KR100390539B1 - Heating unit for vaporized material transfer tube in organic semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 프로세스에 사용되는 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 유기 반도체 제조장치에서 기화물질의 온도 분포를 균일하게 유지할 수 있도록 가열하는 기화물질의 운송관의 가열 장치 및 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 대상물이 처리되는 처리실을 형성하는 용기와, 처리실내에 공급하는 제 1 가스 공급부와, 상기 처리실내에 설치되어 탑재대에 탑재되는 대상물을 가열하기 위한 제 1 가열 장치와, 상기 대상물에 고융점 금속막층을 형성하기 위한 처리 가스를 가열하는 샤워 헤드부 히터와, 처리실내에 공급하는 제 1 가스 공급부와, 상기 제 1 가스 공급부로부터의 열을 상기 처리실로 전달하는 열전도 매체로서 작용하면서 내부 온도를 일정하게 유지하기 위해 운송관 내부 히터와 함께 사용하는 외부 히터와, 상기 운송관 내부 히터와 운송관 외부 히터와 사이에서 가스 유로를 형성하는 보온영역을 갖는 기화물질 운송관을 구비한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device used in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to an apparatus and a method for heating a vaporized material transport pipe for heating a temperature distribution of a vaporized material in an organic semiconductor manufacturing device. In addition, the present invention provides a container for forming a processing chamber in which an object is processed, a first gas supply unit for supplying the processing chamber, a first heating device for heating an object installed in the processing chamber and mounted on a mounting table; It functions as a shower head heater for heating a processing gas for forming a high melting point metal film layer on an object, a first gas supply unit for supplying a process chamber, and a heat conducting medium for transferring heat from the first gas supply unit to the process chamber. And an external heater used together with a transport pipe internal heater to maintain a constant internal temperature, and a vaporized material transport pipe having a heat insulation region that forms a gas flow path between the transport pipe internal heater and the transport pipe external heater. .

Description

유기 반도체 장치에서 기화물질의 운송관의 가열 장치 및 방법{HEATING UNIT FOR VAPORIZED MATERIAL TRANSFER TUBE IN ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE}HEATING UNIT FOR VAPORIZED MATERIAL TRANSFER TUBE IN ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

본 발명은 반도체 제조 프로세스에 사용되는 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 운송관 및 그 운송관내 기화물질의 온도 분포를 균일하게 유지할 수 있도록 가열하는 유기 반도체 장치에서 기화물질의 운송관의 가열 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device used in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to an apparatus and method for heating a transport tube of vaporized material in an organic semiconductor device which is heated to maintain a uniform temperature distribution of the vaporized substance in the transport tube and the transport tube. It is about.

종래, 유기 반도체 제조장치로서는, 예를 들면 반도체 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치가 배리어 금속층을 형성하는 유기 반도체 장치에서 기화물질 가열장치 및 방법으로서 사용되고 있다. 또한, 예를 들면 TiN으로 이루어진 배리어 금속층을 형성하는 경우에는 열 CVD 장치도 사용되고 있다. 이들 유기 반도체 제조장치에서 유기물챔버로부터 가스 공급라인을 통하여 증착 챔버로 이송되는 도중에 가스를 공급하는 운송라인은 히터에 의해 기화되어진 물질이 기화온도 이상으로 가열되고 일정온도를 유지하도록 하여야 증착막의 두께 균일성이 확보된다.Conventionally, as an organic semiconductor manufacturing apparatus, the semiconductor chemical vapor deposition (CVD) apparatus is used as an evaporation substance heating apparatus and method in the organic semiconductor apparatus which forms a barrier metal layer, for example. In addition, when forming a barrier metal layer made of TiN, for example, a thermal CVD apparatus is also used. In these organic semiconductor manufacturing apparatuses, the transport line for supplying gas during the transfer from the organic chamber to the deposition chamber through the gas supply line should ensure that the material vaporized by the heater is heated above the vaporization temperature and maintained at a constant temperature. Castle is secured.

그러나, 이 증착막을 형성하는 처리가스는 막 형성 속도에 대하여 온도 의존성이 높다. 다시 말해, 증착막을 형성하는 열 CVD 장치내에서 처리 가스가 이송 도관을 통하여 이송되는 경우 그 이송 도관과 연결된 가열 공급라인 자체가 외부와 접촉하고 있는 구조를 이루고 있으므로, 열손실이 수반하게 된다. 즉 이송도관, 가열 공급라인 및 그와 접촉하는 챔버 지지 프레임 내지 클램프에 흡열 과정이 되므로, 가스 유로에 소정의 컨덕턴스(conductance)를 확보할 수 없어 불균일한 온도 분포를 형성하는 것이 곤란하다. 더욱이, 열 CVD 장치에서는 웨이퍼(W)가 탑재대상에 놓여 있을 뿐이므로, 일정온도가 유지되지 않는다면, 후처리를 실행하는 증착처리실내에서 오염(contamination)의 원인이 되고, 웨이퍼내의 각 디바이스의 손상에 따른 양품률의 저하를 초래한다는 문제점을 가지고 있었다.However, the processing gas for forming this vapor deposition film has a high temperature dependency on the film formation speed. In other words, when the processing gas is transferred through the transfer conduit in the thermal CVD apparatus forming the deposited film, the heat supply line itself connected to the transfer conduit is in contact with the outside, and thus heat loss is involved. That is, since the endothermic process is carried out to the transfer conduit, the heating supply line, and the chamber support frame or the clamp in contact with the transfer conduit, it is difficult to secure a predetermined conductance in the gas flow path, thereby making it difficult to form a nonuniform temperature distribution. Furthermore, in the thermal CVD apparatus, since the wafer W is only placed on the mounting target, if a constant temperature is not maintained, it causes contamination in the deposition processing chamber which performs post-processing, and damages each device in the wafer. There was a problem that causes a decrease in yield.

상기한 바와 같이 웨이퍼내의 각 디바이스의 손상을 방지하기 위하여 제안된 기술로서, 일본국 동경 일렉트론 주식회사의 반도체 형성장치 기술은 장치의 챔버 내부 및 그 벽면에 히터장치를 설치하여서 처리가스의 온도를 균일하게 하는 구성을 채용하는 방법을 개시한다. 그러나 이 방법에서도 가스 공급라인 상의 열손실은 작용할 수 밖에 없으므로, 불균일한 온도를 공급하게 한다.As a technique proposed in order to prevent damage to each device in the wafer as described above, the semiconductor forming apparatus technology of Tokyo Electron Co., Ltd., Japan, provides a heater device inside the chamber of the apparatus and on its wall to uniformly maintain the temperature of the processing gas. A method of employing the configuration described above is disclosed. However, even in this method, the heat loss on the gas supply line is inevitable, which leads to an uneven temperature supply.

또 다른 기술로서 미합중국 LAM Corp.에 의해 반도체 형성장치 수단이 제안되고 있다. 그러나 이 기술에서도 역시 상기한 바와 같이 가스 유로에 소정의 컨덕턴스(conductance)를 확보할 수 없고, 가스 유로는 가열원으로부터의 복사열이나 백사이드 가스를 지나서 가열되므로, 가스 공급라인상에 균일한 온도 분포를 제공하는 데에는 미치지 못한다.As another technique, a semiconductor forming device means has been proposed by LAM Corp. of the United States. However, this technique also cannot ensure a certain conductance in the gas flow path as described above, and since the gas flow path is heated through radiant heat from the heating source or the backside gas, a uniform temperature distribution on the gas supply line is achieved. Not enough to provide.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 문제점에 비추어 소스 공급장치로부터 유기물질 가스가 이송 도관을 통하여 이송되는 경우 유기물질 가스의 유로가 가열원으로부터의 복사열이나 처리 가스를 지나서 기준 온도 이하로 열 손실이 발생되지 않고 기화물질 이송관내 가스 유로에 대한 가열원의 온도 분포를 균일하게 유지하도록 가열하는 유기 반도체 장치에서 기화물질 가열장치 및 방법을 제공하는 것에 있다.Accordingly, an object of the present invention is that, in view of the above problems, when the organic material gas is transferred from the source supply apparatus through the transfer conduit, the heat loss of the organic gas flows below the reference temperature beyond the radiant heat from the heating source or the processing gas. A vaporizing material heating apparatus and method are provided in an organic semiconductor device which is not generated and is heated to maintain a uniform temperature distribution of a heating source with respect to a gas flow path in a vaporizing material conveying tube.

도 1은 본 발명의 유기반도체 장치를 갖는 처리 장치의 개략적인 평면도,1 is a schematic plan view of a processing apparatus having an organic semiconductor device of the present invention,

도 2는 도1 의 운송관에서 A 부분의 확대한 단면도,2 is an enlarged cross-sectional view of a portion A in the transport pipe of FIG.

도 3은 도2 의 운송관에 대한 측면도,3 is a side view of the transportation pipe of FIG. 2;

도 4은 도1 의 운송관의 연결 부위에 대한 B 부분의 확대 단면도,4 is an enlarged cross-sectional view of a portion B of the connection portion of the transport pipe of FIG.

도 5는 도2 의 운송관을 그 길이방향으로 연장한 단면도이다.5 is a cross-sectional view extending in the longitudinal direction of the delivery pipe of FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>

102 : 처리실102: treatment chamber

200 : 기화물질 운송관200: vaporized material transport pipe

210 : 운송관 내부 히터210: heater inside the transport pipe

220 : 운송관 외부 히터220: external heater pipe

230 : 보온영역230: thermal insulation area

260 : 배기펌프260 exhaust pump

F : 기화물질 운송 영역F: vaporization transport area

H, H', H" : 히팅 영역H, H ', H ": Heating area

상기 목적은 하기의 유기 반도체 장치에서 기화물질 가열장치 및 방법에 의해서 달성된다. 즉, 본 발명은 유기 반도체 장치에서 기화물질 가열장치에 있어서,대상물이 처리되는 처리실을 형성하는 용기와,상기 처리실내에 설치되어 탑재대에 탑재되는 대상물을 가열하기 위한 제 1 가열 장치와,상기 대상물에 고융점 금속막층을 형성하기 위한 처리 가스를 가열하는 샤워 헤드부 히터와, 처리실내에 공급하는 제 1 가스 공급부와,상기 제 1 가스 공급부로부터의 열을 상기 처리실로 전달하는 열전도 매체로서 작용하면서 내부 온도를 일정하게 유지하기 위해 운송관 내부 히터와 함께 사용하는 외부 히터와, 상기 운송관 내부 히터와 운송관 외부 히터와 사이에서 가스 유로를 형성하는 보온영역을 갖는 기화물질 운송관을 구비하는 것을 특징으로 한다.This object is achieved by a vaporization material heating apparatus and method in the following organic semiconductor device. That is, the present invention provides an apparatus for heating a vaporized material in an organic semiconductor device, comprising: a container for forming a processing chamber in which an object is processed; a first heating device for heating an object installed in the processing chamber and mounted on a mounting table; A shower head heater for heating a processing gas for forming a high melting point metal film layer on a target object, a first gas supply unit for supplying a process chamber, and a heat conducting medium for transferring heat from the first gas supply unit to the process chamber. And an external heater used together with a transport pipe internal heater to maintain a constant internal temperature, and a vaporized material transport pipe having a thermal insulation region for forming a gas flow path between the transport pipe internal heater and the transport pipe external heater. It is characterized by.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 열 CVD 장치(이하, 「CVD 장치」라고 함)에 적용한 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to an accompanying drawing, the preferable Example applied to the thermal CVD apparatus (henceforth a "CVD apparatus") concerning this invention is demonstrated.

도 1 내지 도 5를 참조하여 본 실시예의 CVD 장치의 구성에 대하여 설명한다.1 to 5, the configuration of the CVD apparatus of this embodiment will be described.

우선, 도 1을 참조하여 CVD 장치(100)의 전체 구성에 대하여 설명한다. CVD 장치(100)의 처리실(102)은 기밀 처리 용기(104)내에 형성되어 있다. 처리실(102)의 측벽에는 처리실(102)내 벽면을 소정 온도로 가열하기 위한 제 1가열장치(106)가 내장되어 있다. 또한, 처리 용기(104) 상부에는 샤워 헤드부(107)가 연장되며, 이 샤워 헤드부(107)내에 내장되고 후술하는 가스 공급부(118)를 소정 온도로 가열하기 위한 히터(108)가 설치되어 있다. 또한, 처리실(102)내에는 지주(110)에 의해서 지지되어 있는 탑재부(112)가 배치되어 있고, 이 탑재부(112)에 웨이퍼(W)를 탑재하도록 설치되어 있다. 여기에서, 탑재부(112)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다.First, with reference to FIG. 1, the whole structure of the CVD apparatus 100 is demonstrated. The processing chamber 102 of the CVD apparatus 100 is formed in the airtight processing chamber 104. On the side wall of the processing chamber 102, a first heating device 106 is mounted to heat the wall surface of the processing chamber 102 to a predetermined temperature. In addition, a shower head 107 extends above the processing container 104, and a heater 108 is installed in the shower head 107 to heat the gas supply 118 described later to a predetermined temperature. have. Moreover, the mounting part 112 supported by the support | pillar 110 is arrange | positioned in the process chamber 102, and it is provided so that the wafer W may be mounted in this mounting part 112. As shown in FIG. Here, the detailed structure of the mounting part 112 is mentioned later.

또한, 처리실(102)내의 천정부에는 가스 공급부(118)가 설치되어 있다. 가스 공급부(118)는 소위 샤워헤드 방식의 가스공급 장치로서, 가스 공급원(128)으로부터 개폐 밸브(124)와 유량 조정 밸브(122)를 거쳐서 공급되는 처리 가스를 가스확산실(120)에서 확산시킨 다음에, 다수의 가스 분출 구멍(118a)으로부터 처리실(102)내로 균일하게 공급할 수 있다.In addition, the gas supply part 118 is provided in the ceiling part of the process chamber 102. The gas supply unit 118 is a so-called showerhead type gas supply device, which diffuses the processing gas supplied from the gas supply source 128 through the on / off valve 124 and the flow rate control valve 122 in the gas diffusion chamber 120. Next, it is possible to uniformly supply the plurality of gas blowing holes 118a into the processing chamber 102.

또한, 처리실(102) 내부의 하부 방향부에는 처리실(102) 내부를 배기하기 위한 진공 펌프(130)가 배기 경로(132)를 지나서 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 처리실(102)내에 공급된 처리 가스는 탑재부(112)에 유지된 웨이퍼(W)의 처리면에 분사된 후에, 탑재대(114) 주위를 통과하여 배기되기 때문에, 웨이퍼(W)의 처리면 전면에 걸쳐 처리 가스를 균일하게 공급할 수 있어 균일한 막 형성 처리를 실행할 수 있다.In addition, a vacuum pump 130 for exhausting the interior of the processing chamber 102 is connected to the lower portion of the interior of the processing chamber 102 via the exhaust path 132. With this configuration, since the processing gas supplied into the processing chamber 102 is injected into the processing surface of the wafer W held by the mounting portion 112 and then exhausted through the periphery of the mounting table 114, the wafer W The processing gas can be uniformly supplied over the entire surface of the processing surface, and the uniform film forming process can be performed.

다음에, 백사이드 가스 유로에 대하여 도 1을 참조하여 상세히 설명한다. 이미 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는 클램프부(116)에 의해 웨이퍼(W) 주위를 처리실(102)내 환경으로부터 기밀하게 격리해야 한다. 또한, 웨이퍼(W)의 처리면의 온도가 클램프부(116)와의 접촉에 의해 영향을 받지 않도록, 클램프부(116)를 가열에 의해 간접적으로 가열해야 한다. 클램프부(116)는 가열 블록(135)으로부터의 복사열만으로도 가열될 수 있지만, 클램프부(116)와 가열 블록(135) 사이에 백사이드 가스를 흘려보냄으로써, 클램프부(116)에 효과적으로 또한 고 효율로 열을 전달할 수 있다.Next, the backside gas flow path will be described in detail with reference to FIG. 1. As described above, in the present embodiment, the clamp portion 116 must be isolated from the environment in the processing chamber 102 in an airtight manner. In addition, the clamp portion 116 must be indirectly heated by heating so that the temperature of the processing surface of the wafer W is not affected by the contact with the clamp portion 116. The clamp portion 116 can be heated with only radiant heat from the heating block 135, but by flowing a backside gas between the clamp portion 116 and the heating block 135, the clamp portion 116 is effectively and highly efficient. Can transfer heat.

백사이드 가스 유로는 가스 공급원(144)으로부터 유량 조정 밸브(140) 및 지주(110)내를 관통하는 배관(150)을 지나서 지지 플레이트(134)와 탑재대(114) 사이에 형성된 가스 유로(152)로 인도되는 백사이드 가스가 탑재대(114) 주위로 흘러 들어간 후에, 웨이퍼(W)의 주위에 인도되어 다시 가열 블록(135)과 클램프부(116) 사이에 형성된 공간을 통해 클램프부(116)의 외주로부터 빠져 나오도록 확보된다. 본 실시예에 따르면, 상기와 같이 백사이드 가스 유로를 확보함으로써, 하기와 같은 효과를 얻을 수 있다.The backside gas flow path is a gas flow path 152 formed between the support plate 134 and the mounting table 114 through a pipe 150 penetrating from the gas supply source 144 into the flow control valve 140 and the support 110. After the backside gas flowing into the mounting table 114 flows around the wafer W, the backside gas is guided around the wafer W and again, through the space formed between the heating block 135 and the clamp unit 116. It is secured to escape from the outer periphery. According to this embodiment, the following effects can be obtained by securing the backside gas flow path as described above.

가열 블록(135)과 클램프부(116) 사이에 형성된 공간에 백사이드 가스를 흘려 보내기 때문에, 백사이드 가스가 열전도 매체로서 작용하여 가열 블록(135)으로부터 클램프부(116)로 빠르게 열전도가 실행된다. 그 때문에, 클램프부(116)를 소망하는 온도로 빠르게 가열하는 것이 가능해 진다.Since the backside gas flows into the space formed between the heating block 135 and the clamp portion 116, the backside gas acts as a heat conducting medium, and thermal conduction is quickly performed from the heating block 135 to the clamp portion 116. Therefore, the clamp portion 116 can be quickly heated to a desired temperature.

또한, 백사이드 가스로는 처리 종류에 따라 각종 가스를 채용하는 것이 가능하지만, 열전도 특성이 우수하고 처리실(102)내에서 실행되고 있는 처리에 대하여 불리한 영향을 미치지 않는 특성을 갖고 있는 것이 바람직하므로, 예를 들면 N2나 Ar 등의 불활성 가스를 채용할 수 있다.In addition, as the backside gas, various gases can be employed depending on the type of treatment, but it is preferable that the backside gas has characteristics that are excellent in thermal conductivity and do not adversely affect the treatment performed in the treatment chamber 102. For example, an inert gas such as N 2 or Ar can be employed.

다음에, 클램프부(116)의 온도 제어에 대하여 설명한다. 웨이퍼(W)의 온도는 가열 장치(146)에 설치된 도시하지 않은 온도 센서에 의해서 검출되고, 그 온도 정보가 히터 제어기(150)에 입력된다. 그리고, 히터 제어기(150)는 웨이퍼(W)로부터 클램프부(116)로 손실되는 열의 크기 만큼을 보상하여 웨이퍼(W)의 처리면 전면의 온도 분포가 균일하게 되도록 가열 장치(148)에 설치된 도시하지 않은 온도 센서로부터의 온도 정보에 근거하여 가열 장치(148)의 발열량을 조정하고, 클램프부(116)를 가열한다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼(W)로부터 클램프부(116)로 전달되는 열과, 클램프부(116)로부터 웨이퍼(W)로 전달되는 열이 실질적으로 상쇄되므로, 웨이퍼(W)를 클램프부(116)로 가압하더라도, 종래와 같이 웨이퍼(W)의 열이 클램프부(116)를 지나서 손실되지 않고, 웨이퍼(W)의 처리면 전면의 온도 분포를 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 간단한 방법으로는 가열 장치(148)에만 온도 센서를 설치하여, 항상 클램프부(116)를 탑재대(114)보다 높은 온도로 유지함으로써 결과적으로 웨이퍼(W)의 온도를 균일하게 하는 것도 가능하다.Next, temperature control of the clamp portion 116 will be described. The temperature of the wafer W is detected by a temperature sensor (not shown) installed in the heating device 146, and the temperature information is input to the heater controller 150. In addition, the heater controller 150 is installed in the heating apparatus 148 to compensate for the amount of heat lost from the wafer W to the clamp unit 116 so that the temperature distribution on the entire surface of the wafer W is uniform. The amount of heat generated by the heating device 148 is adjusted based on the temperature information from the temperature sensor, which is not used, and the clamp unit 116 is heated. By such a configuration, since the heat transferred from the wafer W to the clamp portion 116 and the heat transferred from the clamp portion 116 to the wafer W are substantially canceled, the wafer W is clamped to the clamp portion 116. Even if pressurized by, the heat of the wafer W is not lost beyond the clamp portion 116 as in the prior art, and the temperature distribution on the entire surface of the wafer W can be kept uniform. In addition, by a simple method, a temperature sensor is provided only in the heating device 148, and the clamp 116 is always kept at a higher temperature than the mounting table 114, so that the temperature of the wafer W can be made uniform. Do.

도 2는 도1 의 운송관(200)에서 A 부분의 확대한 단면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view of a portion A of the delivery pipe 200 of FIG.

도 2의 실시예에서는 소스 공급장치(300)로부터 처리 가스가 이송하는 운송관(200)을 통하여 이송되는 경우 기상 유기물(310)은 운송관 내부 히터(210)와 외부 히터(220)에 의해 가열된다. 여기에서, 소스 공급장치(300)는 운송관 내부 히터(210)와 외부 히터(220)를 함께 사용하므로, 복사열이 기준 온도 이하로 낮아지는 열 손실이 발생되지 않는다. 그리고 기화물질 이송관내 가스 기화물질 운송관(200)의 내부 온도를 일정하게 유지하기 위해 상기 운송관 내부 히터(210)와 운송관 외부 히터(220)와 사이에서 기화물질 운송 영역(F)의 온도를 보온하도록 보온영역(230)을 유지한다. 또한, 처리실(102)내 공급하는 운송관(200)내 가스를 배기펌프(260)에 의해 배기하여 기화물질 운송관(200)의 온도를 유지하면서, 처리실(102) 내부를 소정의 압력 분위기로 유지한다. 또, 이 보온영역(230)은 기화물질 운송관(200)의 히터(210,220)로부터 도 1에 도시된 가열 장치(146, 148)까지 유지되는 기화물질 운송 영역(F)을, 도 5에서 후술되는 바와 같이, 다수의 영역으로 구분, 예를 들면 3개로 분할된 영역로 이루어진 히팅 영역(H, H', H")를 채용하고 있다.In the embodiment of FIG. 2, when the processing gas is transferred from the source supply apparatus 300 through the transport pipe 200, the gaseous organic material 310 is heated by the transport pipe internal heater 210 and the external heater 220. do. Here, since the source supply device 300 uses the transport pipe inner heater 210 and the outer heater 220 together, no heat loss occurs in which the radiant heat is lowered below the reference temperature. In order to maintain a constant internal temperature of the gas vaporization material transport pipe 200 in the vaporization material transport pipe, the temperature of the vaporization material transport area F between the transport pipe internal heater 210 and the transport pipe external heater 220 is maintained. Maintaining the warming region 230 to keep warm. In addition, while maintaining the temperature of the vaporization material transport pipe 200 by exhausting the gas in the transport pipe 200 to be supplied into the process chamber 102 by the exhaust pump 260, the inside of the process chamber 102 is kept in a predetermined pressure atmosphere. Keep it. In addition, this thermal insulation area 230 is a vaporization material transport region (F) held from the heaters 210 and 220 of the vaporization material transport pipe 200 to the heating devices 146 and 148 shown in FIG. As can be seen, the heating areas H, H ', and H "which are divided into a plurality of areas, for example, divided into three areas are employed.

도 3은 도2 의 운송관(200)에 대한 측면도이다. 도 3에 있어서, 도 2에 대응하는 부분은 동일한 참조번호를 부여한다. 또, 보온영역(230)은 기화물질 운송관(200)의 내부히터(210)와 기화물질 운송관(200)의 외부히터(220)사이에서 보온을 유지하는 보온영역(240)이 형성되어 있슴을 나타내고 있다.3 is a side view of the delivery pipe 200 of FIG. In Fig. 3, parts corresponding to Fig. 2 are given the same reference numerals. In addition, the thermal insulation region 230 is a thermal insulation region 240 is maintained between the inner heater 210 of the vaporization material transport pipe 200 and the outer heater 220 of the vaporization material transport pipe 200 is formed. Indicates.

도 4는 도 1의 운송관(200)의 연결 부위에 대한 B 부분의 확대 단면도이다. 도 4에서는 연결 부위에 클램프(300)를 설치한 것을 제외하고, 도 2에 대응하는 부분은 동일한 참조번호를 부여한다. 이 클램프(300)는 운송관(200)의 유지 보수를 위하여 운송관(200)용 클램프(300) 또는 그와 같은 형태의 구조물을 사용하여 연결한 구조를 갖는다.4 is an enlarged cross-sectional view of a portion B of the connection portion of the transport pipe 200 of FIG. In FIG. 4, except that the clamp 300 is installed at the connection site, parts corresponding to FIG. 2 are given the same reference numerals. The clamp 300 has a structure connected using the clamp 300 for the transport pipe 200 or a structure of the same type for the maintenance of the transport pipe 200.

도 5는 도2 의 운송관(200)을 그 길이방향으로 연장한 단면도이다.5 is a cross-sectional view extending in the longitudinal direction of the transport pipe 200 of FIG.

도 5는, 상기한 바와 같이, 기화물질 운송관(200)의 내부 온도를 일정하게 유지하기 위해 운송관 내부 히터(210)와 외부 히터(220)를 함께 사용하고, 상기 운송관 내부 히터(210)와 운송관 외부 히터(220)와 사이에 보온영역(230)을 유지한다. 이 보온영역(230)은 도 2의 배기펌프(260)에 의해 10-1torr - 수 10 Torr 압력을 유지한다. 그리고, 이 운송관(200)은 그 자체가 외부와 직접 접촉하지 않기 때문에 균일한 온도를 유지한다. 이 보온영역(230)은 도 1에 도시된 가열 장치(146, 148)로부터 기화물질 운송 영역(F)을, 다수의 영역으로 구분, 예를 들면 3개로 분할된 영역로 이루어진 히팅 영역(H, H', H")를 채용하고 있다. 이 히팅 영역(H, H', H")은 가스 운송관(200) 자체를 수개의 온도 영역으로 설정함으로써, 기화되어진 물질의 안정적인 제어가 가능하다.5, as described above, in order to maintain a constant internal temperature of the vaporization material transport pipe 200, the transport pipe internal heater 210 and the external heater 220 are used together, and the transport pipe internal heater 210 is used. ) And a heat insulation region 230 between the transport pipe and the external heater 220. The thermal insulation region 230 maintains a pressure of 10 −1 torr − 10 Torr by the exhaust pump 260 of FIG. 2. And this transport pipe 200 itself maintains a uniform temperature because it does not directly contact with the outside. The heat insulating area 230 is a heating area (H, consisting of three divided areas, for example, divided into a plurality of areas, for example, the vaporization material transport region F from the heating apparatus 146, 148 shown in FIG. H ', H ". The heating areas H, H', and H" are set to several temperature ranges for the gas delivery pipe 200 itself, whereby stable control of the vaporized material is possible.

따라서, 상기 각 히터마다 독립적인 온도 제어가 가능하므로, 웨이퍼(W)나 클램프부(116)의 부분적인 온도 조정을 실행할 수 있어 웨이퍼(W)의 처리면 전면의 온도 분포를 보다 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 영역 히터를 채용하면, 하나의 히터로 가열하는 경우보다 발열 효율을 향상시킬 수 있기 때문에 소비 전력을 낮게 억제할 수 있다. 또한, 영역 히터를 구성하는 히터의 개수는 상기 개수에 한정되지 않고, 장치 구성 등에 따라 적절하게 임의의 개수의 히터로 이루어진 영역 히터를 채용하여도 무방하다.Therefore, independent temperature control is possible for each of the heaters, so that partial temperature adjustment of the wafer W or the clamp portion 116 can be performed, thereby maintaining a more uniform temperature distribution on the entire surface of the wafer W. have. In addition, when the area heater is adopted, the heat generation efficiency can be improved as compared with the case of heating with one heater, so that the power consumption can be reduced. The number of heaters constituting the area heater is not limited to the above number, and an area heater composed of any number of heaters may be appropriately employed depending on the device configuration or the like.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 웨이퍼(W)의 가열, 가압시에 불활성 가스가 웨이퍼(W)의 주위를 통과하면서 소정 온도로 가열되므로, 웨이퍼(W)를 클램프부(116)로 가압하더라도 웨이퍼(W)의 처리면 전면의 온도 분포를 균일하게 유지할 수 있어 이물질의 발생을 방지할 수 있다.As described above, in the present invention, since the inert gas is heated to a predetermined temperature while the wafer W is heated and pressed, the wafer W is pressed by the clamp portion 116 even when the wafer W is pressed. The temperature distribution on the entire surface of the treatment surface (W) can be maintained uniformly, and generation of foreign matters can be prevented.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 이러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주에 있어서는 당업자라면 각종 변경예 및 수정예를 생각해 낼 수 있으며, 그들 변경예 및 수정예에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 속한다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described with reference to an accompanying drawing, this invention is not limited to this structure. Various changes and modifications can be devised by those skilled in the art in the scope of the technical idea described in the claims, and those modifications and modifications also belong to the technical scope of the present invention.

Claims (4)

유기 반도체 장치에서 기화물질을 가열하는 장치에 있어서,In the device for heating the vaporized material in the organic semiconductor device, 대상물이 처리되는 처리실을 형성하는 용기와,A container forming a processing chamber in which the object is processed; 상기 처리실내에 설치되어 탑재대에 탑재되는 대상물을 가열하기 위한 제 1 가열 장치와, 상기 대상물에 고융점 금속막층을 형성하기 위한 처리 가스를 가열하는 샤워 헤드부 히터와, 처리실내에 공급하는 제 1 가스 공급부와, 기화물질 운송관을 구비하되,A first heating device for heating an object installed in the processing chamber and mounted on a mounting table, a shower head heater for heating a processing gas for forming a high melting point metal film layer on the object, and a supply for supplying the processing chamber. 1 gas supply unit and the vaporization material transport pipe, 상기 기화물질 운송관은 상기 제 1 가스 공급부로부터의 열을 상기 처리실로 전달하는 열전도 매체로서 작용하면서 내부 온도를 일정하게 유지하기 위해 운송관 내부 히터와, 상기 운송관 내부 히터와 함께 열전도 매체로서 작용하는 외부 히터와, 상기 운송관 내부 히터와 운송관 외부 히터와 사이에서 내부 온도를 일정하게 유지하기 위해 가스 유로를 형성하는 보온 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 장치에서 기화물질의 운송관의 가열장치.The vaporization material transport pipe acts as a heat conduction medium together with a transport pipe internal heater and the transport pipe internal heater to maintain a constant internal temperature while acting as a heat conducting medium for transferring heat from the first gas supply to the process chamber. And a heat insulating region for forming a gas flow path to maintain a constant internal temperature between the transport pipe inner heater and the transport pipe external heater. Heating device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처리실내 공급하는 상기 기화물질 운송관의 온도를 일정하게 유지하도록 유로 가스를 배기펌프에 의해 배기하는 것을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 장치에서 기화물질의 운송관의 가열장치.And exhausting the flow path gas by means of an exhaust pump so as to maintain a constant temperature of the vaporization material transport pipe supplied into the processing chamber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기화물질 운송관의 운송 영역은 그의온도를 독립적으로 제어하도록 다수의 영역으로 분할된 히팅 영역을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 장치에서 기화물질의 운송관의 가열장치.The transport zone of the vaporizer transport pipe further comprises a heating zone divided into a plurality of zones to independently control the temperature of the vaporizer transport pipe heating apparatus. 유기 반도체 장치에서 기화물질 가열방법에 있어서,In the method of heating a vaporized material in an organic semiconductor device, 처리실을 형성하는 용기에서 대상물을 처리하는 단계와,Treating the object in a container forming a processing chamber, 상기 처리실내에 설치되어 제 1 가열 장치에 의해 탑재부에 탑재되는 대상물을 가열하는 단계와,Heating an object installed in the processing chamber and mounted on a mounting portion by a first heating device; 상기 대상물에 고융점 금속막층을 형성하기 위한 제 1 가스 공급부가 처리 가스를 처리실내에 공급하는 단계와,Supplying a processing gas into the processing chamber by a first gas supply unit for forming a high melting point metal film layer on the object; 상기 제 1 가스 공급부로부터의 열을 상기 처리실로 전달하는 열전도 매체로서 작용하면서 내부 온도를 일정하게 유지하기 위해 운송관 내부 히터와, 상기 운송관 내부 히터와 함께 열전도 매체로서 작용하는 외부 히터와, 상기 운송관 내부 히터 및 운송관 외부 히터와 사이에서 내부 온도를 일정하게 유지하기 위해 가스 유로를 형성하는 보온영역을 가지며, 상기 기화물질 운송관으로부터의 열을 클램프로 전달하는 열전도 매체로서 작용하면서 내부 온도를 일정하게 유지하는 온도 유지 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 장치에서 기화물질의 운송관의 가열방법.A transport pipe internal heater to act as a heat conduction medium for transferring heat from the first gas supply to the process chamber and to maintain a constant internal temperature, an external heater which acts as a heat conduction medium together with the transport pipe internal heater, An internal temperature is formed between the internal heating pipe and the external external heating pipe to form a gas flow path to maintain a constant internal temperature, and serves as a heat conducting medium for transferring heat from the vaporized material transport pipe to the clamp. Method of heating the transport pipe of the vaporized material in the organic semiconductor device characterized in that it comprises a temperature maintaining step of maintaining a constant.
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