KR100396120B1 - 매칭용 증폭회로를 구비하는 디비에스 튜너 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소정 대역 이상의 발진 신호를 생성하는 수정 발진기와, 전압 제어 발진 신호를 출력하는 전압 제어 발진기와, 외부로부터 입력되는 RF 신호를 상기 수정 발진기와 상기 전압 제어 발진 신호에 의해 I, Q 신호로 변환하여 출력하는 ZERO-IF IC와, 상기 ZERO-IF IC의 내부 버퍼를 통해 출력되는 상기 수정 발진기의 발진 신호를 매칭시키고, 소정 크기 이상으로 증폭하여 출력하는 매칭용 증폭 회로와, 상기 ZERO-IF IC로부터 출력되는 I, Q 신호를 상기 매칭용 증폭 회로로부터 입력되는 발진 신호에 의해 TS 신호로 변환하여 출력하는 QPSK IC를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서 상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면 하나의 수정 발진기로부터 출력되는 발진 신호를 ZERO-IF IC와 QPSK IC에 각각 인가함으로써 DBS 튜너의 제조 단가를 상대적으로 낮출 수 있다.
Description
본 발명은 DBS 튜너에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 ZERO-IF IC와 QPSK IC에 하나의 수정 발진기를 통해 발진 신호를 공급하도록 함으로써 회로의 제조 단가를 절감시키도록 하는 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너에 관한 것이다.
종래에는 RF 신호를 IF로 신호로 변환하는 Single conversion 방식을 사용하였다. 그런데 현재는 반도체 기술이 발전함에 따라 RF 신호에서 직접 BaseBand 신호를 추출하는 Direct Conversion 방식으로 변하고 있다. 다른 말로 IF 과정이 없다고 하여 ZERO-IF IC 방식이라고도 한다.
도 1에 도시된 바와 같이 이러한 ZERO-IF IC 방식의 DBS 튜너(10)는 4MHz 대역의 발진 신호를 생성하는 제 1수정 발진기(11)와, 전압 제어 발진 신호를 출력하는 전압 제어 발진기(12)와, 입력되는 RF 신호를 제 1수정 발진기(11)와 전압 제어 발진기(12)의 발진 신호에 의해 I, Q 신호로 변환하여 출력하는 ZERO-IF IC(13)와, 4MHz 대역의 발진 신호를 생성하는 제 2수정 발진기(14)와, ZERO-IF IC(13)로부터 출력되는 I, Q 신호를 제 2수정 발진기(14)에 의해 TS 신호로 변환하여 출력하는 QPSK IC(15)로 구성된다.
그러나 이러한 종래의 DBS 튜너에는 동일 대역의 발진 신호를 생성하여 출력하는 수정 발진기가 각각의 IC에 사용되므로 그 제조 단가가 상승되는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 하나의 수정 발진기로부터 출력되는 발진 신호를 ZERO-IF IC와 QPSK IC에 각각 인가함으로써 DBS 튜너의 제조 단가를 상대적으로 낮출 수 있도록 하는데 있다.
도 1은 종래의 DBS 튜너의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도
도 2는 본 발명에 따른 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도
도 3은 도 2중 매치용 증폭 회로의 구성을 상세하게 나타낸 회로도
<도면중 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 수정 발진기 120 : 전압 제어 발진기
130 : ZERO-IF IC 131 : 버퍼
140 : 매칭용 증폭 회로 150 : QPSK IC
C1, C2 : 제 1, 2콘덴서 R1~R4 : 제 1~4저항
Q1 : 트랜지스터
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,
소정 대역 이상의 발진 신호를 생성하는 수정 발진기와,
전압 제어 발진 신호를 출력하는 전압 제어 발진기와,
외부로부터 입력되는 RF 신호를 상기 수정 발진기와 상기 전압 제어 발진 신호에 의해 I, Q 신호로 변환하여 출력하는 ZERO-IF IC와,
상기 ZERO-IF IC의 내부 버퍼를 통해 출력되는 상기 수정 발진기의 발진 신호를 매칭시키고, 소정 크기 이상으로 증폭하여 출력하는 매칭용 증폭 회로와,
상기 ZERO-IF IC로부터 출력되는 I, Q 신호를 상기 매칭용 증폭 회로로부터 입력되는 발진 신호에 의해 TS 신호로 변환하여 출력하는 QPSK IC를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서 상기 매칭용 증폭 회로는,
상기 수정 발진기로부터 상기 버퍼를 통해 출력되는 발진 신호를 증폭하도록 상기 버퍼의 출력단에 베이스가 연결되고, 정전압단에 컬렉터가 연결되며, 그라운드에 에미터가 연결되는 트랜지스터와,
정전압단의 전압을 분압하여 상기 트랜지스터의 베이스에 동작 전압을 인가하도록 상기 트랜지스터의 베이스 전단에 병렬로 연결되는 제 1저항 및 제 2저항과,
상기 트랜지스터의 증폭비를 결정하도록 컬렉터와 에미터에 각각 접속되는 제 3저항 및 제 4저항과,
상기 ZERO-IF IC와 상기 QPSK IC를 매칭시키고, 상기 QPSK IC의 디지털 성분이 상기 ZERO-IF IC로 유입되는 것을 차단하도록 상기 버퍼의 출력단과 상기 제 1저항, 제 2저항의 전단 및 상기 트랜지스터의 출력단과 상기 QPSK IC의 입력단에 각각 연결되는 제 1콘덴서 및 제 2콘덴서로 이루어진다.
이하, 본 발명에 의한 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너의 구성을 도 2 및 도 3을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 3은 도 2중 매치용 증폭 회로의 구성을 상세하게 나타낸 회로도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너(100)는, 수정 발진기(110)와, 전압 제어 발진기(120)와, ZERO-IF IC(130)와, 매칭용 증폭 회로(140)와, QPSK IC(150)로 구성된다.
먼저 수정 발진기(110)는 4MHz 대역 이상의 발진 신호를 생성하고, 전압 제어 발진기(120)는 전압 제어 발진 신호를 출력한다.
그리고 ZERO-IF IC(130)는 외부로부터 입력되는 RF 신호를 수정 발진기(110)와 전압 제어 발진기(120)의 발진 신호에 의해 I, Q 신호로 변환하여 출력한다.
또한 매칭용 증폭 회로(140)는 ZERO-IF IC(130)의 내부 버퍼(131)를 통해 출력되는 수정 발진기(110)의 발진 신호를 매칭시키고, 소정 크기 이상으로 증폭하여 출력하도록 트랜지스터(Q1)와, 제 1저항(R1)과, 제 2저항(R2)과, 제 3저항(R3)과, 제 4저항(R4)과, 제 1콘덴서(C1) 및 제 2콘덴서(C2)로 이루어진다. 트랜지스터(Q1)는 ZERO-IF IC(130)의 버퍼(131)의 출력단에 베이스가 연결되고, 정전압단(Vcc)에 컬렉터가 연결되며, 그라운드에 에미터가 연결된다. 제 1저항(R1) 및 제 2저항(R2)은 트랜지스터(Q1)의 베이스 전단에 병렬로 연결되고, 제 3저항(R3) 및 제 4저항(R4)은 트랜지스터(Q1)의 컬렉터와 에미터에 각각 접속된다. 제 1콘덴서(C1) 및 제 2콘덴서(C2)는 버퍼(131)의 출력단과 제 1저항(R1) 및 제 2저항(R2)의 전단 및 트랜지스터(Q1)의 출력단과 QPSK IC(150)의 입력단에 각각 연결된다.
또 QPSK IC(150)는 ZERO-IF IC(130)로부터 출력되는 I, Q 신호를 매칭용 증폭 회로(140)로부터 입력되는 발진 신호에 의해 TS 신호로 변환하여 출력한다.
이하 본 발명에 따른 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너의 동작을 도 2 및 도 3을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저 외부로부터 RF 신호가 ZERO-IF IC(130)로 인가되면, ZERO-IF IC(130)는 수정 발진기(110)로부터 입력되는 4MHz 대역의 발진 신호와, 전압 제어 발진기(120)로부터 입력되는 전압 제어 발진 신호에 의해 RF 신호를 I, Q 신호로 변환하여 출력한다.
한편 매칭용 증폭 회로(140)는 ZERO-IF IC(130)의 버퍼(131)를 통해 수정 발진기(110)로부터 400~600mVpp의 전압이 입력되면 입력 전압을 트랜지스터(Q1)에서 제 3저항(R3) 및 제 4저항(R4)의 비에 따라 QPSK IC(150)에서 필요로 하는 전압, 즉 800mVpp 이상으로 증폭하여 출력하게 된다. 예를 들면, 제 3저항(R3)이 470Ω이고, 제 4저항(R4)이 100Ω이면, 트랜지스터(Q1)의 증폭비는 약 4.7배이다. 이때 제 1저항(R1) 및 제 2저항(R2)은 정전압단(Vcc)의 정전압을 분압하여 트랜지스터(Q1)의 베이스에 동작 전압을 인가하기 위해 설치되며, 제 1콘덴서(C1)와 제 2콘덴서(C2)는 ZERO-IF IC(130)와 QPSK IC(150)를 매칭시키고, QPSK IC(150)의 디지털 성분이 ZERO-IF IC(130)로 유입되는 것을 차단하기 위해서 설치된다. 만약 QPSK IC(150)의 디지털 성분이 ZERO-IF IC(130)로 유입되면 ZERO-IF IC(130)의 페이즈 노이즈(Phase Noise)에 악영향을 성능의 열화를 가져오기 때문이다.
그리고 QPSK IC(150)는 ZERO-IF IC(130)로부터 출력되는 I, Q 신호를 매칭용 증폭 회로(140)로부터 입력되는 발진 신호에 의해 TS 신호로 변환하여 출력한다.
따라서 하나의 수정 발진기로부터 출력되는 발진 신호를 ZERO-IF IC와 QPSK IC에 인가함으로써 DBS 튜너의 제조 단가를 상대적으로 낮출 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너에 의하면, 하나의 수정 발진기로부터 출력되는 발진 신호를 ZERO-IF IC와 QPSK IC에 각각 인가함으로써 DBS 튜너의 제조 단가를 상대적으로 낮출 수 있다.
Claims (2)
- 소정 대역 이상의 발진 신호를 생성하는 수정 발진기와,전압 제어 발진 신호를 출력하는 전압 제어 발진기와,외부로부터 입력되는 RF 신호를 상기 수정 발진기와 상기 전압 제어 발진 신호에 의해 I, Q 신호로 변환하여 출력하는 ZERO-IF IC와,상기 ZERO-IF IC의 내부 버퍼를 통해 출력되는 상기 수정 발진기의 발진 신호를 매칭시키고, 소정 크기 이상으로 증폭하여 출력하는 매칭용 증폭 회로와,상기 ZERO-IF IC로부터 출력되는 I, Q 신호를 상기 매칭용 증폭 회로로부터 입력되는 발진 신호에 의해 TS 신호로 변환하여 출력하는 QPSK IC를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너.
- 제 1 항에 있어서,상기 매칭용 증폭 회로는,상기 수정 발진기로부터 상기 버퍼를 통해 출력되는 발진 신호를 증폭하도록 상기 버퍼의 출력단에 베이스가 연결되고, 정전압단에 컬렉터가 연결되며, 그라운드에 에미터가 연결되는 트랜지스터와,상기 트랜지스터의 베이스에 동작 전압을 인가하도록 상기 트랜지스터의 베이스 전단에 병렬로 연결되는 제 1저항 및 제 2저항과,상기 트랜지스터의 증폭비를 결정하도록 컬렉터와 에미터에 각각 접속되는제 3저항 및 제 4저항과,상기 ZERO-IF IC와 상기 QPSK IC를 매칭시키고, 상기 QPSK IC의 디지털 성분이 상기 ZERO-IF IC로 유입되는 것을 차단하도록 상기 버퍼의 출력단과 상기 제 1저항, 제 2저항의 전단 및 상기 트랜지스터의 출력단과 상기 QPSK IC의 입력단에 각각 연결되는 제 1콘덴서 및 제 2콘덴서로 이루어지는 것을 특징으로 하는 매칭용 증폭 회로를 구비하는 DBS 튜너.
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