AD 변환을 수행한다. 미분 회로가 농담(light/shade) 화상 데이터를 수신하고 미분 처리를 수행하여 농도의 변화점을 강조하고, 미분 화상 데이터를 출력한다. 제1 2진화 회로는 검사 영역 기억 회로에 저장된 복수의 리드를 포함하는 검사 대상 영역에서 미분 회상 데이터를 미리 설정된 제1 2진화 레벨에 따라 2진화 화상 데이터로 변환하여 출력한다. 투영 회로는 리드의 세로 방향에 평행한 방향에서 2진화 화상 데이터 중 "1"의 수를 측정하고 측정된 데이터를 출력하여 2진화 처리를 수행하고, 리드의 세로 방향에서 2진화 데이터의 "1"의 수를 측정한다. 제2 2진화 회로는 측정된 데이터를 2진화 값으로 변환한다. 판정 회로는 제2 2진화 데이터에서 "0" 및 "1"의 연속적인 숫자를 카운트하고 미리 설정된 상한값과 하한값 사이의 범위 외의 연속 숫자가 있는지를 이물질의 부착으로 판정한다.
일본 특허 공보(JP-A-Hesei, 7-37094)에서 다음의 화상 처리 장치가 개시되었다. 히스토리 프로그램 메모리에 기억된 화상 처리 프로그램의 히스토리를 편집하는 에디터, 화상 처리 커맨드 리스트에서 중복 부분 및 마지막 결과를 얻기 위해 불필요한 부분을 삭제하기 위한 코렉터(corrector)가 설치된다. 사용자가 화상 처리 커맨드를 이해하고 이용 방법을 배우는 표시가 표시부 상에 표시된다. 대상 샘플에 적합한 조명 방식이 화상 처리 장치에 의해 처리된 결과의 평가 방법에 의해 결정된다. 화상 처리 프로그램이 특징량의 평가값에 따라 생성된다. 또한, 측정값의 결합에 기초하여 선택 후 기능이 표시된다. 그리고, 표시에 기초하여 선택된 기능이 화상 처리 프로그램에 추가된다.
일본 특허 공보(JP-A-Heisei, 8-44870)에서 외관 검사 장치의 메모리를 관리하는 다음 방법이 개시되었다. 비휘발성 메모리는 사용 조건을 참조하여 환경 데이터, 각 검사된 샘플에 대하여 설정된 일종의 데이터와 사용자 프로그램의을 등록할 수 있다. 비휘발성 메모리의 기억 영역은 특정 크기의 많은 블록으로 분할된다. 또한, 비휘발성 메모리는 각 블록에 기억된 내용과 기억된 블록 사이의 대응 관계의 나타내는 할당 테이블을 갖는다.
일본 특허 공보(JA-A-Hesei, 5-264240)에서 다음의 외관 검사 장치가 개시되었다. 샘플에 형성된 패턴을 촬영하는 촬영 장치, 촬영된 화상을 2진화 값으로 변환하는 화상 2진화 변환기, 2진화 화상의 중심 화소로부터 복수의 방향에서 확장하는 각 화소 열 내의 패턴 부분의 패턴의 길이를 측정하는 레이디얼 측정 장치, 복수의 방향에서 측정된 길이로부터의 패턴의 실질적 중심을 검출하는 중심 검출기, 복수의 방향에서 측정된 각 길이를 레이디얼 코드로 변환하는 코딩 장치, 및 각 다양한 레이디얼 코드에 대응하는 일종의 패턴형을 나타내는 카테고리 코드를 미리 기억하고 코딩 장치에 의해 변환된 레이디얼 코드에 따라 기억된 카테고리를 선택하고 카테고리 코드로 변환하는 카테고리 변환기가 설치된다. 따라서, 카테고리 코드에 따라 패턴의 불량을 검출한다.
일본 특허 공보(JP-A-Heisei, 7-229842)에서 IC의 이물질을 검사하는 다음 장치를 개시하였다. IC의 이물질을 검사하는 장치는 검사용 대상 리드가 몰드측 상의 평평한 부분에 위치되는 솔더, 팁측의 평면 및 상기 부분 사이의 중간에 위치하는 경사면으로 구성된 IC를 촬영하는 카메라, 카메라로부터 화상 데이터를 수신하고 AD 변환을 수행하고 농담 화상 데이터를 출력하는 AD 변환기, 농담 화상 데이터로부터 IC의 한측에 대응하는 모든 리드를 포함하는 범위에서 검사 영역 농담 화상 데이터를 절단하는 검사 영역 절단기, 검사 영역 농담 화상 데이터를 2진화 값으로 변환하여 카메라에 의해 수신된 반사된 광량이 큰 리드의 솔더와 평면만 "1"이 되는 제1 2진화 변환기, 제1 2진화 변환기에 의해 2진화 값으로 변환된 2진화 화상 데이터를 수신하고 리드의 세로 방향에 수직인 X 방향에서 각 화상 화소열에서 "1" 화소의 수가 측정되는 X 투영 데이터를 출력하는 투영 장치, 검사 영역 농담 화상 데이터에서 X 투영 데이터가 소정의 값보다 작은 부분에서 리드의 중심에 대응하는 부분을 경사면 화상으로 정의하고 IC의 몰드측 상의 부분에 대응하고 소정의 값보다 큰 값을 갖는 부분을 솔더 화상으로 정의하고, 리드의 팁 상의 부분에 대응하고 소정의 값보다 큰 값을 갖는 부분을 평면 화상으로 정의하는 리드 영역 분할기, 및 각 솔더 화상, 경사면 화상 및 평면 화상을 각 화상의 고유한 2진화 레벨에 따라 2진화 값으로 변환하고 "1" 화소를 리드의 각 부분으로 인식하고 리드에 퇴적된 이물질을 검출하여 각 분할 영역에 대하여 이물질을 검출하는 장치를 설치하고 있다.
일본 공개 특허 공보(JP-A-Heisei, 8-14845)에는 IC의 외관 검사 장치가 개시되어 있다. IC의 외관 검사 장치에 있어서, 검사시 목표로 하는 IC를 촬영하여, 아날로그 화상 데이터를 출력하는 촬영 장치; 아날로그 화상 데이터를 수신하여 AD 변환을 수행한 후 광/명암 화상 데이터를 출력하는 AD 변환기; 소정의 범위에서 광/명암 화상 데이터를 수신하여 IC의 한 측면에 대응하는 모든 리드를 포함하는 부분에서 광/명암 화상 데이터를 커팅하기 위한 검사 영역 커터; 검사 영역에서 커팅된 광/명암 화상 데이터를 내부에 저장하기 위한 메모리; 메모리로부터 광/명암 화상 데이터를 수신하여, 촬영 장치로의 입사광 량이 최대인 리드만이 "1"로 설정되고, 입사광 량이 리드보다 작은 부분은 "0"으로 설정되는 소정의 하이 2진 레벨에 따라 2진값으로 변환하는 제1 2진 변환기; 제1 2진 변환기로부터 출력된 광/명암 화상 데이터를 수신하여, 리드의 수직 방향과 직교하는 X-방향에서의 각 위치에 있는 리드의 수직 방향에 평행한 Y-방향에서 "1"의 수를 카운트하는 제1 투영기; 제1 투영기에 의해 출력된 제1 투영 데이터를 수신하여, 리드상의 외관을 검출하기 위해 미리 설정된 하이 2진 레벨에 따라 2진값으로 변환하는 제2 2진 변환기; 메모리로부터 광/명암 화상 데이터를 수신하여 미분 처리를 수행한 후, 미분 광/명암 화상 데이터를 출력하는 미분 장치; 미분 광/명암 화상 데이터를 수신하여 촬영 장치의 입사광 량이 최소로 설정된 리드들간의 부분이 "0"으로 설정된 부분과, 입사광이 리드들간의 부분보다 큰 부분은 "1"로 설정되는 소정의 로우 레벨에 따라 2진값으로 변환하는 제3 2진 변환기; 제3 2진 변환기에 의해 출력된 2진 미분 광/명암 화상 데이터를 수신하여, X-방향에서 각 위치에 대한 Y-방향에서 "1"의 수를 카운트하는 제2 투영기; 제2 투영기에 의해 출력된 제2 투영 데이터를 수신하여, 리드간의 외관을 검출하기 위해 소정의 로우 2진 레벨에 따라 2진값으로 변환되는 제4 2진 변환기; X-방향에 대하여 제2 2진 변환기에 의해 출력된 제1 2진 투영 데이터에서 "1"을 검색하고, 제4 2진 변환기에 의해 출력된 제2 2진 투영 데이터에서 "0"을 검색하여 양단에 위치한 2개의 "1"에 관하여 외부 방향 각각에서 먼저 배치된 2개의 "0"의 위치를 결정한 후, 외관 검출 목표 범위로서 2개의 "0"의 위치간의 영역을 지정하는 검출 영역 커터; 검출 영역 커터에 의해 지정된 외관 검출 목표 범위 내에서 제1 2진 투영 데이터에서 연속한 수 "1" 및 "0"을 카운트한 후, 외관이 소정의 범위 내에 잇는지의 여부에 관한 사실에 따라 리드 상에 존재하는지의 여부를 판정하는 리드 외관 검출기; 검출 영역 커터에 의해 지정된 외관 검출 목표 범위 내에서 및 제2 식 투영 데이터에서 연속한 수 "1" 및 "0"을 카운트한 후, 소정의 범위 내에 있는지의 여부에 관한 사실에 따라 리드들간에 외관이 존재하는 지의 여부를 판정하는 리드-투-리드 외관 검출기를 포함한다.
일본 공개 특허 공보(JP-A-Heisei, 11-63951)에는 다음과 같은 외관 검사 장치가 개시되어 있다. 이러한 외관 검사 장치는 마크가 상면에 부착되고 전기 접속용 단자가 이면에 형성된 BGA CSP 타입 IC 등과 같은 패키지의 외관을 검사하는 장치이다. 외관 검사 장치에 있어서, 단자면이 아래로 향하고 측정 위치로 전송하는 방식으로 트레이에 수납된 패키지를 픽업하는 픽업; 트레이로부터 패키지의 픽업 위치 상에 장착된 마크 패키지 공극 검사기; 및 화상 처리 측정 또는 레이저 편향 측정을 이용하여 상부면이 픽업에 의해 고정되는 조건에서 측정 위치로 전송된 패키지의 단자측을 검사하는 측정 장치를 포함한다. 패키지 공극 검사기는 픽업이마크 패키지 공극의 검사 이후의 패키지를 측정 위치로 전달할 때 픽업 위치에 있는 다음 패키지를 검사한다.
일본 공개 특허 공보(JP-A-Heisei, 11-135054)에는 다음의 충전된 입자 빔 장치가 개시되어 있다. 이러한 충전된 입자 빔 장치에 있어서, 충전된 입자 빔을 시료에 조사하기 위한 장치; 시료로부터 전달된 시료 신호를 검출하는 시료 신호 검출기; 시료 신호 검출기의 검출 신호를 디지털 신호로 변환하는 AD 변환기; 전용 회로를 이용하여 AD 변환기로부터의 디지털 신호를 처리하는 기본 화상 처리기; 화상 데이터로서 기본 화상 처리기에 의해 처리된 신호를 저장하는 화상 메모리; 및 화상 메모리에 저장된 화상 데이터를 표시하기 위한 디스플레이를 포함한다. 또한, 하나의 마스터 CPU 및 복수의 슬레이브 CPU들을 포함하는 병렬 화상 처리기를 더 포함한다. 화상 메모리에 저장된 화상 데이터가 병렬 화상 처리기로 전달된다. 마스터 CPU는 전송된 화상 데이터가 복수의 슬레이브 CPU 들에 의해 한번에 한 부분씩 병렬로 처리될 수 있도록 제어된다.
일본 공개 특허 공보(JP-A-Heisei, 11-259434)에는 이하의 병렬 데이터 처리기가 개시되어 있다. 이러한 병렬 데이터 처리기에 있어서, 구동 신호 버스를 통해 전달된 구동 신호에 의해 구동되어, 디지털 신호를 소정의 구동 신호의 제1 상태에서 수신하는 데이터 입력 장치; 데이터 버스를 통해 데이터 입력 장치에 의해 수신된 디지털 신호가 데이터 버스를 통해 전달되는 복수의 처리기 소자; 및 데이터 입력 장치가 디지털 신호를 수신하지 않는 구동 신호의 제2 상태에서 통신 버스를 통해 복수의 처리기 소자와 통신하는 처리 분배기를 포함한다. 처리 분배기는구동 신호가 제2 상태일 때, 복수의 처리기 소자의 상태를 모니터 하여, 모니터된 결과에 따라 데이터 입력 장치로부터 디지털 신호를 분배하여 처리하는 처리기 소자를 결정하는 장치를 갖는다.
외관 검사 방법 및 외관 검사 장치는 빠른 검사 처리 속도를 갖는 것이 바람직하다.
특히, 외관 검사 방법 및 외관 검사 장치는 복수의 검사 아이템이 검사될 때, 빠른 검사 처리 속도를 갖는 것이 바람직하다.
외관 검사 방법 및 외관 검사 장치는 노이즈 성분으로부터 전혀 영향을 받지 않으면서 빠른 검사 처리 속도를 갖는 것이 바람직하다.
외관 검사 방법 및 외관 검사 장치는 각각의 검사 목표 영역의 특성과 일치하는 것이 바람직하다.
외관 검사 방법 및 외관 검사 장치는 사용자에게 편리한 것이 바람직하다.
본 발명은 상기에서 언급한 문제를 고려하여 달성된다. 따라서, 본 발명의 목적은 보다 고속으로 검사 공정을 행하는 외관 검사 방법 및 장치를 제공하는 데 있다. 특히, 복수의 검사 항목을 검사하는 경우 보다 더 고속의 검사 공정을 갖는 외관 검사 방법 및 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명의 다른 목적은 노이즈 성분의 영향을 받지 않는 검사 정밀도가 높은 외관 검사 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 각각의 검사 대상 영역의 특성과 부합하는 외관 검사 방법 및 장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 사용자가사용하기 편한 외관 검사 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 양태를 달성하기 위해, 외관 검사 방법은
(a) 피검사체가 촬상되어 있는 화상 데이터를 제공하는 단계; (b) 상기 화상 데이터에 기초하여 화상 데이터에 포함된 복수의 화상 단위 각각의 휘도를 검출하는 단계; (c) 상호 동일한 휘도를 갖는 화상 단위의 수를 검출하는 단계;(d) 상기 단계 (c)의 검출 결과의 수 중 최대의 수를 계측된 최대수로서 검출하는 단계; (e) 계측된 최대 수를 연산하여 설정 최대 수를 설정하는 단계; (f) 설정 최대 수에 기초하여 휘도의 임계 레벨을 결정하는 단계; (g) 상기 임계 레벨에 기초하여 화상 데이터를 2진 패턴으로 변환하는 단계; 및 (h) 2진 패턴에 기초하여 피검사체의 결함을 검출하는 단계를 포함한다.
이 경우, 상기 설정 최대 수는 노이즈 성분이 계측된 최대수로부터 제거된 경우에 해당한다.
또한 이 경우, (e)의 연산은 계측된 최대 수에 대응하는 휘도를 기준으로 하여 보다 높은 휘도에 대응하는 제1 수와, 계측된 최대수에 대응하는 휘도를 기준으로 하여 보다 낮은 휘도에 대응하는 제2 수를 이용하여 행해진다.
또한 이 경우, (e)의 연산은 계측된 최대수로부터 사전설정된 값을 감산한 다음 감산된 값과 동일한 수에 대응하는 휘도를 이용하여 행해진다.
이 경우, (b)의 결과는 히스토그램으로 표현되고, (e)의 연산에서 히스토그램 파형 중 계측된 최대수로부터 사전설정된 값을 감산한 다음 감산값보다 더 큰 부분이 2차 곡선에 근사하고 이 2차 곡선의 극대값이 설정 최대수로서 구해진다.
또한 이 경우에서, thr= 설정 최대수 x 승산값 + 오프셋값이고, thr은 (f)의 임계 레벨이다.
또한 이 경우에, 승산값과 오프셋값 중 적어도 하나는 피검사체에 대해 복수의 검사 항목 각각에 대해 상이한 값이다.
이 경우, 피검사체는 IC 패키지이고, 복수의 검사 항목에는 보이드 검출, 패키지 크랙 및 패키지 결함의 검출, 날인 검사, 리드 상의 이물질 검출 및 리드 간의 이물질 검출을 포함한다.
또한 이 경우에, 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 소정값보다 작은 경우에, 임계 레벨은 (d), (e) 및 (f)에서 결정되는 것이 아니라 임계 레벨로서 사용된 사전설정된 표준값을 이용한다.
또한 이 경우에, 피검사체는 IC 패키지이고, IC 패키지 내에 오목부가 형성되고, 상기 오목부는 IC 패키지를 성형할 때 금형으로부터 IC 패키지를 끄집어내기 위한 핀에 구비되고, 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 오목부인 경우, 임계 레벨은 (d), (e) 및 (f)에서 결정되는 것이 아니라, 두개의 사전설정된 표준값을 임계 레벨로서 사용하고, (g)의 2진 변환은 두개의 사전설정된 표준값을 임계 레벨로서 사용하여 2회 행함으로써 각각 두개의 2진 패턴을 생성하게 되고, (h)는 각각 2개의 2진 패턴 각각에 기초하여 서로 다른 종류의 결함을 검출한다.
이 경우, 피검사체는 IC 패키지이고, IC 패키지는 날인을 포함하고, 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 날인을 포함하는 경우, (b)는 날인이 화상 데이터가 존재하는 것으로 예상되는 날인 검사부의 휘도를 검출하는 단계를 포함하고,(c)는 날인 검사부에 대한 화상 단위의 수를 검출하는 단계를 포함한다.
또한 이 경우에, 피검사체는 IC 패키지이고, IC 패키지는 날인을 포함하고, (b)의 결과가 히스토그램으로 표시되고, 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 날인을 포함하는 경우, (f)는 설정 최대수를 시점으로 하여 좀 더 밝은 휘도 방향으로 히스토그램 파형을 주사하고, 상기 (f)는 상기 주사 결과로서 파형의 설정 최대수를 포함하는 제1 상향 오목 곡선과 다음의 제2 상향 오목 곡선의 피크값를 검출하는 단계를 포함하고, thr= (설정 최대수 + 피크값)/2이고, thr은 (f)의 임계 레벨이다.
또한 이 경우에, 피검사체는 IC 패키지이고, IC 패키지는 날인을 포함하고, (b)의 결과가 히스토그램으로 표시되고, 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 날인을 포함하는 경우, (f)는 설정 최대수를 시점으로 하여 좀 더 밝은 휘도 방향으로 히스토그램 파형을 주사하고, 상기 (f)는 상기 주사 결과로서 파형의 설정 최대수를 포함하는 제1 상향 오목 곡선과 다음의 제2 상향 오목 곡선의 하향 오목부의 피크값를 검출하는 단계를 포함하고, thr= (설정 최대수 + 피크값)/2이고, thr은 (f)의 임계 레벨이다.
이 경우, 피검사체는 IC 패키지이고, IC 패키지는 날인을 포함하고, (b)의 결과가 히스토그램으로 표시되고, 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 날인을 포함하는 경우, (f)는 날인 검사부로서 히스토그램의 사전설정된 휘도에 대응하는 범위를 설정하는 단계를 포함하고, 히스토그램 파형의 날인 검사부의 피크값를 검출하고, thr= (설정 최대수 + 피크값)/2이고, thr은 (f)의 임계 레벨이다.
또한 이 경우에, 피검사체는 IC 패키지이고, IC 패키지는 날인을 포함하고, (b)의 결과가 히스토그램으로 표시되고, 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 날인을 포함하는 경우, (f)는 날인 검사부로서 히스토그램의 휘도에서 하한값인 ES의 범위를 설정하는 단계를 포함하고, ES= 설정 최대수 x 설정 승산값 + 설정 오프셋값이고, 히스토그램 파형의 날인검사부의 피크값를 검출하고, thr= (설정 최대수+ 피크값)/2이고, thr은 (f)의 임계 레벨이다.
본 발명의 다른 양태를 달성하기 위해, 외관 검사 장치는
피검사체를 촬상하여 피검사체의 화상 데이터를 생성하기 위한 카메라; 임계 레벨을 제공하는 임계 레벨 제공부; 임계 레벨에 기초하여 화상 데이터를 2진 패턴으로 변환하는 2진 변환부; 및 2진 패턴에 기초하여 피검사체의 양호 또는 불량 판정을 행하는 판정부를 포함하고, 상기 임계 레벨 제공부는 화상 데이터에 기초한 화상 데이터에 포함된 복수의 화상 단위 각각의 휘도를 검출하고, 휘도가 서로 동일한 화상 단위의 수를 검출하며, 검출된 수 중 회대인 수를 계측된 최대수로서 검출하고, 계측된 최대수를 연산하여 설정 최대수를 결정하고, 설정 최대수에 기초하여 임계 레벨을 제공한다.
본 발명의 또 다른 양태를 달성하기 위해, 외관 검사 장치는
복수의 화상 처리 항목을 저장하는 화상 처리 라이브러리; 각각 임의로 선택된 것이고 상기 선택된 화상 처리 항목이 임의 순서로 실행되도록 구성된 복수의 검사 항목 데이터를 저장하는 검사 라이브러리를 포함하고,
2진 변환 처리가 복수의 화상 처리 항목에 포함하고, 상기 2진 변환 처리는,
2진 변환 처리에 사용된 임계 레벨을 제공할 때 피검사체가 화상 데이터에 기초하여 촬상된 화상 데이터에 포함된 복수의 화상 단위 각각의 휘도를 검출하는 단계와, 상호 동일한 휘도를 갖는 화상 데이터의 수를 검출하는 단계와, 검출된 수들 중 최대수를 계측된 최대수로서 검출하는 단계와, 계측된 최대수를 연산하여 설정 최대수로 결정하는 단계와, 설정 최대수에 기초하여 임계 레벨을 제공하는 단계를 포함한다.
이 경우, 외관 검사 장치는 검사 대상 제품 각각에 대한 복수의 검사 데이터를 저장하는 각 종류별 검사 데이터 라이브러리를 더 포함하고, 상기 복수의 검사 항목 데이터는 선택된 검사 항목 데이터가 임의 순으로 실행된다.
또한 이 경우에, 복수의 검사 항목 데이터는 보이드 검사용 데이터, 날인 검사용 데이터 및 성형 손실 검사용 데이터 및 리드 곡선 검출용 데이터를 포함한다.
또한, 이 경우에, 복수의 검사 항목 데이터는 2진 변환 처리에서 포함된 연산에 사용된 파라미터를 포함한다.
본 발명의 다른 양태를 달성하기 위해, 처리 프로그램을 기록하기 위한 컴퓨터 판독가능 기록 매체는 (a) 피검사체가 촬상되어 있는 화상 데이터를 제공하는 단계; (b) 화상데이터에 기초하여 화상 데이터에 포함된 복수의 화상 단위 각각의 휘도를 검출하는 단계; (c) 휘도가 서로 동일한 화상 단위의 수를 검출하는 단계; (d) (c)의 결과 검출된 초대수를 계측된 최대수로서 검출하는 단계; (e) 계측된 최대수를 연산하여 설정 최대수를 결정하는 단계; (f) 설정 최대수에 기초하여 휘도의 임계 레벨을 결정하는 단계; (g) 임계 레벨에 기초하여 화상 데이터를 2진 패턴으로 변환하는 단계; 및 (h) 2진 패턴에 기초하여 피검사체의 결함을 검출하는 단계를 포함한다.
본 발명에서, 화상 처리 알고리즘 (검사 알고리즘)은 미리 등록되어 있는 화상 처리의 각종 알고리즘을 사용자가 임의 순번으로 조합하여 복사한다. 사용자가 복사된 화상 처리 알고리즘에 임의의 명칭을 부여하고 등록된다.
사용자는 각 종류의 검사 데이터 내에서, 상술한 바와 같이 독자적으로 발생된 화상 처리 알고리즘을 등록시의 명칭을 사용하여 지정한다. 그리하여, 상이한 종류의 검사 데이터 생성시에도 이러한 화상 처리 알고리즘이 사용된다. 또한, 화상 처리 알고리즘은 검사 데이터의 종류마다 개별적으로 변경된다.
각 종류의 검사 데이터에서 화상 처리 알고리즘과 검사 영역과 판정값이 설정된다. 자동 검사시, 미미 설정된 검사 데이터에 따라 지정된 검사 영역에서 화상 처리가 행해진다. 최종적으로 계측된 값이 판정값과 비교된다. 따라서, 양호또는 불량이 판정된다.
검사 결과는 사용자가 임의의로 생성한 검사 항목 마다에 임의의 어드레스에 출력된다.
도 1a는 본 발명에 따른 외관 검사 방법의 실시예로, IC 패키지의 촬상 화면을 도시하는 평면도.
도 1b는 패키지 코너 윈도우를 도시하는 도면.
도 1c는 데이터 가공 범위 윈도우를 도시하는 도면.
도 2는 촬상 화면의 휘도 분포 상태를 도시하는 휘도 및 도트수 특성도.
도 3은 임계 레벨에 따라 데이터 가공 범위의 촬상 화면을 2진값으로 변환하는 화면을 도시하는 도면.
도 4는 도 2의 히스토그램으로부터 피크값을 결정할 때의 문제점을 설명하는 도면.
도 5는 도 2의 히스토그램으로부터 평균 휘도를 결정할 때의 문제점을 설명하는 도면.
도 6은 촬상 조건이 다른 때의 히스토그램 파형을 도시하는 도면.
도 7a는 IC 패키지를 도시하는 측면도.
도 7b는 IC 패키지의 상면을 도시하는 평면도.
도 8은 고정적으로 사용되는 마스크를 도시하는 도면.
도 9는 핀 마크의 위치에 기초하여 마스크를 도시하는 도면.
도 10은 핀 마크 검사 영역에서의 히스토그램 파형을 도시하는 도면.
도 11a는 IC 패키지의 날인을 설명하는 도면으로, 전체 IC 패키지에 대한 데이터 가공 범위를 도시하는 평면도.
도 11b는 날인 검사 영역에 대한 데이터 가공 범위 윈도우를 도시하는 도면.
도 12는 전체 IC 패키지에 대한 히스토그램 파형을 도시하고, IC 패키지의 전체 영역으로부터 날인을 떼어내는 방법을 설명하는 도면.
도 13은 본 발명에 따른 외관 검사 장치의 제2 실시예에서 화상 처리 라이브러리와 검사 라이브러리를 도시하는 도면.
도 14는 팽창/수축 처리를 설명하는 도면.
도 15는 수축/팽창 처리를 설명하는 도면.
도 16은 각 종류의 검사 데이터를 도시하는 도면.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1: 촬상 화상
8: IC 패키지
41: 날인
51: 날인 검사 영역
61: 화상 처리 라이브러리
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 외관 검사 방법의 한 실시예가 설명된다.
제1 실시예의 IC 패키지의 외관 검사 방법은, IC 패키지의 위치 검출 스텝과, 히스토그램 생성 스텝과, 임계 레벨 설정 스텝과, 2진화 스텝을 채용할 수 있다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c를 참조하여, 상기 IC 패키지의 위치 검출 스텝에 관해서 설명한다. 도 1a는, IC 패키지의 촬상 화상을 도시하는 평면도이다. 도 1b는, 패키지 코너 검출 윈도우를 나타내는 도면이다. 도 1c는 데이터 가공 범위 윈도우를 나타내는 도면이다.
우선, CCD 카메라로 IC(Integrated Circuit)의 패키지가 촬상된다. 도 1a에 있어서, 부호 1은, 그 촬상된 화상을 보이고 있다. 그 영상 신호는, 디지탈화된 IC 패키지 화상 데이터로서, 화상 메모리에 저장된다.
촬상 화상(1)의 거의 중앙부에, IC 화상(2)이 배치된다. IC 화상(2)에는 IC 패키지(8)의 상면(10)과, IC 패키지(8)의 측면(9)과, IC의 리드(11)가 포함된다. 부호 3은 배경 화상을 도시한다.
IC가 촬상될 때, IC는 CCD 카메라의 아래의 소정 장소에 배치된다. 도 1b에 도시된 바와 같이, IC 패키지(8)의 좌측 상부와 우측 하부가 각각 위치할 것으로 예측되는 영역에, 좌측 상부 패키지 코너 검출 윈도우(33)와, 우측 하부 패키지 코너 검출 윈도우(35)가 설정된다.
모델이 되는 IC 패키지의 좌측 상부의 코너부와 우측 하부의 코너부의 모델 화상 데이터가, 기억부에 미리 등록되어 있다. 좌측 상부 패키지 코너 검출 윈도우(33)와 우측 하부 패키지 코너 검출 윈도우(35)의 각각의 범위 내에서, 상기한 좌측 상부 코너부 모델 화상 데이터, 우측 하부 코너부 모델 화상 데이터와 일치하는 부분이 패턴 매칭 방법에 의해 검출된다. 그 결과, IC 패키지(8)의 단부의 위치 좌표가 검출된다. 그 검출된 위치 좌표에 기초하여, IC 화상(2)의 위치가 결정된다. IC 화상(2)의 위치에 기초하여, 도 1c에 도시된 바와 같이, 촬상 화면(1) 중에 검사 대상 영역이 되는 데이터 가공 범위 윈도우(4)가 설정된다.
도 2를 참조하여, 히스토그램 생성 스텝이 설명된다.
도 2는, 도 1c의 데이터 가공 범위 윈도우(4) 내의 촬영 화상(1)의 휘도 분포 상태를 도시하는 휘도 도트수의 특성도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 데이터 가공 범위 윈도우(4)내의 전 도트를 대상으로, 횡축으로는 휘도값(밝기)을 나타내고, 종축으로는 도트수를 나타내는 히스토그램이 제작된다. 촬상 화상(1)은, 촬상 화상(1)을 구성하는 각각의 도트가 8 비트 데이터로서 표시되고, 256 단계의 모노크롬 데이터로서 처리된다. 도 2의 휘도의 눈금(도시되지 않음)은, 0 내지 255까지로 되어, 상기한 256 단계에 대응하고 있다.
도 2의 히스토그램 파형에 있어서, 가장 휘도가 높은 산(D1)은 리드(11)의 도트수를 나타내고 있다. 다음으로 휘도가 높은 산(D2)이 패키지 상면(10)의 도트수를 나타내고 있다. 다음으로 휘도가 높은 산(D3)은 패키지 측면(9)의 도트수를 나타내고 있다. 휘도가 가장 낮은 산(D4)은 배경 화상(3)의 도트수를 나타내고 있다.
다음에는 임계 레벨 설정 스텝이 설명된다.
여기서는, 두번째로 휘도가 높은 산(D2)과 3번째로 휘도가 높은 산(D3) 사이의 하한값이 임계 레벨(5)로서 설정된 케이스가 설명된다. 본 케이스에서는, 패키지 상면(10)의 화상과 패키지 측면(9)의 화상이 서로 절단된다.
다음에는 2진화 스텝에 관해서 설명된다.
도 3은 임계 레벨(5)에 기초하여, 데이터 가공 범위 윈도우(4)내의 촬상 화상(l)이 2진화 화상을 도시한다. 패키지 상면(10) 및 임계 레벨(5)보다 고휘도를 가진 리드(l1)는 백색으로 표시되어 있다. 배경 화상(3) 및 임계 레벨(5)보다 저휘도를 가진 패키지 측면(9)은 흑색으로 표시되어 있다.
도 3에 있어서, 패키지의 하변측에서 패키지 측면(9)에 대응하는 흑색 화상이 다른 측면에 비교하여 폭이 큰 것은, 패키지내의 패키지 측면(9)과 상면(10) 사이의 경계부에서 로스(loss)가 있다는 것을 의미한다.
상기한 바와 같이, 히스토그램 파형에 의해 얻어진 임계 레벨(휘도값)에 따라서, 촬상 화상이 2진화되는 것에 의해 로스, 먼지 등의 불량이 검출된다.
본 실시 형태에 있어서, 임계 레벨은 임계 레벨 설정 스텝에서 아래의 방법에 따라 결정된다.
<1> 피크값의 평활화
도 2에 도시되는 히스토그램 파형에서, 도트수가 최대로 있는 피크값(n'a)이 결정된다. 피크값(n'a)은 히스토그램 파형으로부터 직접적으로 판독되는 값이 아니고, 다음과 같이 평활화된 결과로서 결정된다. 도 4의 부호 K가 나타내는 것처럼, 히스토그램 파형은 실제로 매끄러운 곡선이 아니고, 미세한 요철을 포함한다. 평활화는 미세한 요철을 가져오는 오차 등의 영향을 배제하기 위해서 이루어진다.
우선, 도 2(도 4)의 히스토그램 파형에서, 실제로 최대의 도트수를 가진 수(히스토그램 파형으로부터 직접 판독되는 값)(na)가 검출된다. 그리고, 도 2에서는, na에 대응하는 휘도값보다 1 눈금만큼 작은 휘도값을 갖는 도트수(na-1)와, na에 대응하는 휘도값보다 l 눈금만큼 큰 휘도값을 갖는 도트수(na+1)가 검출된다.
평활화된 피크값(n'a)은 다음 식 1에 의해 결정된다.
n'a= ( na-1+na+ na+1)/3 (1)
상기에 있어서는 3개의 요소에 기초하여 평활화되었다. 그러나, 요소의 수는 3개에 한정되지 않는다. 이 수는 임의의 수일 수 있다. 요소의 수가 5인 경우에는, 도 2에서와 같이, na에 대응하는 휘도값보다 1눈금 및 2눈금 작은 휘도값을 갖는 각각의 도트수 na-1, na-2와, na에 대응하는 휘도값보다 1눈금 및 2눈금 큰 휘도값을 갖는 각각의 도트수 na+1, na+2가 결정된다.
n'a는 다음 식 2에 의해 결정된다.
n'a= (na-2+ na-1+ na+ na+1+ na+2)/5 (2)
요소의 수가 3과 5 이외의 다른 값인 경우에도, n'a는 상기와 동일 방법에 의해 결정될 수 있다.
<2> 임계 레벨(2진수 레벨)의 산출
임계 레벨 thr은 상기 식 1에 의해 산출되는 평활화된 피크값 n'a에 기초하여 다음 식 3을 사용해서 결정된다:
thr = n'a×승산값 + 오프셋 값 (3)
상기 식 3에 있어서, 승산값 및/또는 오프셋 값은 조명 조건 등의 촬상 조건의 변화에 따르기 위해서(그 변화로부터의 어떤 영향도 받지 않기 위해서) 변화될 수 있다. 여기에서, 조명 조건이란 IC 패키지가 촬상될 때, IC 패키지가 조명되는 조명 강도를 의미한다.
또한, 상기 식 3에 있어서, 승산값 및/또한 오프셋 값은 검사 항목에 따라서 변화될 수 있다.
여기에서, 검사 항목으로는, 보이드(void)의 검출, 패키지의 크랙(crack) 및 로스(loss), 시일(seal) 검사, 리드 상의 이물질 검출, 리드들 간의 이물질 검출의 개개의 항목들이 포함된다. 여기에서, 보이드는 수지로 이루어지는 IC 패키지(8)가 몰드될 때에 생기는 기포가 IC 패키지(8) 상에 작은 구멍으로서 나타난다는 사실을 나타낸다.
보이드의 휘도는 양품인 IC 패키지(8)의 상면(l0)의 휘도에 비하여 낮다.
패키지 크랙, 패키지 로스, 및 시일 및 리드(1l) 상의 또는 리드들 간의 이물질에서의 휘도는, 양품인 IC 패키지(8)의 상면(l0)에서의 휘도에 비해 높고, 이들 각각의 휘도는 상호 다르다.
각각의 검사 항목에 대하여, 검출되는 결함의 휘도는 다르다. 따라서, 양품또는 불량의 판정을 위한 2진화에 있어서 임계 레벨 thr는 단독으로 결정되는 것은 아니고, 각각의 검사 항목마다 개별적으로 설정되는 것이 바람직하다. 따라서, 각각의 검사 항목마다, 식 3의 승산값 및/또는 오프셋값이 변화될 수 있다.
양품의 IC 패키지(8)의 상면(l0)에서의 휘도에 비해 휘도가 낮은 보이드가 검출될 때에는, thr는 n'a에 대응하는 휘도보다도 낮은 휘도로 설정된다. 보이드는, 그 thr에 기초한 2진화 처리 후에, 그 thr의 휘도보다도 휘도가 낮은 성분으로서 검출된다.
양품의 IC 패키지(8)의 상면(l0)에서의 휘도에 비해 휘도가 높은 흰 먼지 등이 검출될 때에는, thr는 n'a에 대응하는 휘도보다도 높은 휘도로 설정된다. 흰 먼지 등은, 이 thr에 기초한 2진화 처리 후에, 그 thr의 휘도보다도 높은 휘도를 갖는 성분으로 검출된다.
평활화된 피크 값 n'a는, 상기 식 1 및 2를 이용한 산출 방법에 대신에, 다음의 식 4 및 5을 이용하는 방법에 의해 결정될 수 있다.
na- 설정값 = y (4)
식 4로부터 결정된 y는, 도 4의 직선 y와 같이 도시된다.
히스토그램 파형과 직선 y의 두개의 교점들에 대응하는 휘도가 각각 xa1, xa2라고 가정하면, 각각,
(xa1+ xa2)/2 = xa0(5)
도 4에 있어서, 식 5에 의해 결정되는 휘도 xa0에 대응하는 도트 수가, 평활화된 피크 값 n'a라고 가정된다.
또한, n'a는 상술한 2개의 방법 대신에, 다음의 방법을 이용하여 결정될 수 있다.
도 4의 히스토그램 파형에 있어서, 식 4에 의해 결정된 직선 y 위에 위치하는 부분 (요철이 포함되는 산의 부분)은 2차 곡선에 근사한다. 이 근사에 의해 결정된 2차 곡선 상에서 피크를 나타내는 값은 n'a이다.
상술한 방법들 중의 어느 한 방법에 의해, 히스토그램 파형에서의 요철로 대표되는 노이즈 성분으로부터의 어떠한 영향을 받지 않고, 임계 레벨 thr이 결정된다.
본 실시예에서, 식 3에 도시된 바와 같이, 임계 레벨 thr는, 히스토그램 파형의 피크값을 나타내는 n'a에 기초하여 산출된다.
여기서, 임계 레벨 thr가, 식 3 대신에, 일본 특허 공개 공보(JP-A-Heisei 11-14317)에 개시된 바와 같은, "IC 패키지의 평균 휘도"에 의해, 식 6으로부터 의해 산출되는 것으로 간주할 수 있다.
thr = (IC 패키지의 평균 휘도) ×(임계 설정 %) (6)
상기 공보의「IC 패키지의 평균 휘도」에 기초한 산출법은 이하의 문제가 있다. IC 패키지(8)에 큰 백(white) 오물의 결함이 있으면, 도 5에 도시된 바와 같이, 히스토그램 파형 상에, 그 백 오물 결함에 대응한 부분 P가 존재하게 된다. 상기 공보에 따르면,「IC 패키지의 평균 휘도」는 그 부분 P의 휘도를 포함한다. 그 때문에, 그 백 오물 결함을 갖는 불량품에 기초하여, thr이 결정될 우려가 있다. 그래서, 상기 공보의 기술에 따르면, 그 결정된 thr에 기초하여 2진화된 결과, 양품으로 판정된 IC 패키지를 대상으로 하여, 재차 「IC 패키지의 평균 휘도」로부터 thr이 산출된다. 그 2회째의 thr이 정식 임계 레벨로서 이용된다.
임계 레벨의 결정시에, 이 실시예에서는 1회의 연산만으로 종료된다. 그러므로, 2회의 연산을 필요로 하는 상기 공보 방법에 비하여, 처리 속도가 빠르다. 이것은, 식 3에 의하면, 임계 레벨은 히스토그램 파형의 피크값 n'a에 기초하여 산출되기 때문에, 도 5의 부분 P의 휘도가 아무런 영향도 미치지 않기 때문이다.
그러나, 임계 레벨이 식 3과 같이, 히스토그램 파형의 피크값 n'a에 기초하여 산출되면 문제가 되는 케이스가 있을 수 있다.
IC 패키지(8)의 전체가 검사되는 케이스와 같이, 검사 대상 영역이 큰 경우에는, 백 오물 결함이나 보이드와 같은 결함이 히스토그램 파형의 피크값(n'a)에 미치는 영향은 없다(큰 검사 대상 영역에서, 결함 부분의 도트 수가 최대가 되는 것은 현실적으로는 생각되지 않는다). 그 때문에, 검사 대상 영역이 큰 경우에, 피크값 n'a에 기초하여 임계값이 산출되더라도 문제는 생기지 않는다.
이것에 대하여, 검사 대상 영역이 작은 케이스에서는, 검사 대상 영역이 큰 케이스와 비교하여, 동일 크기의 결함이 존재하였다고 해도, 상대적으로 결함 부분의 면적 비율이 크게 된다. 그 때문에, 그 작은 검사 대상 영역에 상당하는 히스토그램 파형을 고려하였을 때에, 결함 부분의 도트 수가 최대가 되는 것을 고려할 수 있다. 이 경우, 그 최대 도트 수에 기초하여 임계 레벨이 산출된다고 하면, 결함(불량) 부분에 기초하여 임계 레벨이 산출된다. 그러므로, 이것은 원하는 2진화에 관한 양부 판정을 방해한다.
작은 검사 대상 영역의 검사는 그 검사 대상 영역 이외의 IC 패키지(8)의 부분이 마스크된 상태에서 행해진다.
검사 대상 영역이 작은 케이스에서는, 결함 부분의 영향을 배제하기 위해서, 식 3에 의한 산출법 대신에, 고정값(표준값)인 임계 레벨이 이용된다. 조명 강도 등의 촬상 조건이 차이나는 경우에는, 그 차이만큼 그 고정값이 변경된다. 그 변경 방법으로서, 하기 식 7이 사용된다.
thrc = thrd ×(xs/xd) (7)
그러나, thrc는 변경된 임계 레벨이고, thrd는 고정값으로서의 임계 레벨이며, xs는 측정 대상의 IC 패키지(8)의 전체에 관한 히스토그램 파형의 피크값에 대응하는 휘도이고, xd는 IC 패키지(고정값 thrd가 결정될 때의 표준용 IC 패키지)의 전체에 관한 히스토그램 파형의 피크값에 대응하는 고정값으로서의 휘도이다.
예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같이, 표준용 IC 패키지의 전체에 관한 히스토그램 파형의 피크값에 대응하는 고정값으로서의 휘도 xd가 120이고, 고정값으로서의 임계 레벨 thrd가 30이라고 하자. 측정 대상의 IC 패키지(8)의 전체에 관한 히스토그램 파형의 피크값에 대응하는 휘도 xs가 l00일 때, 변경된 임계 레벨 thrc는 하기 식 7'에 의해 구해진다.
thrc = 30 ×(100/l20) = 25 (7')
검사 대상 영역이 작은 케이스는, 소위 핀 마크가 검사되는 케이스를 포함한다. 핀 마크는 몰드시에 IC 패키지(8)가 압출 핀(이젝션 핀)에 의해 금형으로부터 압출될 때에 이용되는 핀 압출 홀(오목부)이다. 도 7(a), (b)에 도시된 바와 같이, 1개 내지 4개의 핀 마크가 IC 패키지(8)의 상면(10)의 코너부에 형성된다.
광 반사 상태는 핀 마크 영역(3l)과, IC 패키지(8)의 상면(10) 위의 핀 마크 영역(3l) 이외의 영역(수지 본체 영역)(32) 간에 차이가 난다. 일반적으로, 핀 마크가 정상적으로 형성된 케이스에서, 핀 마크 영역(3l)은 수지 본체 영역(32)에 비교하여 그 휘도가 낮다. 그 때문에, 상술된 바와 같이, 핀 마크 영역(31)이 검사되는 경우에는, 수지 본체 영역(32)이 마스크된 상태에서 2진화 양부 판정이 행해진다. 수지 본체 영역(32)이 검사되는 경우에는, 핀 마크 영역(31)이 마스크된 상태에서 2진화 양부 판정이 행해진다.
우선, 수지 본체 영역(32)이 검사되는 케이스에 관해서 설명한다.
이 케이스에서는, 상술된 바와 같이, 핀 마크 영역(31)이 마스크된다. 여기서, IC 패키지(8)에 있어서의 핀 마크의 위치에 관해, 실제의 측정 대상물에 의해 변동이 생길 수 있다. 그 때문에, 위치가 변동되더라도 핀 마크가 확실하게 마스크되도록, 도 8에 도시된 바와 같이, 실제의 핀 마크의 외부 에지 G(직경)보다도 소정의 마진분만큼 크게 형성된 마스크 Ml이 이용된다. 이 마스크 Ml은 실제의 핀 마크의 위치 변동에 상관없이 고정(표준)적으로 이용된다.
마스크 M1이 고정적으로 이용되었을 때의 문제점은 아래와 같다.
마진이 확보된 마스크 M1은 실제의 핀 마크 영역(3l)뿐만 아니라, 그 핀 마크 영역(3l) 주변의 수지 본체 영역(32)의 일부 Q도 마스크되게 한다. 그러므로, 마스크된 수지 본체 영역 Q에, 보이드 B와 같은 결함이 존재한 경우에는 검출되지 않는다.
고정적으로 이용되는 마스크 Ml 대신에, 도 9에 도시된 바와 같이, 핀 마크의 위치에 따른 마스크 M2가 이용될 수 있다. 실제의 핀 마크 위치가 정확하게 반영된 마스크 M2를 사용하여 핀 마크 영역(31) 주변의 수지 본체 영역(32)의 결함이 검출될 수 있다.
마스크 M2는 다음과 같이 형성된다. 상술된 바와 같이, 핀 마크가 위치될 것으로 예측되는 영역에 핀 마크 검출 윈도우(도시되지 않음)가 설정된다. 윈도우 내에 미리 등록되어 있는 핀 마크 모델 화상 데이터가 이용되어 패턴 매칭을 행한다. 패턴 매칭에 의해, 실제의 측정 대상물에 있어서의 핀 마크의 위치가 정밀하게 검출된다. 그 위치가 검출된 핀 마크의 외부 에지 G에 대하여 미리 설정된 소정값만큼 직경이 확장된 마스크 M2가 형성된다. 소정값만큼 직경이 확장된 마스크 M2가 이용되는 것은, 핀 마크의 외부 에지(수지 본체 영역(32)에 대하여 단의 부분) G가 수지 본체 영역(32)의 검사 영역에 포함되지 않도록 하기 위해서이다. 이 때, 마스크 M2에 의해 마스크되는 영역이 실제의 핀 마크 영역(31)보다도 과도하게 크면, 핀 마크 영역(31) 주변의 수지 본체 영역(32)의 결함이 상술된 바와 같이 검출되지 않는다.
다음에는, 핀 마크 영역(31)이 검사되는 케이스에 관해서 설명한다.
이 경우 수지 본체 영역(32)은 전술한 바와 같이 마스크된다. 이때 사용되는 마스크에 대해서는, 도 8에서 도시하듯이, 세트 마진에 의해 핀 마크의 직경이 생성된 것보다 더 큰 개구부(부호 M1에 해당하는 영역)가 사용될 수 있어서, 핀 마크 영역에 변화가 있더라도 핀 마크 영역(31)이 확실히 노출된다.
또는, 핀 마크의 위치에 상당하는 개구부를 가진 마스크는 고정되어 사용된 마스크 M3 대신 사용될 수 있다. 도 9에 도시하듯이, 위치가 정확하게 검출된 핀 마크의 외연부 G에 대한 설정값에 의해 직경이 감소된 개구부 C1을 가진 마스크 M4가 패턴 매칭의 결과로 생성된다. 설정값에 의해 직경이 감소된 개구부 C1을 가진 마스크 M4의 생성 원인은 핀 마크의 외연부(단부) G가 핀 마크 영역(31)(핀 마크 검사 영역)의 검사영역에 포함되지 않기 때문이다.
핀 마크 영역(31)의 검사예를 더 자세히 도시하고자 한다.
먼저, 핀 마크는 전술한 패턴 매칭에 의해 정밀히 검출된다. 다음으로, 핀 마크에 대해 직경이 조금 감소된 범위가 검출된 핀 마크의 경계선(단부) Gㅎ,ㅎ 포함하지 않도록 핀 마크 검사 영역으로 정의된다.
도 2에서 도시하듯이, IC 패키지 전체(데이터 가공 범위 윈도우(4) 내)의 촬영된 화상 1의 모든 도트(dot)를 대상으로 하는 히스토그램 파형이 생성된다. 핀 마크 검사 영역을 표시하는 부분(파형)이 휘도와 도트 수 n에 의거하여 히스토그램 파형(도 2)으로부터 추출된다.
또는, 데이터 가공 윈도우(도시되지 않음)가 핀 마크 검사 영역에 발생한다.다음으로 윈도우의 촬영 화상(1)의 모든 도트(dot)를 대상으로 하는 히스토그램 파형이 생성된다.
도 10은 도 2의 파형으로부터 추출된 핀 마크 검사 영역을 표시하는 파형 부분을 도시한다. 또는 도 10이 핀 마크 검사 영역에 발생된 윈도우 내부를 대상으로 하는 히스토그램 파형을 도시한다고 생각될 수도 있다(이하 같음).
핀 마크 검사 영역이 2진화 될 때 설정된 고정값(표준값)이 임계 레벨로 사용된다. 또는, 상기 식 7에 의해 수정된 임계 레벨이 촬영조건의 부가후 사용된다.
만약 검사 대상 영역이 핀 마크 영역과 같이 좁다면, 결함부분의 검사 대상 영역에 대한 면적 비율이 전술한 바와 같이 상대적으로 높아진다. 그래서 핀 마크 검사 영역의 히스토그램 파형(도 10)에 도시된 값은 임계 레벨을 선택하기 위해 표시된다. 그래서, 소망의 2진화에 대한 양(良) 또는 부(否)의 판정이 방해된다.
고정값(또는 상기 식 7에 의해 수정된 값)의 2개의 임계 레벨이 핀 마크 검사 영역의 검사시에 사용된다. 합계 2회의 2진화 과정이 각각의 2개의 임계 레벨에 기해서 핀 마크 검사 영역에 대해 수행된다.
1회 임계 레벨에 사용된 임계 레벨(이하 제1 임계 레벨로 참조됨)은 도 10에 도시한 바와 같이 정상 핀 마크 검사 영역(결함이 없는)에 대응한 휘도보다 낮은 휘도 Xl이다.
남아있는 1회에 사용된 임계 레벨(이하 제2 임계 레벨로 참조됨)은 정상 핀마크 검사 영역(결함이 없는)에 대응한 휘도보다 높은 휘도 XH이다.
핀 마크 영역이 제1 임계 레벨 Xl에 기하여 2진화될 때, 흑색 표시 부분은 핀 마크 검사 영역내의 보이드(void)를 의미한다. 도 10에서, 제1 임계 레벨 Xl보다 낮은 휘도값을 갖는 구성 요소 Pb(도트 수의 집합)는 보이드를 의미한다.
핀 마크 영역이 제1 임계 레벨 XH에 기하여 2진화될 때, 백색 표시 부분은 핀 마크 검사 영역내 백색 먼지, 핀 마크 영역내 형상 불량, 보이드 단(edge) 등과 같은 이물질을 의미한다. 도 10에서 제1 임계 레벨 XH보다 높은 휘도값을 갖는 구성요소 Pc(도트 수의 집합)는 백색 먼지, 핀 마크 영역내 형상 불량, 보이드 단 등과 같은 이물질을 의미한다.
형상품(IC 패키지 (8))이 금형으로부터 압출 핀에 의해 압출될 때, 압출 핀의 선단부에 흠, 결손과 같은 결함이 있다면, 그 결함이 핀 마크내에서 유발된 오목부와 볼록부를 발생시킨다. 오목부와 볼록부에 조명을 비추면 난반사를 일으키고 결과적으로 제2 임계 레벨 XH보다 더 높은 휘도값이 된다. 핀 마크 검사 영역내 형상 불량, 보이드 단 등과 같은 것들이 압출 핀의 선단부의 결함에 의해 형성될 수 있다.
수지 본체 영역(32)와 달리, 핀 마크 영역(31)에는 날인이 없다. 그래서, 어느 정도 이상 높은 휘도값을 갖는 구성요소가 항상 결함으로 인정될 수 있다.
도 11A, 11B에서 도시하듯이, 수지 본체 영역(32)은 날인(41)을 포함한다.그래서, 날인(41)을 포함한 수지 본체 영역(32)에서는, 어느 정도 이상 높은 휘도값을 갖는 구성요소가 항상 결함으로 인정될 수 없다. 날인(41)영역이 제거된 수지 본체 영역(32)이 대상이 된다면, 어느 정도 이상 높은 휘도값을 갖는 구성요소가 제일 먼저 결함으로 인정된다.
어쨋든, 전술한 바와 같이, 히스토그램 파형이 데이터 가공 범위 윈도우(4)내의 촬영 화면에 만들어질 때, 그것의 히스토그램 파형이 핀 마크 영역(31)이 마스크된 상태에서 만들어진다. 그렇지 않으면, 핀 마크 영역(31)과 수지 본체 영역(32)은 똑같이 낮은 휘도이기 때문에 양자의 구별은 불가능하다.
날인의 검사의 경우는 이하에서 설명될 것이다.
날인(41)이 검사될 때, 2진화 과정의 결과로서,
IC 패키지(8)의 전체 영역내의 날인(41)을 식별하는 것이 필요하다.
날인(41)을 식별하기 위해 2진화하기 위한 임계 레벨이 이하의 (a)부터 (c)까지의 각각 방법에 의해 결정된다.
(a) 전체 IC 패키지에 대한 히스토그램 파형(도 2)을 사용하는 것이 가능하다. 날인 검사를 위한 값이 상기 식 3에서 승산값 및/또는 잔류값으로서 미리 준비된다. 날인 검사를 위한 임계 레벨 thr이 값이 대입된 상기 식 3을 사용해 산출된다. 날인 검사에 대한 임계 레벨 thr에 의거하여, 데이터 가공 범위 윈도우(4)(전체 IC 패키지) 내의 촬영 화면(1)이 2진화된다. 날인(41)은 2진화 과정 후 thr의 휘도보다 더 큰 휘도를 갖는 구성 요소로 검출된다.
본 실시형태에 따라, 히스토그램(도 2)이 데이터 가공 범위(4)(IC패키지(8))에 대해 생성되면, 전술한 바와 같이, 승산값 및/또는 잔류값을 바꿈으로써 히스토그램 복수의 검사 항목에 사용될 수 있다. 그래서, 처리 속도는 매우 빨라진다.
(b) 도 11b에서 도시하듯이, 데이터 가공 윈도우(도시되지 않음)가 날인(41)이 포함될 것으로 예상되는 날인 검사 영역(51) 내에 생성된다. 따라서, 윈도우 내부를 대상으로 하는 히스토그램 파형(도시되지 않음)이 생성될 수 있다. 윈도우의 생성 방법은 전술한 경우와 비슷하다. 또한 이 경우, 임계 레벨 thr은 상기 식 3에 의해 산출된다. 바로 이때, 상기 식 3에 n'a로 대입된 값이 날인 검사 영역(51)을 대상으로 하는 히스토그램에서 평활화된 최고값(IC 패키지(8)의 최상면(10)의 휘도에 상당하는)이다. 또한, 승산값 및/또는 잔류값으로서 상기 식 3에 대입된 값은 날인 검사를 위해 미리 준비된다.
IC 패키지(8)의 최상면(10)의 휘도에 상당하는 n'a보다 더 큰 휘도를 갖는 산(山)이 날인 검사 영역(51)을 대상으로 하는 히스토그램으로부터 명확히 검출된다. 이것은 날인 검사 영역 이외의 영역에 존재하는 더 높은 휘도를 갖는 구성요소(백색 먼지 결함, 납 등과 같은)가 날인 검사 영역(51)을 대상으로 하는 히스토그램에는 나타나지 않기 때문이다.
(c) 전체 IC 패키지에 대한 히스토그램 파형(도 2)에 기해서 날인(41)은 IC 패키지 전체 영역에서 추출된다. 추출 방법에 대해 복수의 방법이 이하에서 설명될 것이다.
도 12는 데이터 가공 영역 윈도우(4)내의 촬영화면(1)의 모든 도트를 대상으로 하는 히스토그램 파형을 도시한다. 도 2와 유사하게, 여기서, 도 12는 날인이 수지 부분에 포함될 때의 히스토그램을 도시한다. 도 12에서, 수지 영역에 해당되는 휘도가 더 높은 최고값의 다음 최고값이 날인 영역에 해당된다. 어쨋든, 데이터 가공 영역 윈도우(4)내의 모든 도트를 대상으로 하는 히스토그램의 경우, 납 영역의 피크는 날인 영역에 상당한 피크의 훨씬 더 휘도가 높은 부분 밖에 존재한다. 그러나, 납 영역의 피크는 도 12에 도시되어 있지 않다.
(c-1) 제1 추출 방법은 먼저 설명된다.
첫째, 상기 식 1 또는 2에 기해 평활화된 최고값 n'a가 결정된다.
도 12에서 도시하듯이, n'a를 시점으로, 히스토그램 파형이 고휘도 방향으로 스캔된다. n'a의 산 Pp다음의 Pn의 최고값 n'n은 스캐닝의 결과 결정된다. 날인 검사에 대한 임계 레벨 thr은 이하 식 8
thr = (n'a+ nn)/2 (8)
에 의해 결정된다.
이하 식 9는 식 8에 대신해 사용될 수 있다.
thr = (n'a+ nn)/2 × (승산값) + (오프셋 값) (9)
식 9는 다음 목적에 사용된다. 곱셈값 및/또는 오프셋 값의 사용은 식 8에 따라 구해진 thr보다 낮은 값의 계산을 가능하게 하고, 2진 변환 후에 날인(41)이선명하게 취해질 수 있다. 또는, 식 8에 따라 구해진 thr보다 높은 값은 2진 변환 후에 노이즈가 취해지지 않도록 산출되지 않는다.
(c-2) 다음으로, 제2 추출 방법이 설명된다.
제1 추출 방법과 마찬가지로, 식 1 또는 2에 따라 평활화된 피크값(n'a)이 먼저 산출된다. n'a를 시작점으로 하여, 히스토그램 파형이 고휘도 방향으로 주사된다. 이 주사의 결과로서 n'a의 산(Pp)의 계곡(Ps) 다음의 산(Pn)의 피크값(nn)이 구해진다. 이 제2 추출 방법에 의해 구해진 nn은 식 8 또는 9에 대입된다.
(c-3) 다음으로, 제3 추출 방법이 설명된다.
모노크롬 데이터를 의미하는 IC 패키지(8)의 전체 영역(데이터 가공 범위 윈도우(4) 내의 촬상 화상(1))을 나타내는 256 계조에서, 날인(41)의 휘도가 미리 설정된다. 이 설정된 휘도의 범위(E)(도 12 참조)가 날인 검사 범위로 정해진다. 이 날인 검사 범위(E)에서 히스토그램 파형의 피크로서 nn이 구해진다. 이 제3 추출 방법에 의해 구해진 nn은 식 8 또는 9에 대입된다.
(c-4) 다음으로, 제4 추출 방법이 설명된다.
날인 검사 범위(E)는 다음과 같이 구해진다. 먼저 날인 검사 범위(E)의 하한값(Es)이 다음 식 10에 의해 구해진다.
Es = n'a ×설정 승산값 + 설정 오프셋 값 (10)
식 10에 의해 구해진 Es 보다 높은 휘도의 범위(상한 없음)가 날인 검사 범위(E)로 정해진다. 이 날인 검사 범위(E)에서 히스토그램 파형의 피크로서 nn이 구해진다. 이 제4 추출 방법에 의해 구해진 nn는 식 8 또는 9에 대입된다.
날인 검사용 임계 레벨(thr)은 방법 (a) 내지 (c-4) 중 어느 하나에 의해 구해진다. 이 thr에 따라 2진 변환이 행해진다. 따라서, 촬상 화상(1) 내에서 날인(41)이 추출되고, 날인(41)이 검사된다.
날인 검사에서, 상기 (b)와 같이, 날인 검사 영역(51)에서 윈도우를 발생시키고, 그리고나서 이 윈도우에서 히스토그램 파형을 발생시킨다. 또한, 핀마크 검사 영역에서도, 마찬가지로, 전용 윈도우를 발생시켜서 그 윈도우 내의 히스토그램 파형을 발생시킬 수 있다. 그런데, 도 7a에 도시된 바와 같이, 핀마크 영역(31)의 표면 상태(조도 등)는 수지 영역 본체(32)와는 다르고, 그 휘도는 명확히 다르다. 따라서, 핀 마크 영역(31)만에 대응하는 파형의 부분은 IC 패키지 전체에 대해 히스토그램 파형(도 2)으로부터도 용이하게 추출될 수 있다. 한편, 날인 검사 영역(51)은, 수지 영역 본체(32)의 일부에 설치되고, 표면 상태 등에 대해 차이가 없다. 따라서, 전체 IC 패키지에 대한 히스토그램 파형(도 2) 중에서, 또다른 수지 영역 본체(32)와 날인 검사 영역(51)을 구별하는 것은 어렵다. 상기와 같은 점의 관점으로부터, 날인 검사 영역(51)은 전용 히스토그램의 형성에 대해 비교적 큰 장점을 갖는 반면, 핀 마크 영역은 비교적 적은 장점을 갖는다.
제2 실시예의 외관 검사 장치는 도 13 내지 16을 참조하여 이하에서 설명할 것이다. 제2 실시예는 제 1실시예의 외관 검사 방법을 달성하기 위한 외관 검사장치이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 화상 처리 라이브러리(61)에는 복수의 기본 화상 처리 항목이 저장된다. 그 화상 처리 항목에는 2진 변환 처리(62), 최대화 처리(63), 최소화 처리(64), 면적 측정 처리(65), 라벨링(66) 등이 포함된다. 2진 변환 처리(62)에는 제1 실시예의 내용이 포함된다.
여기에서, 화상 처리 라이브러리(61)에 저장되는 최대화 처리(63)와 최소화 처리(64)가 설명된다. 최대화 처리(63)와 최소화 처리(64)는 또한 각각 확장 처리 및 수축 처리라고 한다. 이 처리들은 화상 데이터 내의 노이즈(고립점)를 제거하기 위해서 행해진다.
도 14에 도시된 바와 같이, 휘도[1]의 부분의 주변이 하나씩 먼저 확장된다. 이 확장 처리는 설정 회수 만큼 반복된다. 이 주변은 한번에 1도트씩 수축된다. 이 수축 처리는 설정 회수 만큼 반복된다. 이런 식으로, 미세한 휘도[0]의 점이 확장/수축 처리에 의해 휘도[1]을 나타내는 오염 부분 중(주변)에 포함될 때, 휘도[0]의 점이 휘도[1]로 변환될 수 있다.
반대로, 휘도[1]를 갖는 부분의 주변이 도 15에 도시된 바와 같이, 한번에 1도트씩 수축된다. 이 수축 처리는 설정 회수 만큼 반복된다. 그리고나서, 그 주변이 한번에 1도트씩 확장된다. 이 확장 처리는 설정 회수 만큼 반복된다. 이런 식으로, 수축/확장 처리에 의해 양품 부분의 휘도[0]에 미세한 휘도[1]의 점이 포함될 때, 이 휘도[1]의 점이 휘도[0]로 변환될 수 있다.
상기한 바와 같이, 확장/수축 처리 및 수축/확장 처리는 휘도[1],[0]의 영역에 대해 고립점들을 제거할 수 있다. 상기 처리들을 통한 이 고립점의 제거는 실험적으로 확인된다.
사용자는 화상 처리 라이브러리(61)를 참조하여 검사 항목 데이터를 생성한다. 이 검사 항목 데이터에는 보이드 검사 데이터(72), 날인 검사 데이터(73), 몰드 결함 검출용 데이터(74), IC 패키지 방향 상위 검출용 데이터(75), 리드 굽음 검출용 데이터(76) 등이 포함된다. 사용자는, 각 검사 항목 데이터(72 ~ 76)를 생성할 때, 화상 처리 라이브러리(61)에 저장된 화상 처리 항목(62 ~ 66) 각각을 임의로 선택하고, 각 선택된 화상 처리 항목의 실행 순서를 임의로 설정할 수 있다. 사용자는 각 검사 항목 데이터(72 ~ 76)에 파라미터가 포함되도록 할 수 있다. 예를 들면, 사용자는 상기 검사 항목 데이터에 각 검사 항목(보이드의 검출, 날인의 검사 등) 마다 식 3의 곱셈값 및/또는 오프셋 값이나, 식 7의 thrd와 xd나, 날인의 유무에 대한 판단 기준으로서의 도트수 등이 포함되도록 할 수 있다. 보이드의 검출, 날인의 검사, 몰드 결함의 검출, IC 패키지의 방향 상위 검출, 리드의 굽음 검출 등의 각 검사 항목의 이름은 검사 항목 데이터(72 ~ 76)에 등록된다.
이 검사 항목 데이터(72 ~ 76)는 검사 라이브러리(71)에 저장된다. 사용자는 검사 라이브러리(71)를 참조하고 품종 마다의 검사 데이터(81)를 생성한다. 도 16에 도시된 바와 같이, 각 품종마다의 검사 데이터(81)는 각 검사 대상 제품(유형 번호)마다 예를 들면, [QFP100] 데이터(82), [QFP80] 데이터(83) 및 [QFP64] 데이터(84)로서 생성된다. 검사 대상 제품 [QFP100], [QFP80] 및 [QFP64]에서, 그 검사 영역과 그 검사 항목은 서로 다르다. 따라서, 사용자는, 각 데이터(82 ~ 84)마다 검사 데이터를 생성할 때, 검사 라이브러리(71)에 저장된 검사 항목 데이터(72 ~ 76) 각각을 임의로 선택할 수 있고, 각 선택된 검사 항목 데이터의 실행 순서를 임의로 설정할 수 있다.
사용자는, 품종 마다의 각 검사 데이터(82 ~ 84)를 생성할 때, 화상 처리 라이브러리(61)를 참조하여 각 화상 처리 아이템(62 ~ 66)을 조합함으로써 생성하지 않는다. 따라서, 사용자는 검사 라이브러리(71)를 참조하여 각 검사 항목 데이터(72 ~ 76)를 조합함으로써 각 품종 마다의 각 검사 데이터(82 ~ 84)를 생성한다. 따라서, 사용자는 품종 마다의 각 검사 데이터(82 ~ 84)를 용이하게 생성할 수 있다.
본 실시예에서는, 화상 처리 라이브러리(61)로서 미리 저장된 화상 처리의 각종 알고리즘(62 ~ 66)이 사용자에 의해 임의의 순서로 조합되고 복합된 화상 처리 알고리즘(72 ~ 76)(검사 라이브러리(71))이 제작된다. 사용자는 이 복합된 화상 처리 알고리즘(72 ~ 76)에 임의의 이름을 붙이고 검사 라이브러리(71)에 저장한다.
사용자는 품종마다의 검사 데이터(81) 내에, 상기와 같이 독자적으로 제작된 화상 처리 알고리즘(72 ~ 76)을 등록시의 이름을 사용하여 지정한다. 따라서, 다른 종류의 검사 데이터(82 ~ 84)의 제작시에도, 화상 처리 알고리즘(72 ~ 76)이 공통으로 사용된다. 또한, 화상 처리 알고리즘(72 ~ 76)은 각 품종마다의 검사 데이터(82 ~ 84) 내에서 개별적으로 변경된다.
각 품종마다의 검사 데이터(81 ~ 84)에 대해 화상 처리 알고리즘(72 ~ 76)과검사 영역 및 판정 값이 설정된다. 자동 검사 시에는, 미리 설정된 검사 데이터(72 ~ 76)에 따라, 상기 지정된 검사 영역에서 화상 처리가 행해진다. 최종적인 측정 값과 판정 값 사이의 비교에 의해 허가 또는 거절이 판정된다.
이 검사 결과는 사용자에 의해 임의로 제작된 각 검사 항목 마다 임의의 어드레스에 출력된다.
상기 설명에서, 규격값이 사용된 경우를 제외하고, 히스토그램 파형에 따라 임계값이 결정되고, 이 임계값에 따라 결함이 2진 변환 처리에 의해 검출되는 경우가 설명되었다. 제1 및 제2 실시예는 상기 히스토그램을 사용하는 방법에 한정되지 않는다. 이들은 또한 투영법(일본특개평(JP-A-Heisei 7- 128249호), 일본특개평(JP-A-Heisei 7- 229842호), 일본특개평(JP-A-Heisei 8- 14845호))에 사용되는 임계 레벨의 산출에도 적용될 수 있다.
본 발명의 외관 검사 방법에 따르면, 검사 처리 속도가 더 빠르게 된다.
본 발명의 또다른 외관 검사 장치에 따르면, 사용자는 임의의 순서로 화상 처리 알고리즘을 생성할 수 있게 된다.
본 발명에 따르면, 빠른 검사 처리 속도를 갖는 외관 검사 방법 및 장치가 제공된다.
특히, 본 발명의 외관 검사 방법 및 장치에 따르면, 복수의 검사 아이템이 검사될 때, 빠른 검사 처리 속도를 갖게 된다.
본 발명의 외관 검사 방법 및 장치에 따르면, 노이즈 성분으로부터 전혀 영향을 받지 않으면서 빠른 검사 처리 속도를 갖게 된다.
또한, 본 발명의 외관 검사 방법 및 외관 검사 장치는 각각의 검사 목표 영역의 특성과 일치되고, 사용자에게 편리하다.

Claims (21)

  1. 외관 검사 방법에 있어서,
    (a) 피검사체가 촬상되어 있는 화상 데이터를 제공하는 단계;
    (b) 상기 화상 데이터에 기초하여 화상 데이터에 포함된 복수의 화상 단위 각각의 휘도를 검출하는 단계;
    (c) 상기 휘도 각각에 대해 상호 동일한 휘도를 갖는 상기 화상 단위의 수를 검출하는 단계;
    (d) 상기 단계 (c)의 결과로서 검출된 수 중 최대의 수를 계측된 최대수로서 검출하는 단계;
    (e) 상기 계측된 최대 수를 연산하여 설정 최대수를 결정하는 단계;
    (f) 상기 설정 최대 수에 기초하여 상기 휘도의 임계 레벨을 결정하는 단계;
    (g) 상기 임계 레벨에 기초하여 상기 화상 데이터를 2진 패턴으로 변환하는 단계; 및
    (h) 상기 2진화된 패턴에 기초하여 피검사체의 결함을 검출하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 설정 최대 수는 노이즈 성분이 상기 계측된 최대수로부터 제거된 때의 결과에 대응하는 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단계 (e)는, 상기 계측된 최대 수에 대응하는 휘도를 기준으로 하여 보다 높은 휘도에 대응하는 제1 수와,상기 계측된 최대수에 대응하는 휘도를 기준으로 하여 보다 낮은 휘도에 대응하는 제2 수를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단계 (e)는, 상기 계측된 최대수로부터 사전설정된 값을 감산한 후 감산된 값과 동일한 수에 대응하는 상기 휘도를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단계 (b)의 결과는 히스토그램으로 표현되고,
    상기 단계 (e)에서, 상기 히스토그램 파형 중 상기 계측된 최대수로부터 사전설정된 값을 감산한 후의 감산값보다 상기 수가 더 큰 부분은 2차 곡선에 근사하고,
    상기 2차 곡선의 극대값은 설정 최대수로서 검출되는 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    thr = 상기 설정 최대수 ×승산값 + 오프셋값이고, thr은 상기 단계 (f)의 임계 레벨인 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 승산값과 오프셋값 중 적어도 하나는 상기 피검사체에 관해서 복수의 검사 항목 각각에 대해 상이한 값인 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 피검사체는 IC 패키지이고, 상기 복수의 검사 항목은 보이드 검출, 패키지 크랙 및 패키지 결함의 검출, 날인 검사(seal inspection), 리드 상의 이물질 검출, 및 리드 간의 이물질 검출을 포함하는 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 소정값보다 작은 경우에, 상기 임계 레벨이 단계 (d), (e) 및 (f)에서 결정되는 것이 아니라, 사전설정된 표준값이 상기 임계 레벨로서 사용되는 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 피검사체는 IC 패키지이고, 상기 IC 패키지 내에 오목부가 형성되고,상기 오목부는 상기 IC 패키지를 성형할 때 금형으로부터 상기 IC 패키지를 끄집어내기 위한 핀에 구비되고,
    결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 상기 오목부인 경우, 상기 임계 레벨은 상기 단계 (d), (e) 및 (f)에서 결정되지 않고, 상기 임계 레벨로서 두개의 사전설정된 표준값 사용되고,
    상기 두개의 사전설정된 표준값을 임계 레벨로서 사용하여 상기 단계 (g)의 2진 변환을 2회 행함으로써 각각 두개의 2진 패턴을 생성되고,
    상기 단계 (h)는 상기 2개의 2진 패턴 각각에 기초하여 서로 다른 종류의 상기 결함을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 피검사체는 IC 패키지이고, 상기 IC 패키지는 날인을 포함하고,
    상기 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 상기 날인인 경우, 상기 단계 (b)는 상기 날인이 화상 데이터가 존재하는 것으로 예상되는 날인 검사부의 상기 휘도를 검출하는 단계를 포함하고,
    상기 단계 (c)는 상기 날인 검사부에 대한 상기 화상 단위의 수를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 피검사체는 IC 패키지이고, 상기 IC 패키지는 날인을 포함하고,
    상기 단계 (b)의 결과가 히스토그램으로 표시되고,
    상기 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 날인인 경우, 상기 단계 (f)는 상기 설정 최대수를 시점으로 하여 좀 더 밝은 휘도 방향으로 상기 히스토그램 파형을 주사하는 단계를 포함하고,
    상기 단계 (f)는 상기 주사 결과로서 상기 파형의 설정 최대수를 포함하는 제2 상향 오목 곡선 다음의 제1 상향 오목 곡선의 피크값을 검출하는 단계를 포함하고,
    thr= (상기 설정 최대수 + 상기 피크값)/2이고, thr은 상기 단계 (f)의 임계 레벨인 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 피검사체는 IC 패키지이고, 상기 IC 패키지는 날인을 포함하고,
    상기 단계 (b)의 결과가 히스토그램으로 표시되고,
    상기 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 날인인 경우, 상기 단계 (f)는 상기 설정 최대수를 시점으로 하여 좀 더 밝은 휘도 방향으로 상기 히스토그램 파형을 주사하는 단계를 포함하고,
    상기 단계 (f)는 상기 주사 결과로서 상기 파형의 설정 최대수를 포함하는 제2 상향 오목 곡선의 하향 오목부 다음의 제1 상향 오목 곡선의 피크값를 검출하는 단계를 포함하고,
    thr= (상기 설정 최대수 + 상기 피크값)/2이고, thr은 상기 단계 (f)의 임계레벨인 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 피검사체는 IC 패키지이고, 상기 IC 패키지는 날인을 포함하고,
    상기 단계 (b)의 결과가 히스토그램으로 표시되고,
    상기 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 날인인 경우, 상기 단계 (f)는 날인 검사부로서 상기 히스토그램의 사전설정된 휘도에 대응하는 범위를 설정하는 단계를 포함하고,
    상기 히스토그램 파형의 날인 검사부의 피크값이 검출되고,
    thr= (상기 설정 최대수 + 상기 피크값)/2이고, thr은 상기 단계 (f)의 임계 레벨인 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 피검사체는 IC 패키지이고, 상기 IC 패키지는 날인을 포함하고,
    상기 단계 (b)의 결과가 히스토그램으로 표시되고,
    상기 결함을 검출하기 위한 검사 대상 영역이 날인인 경우, 상기 단계 (f)는 날인 검사부로서 상기 히스토그램의 휘도의 하한값인 ES의 범위를 설정하는 단계를 포함하고,
    ES= 상기 설정 최대수 ×상기 설정 승산값 + 설정 오프셋값이고,
    상기 히스토그램 파형의 날인검사부의 피크값이 검출되고,
    thr= (상기 설정 최대수+ 상기 피크값)/2이고, thr은 상기 단계 (f)의 임계 레벨인 것을 특징으로 하는 외관 검사 방법.
  16. 외관 검사 장치에 있어서,
    피검사체를 촬상하여 피검사체의 화상 데이터를 생성하는 카메라;
    임계 레벨을 제공하는 임계 레벨 제공부;
    상기 임계 레벨에 기초하여 상기 화상 데이터를 2진 패턴으로 변환하는 2진 변환부; 및
    상기 2진 패턴에 기초하여 피검사체의 양호 또는 불량 판정을 행하는 판정부
    를 포함하고,
    상기 임계 레벨 제공부는, 상기 화상 데이터에 기초하여 상기 화상 데이터에 포함된 복수의 화상 단위 각각의 휘도를 검출하고, 상기 휘도 각각에 대해 휘도가 서로 동일한 화상 단위의 수를 검출하며, 검출된 수 중 회대인 수를 계측된 최대수로서 검출하고, 상기 계측된 최대수를 연산하여 설정 최대수를 결정하고, 상기 설정 최대수에 기초하여 임계 레벨을 제공하는 것을 특징으로 하는 외관 검사 장치.
  17. 외관 검사 장치에 있어서,
    복수의 화상 처리 항목을 저장하는 화상 처리 라이브러리;
    상기 복수의 화상 처리 항목이 임의로 선택되고 상기 선택된 화상 처리 항목이 임의 순서로 실행되는, 복수의 검사 항목 데이터를 저장하는 검사 라이브러리
    를 포함하고,
    상기 복수의 화상 처리 항목에 2진 변환 처리가 포함되고,
    상기 2진 변환 처리는,
    2진 변환 처리에 사용되는 임계 레벨을 제공할 때 피검사체가 촬상된 화상 데이터에 기초하여 화상 데이터에 포함되어 있는 복수의 화상 단위 각각의 휘도를 검출하는 단계와, 상기 각 휘도에 대해 상호 동일한 휘도를 갖는 화상 단위의 수를 검출하는 단계와, 검출된 수들 중 최대수를 계측된 최대수로서 검출하는 단계와, 상기 계측된 최대수를 연산하여 설정 최대수를 결정하는 단계와, 상기 설정 최대수에 기초하여 임계 레벨을 제공하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 외관 검사 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 복수의 검사 항목 데이터가 임의로 선택되고 상기 선택된 검사 항목 데이터가 임의의 순서로 실행되며, 검사 대상 제품의 각 품종에 대해 복수의 각 품종별 검사 데이터를 저장하는 각 품종별 검사 데이터 라이브러리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외관 검사 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 복수의 검사 항목 데이터는 보이드 검사용 데이터, 날인 검사용 데이터, 금형 손실 검사용 데이터 및 리드 곡선 검출용 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 외관 검사 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 복수의 검사 항목 데이터는 2진 변환 처리에서 포함된 연산에 사용된 파라미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 외관 검사 장치.
  21. 컴퓨터 판독가능 기록 매체에 있어서,
    (a) 피검사체가 촬상되어 있는 화상 데이터를 제공하는 단계;
    (b) 상기 화상 데이터에 기초하여 화상 데이터에 포함된 복수의 화상 단위 각각의 휘도를 검출하는 단계;
    (c) 상기 휘도 각각에 대해 상기 화상 단위 중 휘도가 서로 동일한 화상 단위의 수를 검출하는 단계;
    (d) 상기 단계 (c)의 결과로서 검출된 수 중 최대인 수를 계측된 최대수로서 검출하는 단계;
    (e) 상기 계측된 최대수를 연산하여 설정 최대수를 결정하는 단계;
    (f) 상기 설정 최대수에 기초하여 상기 휘도의 임계 레벨을 결정하는 단계;
    (g) 임계 레벨에 기초하여 상기 화상 데이터를 2진 패턴으로 변환하는 단계; 및
    (h) 상기 2진 패턴에 기초하여 피검사체의 결함을 검출하는 단계
    를 포함하는 처리를 위한 프로그램을 기록하기 위한 컴퓨터 판독가능 기록 매체.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005003480A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Ishida Co Ltd Ｘ線検査装置
JP4610182B2 (ja) * 2003-12-05 2011-01-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡
JP4830501B2 (ja) * 2005-02-21 2011-12-07 オムロン株式会社 基板検査方法および装置、並びに、その検査ロジック設定方法および装置
JP4585907B2 (ja) * 2005-04-28 2010-11-24 株式会社イシダ Ｘ線検査装置
US7689003B2 (en) * 2006-03-20 2010-03-30 Siemens Energy, Inc. Combined 2D and 3D nondestructive examination
CN101840572A (zh) * 2010-04-13 2010-09-22 河海大学常州校区 一种基于区域分割的qfp元件位置误差视觉检测方法
JP5957378B2 (ja) * 2012-12-28 2016-07-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法および欠陥観察装置
KR101505738B1 (ko) * 2013-08-22 2015-03-30 김용민 불량 검사 장치 및 방법
KR102399575B1 (ko) * 2014-09-26 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 증착 위치 정밀도 검사장치 및 그것을 이용한 증착 위치 정밀도 검사방법
KR20220001125A (ko) * 2020-06-29 2022-01-05 삼성전자주식회사 기판 불량 검출 방법 및 장치
CN115631199B (zh) * 2022-12-21 2023-04-14 深圳新视智科技术有限公司 pin针缺陷检测方法、装置、设备及存储介质
CN116385750B (zh) * 2023-05-30 2023-08-08 合肥图迅电子科技有限公司 芯片引脚外观识别方法、装置、计算机设备及存储介质

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4972493A (en) * 1988-01-04 1990-11-20 Motorola, Inc. Method for inspection of surfaces
JPH01284743A (ja) * 1988-05-10 1989-11-16 Toshiba Corp 半導体装置の樹脂モールドの外観検査方法とその検査装置
US5720928A (en) * 1988-09-15 1998-02-24 New York University Image processing and analysis of individual nucleic acid molecules
US4975972A (en) * 1988-10-18 1990-12-04 At&T Bell Laboratories Method and apparatus for surface inspection
US5146510A (en) * 1989-02-09 1992-09-08 Philip Morris Incorporated Methods and apparatus for optically determining the acceptability of products
EP0435660B1 (en) * 1989-12-29 1997-06-04 Canon Kabushiki Kaisha Method of evaluating objects based upon image processing, and inspection apparatus using said method
GB2262339B (en) * 1991-12-13 1995-09-06 Honda Motor Co Ltd Method of inspecting the surface of a workpiece
JPH05264240A (ja) 1992-03-19 1993-10-12 Fujitsu Ltd 外観検査装置
JP3110592B2 (ja) 1993-07-16 2000-11-20 三菱電機株式会社 画像処理装置
US5537669A (en) * 1993-09-30 1996-07-16 Kla Instruments Corporation Inspection method and apparatus for the inspection of either random or repeating patterns
JP2500649B2 (ja) 1993-11-04 1996-05-29 日本電気株式会社 Ｉｃ異物検査装置
JP2715897B2 (ja) 1994-02-21 1998-02-18 日本電気株式会社 Ｉｃの異物検査装置及び方法
JP2503940B2 (ja) 1994-06-27 1996-06-05 日本電気株式会社 Ｉｃ異物検査装置
JPH0844870A (ja) 1994-07-26 1996-02-16 Matsushita Electric Works Ltd 外観検査装置のメモリ管理方式
US5640200A (en) * 1994-08-31 1997-06-17 Cognex Corporation Golden template comparison using efficient image registration
JPH0933342A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Asahi Optical Co Ltd 照明輝度管理方法および光学部材検査装置
JPH096957A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Toshiba Corp 濃度画像の２値化方法および画像２値化装置
JPH0915165A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Asia Electron Inc 特徴点抽出装置
US5970166A (en) * 1996-09-24 1999-10-19 Cognex Corporation System or method for identifying contents of a semi-opaque envelope
JPH10143653A (ja) * 1996-11-12 1998-05-29 Hitachi Ltd 画像処理システム
JP2897747B2 (ja) 1997-01-30 1999-05-31 日本電気株式会社 Ｉｃパッケージ位置検出方法
US6005966A (en) * 1997-02-12 1999-12-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for multi-stream detection of high density metalization layers of multilayer structures having low contrast
US5966677A (en) * 1997-02-28 1999-10-12 Fiekowsky; Peter J. High accuracy particle dimension measurement system
IL123473A (en) * 1997-02-28 2001-08-08 Fiekowsky Peter J High accuracy particle dimension measurement system
US6015520A (en) * 1997-05-15 2000-01-18 International Business Machines Corporation Method for filling holes in printed wiring boards
JPH1114317A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Toshiba Corp 外観検査方法及びその装置
JPH1163951A (ja) 1997-08-20 1999-03-05 Souei Tsusho Kk 外観検査装置
JP3581242B2 (ja) 1997-10-30 2004-10-27 株式会社日立製作所 並列画像処理プロセッサを備えた荷電粒子ビーム装置
JP3893210B2 (ja) 1998-03-13 2007-03-14 株式会社日立製作所 並列データ処理装置とそれを用いた外観検査装置
JP3190897B2 (ja) 1998-10-28 2001-07-23 大分日本電気株式会社 欠陥検査装置、及び欠陥検査方法
JP2001184510A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Mitsubishi Chemicals Corp 欠陥検出方法

Also Published As

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