KR100370711B1 - 전기적접속에있어서제어된임피던스를제공하기위한장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소켓 내부에서 미리 정해진 접점요소에 직접 제어된 임피던스를 제공하여 전기적인 접속시스템의 왜곡 특성을 감소시킬 수 있도록 한 장치에 관한 것으로,
본 발명의 일례에 있어서는 소켓이 미리 정해진 접점이 저항, 인덕턴스, 캐패시턴스 또는 그들과 통합되어진 그들의 조합을 가질 수 있고, 다른 일례에 있어서는 또한 적어도 하나의 능동 요소가 미리 정해진 접점 속에 통합될 수 있게 되어 있다.
이 방식으로 미리 정해진 접점은 미리 정해진 방식으로 대응하는 신호를 처리하고, 접점자체에 통합된 회로에 의하여 한정될 수 있다.
실행되어질 수 있는 여러 기능들은 증폭, 아날로그 대 디지털 변환, 디지털 대 아날로그 변환, 미리 정해진 논리기능, 또는 마이크로프로세서 기능을 포함하는 능동 또는 수동 소자의 조합을 거쳐 실행될 수 있는 다른 기능을 포함하여 실행될 수 있으나 제한을 받지 아니함에 그 특징이 있다.

Description

전기적 접속에 있어서 제어된 임피던스를 제공하기 위한 장치
본 발명은 전기적 상호 접속시스템에 관한 것으로서, 특히 신호조건을 제공하기 위한 고성능 전기적 상호 접속 시스템에 관한 것이다.
두 컨덕터 사이에 효과적으로 전기적 전속을 위해 많은 응용 예들이 있는 바, 그 응용 예에는 케이블 접속, PC보드 접속, 소켓 접속, DIP캐리어 등이 포함된다.
응용 예에서 상호 접속시스템은 제2인쇄 회로기판에 상호 대응하는 많은 터미널들은 갖는 제1인쇄 회로기판에 있는 많은 터미널들 사이에서 상호 접속을 실행한다.
이런 장치는 두 회로기판 간의 전기적 인터페이스에 의해 제공되어져 사용된다. 다른 예시한 응용에서 상호 접속 시스템은 집적회로장치의 리드와 도전성 패드 또는 인쇄회로기판상의 터미널 사이에 상호 접속으로 실행한다. 상기 회로기판은 테스터장치나 다른 제어수단에 연결시킬 수 잇는 데 이런 장치는 집적회로장치의 성능을 평가하는데 사용된다.
수많은 고려사항들 중에는 전기적, 기계적 고려사항들은 포함하는 전기적 상호 시스템 구조에 관련되어 있는 것이다.
전형적인 상호접속 시스템을 위해서는 자체 인덕턴스, 저항, 캐패시턴스, 임피던스 결합특성 등을 전기적 성능에 특별한 고려가 이루어져야 한다. 수명주기가 짧은(life span) 요구사항을 포함한 기계적 고려사항들, 수선 가능성 또는 대체 가능성, 동작 온도 요구사항 등이 고려되어져야 한다. 결국, 전기적 상호접속 시스템의 특별한 응용은, 고려되는 다양한 파라메타(Parameters) 분야가 적용되는 것이다. 예를 들어 집적회로리드와 인쇄 회로기판 터미널 사이에 전기적 상호 접속을 제공하는 상호 접속시스템에서의 파라메타는 터미널의 공면성(coplanarity), 기계적 제조오차, 그리고 장치 정렬이나 장치 터미날의 방위 등으로 이러한 것들이 상호 접속시스템에 관련되어 고려되는 것이다.
상호접속 시스템의 주요 목적은 두 터미널 사이에 비 왜곡 전기적 상호 접속을 유지하는데 있다. 이를 달성하기 위해서 상호접속 시스템은 리드 인덕턴스와 저항, 리드대리드 캐패시턴스, 리드대접지 캐패시턴스, 전기적 재결합 시스템, 신호경로의 임피던스 결합특성을 조절하여 주의 깊게 설계해야 한다. 전기적 상호접속 시스템의 자연적 왜곡에서 어느 정도 이 특성 모두가 기여된다.
다양한 방법들이 상호 접속시스템의 기생효과(Parasitic effects)를 최소로 만들도록 발전하였다. 통상의 방법은 전기적 상호접속 시스템의 전기-기계적 접점에 인접한 신호조건 회로에 공급한다. 단말 구성부들처럼 전형적으로 분리된 소자인 신호 조건회로는 회로 임피던스를 조정과 조절에 사용된다, 필수의 신호조건 구성부와 전기-기계적 접점은 물리적으로 분리되기 때문에 상호접속 시스템의 정확, 정밀 및 복제가 이루어짐에 의해서도 이상적인 상호접속 시스템을 얻기 어렵다.
록카트(Jr. Lockhart)는 미합중국 특허 제4,260,762호(1975년 4월 29일)에서 선행기술 구조를 제시하였는 데 록카트는 양방향선 집적회로패키지와 인쇄회로기판을 상호접속하기 위한 테스트 소켓을 제시하였다. 캐패시터는 소켓재료를 캐패시터에 대한 부전도성을 제공함으로써 소켓 몸체에 공급되어진다. 록카트는 캐패시터를 분명히 제의한 것처럼 보드기판 보다 오히려 소켓 몸체에 제공하는 테스트 소켓을 제시하였다.
팝(Pope)은 미합중국 특허 제4,996,487호(1991년 2월 26일)에서 동축 프로브 카드(coaxial probe card)에 대한 테스트 소켓과 IC테스터 구성을 첫 번째 회로기판에 연결 구성하는 것을 제시하였다. 상기 첫 번째 회로기판은 집적회로 테스트 소켓 연결과 관통구멍에 대한 집적회로 테스트 소켓으로부터의 경로와 블라인드 바이어스(blind vias)를 가진다. 상기 동축 프로브 카드는 IC테스터와 집적회로 테스트 소켓 사이에 전기적인 통로를 제공하도록 블라인드 바이어스를 가진다.
탈랜드(Talend)는 미합중국 특허 제4.695,115호(1987년 9월 22일)에서 전화 잭에서 노이즈가 감소되는 방법을 제시하였다. 탈랜드는 이산 바이패스 캐패시터가 노이즈를 없애는 잭 리드에 연결되는 전화에 대한 변조 잭을 제시하였다. 그리고 상기 변조 잭 소자에 접지면으로 뻗어 있는 단일 표면 캐패시터를 사용하도록 하였다.
크링(Kling)은 미합중국 특허 제4,853,659호(1989년 8월 1일)에서 커넥터에 노이즈 감소에 대한 파이-네트워크의 사용을 제시하였다. 한쌍의 분로 캐패시터와 연속적인 유도량 사이의 구성에서 플랜너 파이-네트워크 필터를 이용함을 제시한다. 케이블 커넥터와 그 같은 결합에서 파이-네트워크 필터를 이용한다.
마지디-에이 등(Majidi-Ahy et al.)은 미합중국 특허 제4,983,910호(1991년 1월 8일)에서 50GHz 주파수를 갖는 접합신호에 사용하기 위해 밀리메타파(millimeter wave) 프로브(probe)에 대하여 제시하였다. 마지디-에이 등(Majidi-Ahy et al.)은 입력 임피던스 결합부분이 저대역필터부터 한 쌍 결합인 안티패러럴(anti-parallel) 빔 리드 다이오드까지 에너지로 이루어진다. 이 다이오드는 출력 임피던스 결합회로에 의해 다이오드를 통해 통과하는 결합여분수로 이루어진다.
크룩 등(Crook et al.)은 미합중국 특허 제5,274,336호(1993널 12월 28일)에서 아날로그와 디지털 신호 양쪽의 비 접촉포착에 사용하기 위한 용량 부하프로브를 제시하였다. 크록 등은 상기 프로브는 차폐된 프로브 팁, 프로브 팁에 기계적으로 결합된 프로브 몸체와, 프로브 몸체 내에 나타낸 증폭회로를 구성하였다.
본 발명은 상호접속 시스템의 접점 소자 내에 전기적으로 미치는 신호에 대한 수단을 제공함으로써 종래 기술의 많은 문제점을 극복하고자 한다.
본 발명은 전기적 상호 시스템으로서 케이블 커넥터, PC 커넥터, 테스트 소켓 커넥터, DIP캐리어 등에 제한되지 않고 어떠한 형태에도 적용된다.
본 발명의 일실시 예에 있어서 전기적 상호접속 시스템은 첫 번째 터미널에 대응하도록 전기적 전달을 통해서 각 접점의 첫 번째 부분에 다수의 접점으로 이루어진다. 각 접점의 두 번째 부분에 두 번째 터미널에 대응하도록 전기적으로 전달한다. 상호 접속 시스템의 고성능인 본 발명은 접점들 중에 하나를 결정하여 전기적으로 미치는 신호에 대한 수단을 제공한다. 이것은 제어된 임피던스의 공급에 의해 달성하게 된다. 많은 이점들은 접점 소자 내에 있는 제어된 임피던스 공급에 의해 이루어진다.
예를 들어, 집적회로 테스트 응용에서 제어된 임피던스의 최대 이득은 집적회로리드에서 가능하도록 폐쇄된 위치에 제어된 임피던스를 가짐으로 인해 달성되는 것이다.
즉, 제어된 임피던스에 대한 접합자는 집적회로리드에 위치되고, 제어된 임피던스의 큰 이득은 상호접속 시스템의 자연적인 왜곡 감소를 갖는다. 본 발명의 실시 예에서, 제어된 임피던스는 부하보드나 이와 같은 인접한 위치보다 오히려 테스트 소켓에 대응하는 접점에 결합된다.
본 발명의 실시 예에서, 미리 결정된 소켓의 접점은 저항, 인덕턴스, 캐패피시턴스 또는 표면탄성파 필터에 갖는다. 나아가 미리 결정된 소켓의 접점은 형성된 회로에 의해 상기에서 언급한 소자의 결합을 갖는다. 추가된 임피던스는 신호선에 대응하는 반사 또는 다른 기계잡음을 감소시키기 위하여 임피던스 결합 목적으로 사용된다. 또한 부가 임피던스는 신호 또는 전원 핀에 결합하여 용량 또는 유도량을 제공하도록 사용된다. 즉, 제어된 임피던스는 대응하는 신호가 전기적으로 영향이 미친다.
본 발명의 다른 실시 예에서, 미리 결정된 소켓의 접점들 중 하나는 부하기판상에 많은 독립된 신호가 접점된다. 즉, 각각의 접점은 많은 부하기판 상에 있는 많은 독립된 신호나 대응하는 특별한 반도체장치리드의 통로에 있는 특별한 신호를 포함하여 갖는 전기적인 전달을 이룬다.
본 발명의 다른 실시 예에서, 미리 결정된 소켓의 접점은 적어도 하나의 능동소자를 갖는다. 예를 들어, 하나의 접점은 그것 내에 섞여있는 트랜지스터, 다이오드 등을 갖는다. 또한 하나의 접점은 형성된 회로 내에 트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터, 인덕터, 표면탄성파필터, 게이트 등이 결합되어 있다. 이 실시 예에서 접점 임피던스는 이 전의 사항에서 설명된 것처럼, 접점 자체의 논리 레벨이나 다른 제어수단에 의해 다른 독립된 신호로 인해 선택적으로 제어된다.
소켓의 특별한 접점으로 하는 능동 소자의 포함은 다양하게 응용되는 것을 알아야 한다. 예를 들어 그것에 섞여있는 단 하나의 트랜지스터를 갖는 접점은 반도체장치, 테스터 또는 대응하는 신호통로로 이동하는 다른 소자를 제어하여 사용된다. 즉, 하나의 트랜지스터는 테스터나 다른 수단들이 반도체장치의 대응하는 출력 움직임 없이 대응하는 신호를 통해 움직이는 것처럼 대체적으로 인피던스 증가로 인해 꺼지게 된다. 유사한 하나의 트랜지스터는 반도체장치에 따라 움직이는 테스터 또는 다른 소자의 신호가 돌아가 저 레벨(Low Level)이 됨으로 임피던스 감소로 인해 켜지게 된다. 이는 양방향 입출력 핀을 가지는 반도체 장치의 사용으로 수행된다. 본 발명은 하나의 응용이나 다양한 다른 응용들에도 고려될 수 있음은 물론이다.
상기 상태에서처럼 많은 능동소자들은 형성된 회로 내에 미리 정한 소켓의 접점에 결합되어 이루어진다. 인덕터, 캐패시터, 저항들은 또한 섞여진 상태에서 결합되어져 있다. 이 구성에서 정해진 접점들은 미리 결정된 방법에 대응하는 신호의 과정이며, 접점 상에 섞여진 회로소자에 의하여 정해진다. 예를 들어, 많은 트랜지스터는 증폭기 기능이 제공되도록 배치되어 많은 트랜지스터 내에서의 접점에 섞여진다. 즉, 신호는 반도체장치, 테스터장치, 또는 소켓의 접점에 의해 증폭되는 다른 수단으로 인해 제공된다. 다른 실시되는 기능들이 포함되며 마이크로프로세서(μ-processor) 기능을 포함한 능동, 수동 소자 결합의 실행에 대한 아날로그 대 디지털 변환기, 디지털 내 아날로그 변환기, 정해진 논리기능, 또는 어떤 다른 기능들을 제한하지 않는다.
본 발명은 다른 실시 예에서, 임피던스는 커넥터 내의 두 구성부 사이에 형성될 수 있다. 예를 들어 두 개의 나란히 병렬 인접한 접점들은 그들 사이에 캐패시턴스를 형성으로 절연재에 의하여 분리될 수 있다. 접점들 중 하나는 인접한 접점이 직접 접지되는 동안 반도체장치 상에 전원공급리드와 결합된다. 이러한 형태는 반도체장치의 전원 공급 시 노이즈를 감소시키기 위해 전원공급원과 접지사이에서 캐패시턴스가 제공된다. 또한 이러한 실시 예는 원한다면 신호선들 사이 또는 신호선과 전원공급 및 접지사이에 격리될 수 있다. 즉, 접지에 연결되는 접점은 그들 사이에 누화량을 감소시키기 위해 2개의 신호 접점간에 위치하게 된다. 상기 접점은 주어진 접점 상의 인덕턴스 량을 제어할 수 있도록 이루어질 수 있다. 이는 단지 설명하기 위한 실시 예이고 커넥터의 적어도 2개 구성부 사이에서 임피던스를 제공하는 다른 실시 예들이 생각될 수 있음을 알 수 있다.
또 다른 실시 예에서, 제어된 임피던스가 복수개의 접점 중 미리 정해진 하나를 제공되거나 통합할 수 있다. 가장 간단한 실시 예에서 접점자체에 의해 제공되는 저항은 재료나 그 형태를 변경시킴으로서 변화가 될 수 있다. 보다 복잡하고 제한을 받지 않는다고 여겨지는 실시 예에서, 금속기판(MS)은 미리 정해진 접점상의 제어된 임피던스를 생성시킬 수 있도록 사용될 수 있다. 예를 들어 둘 또는 그 이상의 금속판이 기계적으로 결합되고 임피던스가 전기-기계적인 접점을 제어(즉, 전송라인, 스트립라인(stripline) 또는 마이크로 스트립)하는 임피던스 형태의 방식으로 서로 전기적으로 절연될 수 있다. 하나의 금속판은 신호면(signal plane)으로서 제공되는 반면에 인접 금속판을 전기적인 접지로서 제공될 수 있다. 전기적인 절연은 여러 수단에 의하여 이루어질 수 있는데, 이들 여러 수단은 폴리아미드, 에폭시, 우레탄 등을 포함하는 열적으로 세팅된 유전체 코팅의 적용, 폴리에틸렌 등을 포함하는 열가소성 플라스틱, 코팅의 적용을 포함하며, 또는 열적 성장이나 양극화성에 의한 천연산화물을 성장시켜 전기적 결연이 이루어질 수 있다. 이러한 다양한 접근 방법은 절연재료의 유전체상수와 판의 격리를 포함하는 많은 조정 가능한 인자들은 통하여 임피던스의 제어가 이루어질 수 있다. 기계적인 결합은 많은 수단에 의하여 이루어질 수 있는 많은 수단은 하나 또는 그 이상의 탄성분재에 의하여 또는 하우징 내부 홈들과 같이 제한된 기계적 구조체 내부의 여러 판재 세트 또는 각각의 판재적용에 의한 버팀대를 포함한다.
제한을 두지 않는 또 다른 실시 예에 있어서, 세라믹기판(Ceramic Substrate)은 미리 정해진 접점 상에 제어된 임피던스를 생성하도록 사용될 수 있다. 예를들면 패턴화된 금속이 임피던스가 제어된 전기-기계적 접점을 생성하는 것과 같은 방식으로 세라믹 기판에 조립될 수 있다. 설명되는 실시 예에 있어서 통상의 다층 박막필름 기술이 세 터미널 타입의 캐패시터를 제공할 수 있는데 상기 캐패시터는 처음 두 터미널은 신호 입출력(I/O)에 대응하게 되고, 제3의 터미널은 접지와 대응하게 된다. 역시 같은 임피던스가 제어된 세 터미널 타입 캐패시터는 수정된 다층 박막필름 공정에 의하여 제작될 수 있는데 상기 고정은 도체상(Conductive phase)이 DIP캐리어 기판 상에 침전되고 유전체내에 도전성 금속패턴을 생성시키는 화학적 양극화성, 플라스마 산화 또는 열적 산화물 성장을 이용하여 선택적 산화를 위하여 패턴화 된다. 끝으로 그 공정은 N회 반복하여 세 터미널 타입 캐패시터의 다층 능동 접점 구조를 생성시킬 수 있음을 알 수 있다.
최종 두 실시 예가 세 터미널 캐패시터 타입 장치를 설명하기 위하여 제공되는 한편, 다른 통상의 공정들이 미리 정해진 접점에 저항, 인덕턴스, 캐패시턴스 또는 통상의 또는 다른 공정들은 미리 정해진 접점에 트랜지스티, 다이오드 등 또는 그들의 조합을 포함하는 다른 활성요소들이 제공될 수 있도록 되어짐을 또한 예상할 수 있다. 통상의 다른 공정들은 미리 정해진 접점에 마이크로 프로세서 기능을 포함하는 미리 한정된 기능들을 제공할 수 있는 회로양태에서 많은 능동 및 수동소자를 제공하게 됨이 예상되어진다. 상기 실시 예에서 전기적 영향수단은 접점 자체와 집적될 수 있다.
끝으로, 전술한 접점으로 구성되는 커넥터 장치는 각각의 접점이 다른 접점과 상호 변경될 수 있도록 설계될 수 있다. 이는 인덕터를 갖는 접점이 저항을 갖는 다른 접점으로 서로 변경되어 실시된다. 이미 살펴본 바와 같이, 이는 커넥터 장치가 조립되는 사용중 이후에 까지도 결합될 수 있게 된다. 즉, 커넥터 장치는 특수한 사용목적으로 주문 생산할 수 있으며 새로운 용도에 맞도록 변경시킬 수도있다.
본 발명의 목적과 다양하게 수반되는 다른 특징은 첨부된 도면을 참조로 고려하여 볼 때 다음의 상세한 설명을 통해 보다 잘 이해될 수 있을 것이며 도면을 통하여 동일부재는 동일부재번호로 나타내었다.
본 발명의 실시 예는 테스트 소켓 내 미리 정해진 접점 요소에 직접 제어된 임피던스를 제공하여 전기적인 상호접속 시스템의 자연적 왜곡 특성을 감소시키기 위한 것이다. 본 발명은 테스트 소켓에 한정되지 아니하고 오히려 케이블 커넥터, PC보드 커넥터, 테스트 소켓 커넥터, DIP캐리어들 등에 적용됨을 알 수 있다.
반도체장치 소켓은 각 접점의 제1부분이 반도체 장치의 대응하는 리드와 전기적으로 교신이 이루어질 수 있는 다수의 접점으로 구성된다. 각 접점의 다른 부분은 부하기판 터미널(load board terminal) 또는 동등의 것과 전기적으로 교신이 이루어져 결국 다른 테스트 수단의 테스터와 교신이 이루어질 수 있다. 즉, 각각의 접점은 부하기판 터미널과 반도체장치상의 대응하는 리드와의 사이에서 기계적 및 전기적인 접속이 이루어질 수 있다. 소켓의 실행을 향상시키기 위하여 본 발명은 접점 중 미리 정해진 것 내부의 제어된 임피던스를 제공함으로써 신호에 전기적으로 영향을 끼칠 수 있다. 전기적으로 영향을 갖는 수단은 대응하는 접점에 집적된다.
상호접속 시스템에 부가된 제어된 임피던스의 최대 이득을 얻고자 반도체 장치 리드에 가능하게 밀접하도록 제어된 임퍼던스가 위치됨이 중요하다. 즉, 제어된 임피던스가 반도체장치 리드에 보다 근접하여 위치하면 할수록 제어된 임피던스는 상호접속 시스템의 자연적 왜곡 특성을 감소시킬 수 있는 보다 크게 이득을 얻을 수 있다. 본 발명의 실시 예에서, 제어된 임피던스는 소켓 내에 직접 접점과 결합된다.
제1도는 패키지된 반도체 장치와 인터피이스보드(26)가 결합된 능동접점의 개략측면도이다.
상기 제1도에 도시한 실시 예에서, 능동 접점(10)은 인터페이스(18)를 경유 패키지된 반도체(12)의 리드(14)와 결합될 수 있다. 또한 상기 능동 접점(10)은 인터페이스(20)를 경유 부하기판터미날(16)에 결합될 수 있다. 또는 상기 능동 접점(10)은 인터페이스(24)를 경유 적어도 하나의 다른 부하기판터미날(22)과 결합된다. 상기 능동 접점(10)은 패키지된 반도체리드(14)와 부하기판터미날(16, 22)와결합된다. 능동 접점(10)은 패키지된 반도체리드(14)와 상기 부하기판터미널(16, 22) 사이에서 기계적 및 전기적인 접속이 이루어질 수 있다. 본 발명의 실시 예에서, 소켓의 미리 정해진 능동 접점(10)은 저항, 인덕턴스, 캐패시턴스, 표면탄성파필터 또는 그들 내에 만들어진 그들의 조합은 내부회로를 이룰 수 있다. 이러한 부가적인 임피던스에 대응하는 신호라인에서 반사 또는 다른 노이즈기구를 감소시키고자 임피던스 결합 목적으로 사용될 수 있다. 또한 부가된 임피던스는 신호 또는 전원 핀(Power Pin)과 정전용량적이거나 유도용량적인 결합이 이루어질 수 있다.
테스트 소켓의 미리 정해진 많은 능동 점점(10)의 하나는 부하보드에 많은 신호경로 접점이 있다. 즉, 각 능동 접점(10)은 전기적인 교류와 기계적인 것과 특별한 반도체장치리드(14)에 대응하는 특별한 신호 경로 포함한 부하기판에 많은 신호경로를 가진다. 예를 들어 제1도의 실시 예처럼, 능동 접점(10)은 첫 번째 부하기판터미날(16)과 두 번째 부하기판터미날(22)에 결합된다. 능동 접점(10)은 유사한 방법으로 많은 부하기판 결합으로 이루어져 있다.
소켓의 미리 정해진 능동 접점(10)은 적어도 하나의 능동소자로 위쪽이나 내부에서 섞여 있다. 예를 들어, 능동 접점(10)은 트랜지스터, 다이오드 등 또는 형성된 회로 내에서 결합하여 이루어져 있다. 또한 저항, 캐패시턴스, 인덕턴스, 트랜지스터, 다이오드 표면파필터, 게이트 등의 결합은 회로 형태 내에서 결합한다.
이와 같은 실시 예에서 접점의 임피던스는 접점 자체의 논리레벨 또는 다른 제어수단에 의한 구성에서 설명한 것처런 다른 독립된 신호에 의해 선택적으로 제어된다. 제1도에 도시된 바와 같이, 이 실시 예에서 능동 접점은 3개의 인터페이스포트(18, 20, 24)를 갖는다.
제2도는 패키지된 반도체장치리드(14)와 부하기판터미날(16) 사이에 펼쳐진 상호 접속에 대한 캐패시턴스를 제공함으로써 능동 접점(10A)의 실시 예를 보여주는 개략측면도이다. 이 실시 예에서, 캐패시터(30)는 패키지된 반도체 장치리드(14)와 부하기판터미날(16)간의 상호접속부(28)에 결합된 첫 번째 리드를 가진다. 캐피시터(30)는 인터페이스(24)에 경유한 부하기판터미날(22)에 결합된 두 번째 리드를 가진다. 이 구성에서, 상기 부하기판터미날(22)은 상기 상호접속부(28)와 접지사이에 제공된 캐패시턴스에 의해 접지된다. 제2도에서 볼 수 잇는 것처럼 능동 접점(10A)은 인덕터, 저항, 다이오드, 표면파필터 또는 임피던스 또는 제어를 공급하는 어떤 다른 소자로 이루어진다. 상기 능동 접점(10A)은 형성한 회로에 상기 참조한 소자의 결합으로 이루어진다.
제3도 및 제4도의 실시 예에서 능동 소자들은 능동 접점(10)상에 나타난다.
제3도는 능동 접점(10C)이 패키지된 반도체장치리드(14)와 부하기판터미날(16) 사이에 다이오드 수단을 제공함으로써 능동 접점을 설명하기 위한 개략측면도이다. 이 구성은 반도체장치(12)는 부하기판터미날(16)에 전류가 공급하지만 반도체장치(12) 내부에 있는 부하기판터미날(16)부터 전류는 흐르지 않는다.
제4도는 능동 접점(10D)이 패키지된 반도체장치리드(14)와 부하기판터미날(16) 사이에 스위치 수단으로 공급하는 능동 접점을 설명하기 위한 개략측면도이다. 이 실시 예에서, 스위치 수단은 게이트, 소오스, 드레인을 가지는트랜지스터(40)로 이루어져 있다. 상기 트랜지스터(40)의 드레인은 인터페이스(18)를 경유하여 반도체장치리드(14)에 연결하고, 트랜지스터(40)의 소오스는 인터페이스(20)를 경유하여 부하기판터미날(16)에 연결하며, 트랜지스터(40)의 게이트는 인터페이스(24)를 경유하여 부하기판터미날(22)에 연결한다. 이 구성에서 부하기판터미날(22)은 부하기판터미날(16)과 반도체장치리드(14) 사이에서 임피던스로 제어한다. 또한 능동접점(10D)은 3개 인터페이스 포트(18, 20, 24)를 가진다.
미리 정해진 소켓의 접점(10)속에 있는 능동 소자의 포함은 다양하게 응용된다. 예를 들어, 제4도에서처럼 신호 트랜지스터를 가지는 접점은 반도체 장치 또는 테스터를 대응하는 부하기판터미날로 이동을 제어하는데 사용한다. 즉, 신호트랜지스터(40)는 반도체장치리드(14)로부터 부하기판터미날(16)까지 임피던스 증가함으로써 부하기판터미날(22)에 인접전압 적용으로 꺼지며 그 결과 테스터는 반도체장치(12)의 출력 없이도 대응하는 부하기판터미날(16)에 이동한다. 이와 유사한 신호 트랜지스터(40)는 반도체장치리드(14)에서부터 부하기판터미날(16)까지 임피던스 감소함으로써 부하기판터미날(22)에 인접전압 적용으로 켜지며, 부하기판터미날(16)에 대한 반도체장치(12)는 테스터 또는 반대 후단에 있는 것이다. 이것은 양방향 입출력 핀을 가지는 반도체 장치에 사용된다. 이는 본 발명의 한 응용 예이며 많은 다른 응용 예들이 고려될 수 있을 것이다. 상기 상태에서처럼 많은 능등 소자는 형성한 회로 내에 미리 정해진 소켓의 접점(10)속에 섞여있다. 즉, 인덕터, 캐패시터, 저항 또는 표면파필터들이 섞여있는 것이다. 이 실시 예에서, 정해진 접점은 미리 정해진 방법에 대응하는 신호 과정이며 능동접점(10) 자체에 섞여있는 회로적 구성에 의해 정해진다. 예를 들어 많은 트랜지스터는 증폭 기능을 제공하도록 많은 트랜지스터 내에 능동 접점(10)이 섞여있다. 반도체 장치(40) 또는 테스터 장치(미도시)에 의한 신호제공은 소켓의 능동 접점(10)에 의해 증폭된다. 다른 기능들도 포함하지만 아날로그 대 디지털 변환기, 디지탈 대 아날로그변환기, 정해진 논리 기능 또는 능동 결합을 통한 성능 또는 수동소자, 마이크로 프로세서 기능을 포함하도록 제한하지 않는다.
제5도는 능동 접점이 얇은 비전도층에 의하여 분리되어 그들 사이에 임피던스를 제공하는 능동 접점의 실시 예를 보여주는 평면도이다. 제6도는 제5도에 도시한 실시 예의 사시도이다. 이 실시 예에서, 다수의 "S"형 접점들은 각 "S"형 접점이 반도체 장치(138)의 대응하는 리드에 의해 제공된다. 각 "S"형 접점의 제1후크부분(141)은 제1탄성소자(142)에 맞물린다. 각 "S"형 접점의 제2후크부분(141)은 제2탄성소자(144)에 맞물린다. 상기 제2탄성소자(144)는 고체재료나 탄성재료로 구성된다. 반도체 장치(138)의 리드(137)는 대응하는 "S"형 접점(135)으로 맞물린 것처럼 제2탄성소자(142)가 대응하는 반도체장치리드(137)로부터 떨어져 빗나가 "S"형 접점(135)에 의하여 변형된다. 이것은 대응하는 반도체 장치(138)상에 비플랜너 장치리드에 대한 보상을 해주는 것이다. 제5도, 제6도에서 참조한 임피던스는 소켓 내의 두 구성 부품간에 형성된다. 예를 들어, 나란한 두 인접접점(134, 135)은 그들 사이에 캐패시턴스가 형성되어 비도전층(136)에 의하여 나누어진다. 상기 인접접점(135)중 하나는 인접접점(134)이 접지핀(139)에 의하여 맞물린 동안 대응하는 반도체 장치(138)상에 리드(137)에 맞물린다. 이 구성은 반도체 장치(138)의 전원공급상에 노이즈를 감소하기 위해 전원공급단과 접지사이에 캐패시턴스를 제공하는 것이다.
본 실시 예에서 바람직한 것은 신호라인 또는 신호라인과 전원공급/접지 사이에 격리단이 제공되어 사용되는 것이다. 즉, 리드(137)는 접지에 연결되고, 그들사이에 혼선량을 감소하도록 두 신호접점(134, 140) 사이에 위치시킨다. 접점은 접점에 주어지는 유도량을 제어하는 형태이다.
이 실시 예에서, 제1접점(135)과, 비도전층(136) 및 제2접점(134)은 그들 사이의 임피던스 형태로 가운데 위치된다. 이는 전통적인 얇은 조각 과정을 사용함으로서 달성된다. 다른 실시 예에서, 제1접점(135) 또는 제2접점(134)은 그들 위에 산화 코팅되어 이루어진다. 산화물 코팅은 기준 산화물 과정을 사용하기 위해 접점의 외측표면을 성장시킨다. 이 구성에서, 제1접점(135)은 그들 사이에 전기적으로 격리시키는 동안 제2접점(134)을 갖는 접점 내에서 이루어진다. 상기 실시 예의 설명과 다른 실시 예들은 소켓의 적어도 두 성분들 사이에 임피던스가 제공되어 실시됨을 알게 될 것이다.
제7도는 패키지된 반도체 장치와 인터페이스보드를 포함하는 본 발명의 실시예를 보여주는 부분 단면 사시도이다. 상기 상태에서처럼, 제어된 임피던스는 미리 정해진 많은 접점 중의 하나가 제공되거나 섞여지게 된다. 간단한 실시 예에서, 접점에 의해 제공되는 저항은 재료나 그들의 형태에 의해 다양하게 변화된다. 더 복잡한 실시 예에서, 금속기판(Metal Sheet)은 미리 정해진 많은 접점 중의 하나에 제어된 임피던스가 제조되어 사용되는 것으로, 제한할 정도는 아니다. 예를 들어둘 또는 더 많은 금속플랜은 제어된(스트립라인) 전기-기계적 접점의 임피던스 형태의 방식과 같이 다른 것으로부터 기계적 결합과 전기적으로 격리된다. 하나의 금속플랜은 인접 금속플랜이 전기적으로 접지되는 동안 신호 플랜이 제공된다. 전기적 격리는 폴리아미드, 에폭시, 우레탄 등을 포함한 열적 절연체 코팅에 적용, 폴리에틸렌 등을 포함한 열적 플라스틱 코팅 적용, 양극산화 또는 열 성장에 의해 성장하는 자연 산화물은 포함시키는 많은 수단들에 의하여 달성될 수가있다. 이와 같이 다양한 접근은 격리단과 플랜분리의 절연체 상수의 인접 파라메타를 통해 임피던스의 제어를 하기 위한 것이다. 기계적 결합은 하우징 내의 슬롯처럼 미리 결정된 기계적 구조 내에서 하나 또는 더 많은 탄성부재 사이의 부품 또는 개별적 플랜 참조 또는 다수 플랜의 세트를 포함하는 많은 수단들에 의해 달성되는 것이다. 특히, 어떤 금속은 능동 접점의 이 실시 예를 위하여 사용된다. 알루미늄은 쉽게 산화되고. 좋은 질과 우수한 특성을 갖는 절연체 필름 때문에 우선적인 재료로 사용된다. 다른 금속은 동이나 동 합금, 강철 그리고 니켈-철 합금, 크롬니켈합금, 이종금속과 합금, 인터메탈릭(inter-metalics) 등에 제한하지 않고 포함하여 사용된다. 이 비전통적 접점 금속의 몇몇은 인접한 실시부분이 평판이든 비 평판이든 사용하게 되고, 접점의 크기를 제어하게 된다.
제7도의 참조에서 적어도 하나의 리드(114)는 능동 접점(130)을 갖는 전기-기계적 접점에서 이루어지는 것처럼 적어도 하나의 리드(114)를 갖는 패키지된 반도체장치(112)는 하우징(116) 내에 수용된다. 반도체장치(112)는 리드 채널(118) 또는 다른 적응 수단에 의해 일정한 부분에 위치하게 된다. 능동 접점(130)은 장치소자(120)와 플레이트(126)로 구성된다. 장치 소자(120)와 플레이트(126)는 상기에서 언급한 바와 같이 금속적인 재료로부터 이루어진다. 반도체장치(112)의 적어도 하나의 리드(114)는 장치 소자(120)의 제1부분을 갖는 전기-기계적 접점에 있다. 이와 유사한, 장치 소자(120)의 제2부분은 부하기판(122)상에 신호 입/출력 패드(128)를 갖는 전기-기계적 접점이고, 이와 같이 반도체장치(112)에서부터 부하기판(122)까지 양 신호로 이루어진다. 상기 신호 입/출력패드(128)는 테스터 또는 다른 소자와 연결된다.
장치소자(120)는 절연재료(124)를 통한 플레이트(126)에 기계적으로 결속되고, 그 결과 장치 소자(120)와 플레이트(126)로 이룬 두 도전표면은 절연재료(124)의 두께에 실제적으로 동등한 거리만큼 나누어져서 병렬로 이루어진다. 플레이트(126)는 부하기판(122)상에 접지패드(132)에 전기-기계적으로 연결되고, 그 구조는 제어된 능동 접점 임피던스 마이크로-스트립형처럼 전송선 구조로 이루어진다. 접지패드(132)는 고정된 전압 또는 테스터에 연결됨을 알게 될 것이다. 테스터에 연결했을 때 접지패드(132)는 고정된 전압 또는 테스터에 연결됨을 알게 될 것이다. 테스터에 연결했을 때 접지패드(132) 상의 전압은 대응하는 신호 경로에 시간적으로 변화하는 임피던스의 신호에 맞게 제공된다. 상기에서 언급한 것처럼 금속기판 사용에 대한 다른 실시 예에서, 금속 산화물의 정확한 두께는 당치 소자(120) 또는 플레이트(126)의 표면상으로 성장하게 된다. 자연 성장 금속 산화물은 장치 소자(120)와 플레이트(126)사이에 절연기능이 있다. 자연 성장 금속 산화물은 무기산화 절연 코팅으로 이루어진다. 전기적으로 영향을 주는 수단은 상기접점에 형성된 창 내에 수용되면 상기 창 표면에서 일정간격만큼 떨어져 구성된다.
자연 성장 금속 산화물 구성에 대한 다른 실시 예는 제8도에서 도시하였다. 능동 접점은 일반적으로 150으로 도시하였고, 제1접점소자(152)와 제2접점소자(154)로 구성된다. 금속 산화물은 상기 제1,2접점소자(152, 154)에 선택적으로 성장하고, 그 결과 비금속 산화물은 접접표면(158A, 158B, 158C) 상에 존재한다. 상기 접점소자(152, 154)의 완전한 외측 표면 위에 성장되고, 접점표면(158A, 158B, 158C)으로부터 선택적으로 이동된다. 접점표면(158A)은 반도체 장치(미도시)의 리드를 갖는 전기-기계적인 접점이 있다. 이와 유사한 접점표면(158B)은 부하기판(미도시)상에 신호 입/출력 패드를 갖는 전기-기계적인 접점이 있다. 마지막으로, 접점표면(158C)은 부하기판(미도시)에 접지패드를 갖는 전기-기계적 접점이 있다.
이 형태에서, 제1접점소자(152)는 그들 사이에 전기적으로 격리되어 유지되는 동안 제2접점소자(154)를 갖는 접점에 위치된다. 전기적 및 기계적 인터페이스 특성의 제어와 조정이 가능하게 하는 다양한 금속 편면 형태가 접점소자(152,154)의 형태, 상부의 산화물 두께 성장, 상호 표면 영역, 평판 분리거리 및 다른 파라메타들을 포함하여 생각되어질 수 있다. 끝으로 단일 창(160) 또는 다중창이 접점소자(152,154)의 형상 내에 섞여짐을 예기할 수 있다. 창(160)은 능동접점(150)을 지지할 수 있는 기계적 탄성부재용 도관으로 채택될 수 있다. 탄성부재(미도시)는 반도체 리드가 그들과 함께 결합되듯이 접점표면(158A)의 상향 바이어스를 제공하고, 탄성부재는 반도체 장치 리드로부터 비켜나가도록 정해진 능동 접점(150)에 의해 변형된다. 이는 대응하는 반도체 장치 상에 비플랜너 장치리드를 위하여 보정된다.
전술한 바와 같은 금속기판배열을 이용할 수 있는 다른 실시 예가 제9도에 도시되어 있다. 이 실시 예는 열적 세팅 또는 열가소성 절연체(124)의 알려진 정밀한 두께는 원하는 전기-기계적 특성을 얻고자 둘 또는 둘 이상의 금속판(120,126)사이에서 얇게 이루어진다. 상기 둘 또는 그 이상의 금속판은 둘 또는 그 이상의 격리회로로 구성된다. 즉, 둘 또는 그 이상의 금속판 각각은 회로기능을 갖도록 구성된다. 더욱이 절연체(124)는 폴리아미드, 에폭시, 폴리카보네이트, 폴리비닐렌설파이드, 또는 어떤 다른 적절한 재료로 구성될 수 있음을 고려할 수 있다. 절연체(124)의 에치백(etchback)은 접점표면(158D,158E,158F) 상에서 접촉이 용이하게 제작공정에서 섞여지게 된다.
본 발명의 다른 실시 예에서 세라믹 기판은 복수개의 접점 중 미리 정해진 것에 제어된 임피던스를 생성시키도록 사용될 수 있다. 예를 들어 패턴화된 금속은 제어된 전기 기계적 접점의 임피던스 방식과 같이 세라믹 기판 상에 제작될 수 있다. 일 실시 예에서, 통상의 다층 박막필름 기술이 세 터미널 타입 캐패시터에 제공될 수 있는데 첫 번째 2개의 터미널은 신호 입/출력에 대응되고, 제3의 터미널은 접지로 접점될 수 있다. 또한 동일의 임피던스 제어된 3터미날 타입 캐패시터가 수정된 다층 박막필름 공정에 의하여 제작될 수 있음을 생각할 수 있는데, 이러한 다층 박막 필름 공정은, 도체 상은 DIP캐리어 기판 상에 침적되고 화학적 양극산화, 플라지마 산화 또는 유전체 내부도전싱 금속 패턴을 생성하는 열적산화성장을 이용하여 선택적인 산화의 패턴화가 이루어지게 된다. 끝으로 그 공정이 N회 반복되어 세 터미널 타임 캐피시터의 다층 능등 접점 구조를 생성할 수 있음을 알 수 있다.
최종 두 실시 예는 세 터미널 캐패시터 타입 장치를 제공하는 반면 다른 통상의 공정이 저항, 인덕턴스, 캐패시턴스, 표면탄성파필터 또는 그들의 조합을 미리 정해진 접점에 제공할 수 있음을 예기할 수 있다. 또한 통상의 또는 다른 공정들이 트랜지스터, 다이오드 또는 그들의 조합을 미리 정해진 접점에 제공할 수 있음을 예기할 수 있다.
끝으로 통상의 또는 다른 공정들이 미리 정해진 접점에 마이크로 프로세서 기능을 포함하여 미리 정해진 기능을 제공할 수 있는 회로를 제공하고자 많은 능동 및/또는 수동소자를 제공할 수 있다. 즉, 다른 실시 예에서 상기 참조된 다층을 미리 정해진 것에서 각각은 격리된 회로로 구성될 수 있다.
제10도에 도시한 다른 실시 예에서 제1접점표면(158G)과 제2접점표면(158H)을 갖는 세라믹 기판(202)이 제공될 수 있다. 금속박막은 세라믹 기판 상에 직접 침적될 수 있다. 결국 금속박막은 부식 또는 다른 공정을 거쳐 패턴화되어 제1도체표면(204)과 제2도체표면(206)을 형성할 수 있다. 금속박막은 제1접점표면(158G)과 제2접점표면(158H)을 덮어 그들에게 도체표면을 제공할 수 있다. 다른 실시예에서, 상호간에 전기적 접속이 없도록 제1도체표면(204)과 제2도체표면(206)사이에 갭이 있을 수 있다. 이산 또는 모놀리스(monolith) 식으로 제작된 능동구성요소는 이산 또는 모놀리스 식으로 제작된 능동구성요소의 제1전기터미날(210)의 제1도체표면(204)을 갖는 전기적으로 전달되도록 하고, 이산 또는 모놀리스 식으로제작된 능동구성요소(208)의 제2전기터미날(212)의 제2도체표면(206)과 전기적으로 전달되도록 첨부될 수 있다. 이산 또는 모놀리스 식으로 제작된 능동구성요소는 저항, 캐패시터, 인덕터, 다이오드, 또는 그들의 조합으로 될 수 있음을 알 수 있다. 또한 세라믹기판의 형태와 금속필름의 패턴은 트랜지스터 또는 다른 다수터미널 장치가 채택되듯이 이루어질 수 있음을 알 수 있다. 끝으로 많은 저항, 캐패시터, 인덕터 다이오드, 트랜지스터 등은 그들로부터 하나의 회로를 생성하도록 채택될 수 있음을 알 수 있다.
다른 실시 예에서 저도전율 금속 또는 도전성 잉크 및 탄화규소(SiC)를 포함하는 세라믹은 금이 접촉저항을 최소화하듯이 부가적인 도금을 하거나 하지 않거나 하여 원하는 저항치를 얻을 수 있다. 그러나 부가적인 도금이 이용될 수 있음을 알 수 있다. 능동·접점(200)의 제1,2접점표면(158G,158H)은 반도체리드 및 부하기판터미날과 각각 전기-기계적 접속이 될 수 있음을 알 수 있다. 제1도체표면(204)은 반도체리드로부터 분리 또는 통합된 구성요소(108)의 제1전기터미널(210)까지 전기적 신호를 이송할 수 있다. 신호는 분리 또는 통합된 구성요소(208)의 제2전기터미날(212)에서 발산하고 제2도체표면(206)에 의하여 제1,2접점표면(158G,158H) 및 끝으로 부하기판의 신호 입/출력패드에 이송될 수 있다.
제10도에 도시한 실시 예에서 리세스(recess)가 세라믹 기판에 설치되어서 이산 또는 모놀리스 식으로 조립된 능동구성요소(208)의 물리적 위치 변화를 수용할 수 있게 된다.
제11도를 참조해 보면, 세라믹 기판을 사용하는 다른 실시 예로서 이는 세터미널 타입 능동접점으로 구성된다. 이 실시 예에서 접점은 다층 모놀리스 식 흡수 캐패시터로 구성된다. 신호 플랜(258)과 접기플랜(266)은 패턴화된 금속으로 제작되고, 내부 다층 세라믹 절연체(미도시)에 의하여 분리된다. 이는 다층 박막필름 공정을 N회 반복함으로서 이루어 질 수 있으며 제11도에 도시한 바와 같이 다층능동 접점 구조를 생성할 수 있다.
신호 플랜(258)의 네트워크는 부재(256)를 경유 제1터미날(254)과 결합되고 부재(268)의 경우 제2터미날(260)과 결합된다. 상기 제1터미날(254)은 반도체 장치의 리드와 결합된다. 제2터미날(260)은 부하기판 상 신호 입/출력패드(128)와 접점된다. 접지플랜(266)은 부재(264)에 의하여 접지오옴접점(262)에 전기적으로 결합된다. 접지오옴접점(262)은 부하기판(미도시) 상 접지패드(132)와 결합될 수 있다. 이 실시 예는 신호 및·접지 플랜 형태의 변경으로 얻어진 상대적으로 넓은 평면영역으로 인하여 대응하는 신호 이상의 상당한 제어가 이루어질 수 있는 것이다.
본 발명의 전술한 실시 예에 기재된 바와 같이, 본 기술이 속한 분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 여기에서 기재된 기술사항은 본 발명이 갖는 기술적 사상의 범주 내에서 다른 실시 예 형태로 다양하게 적용될 수 있음을 밝혀둔다.
제1도는 패키지된 반도체장치와 인터페이스보드가 결합된 능동 접점의 개략측면도,
제2도는 패키지된 반도체장치리드와 접지면 사이에 캐패시턴스를 제공하는 능동 접점을 설명하기 위한 능동 접점의 실시 예를 보여주는 개략측면도,
제3도는 패키지된 반도체장치리드와 부하기판터미널상의 터미널 사이에 다이오드 수단을 제공하는 능동 접점을 설명하기 위한 능등 접점의 실시 예를 보여주는 개략측면도,
제4도는 패키지된 반도체장치리드와 부하기판터미널상 사이에 스위치 수단을 제공하는 능동 접점을 설명하기 위한 능동 접점의 실시 예를 보여주는 개략측면도,
게5도는 능동 접점이 얇은 비도전층에 의하여 분리되어 그들 사이에 임피던스를 제공하는 능동 접점을 설명하기 위한 능동 접점의 실시 예를 보여주는 평면도,
제6도는 제5도에 도시한 실시 예의 사시도,
제7도는 패키지된 반도체장치와 인터페이스보드를 포함하는 본 발명의 실시예를 보여주는 부분 단면 사시도,
제8도는 제어된 임피던스 형태로 금속기판 접점 상에 자연성장산화물(NativeGrown Oxide)을 갖도록 하는 본 발명의 다른 실시 예를 보여주는 사시도,
제9도는 금속기판 접점을 갖는 금속 절연체 샌드위치(Metal Dielectric Sandwich) 실시 예를 보여주는 사시도,
제10도는 세라믹기판 접점을 갖는 두 터미널 실시 예를 보여주는 사시도이고,
제11도는 세라믹기판 접점을 갖는 세 터미널 실시 예를 보여주는 사시도이다.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
10. 접점 14. 리드
16. 제1부하보드 터미널 22. 제2부하보드 터미널
30. 캐패시터 40. 트랜지스터

Claims (47)

  1. 제1터미날과 제2터미날간 신호전송을 위한 전기적 커넥터 장치에 있어서,
    제1터미날과 제2터미날을 상호 전기-기계적으로 접속시키는 강체접점을 갖되 상기 강체접점은 제1터미날과 제2터미날 사이에 신호전달을 갖도록 전기적으로 영향을 주는 수단을 제공하며 상기 전기적으로 영향을 주는 수단은 상기 접점에 형성된 창 내에 수용되며 상기 창 표면에서 일정간격만큼 떨어져 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전기적으로 영향을 주는 수단이 저항, 캐패시터, 다이오드, 트랜지스터, 탄성표면과 필터 및 게이트를 구성하는 그룹 중 선택된 요소로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전기적으로 영향을 주는 수단이 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 회로가 전기적 기능을 실행하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 접점이 복수개의 터미널과 전기-기계적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기능이 스위치 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 기능이 증폭기 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 기능이 변환 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제1터미날과 제2터미날간에 신호전송을 위한 전기적 커넥터 장치에 있어서,
    (a) 제1터미날과 제2터미날을 전기-기계적으로 결합하기 위한 강체접점;
    (b) 신호가 제1터미날과 제2터미날 및 상기 접점 사이에서 전송되듯이 신호에 전기적으로 영향을 주기 위해 상기 접점과 결합되어 전기적으로 영향을 주는 수단; 및
    (c) 상기 접점이 제1터미날에 의하여 결합 반응하여 상기 접점의 움직임을 허용할 수 있도록 상기 접점을 결합하기 위한 바이어스 수단; 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 바이어스 수단이 탄성요소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전기적으로 영향을 주는 수단이 제어된 임피던스로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제어된 임피던스가 저항, 캐패시터, 인덕터, 다이오드, 트랜지스터, 표면탄성파필터 또는 게이트를 구성하는 그룹 중 선택된 요소로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제어된 임피던스가 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 회로가 전기적 기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 접점이 복수개의 터미널과 전기-기계적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 기능이 스위치 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 기능이 증폭기 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 기능이 변환 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 복수개의 제1터미날과 대응하는 복수개의 제2터미날 사이에서 복수개의 신호를 전송하기 위한 커넥터 장치에 있어서,
    (a) 복수개의 강체접점은 복수개의 제1터미날과 대응하는 복수개의 제2터미날을 전기 기계적으로 결합하고, 상기 복수개의 접점 중 미리 정해진 것들을 복수개의 신호 중 대응하는 것이 대응하는 제1터미날과 대응하는 제2터미날 사이에서 전송이 이루어지듯이 복수개의 신호 중 상응하는 것에 전기적으로 영향을 주기위해 형성된 창 내에 수납된 전기적 영향을 주는 수단으로 이루어지며;
    (b) 상기 복수개의 접점 각각이 복수개의 제1터미날을 대응하는 것에 의하여 결합 반응하여 상기 대응하는 접점의 움직임이 가능하도록 바이어스 수단이 상기 복수개의 접점과 결합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 전기적으로 영향을 주는 수단이 제어된 임피던스인 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 복수개의 접점 각각이 복수개의 제2터미날과 전기-기계적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 제어된 임피던스가,
    (a) 외측표면을 갖는 세라믹 기판;
    (b) 상기 외측표면의 제1부분 상에 침적되고 복수개의 제1터미날 중 대응하는 것과 결합되는 제1도체표면;
    (c) 상기 외측표면의 제2부분 상에 침적되고 상기 제1도체표면과는 전기적으로 전달이 이루어지지 아니하며, 복수개의 제2터미날 중 대응하는 것과 결합되는 제2도체표면; 및
    (d) 상기 제1도체표면과 결합된 제1터미날과 상기 제2도체표면과 결합된 제2터미널을 가지며 신호가 상기 구성요소에 형성된 창 내에 수납된 전기적으로 영향을 주는 수단에 의하여 상기 제1도체표면, 상기 제1터미날, 상기 제2터미날 및 상기 제2도체표면 간에 신호가 통과하는 구성요소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 구성요소가 이산요소로 이루어지는 것을 특징으르 하는 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 구성요소가 모놀리스 식으로 구성된 요소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 세라믹 기판이 상기 구성요소의 물리적 위치확보가 가능토록 내부에 리세스(recess)를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 제20항에 있어서,
    상기 제어된 임피던스가 복수개 접점의 제1접점과 복수개 접점의 제2접점에 의하여 제공되어지고, 상기 제1접점 및 상기 제2접점이 절연재료에 의하여 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 복수개의 제1터미날과 대응되는 복수개의 제2터미날 간에 복수개의 신호를 전송하기 위한 커넥터 장치에 있어서,
    (a)복수개의 강체접점은 복수개의 제1터미날과 대응하는 복수개의 제2터미날을 전기 기계적으로 결합하고, 상기 복수개의 접점 중 미리 정해진 것을 복수개의 신호 중 대응하는 것이 대응하는 제1터미날과 대응하는 제2터미날 사이에서 전송이 이루어지듯이 복수개의 신호 중 대응하는 것에 전기적으로 영향을 주기 위해 상기 복수개의 강체접점에 각각 형성된 창내에 수납된 전기적 영향 수단으로 구성되며;
    (b) 커넥터 장치가 조립된 후 복수개 접점 중 미리 정해진 것이 제1세트가 복수개 접점을 미리 정해진 것의 제2세트와 교환되어 커넥터장치가 이루어질 수 있도록 상기 복수개의 강체접점과 결합된 교환가능 수단; 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제1터미널과 제2터미널 간에 신호를 전송하기 위한 커넥터 장치에 있어서,
    제1터미날과 제2터미날이 전기-기계적으로 상호 접속되도록 하는 접점을 갖되 상기 접점은 적어도 3개의 인터페이스 포트를 가지며, 적어도 상기 세 개의 포트 중 제1포트는 제1터미널에 적어도 3게의 포트 중 제2포트는 제2터미널과 전기적으로 접속되며 상기 접점이 신호가 제1터미널과 제2터미널사이에서 전송되듯 신호를 전기적으로 영향을 주기 위해 전기전인 영향을 주는 수단을 제공하되 상기 전기적 영향을 주는 수단은 상기 접점에 형성된 창 내에 수납된 것과 상기 적어도 3개의 포트 중 미리 정해진 것에 전기적으로 접속되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 전기적으로 영향을 주는 수단이 전송라인 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 전송라인구조가 적어도 2개의 금속판으로 이루어지되, 상기 적어도 2개의 금속판이 절연재료에 의하여 전기적으로 분리되고, 적어도 2개의 금속판 각각은 접점의 적어도 세 개 포트 중 미리 정해진 것과 전기적으로 접속이 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 절연재료가 열적인 세팅 절연체 코팅(Thermal-Setting Dielectric Coating)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  32. 제30항에 있어서,
    상기 절연재료가 열가소성 절연체 코팅으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  33. 제30항에 있어서,
    상기 절연재료가 자연 성장 무기산화물 절연체 코팅으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  34. 제28항에 있어서,
    상기 전기적으로 영향을 주는 수단이 세 터미널 캐패시터 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  35. 제34항에 있어서,
    상기 세 터미널·캐패시터가 적어도 2개의 격리된 회로로 이루어지되, 적어도 상기 2개의 격리된 회로로 절연재료에 의하여 전기적으로 분리되고, 적어도 2개의 격리된 회로 각각은 접점의 적어도 3개의 포트 중 미리 정해진 것과 전기적으로 접속이 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 격리된 회로가 다층 박막필름공정을 거친 세라믹 기판상에 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  37. 복수개의 제1터미날과 복수개의 제2터미날 사이에서 복수의 신호를 전송하기 위한 커넥터 장치에 있어서,
    (a) 복수개의 접점이 복수개의 제1터미날과 복수개의 제2터미날을 전기-기계적으로 접속하고, 상기 복수개의 접점 중 미리 정해진 것은 적어도 세 개의 포트를 가지되, 대응하는 접점의 적어도 세 개의 포트 중 첫 번째 포트는 복수개의 제1 터미날 중 대응하는 것과 전기적으로 접속되며, 대응하는 접점의 적어도 세 개의 포트 중 두 번째 포트는 복수개의 제2터미날 중 대응하는 것과 전기적으로 접속되고;
    (b) 신호가 대응하는 제1터미날과 대응하는 제2터미날 사이에서 전송되듯이 전기적으로 영향을 주는 수단이 대응하는 신호에 전기적으로 영향을 주도록 상기 접점 중 상기 미리 정해진 것 각각과 결합되고, 상기 접점 각각에 형성된 창 내에 상기 대응하는 접점의 상기 적어도 3개의 포트 중 하나를 수납함에 의해 상기 대응하는 접점의 상기 적어도 세 개의 포트 중 미리 정해진 것과 전기적으로 접속이 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  38. 복수개의 제1터미날과 복수개의 제2터미날 사이에서 복수의 신호를 전송하기 위한 커넥터 장치에 있어서,
    (a) 내부에 형성된 적어도 하나의 접점수용슬롯을 가지고 있고, 상기 적어도 하나의 접점수용슬롯에 의하여 가로지르는 하나의 표면을 가지고 있으며, 상기 적어도 하나의 접점수용슬롯이 상응하는 리드와 간격이 유지된 터미널 사이에서 연장되는 축과 평행으로 연장되어지는 하우징과;
    (b) 상기 적어도 하나의 접점수용슬롯내부에 수용되고 리드에 이하여 결합될 수 있으며 간격이 유지된 터미널에 의하여 결합될 수 있고, 신호가 제1터미날과 제2터미날 사이에서 전송되듯이 전기적으로 신호에 영향을 주기 위한 수단을 제공하되 전기적으로 영향을 주는 수단이 상기 접점과 통합되는 접점; 으로 구성되어 장치의 리드와 리드로부터 일정거리 간격이 유지된 터미널이 전기적으로 상호 접속하기 위한 장치.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 전기적으로 영향을 주는 수단이 저항, 캐패시터, 인덕터, 다이오도, 트랜지스터, 표면탄성파필터 또는 게이트로 구성되는 그룹 중에서 선택된 요소로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  40. 제38항에 있어서,
    상기 전기적으로 영향을 주는 수단이 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치;.
  41. 제40항에 있어서,
    상기 회로가 전기적 기능을 실행하는 것을 특징으로 하는 장치.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 접점이 복수개의 터미널과 전기 기계적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  43. 제42항에 있어서,
    상기 기능이 스위치 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  44. 제42항에 있어서,
    상기 기능이 증폭기 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  45. 제42항에 있어서,
    상기 기능이 변환수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  46. 제38항에 있어서, 적어도 하나의 접점수용슬롯 각각이 복수개의 리드를 수용하는 것을 특징으로 하는 장치.
  47. 복수개의 제1터미날과 복수개의 제2터미날 사이에서 복수의 신호를 전송하기 위한 커넥터 장치에 있어서,
    (a) 내부에 형성된 적어도 하나의 접점수용슬롯을 가지고 있고, 적어도 하나의 접점수용슬롯에 의하여 가로지르는 하나의 표면을 가지고 있으며, 상기 적어도 하나의 접점슬롯이 대응하는 리드와 간격이 유지된 터미널 사이에서 연장되는 축과평행으로 연장되어지는 하우징;
    (b) 상기 적어도 하나의 접점수용슬롯내부에 수용되고 리드에 의하여 결합될 수 있으며 간격이 유지된 터미널에 의하여 결합될 수 있는 접점;
    (c) 상기 접점이 제1터미날에 의하여 결합되듯이 상기 접점과 결합되어지고 그들 반응에 따라 상기 접점의 운동이 가능하도록 한 바이어스 수단; 및
    (d) 신호가 상기 각 접점에 형성된 창 내에 수납된 것에 의하여 제1터미날과 제2터미날 사이에서 전송되어지듯이, 신호에 전기적으로 영향을 주도록 상기 접점과 결합되는 전기적으로 영향을 주는 수단;으로 구성되어 장치 리드와 리드로부터 일정거리 떨어진 터미널이 전기적으로 상호 접속하기 위한 장치.
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