KR100373420B1 - 비-세정 플럭스의 활동도 증가를 위한 조성물 - Google Patents

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Abstract

솔더링을 위해 활성화된 비-세정(no-clean) 플럭스 조성물이 디카르복실산 (dicarboxylic acid), 유기 용매 및 초산(acetic acid)을 약 2중량% 내지 약 4중량%의 범위로 함유함이 개시된다.

Description

비-세정 플럭스의 활동도 증가를 위한 조성물{COMPOSITION FOR INCREASING ACTIVITY OF A NO-CLEAN FLUX}
본 발명은 예컨대 반도체 칩 또는 칩 캐리어 모듈을 인쇄 회로 기판에 솔더링(soldering)하기 위한 플럭스 조성물에 관한 것이다.
플럭스는 인쇄 회로 카드 및 인쇄 회로 기판(이후 명세서에서는 이들 모두를 총칭적으로 인쇄 회로 기판 또는 PCB로 칭함)상에 전자 부품을 실장하기 위해 이용되는 과정에서 중요한 역할을 한다. 예들 들어, PCB상에 반도체 집적 회로 장치(이후 명세서에서는 반도체 칩 또는 그냥 칩으로 칭함)를 직접 실장하기 위한 한 방법으로는, 예컨대 칩의 회로 베어링 표면상의 콘택트(contact) 패드 상에 솔더의 영역, 예컨대 솔더 볼(solder ball)을 형성하는 것이 있다. 상기 솔더 영역은 또한 PCB상의 대응하는 콘택트 패드 상에 형성될 수도 있다. 이때, 플럭스는 상기 솔더 영역 또는 콘택트 패드 상에 형성된 산화물층을 제거하고 솔더 영역에 의해 콘택트 패드의 습윤성 증가를 구현하기 위하여, 칩상의 솔더 영역 및/또는 PCB상의 대응하는 콘택트 패드 및/또는 대응하는 솔더 영역에 공급된다. 이후, PCB와 마주하는 칩의 회로 베어링 표면과 함께, 칩상의 솔더 영역은 PCB상의 대응하는 콘택트 패드 또는 솔더 영역과 접촉되며, 그 결과의 조립체가 칩 및/또는 PCB상의 솔더 영역의 용융 및 이에 따른 리플로우를 위해서 가열된다. 냉각 및 재응고시, 칩과 PCB 사이에 솔더 접속부가 나타난다.
상술된 바와 유사한 방식으로, 반도체 칩을 베어링 하는 모듈, 예컨대 유기적 모듈 또는 세라믹 모듈(이후 명세서에서는 칩 캐리어 모듈 또는 그냥 모듈로 불림)을 PCB상에 실장하기 위한 한 방법에서는, 모듈의 비-칩 베어링 표면(non-chip-bearing surface)상의 콘택트 패드로 솔더의 영역을 예컨대 스크리닝하여 (screening) 형성하는 공정을 포함한다. 상기 솔더 영역은 또한 PCB상의 대응하는 콘택트 패드 상에 형성될 수 있다. 이때, 플럭스는 모듈상의 솔더 영역 및/또는, PCB상의 대응하는 콘택트 패드 및/또는 대응하는 솔더 영역에 공급된다. 이후, PCB와 마주하는 모듈의 비-칩 베어링 표면과 함께 모듈상의 솔더 영역이 PCB상의 대응하는 콘택트 패드 또는 솔더 영역과 접촉되며, 그 결과의 조립체는 칩 및/또는 PCB상의 솔더 영역의 용융 및 이에 따른 리플로우를 위해서 가열된다. 냉각 및 재응고시, 모듈과 PCB 사이에 솔더 접속부가 나타난다.
관련 모듈이 모듈의 비-칩-베어링 표면으로부터 연장된 전기적으로 전도성인 핀을 갖는다면, 이때 모듈은 예를 들어 우선 인쇄 회로 기판의 상부(즉, 회로 베어링) 표면상에 모듈을 배치하고, 모듈의 전기적으로 전도성인 핀을 PCB의 두께 방향을 거쳐 연장되는 대응하는 동판 도통홀(copper plated through hole)에 삽입함으로써 PCB상에 실장된다. 이때, PCB 및 모듈은 PCB 및 모듈을 플럭싱 웨이브 위로 이동시키는 컨베이어, 또는 액체 플럭스를 PCB의 기저 표면상으로 및 PTH 안으로 침투시키는 작용을 하는 플럭스 분무기(sprayer)상에 배치된다. 이 플럭스는 PTH 안으로 주유되는데, 따라서 플럭스는 PTH의 벽과 PTH로 연장되는 핀 모두에 공급된다. 이후, 컨베이어는 PCB의 기저 표면상으로 및 PTH 안으로 액체 솔더를 침투시키는 작용을 하는 솔더 웨이브 위로 PCB 및 모듈을 이동시킨다. 이 액체 솔더는 또한 PTH로 주유되어 PTH를 채우고, 냉각 및 응고시에는 PTH 내의 핀을 캡슐화하기 위한 작용을 한다.
상술된 칩-실장 및 모듈-실장 과정들의 가장 중요한 양태들 중 하나는 플럭스의 선택이다. 즉, 상술된 바와 같이, 플럭스는 솔더 영역, 콘택트 패드, 핀 또는 PTH상에 형성될 수 있는 소정의 산화물층을 제거하고, 예컨대 솔더 영역에 의해 콘택트 패드의 습윤성 증가시키는 작용을 한다. 통상의 이용 가능한 플럭스가 갖는 문제는 솔더링된 접속부에서의 언더필(underfill) 접착부와 간섭하는 플럭스 부품을 열화시키는데 있다. 이 언더필 접착부는 강도를 더 높일 수 있도록 하부에 채우기 위하여 예컨대 칩과 칩 캐리어 사이의 부분 같은 솔더링된 접속부에 공급된 저 점도를 갖는 액체 접착제에 의해 제공된다. 다른 문제로는 대부분의 경우에 솔더링 공정의 완료시, 통상적으로 이용가능한 플럭스를 이용할 때 솔더 영역, 콘택트 패드, 핀 또는 PTH상에 남아있는 이온 잔류물이 나타나는 것이 있다. 상기 이온 잔류물은 이들이 회로의 부식 및 회로의 단락을 일으키기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 만약 이들이 형성된다면, 상기 이온 잔류물은 솔더링 공정의 완료 후, 예컨대 물로 세정되어 제거되어야만 한다.
상술된 바와 같이, 칩과 PCB 사이 또는 무핀(pinless) 모듈과 PCB 사이에 형성된 솔더 접속부는 상대적으로 작은 높이, 예컨대 4마일이며, 따라서 칩 또는 무핀 모듈과 그 PCB 사이의 공간이 대응하여 작다. 이것은 솔더링 공정의 완료 후 솔더 영역 및/또는 접속 패드 상에 남아있는 소정의 이온 잔류물을 제거하는 것이 비록 가능하다 할지라도 매우 어렵다는 것을 의미하기 때문에 중요하다. 더불어, 핀 모듈의 경우에, 대응하는 이온 잔류물이 물로 용이하게 세정되지만, 이때는 그 결과로서 생기는 오염된 물로 인해 입게되는 환경 위험에 대처해야만 한다.
특히, PCB들 상에 칩이나 모듈을 실장하기 위한 플럭스 및 솔더링 공정의 개발에 종사하는 사람들은, 근본적으로 대응하는 솔더링 공정의 완료시 솔더 영역, 콘택트 패드, 핀 또는 PTH상에 어떠한 이온 잔류물도 남기지 않는 비-세정(no-clean) 플럭스에 대하여 연구해왔다. 미국 특허 제 5,531,838호에서 설명된 바와 같이, 일례의 비-세정 플럭스는 주활성성분으로서 피멜릭산(pimelic acid ;HOOC(CH2)5COOH), 및 2가지 유기 용매, 즉 상대적으로 낮은 증발 온도를 갖는 유기 용매와 상대적으로 높은 증발 온도를 갖는 유기 용매를 함유한다.
비-세정 플럭스는 일반적으로 리플럭스 중 완전한 휘발성을 제공하도록 조직된다. 이러한 요건 때문에, 플럭스의 활성 성분들은 일반적으로 비활성의 휘발성 용매에 용해된 약활성의 휘발성 카르복실산(carboxylic acid)으로 구성된다. 상기 플럭스는 표면 산화물 두께가 최소로 유지되는 한, 작업도가 매우 좋을 것이다. 그러나, 예컨대 전기증착된 솔더와 접하는 두꺼운 산화물이 존재하면, 중대한 비-습성이 관찰될 수 있다. 또한, 염소 처리 또는 브롬 처리된 아민 또는 알코올 같은 일반적인 활성제로 된 상기 플럭스와 더불어, 허용될 수 없는 잔류물이 나타난다.
본 발명에 의하면, 디카르복실산의 솔더 습윤 속성을 향상시킨 활성제를 갖으며 일반적인 리플로우 프로파일에서 완전히 휘발성인 조성물이 제공된다. 그 결과, 플럭스의 낮은 잔류물 속성이 유지되면서, 도금된 솔더가 이용될 때의 비-습윤성이 수용 가능한 레벨까지 감소된다.
더 상세하게는, 약 2% 내지 약 4%의 범위에 있는 낮은 농도의 초산(acetic acid)이 아디픽(adipic), 피멜릭 또는 세바식(sebacic) 같은 디카르복실산을 함유한 플럭스 용매계에 첨가된다. 용매계에서 초산 그 자체만으로는 주목할만한 플럭싱 특성을 갖지 않는다. 빙초산은 플럭스로서 작용될 수 있지만, 통상적으로는 솔더 지역 주위에 많은 납 잔류물이 얻어지게 된다. 이러한 잔류물은 전기적 속성에 있어서 해를 미칠 수 있다. 그러나, 초산이 디카르복실산을 함유한 플럭스에 첨가되면, 높은 분자 중량 카르복실화 납 및 주석염(tin salt) 형성시 선구 물질(precursor)로서 작용한다. 그 결과 더 깊은 산화물과의 더 완전한 반응이 구현될 수 있고, 온도가 리플럭스 프로파일 중 상승함에 따라, 아세테이트 이온이 더 높은 분자 중량군으로 대체된다.
본 발명은 PCB상에 전자 부품들을 실장하기 위해 이용되는 통상적인 솔더링 공정의 완료시 근본적으로 어떠한 이온 잔류물도 남기지 않는 플럭스 조성물을 포함한다. 따라서, 상기 솔더링 공정의 완료시 예컨대 물로 상기 이온 잔류물을 세척할 필요가 없으며, 따라서 이온 잔류물로 오염된 물로 인해 입게 되는 환경 위험에 대처할 필요가 없게 된다.
본 발명은 또한 칩, 칩 캐리어 모듈, 레지스터, 캐패시터 등의 전자 부품들을 PCB상에 실장하기 위해 이용되는 솔더링 공정을 위한 플럭스 조성물의 애플리케이션을 포함한다.
초산염 자체로는 주목할만한 플럭싱 특성을 갖고 있지 않지만, 긴 사슬의 디카르복실산을 함유한 용매계에 낮은 농도로 첨가되면, 더 깊은 산화물과의 더 완전한 반응이 나타나서, 온도가 리플로우 중에 상승함에 따라, 아세테이트 이온이 더 높은 분자 중량군으로 대체된다. 일반적으로, 조성물 내에서의 초산의 양은 약 2중량%이다. 그러나, 카르복실산이 약 4.5중량% 보다 작다면, 초산의 양은 2중량%에서 4중량%의 소정의 양으로 증가될 수 있다.
중요점으로, 플럭스 조성물은 활성제로서, 즉 주 플럭싱제로서 카르복실산을 함유한다. 실온에서, 피멜릭, 아디픽, 세바식 같은 카르복실산은 고체이며, 이들 각각은 약 152℃, 105℃, 약 134℃의 용융 온도를 갖음을 유념한다. 더불어, 본 발명의 플럭스 조성물은 2가지 유기 용매를 함유하는데, 즉 제 1 유기 용매는 예컨대 82.4℃의 상대적으로 낮은 증발 온도를 갖고, 제 2 유기 용매는 예컨대 약 170℃의 상대적으로 높은 증발 온도를 갖는다. 플럭스 조성물은 또한 상대적으로 적은 양의 물, 바람직하게는 탈이온화된 물을 함유한다. 카르복실산들 중에서는 피멜릭산(HOOC(CH2)5COOH)이 바람직하다. 피멜릭산, 제 2 유기 용매 및 물은 제 1 유기 용매에서 용해 가능함을 유념한다.
제 1 유기 용매로는 82.4℃의 증발 온도를 갖는 이소프로판올(이소프로필 알코올)이 바람직하다. 이소프로판올의 대용으로 n-프로판올 및 벤질 알코올을 함유할 수 있다.
제 2 유기 용매로는 약 170℃의 증발 온도를 갖는 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르(또는, N-부틸프로필글리콜 에테르로 불림)가 바람직하다. 다른 유용한 예로서 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 및 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르를 함유한 글리콜 모노부틸 에테르가 있다. 솔더링 공정 중에 제 1 유기 용매를 증발시킬 때 피멜릭산이 카르복실산으로 이용되는 경우, 이때 피멜릭산(및, 존재한다면 물)은 실질적으로 제 2 유기 용매가 솔더링 공정중 증발할 때까지 제 2 유기 용매에서 용해된다.
개량된 플럭스 조성물 내에서의 카르복실산의 상대량은 약 1중량% 내지 약 9중량%의 범위에 있게된다. 개량된 플럭스 조성물이 예컨대 반도체 칩을 PCB에 솔더링시 이용된다면, 이때 카르복실산의 상대량은 4.5중량%인 것이 바람직하다. 카르복실산의 상대량이 약 1중량% 보다 적으면 바람직하지 않은데, 그 이유는 이때 불충분하거나 및/또는 부적절한 플럭싱 작용, 즉 산화물층의 불충분하거나 및/또는 부적절한 제거, 및 솔더 표면 장력의 불충분한 감소가 나타나기 때문이다. 카르복실산의 상대량이 약 9중량% 보다 커도 바람직하지 않은데, 그 이유는 이때 일반적인 솔더링 공정의 완료시 바람직하지 않게 큰 양의 잔여물이 나타나기 때문이다.
제 1 유기 용매, 예컨대 이소프로판올은 유기 용매 전체에 약 75중량% 함유되며, 반면 제 2 유기 용매는 약 25중량% 함유된다.
개량된 플럭스 조성물에 만약 물이 이용된다면 그 상대량은 0중량% 내지 약 2중량%의 범위에 있게된다. 만약 물이 존재한다면 그 목적은 양으로(positively) 하전된 이온의 저온 이동도를 향상시켜서 피멜릭산에 의한 플럭싱 작용의 개시를 촉진시키는데 있다. 물의 상대량이 약 2중량% 보다 크면 바람직하지 않은데, 그 이유는 이때 개량된 플럭스 조성물의 에플리케이션에 이온 잔여물이 나타날 확률이 크게 증가하기 때문이다.
카르복실산, 초산 및 소정의 물이 상술된 상대량으로 제공된 후, 유기 용매가 개량된 조성물의 나머지 성분으로 함유되는데, 이 유기 용매는 제 1 유기 용매 및 제 2 유기 용매를 약 3 대 1의 중량비로 함유한다.
예로서, 반도체 칩을 PCB에 솔더링시 유용한 개량된 플럭스 조성물의 일 실시예에서는 4.5그램의 피멜릭산, 2.0그램의 초산, 25.0그램의 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르 및 1.0그램의 탈이온화된 물을 75.0그램의 이소프로판올에 용해시킴으로써 용이하게 형성된다.
소위 플립-칩 구성 같은 반도체 칩을 PCB상에 실장함에 있어, 칩의 회로 베어링 표면상의 콘택트 패드에는 솔더 영역, 예컨대 솔더 볼이 제공된다. 상기 솔더 영역은 예컨대 97원자 퍼센트 납(Pb) 및 3원자 퍼센트 주석(Sn)을 함유한 조성물을 갖는다. 중요한 점으로, 상기 솔더 영역은 상대적으로 높은 용융 온도를 갖아서, 후술된 솔더링 공정 중에 용융되지 않는다.
칩을 PCB에 솔더링하기 전에, PCB의 회로 베어링 표면상의 콘택트 패드에는 상대적으로 작은 솔더 영역, 예컨대 상대적으로 작은 솔더 볼이 제공된다. 상기 상대적으로 작은 솔더 영역은 전사를 통해 콘택트 패드 상으로 용이하게 이동되어 증착된다. 칩에서 이용되는 솔더 영역과 대조적으로, PCB의 솔더 영역은 예컨대 37원자 퍼센트 Pb 및 63원자 퍼센트 Sn을 함유한 조성물을 갖는다. 상기 솔더 영역은 183℃의 용융 온도를 갖으며, 후술된 솔더링 공정 중에 용융된다.
칩을 PCB에 솔더링하기 전에, 개량된 플럭스 조성물은 칩의 솔더 영역, 및/또는 PCB상의 콘택트 패드, 및/또는 칩상의 콘택트 패드에 공급된다. 이것은 예컨대 세척기 또는 브러시를 이용하여 용이하게 구현된다.
관련 솔더 영역 및/또는 콘택트 패드에 개량된 플럭스 조성물을 공급하면, 칩은 PCB에 관계하여 위치되어, 칩의 솔더 영역을 PCB의 솔더 영역과 접촉시킨다. 따라서, 상기 결합된 솔더 영역은 실질적으로 칩 콘택트 패드에서 PCB 접촉 패드로 연장된다.
PCB와 칩의 솔더 영역을 상접시킴에 있어서, 칩 PCB 조립체는 예컨대 오븐에서 가열된다. 상기 가열 과정 중에, 오븐 온도는 초기에 약 183℃까지 상승되고, 이어서 약 250℃까지 상승한다. 이때, 오븐 온도는 약 183℃까지 낮아지고, 이후 실내 온도까지 낮아진다. 그 결과, PCB의 솔더 영역은 용융되어 칩의 솔더 영역 주위에 흘러서, PCB와 칩 사이에 연속된 야금적이며 전기적인 접속부가 생기게 된다. 이러한 연속된 접속부의 세정은 매우 어렵거나 아마 불가능할 수도 있는 반면, 상기 솔더링 공정의 완료 시에 근본적으로 이온 잔류물이 남아있지 않기 때문에 상기한 세정 처리가 필요없게 된다.
상술된 솔더링 공정의 완료시, PCB와 칩 사이의 연속된 솔더 접속부는, 예컨대 통상의 기술을 이용하여 에폭시 수지로 캡슐화되는 것이 바람직하다.
만약, PCB상에 실장될 전자 부품이, 예컨대 적어도 하나의 반도체 칩을 베어링하는 (무핀) 칩 캐리어 모듈이면, 이때 상기 모듈은 모듈의 비-칩 베어링 표면상의 콘택트 패드 상으로 솔더 영역을 스크리닝함으로써 용이하게 실장될 수 있다. 상기 솔더 영역은 또한 PCB상의 대응하는 콘택트 패드상에 스크리닝될 수 있다. 이때, 개량된 플럭스 조성물은, 예컨대 세척기 또는 브러시를 이용하여 솔더 영역 및/또는 모듈 콘택트 패드 및/또는 PCB 콘택트 패드에 공급된다. 이후, 모듈은 PCB와 관계하여 배치되어, 모듈 콘택트 패드상의 솔더 영역을 PCB 콘택트 패드상의 솔더 영역과 상접시킨다. 따라서, 상기 결합된 솔더 영역은 실질적으로 모듈 콘택트 패드에서 PCB 콘택트 패드로 연장된다. 이때, PCB 솔더 영역을 모듈 솔더 영역과 상접시킴에 있어서, 모듈/PCB 조립체는, 예컨대 모듈 솔더 영역 및/또는 PCB 솔더 영역을 용융시키기 위하여 오븐에서 가열된다.
상기한 바와 대조적으로, 만약, PCB상에 실장될 전자 부품이, 예컨대 적어도 하나의 반도체 칩을 베어링하는 핀 칩 캐리어 모듈이면, 이때 상기 모듈은 개량된 플럭스 조성물을 모듈 핀 및/또는 PCB 내의 대응하는 PTH의 벽들에 우선적으로 공급함으로써 용이하게 실장된다. 이것은 모듈 핀이 PTH에 삽입되기 전에, 또는 모듈 핀이 PTH로 삽입되는 동안에, 또는 모듈 핀이 PTH로 삽입된 후에, (다양한 통상의 기술을 이용하여) 용이하게 구현된다. 이것은 예컨대 상기 조립체를 플럭싱 웨이브 또는 플럭스 분무기 위로 이동시키는 컨베이어 상에 모듈/PCB 조립체를 배치함으로써, 모듈 핀이 PTH 안으로 삽입된 후에 구현되는 것이 바람직하다. 상기 플럭싱 웨이브 또는 플럭스 분무기는 개량된 플럭스 조성물을 PCB의 기저 표면상으로 및 PTH 안으로 침투시키도록 작용한다. 침투된 플럭스는 PTH 안으로 주유되는데, 따라서 개량된 플럭스 조성물은 PTH의 벽과 모듈 핀 모두에 공급된다. 이후, 컨베이어는 바람직하게 PCB의 기저 표면상으로 및 PTH 안으로 액체 솔더를 침투시키도록 작용하는 솔더 웨이브 위로 모듈/PCB 조립체를 이동시키는 작용을 한다. 이 액체 솔더는 또한 PTH 안으로 주유되어 PTH를 채우고, 냉각 및 응고 시에는 PTH 내의 핀을 캡슐화하기 위한 작용을 한다.
만약, PCB상에 실장될 전자 부품이, 예컨대 핀 대신에 리드(lead)를 갖는 전기적 레지스터 또는 캐패시터 같은 불연속 수동 전자 부품이라면, 이때 상기 전자 부품은 핀 칩 캐리어 모듈에서 이용되는 것과 거의 동일한 과정을 이용하여 용이하게 실장될 수 있다. 다만, 한가지 차이점으로서, 불연속 수동 전자 부품의 리드가 PTH 안에 배치되지 않는 점이 있다. 반면, 상기 리드는 PTH 주위에 배치되는데, 예컨대 상기 리드는 PTH를 둘러싸는 랜드(land)와의 접촉부에 배치된다. 따라서, 부품/PCB 조립체가 플럭싱 웨이브 또는 플럭스 분무기 위로 이동되면, 개량된 플럭스 조성물이 PTH 안으로, 랜드상으로 및 리드로 된 기저부상으로 주유된다. 마찬가지로, 부품/PCB 조립체가 솔더 웨이브 위로 이동되면, 액체 솔더가 PTH 안으로, 이 PTH를 둘러싸는 랜드 상으로 및 리드로 된 기저부상으로 주유된다.
본 발명이 특히 그 양호한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 형태나 설명의 다양한 변화가 본 발명의 사상 및 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 이루어질 수 있음을 당기술의 숙련자들은 이해할 수 있을 것이다.

Claims (14)

  1. 솔더링시 이용하기 위한 비-세정(no-clean) 플럭스 조성물에 있어서,
    디카르복실산(dicarboxylic acid)과,
    유기 용매, 및
    약 2중량% 내지 약 4중량% 범위의 농도를 갖는 초산(acetic acid)
    을 함유하는 비-세정 플럭스 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 비-세정(no-clean) 플럭스 조성물에 있어서,
    디카르복실산(dicarboxylic acid)과, 유기용매와, 초산(acetic acid)을 함유하며, 상기 디카르복실산은 조성물에 약 4.5중량% 함유되고, 상기 초산은 조성물에 약 2중량% 함유되는 비-세정 플럭스 조성물.
  6. 솔더링시 이용하기 위한 비-세정(no-clean) 플럭스 조성물에 있어서,
    디카르복실산(dicarboxylic acid)과, 유기 용매와,약 2중량% 내지 약 4중량% 범위의 농도를 갖는 초산(acetic acid)을 함유하며, 상기 유기 용매는 이소프로판올, n-프로판올 및 벤질 알코올로 구성된 그룹으로부터 선택된 제1유기 용매, 및 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 및 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르로 구성된 그룹으로부터 선택된 제2유기 용매를 함유하는 비-세정 플럭스 조성물.
  7. 솔더링시 이용하기 위한 비-세정(no-clean) 플럭스 조성물에 있어서,
    상기 조성물에 약 4.5중량% 함유되는 피멜릭산과,
    유기 용매와,
    상기 조성물에 약 2중량% 함유되는 초산(acetic acid)
    을 함유하는 비-세정 플럭스 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 유기 용매는 이소프로판올, n-프로판올 및 벤질 알코올로 구성된 그룹으로부터 선택된 제 1 유기 용매, 및 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 및 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르로 구성된 그룹으로부터 선택된 제 2 유기 용매를 함유하는 비-세정 플럭스 조성물.
  9. 제6항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제 1 유기 용매는 유기 용매에 약 75중량% 함유되고, 상기 제 2 유기 용매는 유기 용매에 약 25중량% 함유되는 비-세정 플럭스 조성물.
  10. 제6항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제 1 유기 용매는 이소프로판올이고, 상기 제 2 유기 용매는 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르인 비-세정 플럭스 조성물.
  11. 제5항 또는 제7항에 있어서,
    0중량% 내지 약 2중량%의 양으로 물을 더 함유하는 비-세정 플럭스 조성물.
  12. 제1항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디카르복실산은 아디픽산(adipic acid), 피멜릭산(pimelic acid), 세바식산(sebacic acid) 및 그 화합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 비-세정 플럭스 조성물.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 디카르복실산은 피멜릭산인 비-세정 플럭스 조성물.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 디카르복실산은 조성물에 약 1중량% 내지 약9중량% 함유되는 비-세정 플럭스 조성물.
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