JP2758321B2 - 回路基板 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子等の電子部
品を搭載する回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に回路基板は、アルミナセラミック
ス等の電気絶縁材料からなる絶縁基体を有している。そ
して、この絶縁基体表面には、電子部品が搭載される搭
載部と、搭載部に搭載される電子部品を外部電気回路に
接続するための複数のメタライズ配線パターンとが形成
されている。

【０００３】また、前記回路基板においては、メタライ
ズ配線パターンの下方に、絶縁体層を挟んで広面積の接
地パターンを配置することにより、マイクロストリップ
ライン構造としている。これにより、メタライズ配線パ
ターンの特性インピーダンスを一定にすることができ
る。前記のような回路基板においては、最近の電子装置
の小型化に伴って高密度実装の必要が生じ、メタライズ
配線パターンとしては、１０〜２００μｍ程度の幅の細
いパターンが使用される。一方、メタライズ配線パター
ンの端部には、電子部品の各電極と接続するために、ま
た外部電気回路と接続するためのフラットケーブルや同
軸ケーブルを接続するために、幅広の接続パッドが形成
される。この接続パッドは、作業の容易化及び接着の確
実性を考慮して、通常５００μｍ〜２０００μｍ程度の
幅に設定される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】特に高周波信号を取り
扱う回路基板では、前述のようなマイクロストリップラ
イン構造を採用してインピーダンスの整合を取り、信号
を歪みなく伝送するようにしなければならない。しか
し、前述のようにメタライズ配線パターンは１０〜２０
０μｍであり、その端部の接続パッドは５００〜２００
０μｍであるので、メタライズ配線パターンから接続パ
ッドに移行する部分でインダクタンスやグランドパター
ンとの間のキャパシタンスが変化し、インピーダンスが
不連続となって信号の歪みを生じさせてしまうという問
題がある。

【０００５】本発明の目的は、高密度実装したマイクロ
ストリップライン構造を有する回路基板において、イン
ピーダンスの不連続を抑えることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る回路基板
は、絶縁基体と、絶縁基体内部または表面に形成された
配線導体と、絶縁基体表面に配線導体に電気的に接続し
て形成され、配線導体に比較して幅広の接続パッドと、
絶縁基体に絶縁層を挟んで配線導体及び接続パッドと対
向するように配置された接地導体または電源導体とを備
えている。そして、前記接地導体または電源導体は、接
続パッドと対向する部分の幅が配線導体と対向する部分
の幅より狭く形成されている。

【０００７】

【作用】本発明に係る回路基板では、絶縁基体内部また
は表面に配線導体及びこの配線導体よりも幅広の接続パ
ッドが形成されており、また絶縁基体に絶縁層を挟んで
配線導体及び接続パッドと対向するように接地導体また
は電源導体が配置されており、マイクロストリップライ
ン構造となっている。

【０００８】このとき、接地導体または電源導体は、接
続パッドと対向する部分の幅が、配線導体と対向する部
分の幅より狭く形成されている。このため、配線導体よ
り幅広の接続パッドが形成されている場合にも、この接
続パッドと接地導体または電源導体によって形成される
マイクロストリップライン構造のインピーダンスが、配
線導体と接地導体または電源導体とによって形成される
マイクロストリップライン構造のインピーダンスとほぼ
同等となり、インピーダンスの不連続を抑えることがで
きる。

【０００９】

【実施例】図１に本発明の一実施例による回路基板の断
面図を示す。絶縁基体１は、上層の絶縁基体１ａと、下
層の絶縁基体１ｂとから構成されており、これらの絶縁
基体１ａ，１ｂはアルミナセラミックス等の電気絶縁材
料により周知の方法で製造されている。絶縁基体１ａの
表面にはメタライズ配線パターン２が形成されている。
このメタライズ配線パターン２は高周波信号を伝送する
ためのパターンであり、タングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末等によって形成されている。またこのパ
ターン幅は、高密度実装を可能とするために、１０〜２
００μｍの幅となっている。メタライズ配線パターン２
の一端（図１において左端）には、電子部品接続用のパ
ッド３が形成されており、この部品接続用パッド３に
は、半導体素子、抵抗素子あるいは容量素子等の電子部
品４が接続されている。一方、メタライズ配線パターン
２の他端部（図１において右端部）には、外部接続パッ
ド５が形成されている。外部接続パッド５には、外部電
気回路の同軸ケーブル６の一方の電極が接続される。

【００１０】部品接続パッド３及び外部接続パッド５
は、それぞれその幅が５００〜２０００μｍ程度に形成
されており、このような幅広に形成することにより電子
部品４や同軸ケーブル６との接続が容易となり、かつ接
続が強固なものとなる。なお、絶縁基体１ａの表面に
は、電子部品４及び同軸ケーブル６にそれぞれ接続され
る接地電極パターン７，８が形成されている。

【００１１】上層の絶縁基体１ａと下層の絶縁基体１ｂ
との間には、広面積の接地メタライズパターン９が形成
されている。この接地メタライズパターン９は、タング
ステン、モリブデン等の高融点金属粉末によって形成さ
れており、絶縁基体１ａを挟んでメタライズ配線パター
ン２、部品接続パッド３及び外部接続パッド５のそれぞ
れと対向している。このようにして、メタライズ配線パ
ターン２、各パッド３，５はマイクロストリップライン
化され、特性インピーダンスの安定化が図られている。
また、絶縁基体１ａ表面に形成された接地電極パターン
７，８は、それぞれスルーホール１０，１１を介して接
地メタライズパターン９に接続されている。

【００１２】接地メタライズパターン９は、図２にその
一部を示すように、部品接続パッド３及び外部接続パッ
ド５の下側部分のそれぞれに、開口部１２ａ，１２ｂが
形成されている。そして、この開口部１２ａ，１２ｂ間
の連絡部１３が部品接続パッド３及び外部接続パッド５
と対向している。ここで、連絡部１３の幅は、メタライ
ズ配線パターン２部分のインピーダンスと各パッド３，
５部分のインピーダンスとがほぼ同値となって、両者の
間のインピーダンス整合がとれるような値に設定され
る。

【００１３】このような構成の回路基板では、部品接続
パッド３及び外部接続パッド５の幅が広いにも拘らず、
これらのパッド３，５と対向する部分の接地メタライズ
パターン９（連絡部１３）は開口部１２ａ，１２ｂによ
って狭くなっており、開口１２ａ，１２ｂが形成されて
いない場合に比較してインピーダンスが大きくなる。こ
のため、幅の狭いメタライズ配線パターン２と接地メタ
ライズパターン９との間で形成されるインピーダンスと
ほぼ同様となり、メタライズ配線パターン２と各接続パ
ッド３，５との間の特性インピーダンスを整合させるこ
とが可能となる。

【００１４】したがって、このような回路基板に形成さ
れたメタライズ配線パターン２を伝送される高周波信号
は、歪みが小さくなる。 〔他の実施例〕 （ａ） 前記実施例では、絶縁基体１の表面に形成され
たメタライズ配線パターン２及び各パッド３，５と接地
メタライズパターン９との間のマイクロストリップライ
ン構造に本発明を適用したが、絶縁基体１の内部に配線
パターン及びパッドが形成され、接地パターンとマイク
ロストリップライン構造となっている場合にも、同様に
本発明を適用できる。

【００１５】また、メタライズ配線パターン２及び各パ
ッド３，５と電源パターンとの間において本発明を適用
することもできる。 （ｂ） 前記実施例では、接地パターンが絶縁層を挟ん
で配線パターンの下方にのみ形成されたマイクロストリ
ップライン構造に本発明を適用したが、接地パターンま
たは電源パターンが絶縁層を挟んで配線パターンの上下
両方に対向するように配置されたストリップライン構造
にも本発明を同様に適用できる。

【００１６】

【発明の効果】以上のように本発明では、接続パッド部
分と対向する接地パターンの幅を狭くし、配線パターン
部分のインピーダンスと接続パッド部分とのインピーダ
ンスとを整合させるようにしたので、高周波信号を少な
い歪みで伝送できる回路基板を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による回路基板の断面構成
図。

【図２】図１の分解斜視部分図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ 絶縁基体 ２ メタライズ配線パターン ３ 部品接続パッド ５ 外部接続パッド ９ 接地メタライズパターン １２ａ，１２ｂ 開口部 １３ 連絡部

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基体と、 前記絶縁基体内部または表面に形成された配線導体と、 前記絶縁基体表面に、前記配線導体に電気的に接続して
   形成され、前記配線導体に比較して幅広の接続パッド
   と、 前記絶縁基体に絶縁層を挟んで前記配線導体及び接続パ
   ッドと対向するように配置された接地導体または電源導
   体とを備え、 前記接地導体または電源導体は、前記接続パッドと対向
   する部分の幅が前記配線導体と対向する部分の幅より狭
   く形成されている、 回路基板。