KR100370958B1 - 이피롬의 읽기회로 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (3)
- 어드레스를 디코딩하는 디코더부와; 센스앰프 구동신호와 저전압검출신호의 상태에 따라 선택적으로 승압된 전압을 출력하는 전압 부스터부와; 상기 전압 부스터부의 출력 전압을 입력받아 상기 디코더부의 출력신호에 따른 전압을 인가하여 셀 어레이의 해당 셀이 선택되도록 하는 드라이버부와; 상기 저전압 검출신호의 상태에 따라 셀 데이터의 출력경로에 인가되는 전압을 선택적으로 제한하는 전압제한부와; 상기 센스앰프 구동신호에 의해 구동되어 상기 전압제한부를 통하여 셀 데이터 출력경로로부터 셀 데이터를 읽는 센스앰프와; 상기 센스앰프에 의해 읽혀진 데이터를 인버터를 통해 입력받아 읽기신호에 동기하여 내부 버스에 로딩하는 입출력 버퍼를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이피롬의 읽기회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전압 부스터부는 센스앰프 구동신호와 저전압검출신호를 앤드게이트를 통해 입력받아 반전하는 제1인버터와; 전원전압과 접지 사이에 직렬접속된 제1피모스 및 제1엔모스 트랜지스터로 이루어져 제1인버터의 출력을 반전하여 커패시터를 통해 출력단에 인가하는 제2인버터와; 게이트가 접지되고, 소스가 전원전압에 접속된 제2피모스 트랜지스터와; 그 제2피모스 트랜지스터의 드레인과 접지 사이에 직렬접속된 제3피모스 및 제2엔모스 트랜지스터로 이루어져 엔드게이트의 출력을 입력받는 제3인버터와; 그 제3인버터의 출력을 게이트에 각각 입력받고, 소스가 접지된 제3엔모스 트랜지스터 및 드레인이 출력단에 접속된 제4피모스 트랜지스터와; 게이트가 제3엔모스 트랜지스터의 드레인과 제4피모스 트랜지스터의 소스에 접속된 제5피모스 트랜지스터 및 게이트에 상기 제3인버터의 출력을 입력받는 제4엔모스 트랜지스터가 상기 제2피모스 트랜지스터의 드레인과 출력단 사이에 병렬접속되어 그 제2피모스 트랜지스터의 드레인에 인가된 전원전압을 출력단에 인가 또는 차단하는 전송 게이트부를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이피롬의 읽기회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전압제한부는 상기 저전압검출신호를 반전하는 제11인버터와; 전원전압과 접지사이에 직렬접속되며, 게이트가 서로 공통접속된 제11피모스, 제11엔모스 트랜지스터 및 게이트에 상기 제11인버터의 출력을 입력받는 제12엔모스 트랜지스터와; 상기 셀 어레이의 데이터 출력경로에 병렬접속되며, 게이트가 상기 제11피모스와 제11엔모스 트랜지스터의 드레인 접속점에 접속되는 제13엔모스 트랜지스터 및 게이트가 상기 제11인버터의 출력에 접속된 제12피모스 트랜지스터를 구비하여 구성되며, 상기 제13엔모스와 제12피모스 트랜지스터의 소스와 드레인 접속점이 상기 제11피모스와 제11엔모스 트랜지스터의 게이트 접속점에 접속되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 이피롬의 읽기회로.
Priority Applications (1)
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KR10-2000-0053469A KR100370958B1 (ko) | 2000-09-08 | 2000-09-08 | 이피롬의 읽기회로 |
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KR10-2000-0053469A KR100370958B1 (ko) | 2000-09-08 | 2000-09-08 | 이피롬의 읽기회로 |
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KR20020020355A KR20020020355A (ko) | 2002-03-15 |
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- 2000-09-08 KR KR10-2000-0053469A patent/KR100370958B1/ko active IP Right Grant
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