KR100370547B1 - 투자율이 우수한 무방향성 전자강판 및 그 제조방법 - Google Patents

투자율이 우수한 무방향성 전자강판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

강 중에 중량 %로 0.1%≤Si≤1.0%, 0.1%≤Mn≤0.8%, 0.4%≤Al≤1.0%를 포함하고, 잔부가 Fe 및 불가피한 불순물로 되고, αγ변태를 가지며, 전기 저항률이 10×10-8Ωm 이상 32×10-8Ωm 이하이고, 투자율 μ15/60이 1500(Gauss/0e) 이상인 것을 특징으로 하는 투자율이 우수한 무방향성 전자강판 및 그의 제조방법.

Description

투자율이 우수한 무방향성 전자강판 및 그 제조방법{NON-ORIENTED ELECTRICAL STEEL SHEET EXCELLENT IN PERMEABILITY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME}
본 발명은 전기기기의 철심 재료로서 사용 가능한 투자율이 높고 우수한 자기 특성을 가진 무방향성 전자강판 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 전기기기, 특히 무방향성 전자강판이 그의 철심재료로 사용되고 있는 회전기와 중, 소형변압기 등의 분야에 있어서, 세계적으로 전력 및 다른 형태의 에너지 절감, 또는 프레온 가스 규제등의 지구 환경 보전 차원에서 고효율화의 동기가 급속히 확대되고 있다. 이로 인하여, 무방향성 전자강판에 대해서도, 그 특성 향상, 즉, 고투자율 무방향성 전자강판 요구가 점점 강화되고 있다.
종래, 무방향성 전자강판의 저 철손 효과는 일반적으로 Si 또는 Al등과 같은 함량을 증가하는 방법에 의존하였다. 이는 전기 저항의 증가가 와전류 손실을 감소시킨다는 원리를 바탕으로 하였다. 그러나, 이 방법은 불가피한 낮은 투자율의 단점을 가진다. 이러한 문제를 극복하기 위해서, 투자율과 철손 특성을 강화하기 위해 열간 압연 강판의 결정립경을 조대화하는 방법이 사용되었다.
한편, 변태를 가지는 무방향성 전자강판에서, 하나의 종래 실시가 α영역의 상한 부근에서 열간 압연을 종료하고, 그것에 의해 냉간 압연전 요구된 결정립경을 확보하고, 결과적으로, 제품의 투자율을 상승시킨다. 상기 형태의 관점에서, 일본 특개소 제 56(1981)-38420호에는 열간압연 종료 온도를 Ar3점과 Ar1점의 중간 온도 이상으로써 680℃ 이상의 온도로 권취하는 일에 따라 열간 압연 결정 조직의 조대화를 나타내는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 열간 압연 조건을 제어하므로써 독단적으로 성취될 수 있는 무방향성 전자강판의 투자율 개선이 제한을 받는다.
일차 재결정 조직을 개선시키므로써 무방향성 전자 강판의 투자율을 강화하기 위한 방법에 관하여서는, 일본 특개소 제 55(1980)-158252호 공보에 Sn 첨가를 개시하였고, 일본 특개소 제 62(1987)-180014호 공보에 Sn 및 Cu의 첨가를 개시하고 있으며 일본 특개소 59(1984)-100217호 공보에 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판을 제조하기 위해서 집합조직을 강화하기 위한 방법으로써 Sb의 첨가를 개시하고 있다. 그러나, Sn, Cu 및 Sb와 같은 집합조직 제어 원소를 첨가한 비용은 무시할 수 없다. 따라서 낮은 비용으로 무방향성 전자 강판을 제공하는 것은 한계가 있다.
일본 특개소 57(1982)-35626호 공보에 기재되어 있는 것 처럼 마무리 어닐링 사이클에 대한 연구와 같은 제조 공정시 실행된 측정은 철손 저하를 달성하였지만 투자율 개선을 향한 많은 효과는 얻지 못하였다.
본 발명가들은 종래 기술에 대하여 상술된 한계를 극복하기 위한 수단을 찾고자 상세한 분석을 행하였다. 상기 연구를 통하여 그들은 투자율과 철손이 우수한 무방향성 전자강판이 저합금 성분계를 이용하여, 제어 열간 압연을 행하고, 제한 범위내로 강의 전기 저항을 제어하므로써 제조될 수 있음을 발견하였다.
본 발명의 하나의 목적은 투자율이 우수한 무방향성 전자강판 및 무방향성 전자강판을 제조하기 위한 방법을 제공함으로써 종래 기술의 문제들을 극복하기 위한 것이다.
본 발명의 요지는 다음과 같다.
(1) 투자율이 우수한 무방향성 전자강판으로, 강은
중량 %로,
0.1% ≤ Si ≤ 1.0%
0.1% ≤ Mn ≤ 0.8%
0.4% ≤ Al ≤ 1.0%,
Fe 및 불가피한 불순물의 잔부를 포함하고,
αγ 변태를 가지며, 전기저항율이 10×10-8Ωm 이상 32×10-8Ωm 이하이고, 투자율 μ15/60이 1500 (Gauss/Oe) 이상이다.
(2) 무방향성 전자강판을 위한 열간 압연판으로, 강은
중량 %로,
0.1% ≤ Si ≤ 1.0%
0.1% ≤ Mn ≤ 0.8%
0.4% ≤ Al ≤ 1.0%,
Fe 및 불가피한 불순물의 잔부를 포함하고,
αγ 변태를 가지며, 전기저항율이 10×10-8Ωm 이상 32×10-8Ωm 이하이고, 열간 압연판 단면적에서 관찰된 입경의 재결정 집합조직이 5㎛ 이상 50㎛ 이하이고, 열간 압연판 단면적에서 관찰된 가공 조직의 면적율은 80% 이하다.
(3) 무방향성 전자강판을 위한 열간 압연판으로, 강은
중량 %로,
0.1% ≤ Si ≤ 1.0%
0.1% ≤ Mn ≤ 0.8%
0.4% ≤ Al ≤ 1.0%,
Fe 및 불가피한 불순물의 잔부를 포함하고,
αγ 변태를 가지며, 전기저항율이 10×10-8Ωm 이상 32×10-8Ωm 이하이고, 결정립경이 50㎛ 이상 500㎛ 이하다.
(4) 투자율이 우수한 무방향성 전자강판을 제조하기 위한 방법으로,
중량 %로,
0.1% ≤ Si ≤ 1.0%
0.1% ≤ Mn ≤ 0.8%
0.4% ≤ Al ≤ 1.0%,
Fe 및 불가피한 불순물의 잔부를 포함하고,αγ 변태를 가지며, 전기 저항율이 10×10-8Ωm 이상 32×10-8Ωm 이하인 강을,850℃ 내지 1050℃의 마무리 온도로 열간 압연하는 단계와,
(Ar3+ Ar1)/2 이하에서 권취하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투자율이 우수한 무방향성 전자강판 제조방법.
본 발명이 아래에 상세히 설명될 것이다.
본 발명가들은 저 철손과 높은 자속밀도를 동시에 달성할 수 있고 종래 기술의 문제점들을 극복하기 위해서 집중적인 연구를 행하였다. 결과적으로, 그들은 0.1 내지 1.0%의 Si, 0.4 내지 1.0%의 Al 및 0.1 내지 0.8%의 Mn을 함유한 강이 αγ 변태를 갖기 위한 성분으로 설계될 때, 변태를 가지는 무방향성 전자 강판의 경우에 있어서, 그 결과는 특이한 열간 압연 조직을 형성하기 위해 특별한 조건하에 제어 열간 압연되고, 상기 열간 압연판이 출발재로써 사용되고, 투자율과 철손 특성이 우수한 무방향성 전자강판이 제조될 수 있는 것을 도출하였다.
무방향성 전자 강판의 투자율을 개선하기 위해 사용된 종래 방법은 냉간 압연전 결정 조직을 조대화 한다. 본 발명에 따른 연구에서, 발명가들은 투자율의 추가 개선은 냉간 압연전 결정 조직을 조대화 하기 위한 열간 압연판 소둔을 행하므로써 얻어질 수 있는 것을 확인하였지만 그들은 추가로 열간 압연 소둔된 재료의 것과 비교할 수 있는 투자율을 가진 무방향성 전자 강판이 열간 압연 소둔이 행해지지 않을 시에도 본 발명에 의해 얻어질 수 있음이 발견되었다.
강 성분이 첫 번째 설명될 것이다.
실리콘(Si)은 강판의 고유 저항을 증대시켜 와류 손실을 낮추고 철손치를 개선하기 위해서 첨가된다. Si는 충분한 고유 저항이 0.1% 이하에서는 얻어질 수 없기 때문에 0.1% 이상의 함량으로 첨가되어야 한다. 또한, 상기 Si 함량은 1.0%를 초과한 함량에서 투자율이 감소되기 때문에 1.0% 이하로 제한되어야 한다.
Si와 같이 망간(Mn)은 강판의 고유 저항을 증가시키므로써 와류 손실을 낮추는 효과를 가진다. 0.1% 이상의 Mn 함량은 상기 효과를 얻기위해 필요하다. 또한 상기 Mn 함량은 투자율이 0.8%의 초과 함량에서 감소하기 때문에 0.8% 이하로 제한된다.
Si와 같이 알루미늄(Al)은 강판의 고유 저항을 증가시키므로써 와류 손실을 낮추는 효과를 가진다. 바람직하게 0.4% 이하는 저 철손이 바람직할 때 특별하게 첨가된다. 0.6% 이상의 Al 함량은 투자율을 상승시키고 전기 저항을 상승시키기 위해 바람직할 수 있다. 또한, 상기 Al 함량은 1.0%의 초과 함량에서 투자율이 감소하기 때문에 1.0% 이하로 제한되어야 한다.
강의 전기 저항성은 철손 특성이 10×10-8Ωm 이하에서 전기 저항성이 떨어지기 때문에 10×10-8Ωm 이상으로 한정되어야 한다. 상기 전기 저항성은 투자율이 32×10-8Ωm 이상의 전기 저항에서 떨어지기 때문에 32×10-8Ωm 이하로 한정되어야 한다.
P, B, Ni, Sn, Cu 및 Sb 중 하나 이상이 기계적 특성, 자성 특성 또는 제품의 내식성 또는 어떠한 다양한 다른 목적을 개선하기 위해서 강내에 함유될 수 있다. 상기 성분들의 첨가는 본 발명의 효과를 떨어뜨리지 않는다.
탄소(C)는 0.004% 이하로 제한되어야 한다. 상기 C 함량이 0.004%를 초과할 때, 철손 특성은 제품 사용시 발생하는 자기 시효에 의해 떨어지고, 또한, 불순물 원소와 함께 반응하므로써 생성된 탄화물들은 마무리 어닐링시 결정립 성장을 방해하고, 이는 철손 특성을 떨어뜨린다. 따라서, 상기 C 함량이 0.004% 이하로 제한되어야 한다.
황(S) 및 질소(N)는 열간 압연 단계에서 슬라브 가열시 일부 재고용된다. 이는 열간 압연시 MnS와 같은 황화물 및 AlN과 같은 질화물의 형성을 초래한다. 이러한 화합물들이 재결정 어닐링시 입자 성장을 방해하기 때문에, 바람직하게 S 및 N 함량은 0.003% 이하로 제한되어야 한다.
인(P)은 제품의 펀칭 특성을 개선하고, 0.1% 까지 첨가된다. P ≤ 0.2%일 때, 제품의 자성특성의 관점에서 문제를 일으키지 않는다.
본 발명의 공정 조건들이 아래에 설명되었다.
본 발명의 강은 αγ 변태를 가지기 때문에, 상기의 열간 압연 변형 저항은 열간 압연시 열간 압연 마무리 온도가 (Ar3+ Ar1)/2을 초과할 때 변동하는 경향이 있다. 이는 정확한 판 두께 내에서 우수한 열간 압연 강판을 얻는 것을 불가능하게 만들기 때문에, 열간 압연 마무리 온도는 (Ar3+ Ar1)/2 이하로 한정된다. 열간 압연 마무리 온도가 1050℃를 초과할 때, 650℃ 이하의 온도에서 권취는 어렵게된다. 따라서 열간 압연 마무리 온도의 상한이 1050℃ 또는 (Ar3+ Ar1)/2로 설정되었다. 열간 압연 마무리 온도가 850℃ 이하일 때, 압연은 열간 압연 변형 저항 증가로 어렵게된다. 따라서 하한이 850℃로 설정되었다.
상기에 설정된 성분을 가진 강 슬라브가 전로에서 용제 및 연소 주조와 조괴-분괴압연에 의해 제조되었다. 강 슬라브는 공지된 방법을 통해 가열되었다. 상기 가열된 슬라브는 규정 두께로 열간 압연되었다.
열간 압연판의 단면적에서 관찰된 재결정 조직의 평균 입경은 5㎛ 이상과 50㎛ 이하로 되어야 하고 열간 압연판 단면적의 압연 방향에서 얻어진 단면적내에서 관찰된 가공 조직의 면적율은 80% 이하로 되어야 한다. 열간 압연판의 입경이 5㎛ 이하일 때, 본 발명의 목적인 높은 투자율이 얻어질 수 없다. 따라서 열간 압연판의 재결정립의 입경은 5㎛ 이상으로 한정되어야 한다. 입경이 50㎛를 초과할 때, 높은 투자율은 가공 조직과 공존하여 얻어질 수 없다. 따라서 상한은 50㎛로 설정되었다.
본 발명에서, 열간 압연판 단면적의 압연 방향에서 얻어진 단면적내에서 관찰된 가공 조직의 면적율은 80% 이하로 되어야 한다.
상기 열간 압연판이 사용될 때, 우수한 투자율 μ15/60은 1500 Gauss/Oe 이상으로 단일 냉간 압연 및 어닐링에 의해 한정되었다.
가공 조직의 면적율이 80%를 초과할 때, 제품의 표면 상태는 압연 후 리징 (ridging)의 발생으로 악화된다. 따라서 상기 면적율은 80% 이하로 제한된다. 본 발명에 의해 한정된 성분을 가진 열간 압연판의 경우에서, 높은 투자율은 약간의 가공 조직이 잔존할 때 얻어지기 더 쉬워진다.
본 발명에 관계하여 사용된 것으로써, "가공 조직"은 높은 밀도로 존재한 전위를 가지며 에칭에 의해 흑색 및 압연에 생성된 신장된 입자들을 나타내는 조직의 일부로 언급된다. 본 발명에 관계하여 사용된 것으로써, "재결정 조직"은 등축립으로 구성된 조직을 의미한다.
상기 열간 압연판은 냉간 압연전 결정 조직을 조대화하기 위해 열간 압연판 소둔될 수 있다. 이 시기에, 열간 압연판의 입경은 50㎛ 이상과 500㎛이하로 되어야 한다. 열간 압연판 어닐링 후 열간 압연된 결정 조직의 입경은 50㎛ 이하일 때, 열간 압연판 어닐링 제품은 효과가 없다. 따라서 50㎛ 이상의 입경이 요구된다. 열간 압연판 어닐링 후 열간 압연된 결정 조직의 입경은 500㎛ 이상일 때, 냉간 압연 후 강판의 표면 조건은 떨어지게 된다. 따라서 입경의 상한이 500㎛ 이하로 한정되었다.
변태에 의해 입자 미세화를 방지하기 위해서, 바람직하게 열간 압연판 소둔은 Ac1점 이하 온도에서 행해져야 한다.
본 발명에 관계하여 사용된 것으로써, "투자율 μ15/60" 은 여자 자속밀도 1.5 Tesla, 주파수 60Hz에서 투자율을 자속밀도를 단위 Gauss, 여자 자계강도를 단위 Oe로써 측정하고, 자속밀도를 여자 자계강도로 나누어 얻어진 값을 이용하였다.
본 발명의 실시예가 아래에 기술되어졌다.
실시예 1
표 1에 나타내어진 성분의 슬라브가 무방향성 전자 강판들을 제조하기 위해 사용되었다. 각 슬라브는 보통 방법으로 가열되고 2.5mm의 최종 두께로 열간 압연되었다. 그 후 0.5mm의 최종 두께로 냉간 압연되었고 730℃에서 30 초동안 연속 어닐링 노에서 어닐링 되었다. 에프스틴(Epstein) 시편이 어닐링된 판으로부터 절단되었고 자기 특성이 측정되었다. 표 1은 발명예 및 비교예의 성분 및 측정된 투자율을 나타내었다.
C(%) Si(%) Mn(%) P(%) S(%) Al(%) N(%) 전기 저항성Ωm μ15/60(Gauss/Oe)
발명예1 0.0011 0.70 0.50 0.050 0.0009 0.60 0.0008 28.5 × 10-8 1560
발명예2 0.0014 0.80 0.45 0.050 0.0010 0.70 0.0009 30.8 × 10-8 1600
비교예1 0.0038 0.50 0.40 0.050 0.0010 1.20 0.0010 33.7 × 10-8 1310
비교예2 0.0009 1.25 0.35 0.050 0.0015 0.70 0.0009 35.4 × 10-8 1250
상기는 높은 투자율 및 우수한 자기 특성을 나타낸 무방향성 전자 강판이 본 발명에 의해 한정된 범위내로 떨어지는 성분을 가진 강의 사용에 의해 얻어질 수 있음을 보였다.
실시예 2
표 2에 나타내어진 성분의 슬라브가 무방향성 전자 강판들을 제조하기 위해 사용되었다. 각 슬라브는 보통 방법으로 가열되고 및 2.5mm의 최종 두께로 열간 압연되었다.
상기 열간 압연판은 그 후 산세처리되었고 0.50mm의 최종 두께로 냉간 압연되었다. 상기 냉간 압연판은 730℃에서 30 초동안 연속 어닐링 노에서 어닐링 되었다. 에프스틴(Epstein) 시편이 750℃에서 2 시간동안 수요가 상당의 어닐링된 어닐링 판으로부터 절단되었고, 그 후 자기 특성이 측정되었다.
표 3은 발명예 및 비교예의 열간 압연판 소둔 온도 및 측정된 자기 특성을 나타내었다. 상기 비교예들은 리징이 발생되었고 표면 상태의 뚜렷한 악화로 인하여 사용하기에 부적당하였다.
C(%) Si(%) Mn(%) P(%) S(%) Al(%) N(%) 전기 저항성Ωm
0.0011 0.75 0.50 0.010 0.0010 0.60 0.0011 29.1 × 10-8
열간 압연 결정 조직의 가공 조직 면적율(%) 열간 압연 재결정 조직의 입경(㎛) 자기 특성
μ15/60(Gauss/Oe) 비고
발명예발명예발명예비교예 0.010.5020.090.0 35302530 1650160015501640 리징발생
상기는 높은 투자율을 나타내는 강판이 적어도 가공 조직의 규정된 양을 가진 열간 압연판의 사용에 의해 제조될 수 있다.
실시예 3
표 2에 나타내어진 성분의 슬라브가 무방향성 전자 강판들을 제조하기 위해 사용되었다. 각 슬라브는 보통 방법으로 가열되고 2.5mm의 최종 두께로 열간 압연되었다.
상기 열간 압연판은 그 후 산세처리되었고 광휘 롤(bright roll)을 사용하여 0.50mm의 최종 두께로 냉간 압연되었다. 상기 냉간 압연판은 730℃에서 30 초동안 연속 어닐링 노에서 어닐링되었다. 에프스틴(Epstein) 시편이 750℃에서 2 시간동안 수요가 상당의 어닐링된 어닐링 판으로부터 절단되었고, 그 후 자기 특성이 측정되었다.
표 4는 발명예 및 비교예의 열간 압연판 소둔 온도 및 측정된 자기 특성을 나타내었다. 상기 비교예들은 투자율이 높지만 리징이 발생되었고 표면 상태의 뚜렷한 악화로 인하여 사용하기에 부적당하였다.
열간 압연 결정 조직의 가공 조직 면적율(%) 열간 압연 재결정 조직의 입경(㎛) 자기 특성
μ15/60(Gauss/Oe) 비고
발명예발명예발명예비교예 0.020.4522.088.0 36322729 2100209021502050 리징발생
상기는 높은 투자율을 나타내는 강판이 적어도 가공 조직의 규정된 양을 가진 열간 압연판의 사용에 의해 제조될 수 있다.
실시예 4
표 5에 나타내어진 성분의 슬라브가 무방향성 전자 강판들을 제조하기 위해 사용되었다. 각 슬라브는 보통 방법으로 가열되고 2.3mm의 최종 두께로 열간 압연되었다. 상기 열간 압연 판은 950℃의 Ac1점 이하의 온도에서 어닐링되었다. 상기 어닐링 시간은 냉간 압연전 다른 입경을 얻기 위해 변화되었다. 그 후 열간 압연판은 산세처리되었고 광휘 롤(bright roll)을 사용하여 0.50mm의 최종 두께로 냉간 압연되었다. 일부 냉간 압연판은 충분히 처리된(full-processed) 판 및 반처리된 (semi-processed) 판을 제조하기 위해 사용되었다. 상기 충분히 처리된 판은 730℃에서 30초동안 연속 어일링로에서 냉간 압연판을 어닐링하고 그 후 750℃에서 2 시간 동안 수요가 상당의 어닐링하므로써 얻어졌다. 상기 반 처리 강판은 700℃에서 20초동안 연속 어닐링로에서 냉간 압연판을 어닐링하고, 스킨-패스 (skin-pass) 압연에 의해 0.47mm의 최종 두께로 마무리하므로써 얻어졌다. 에프스틴(Epstein) 시편이 750℃에서 2 시간동안 수요가 상당의 어닐링되어, 각각 반처리 판으로부터 절단되었고, 그 후 자기 특성이 측정되었다.
표 6 및 7은 발명예와 비교예의 측정된 자기 특성을 나타내고 있다. 상기 비교예들은 표면 상태의 뚜렷한 악화로 인하여 사용하기에 부적당하였다.
C(%) Si(%) Mn(%) P(%) S(%) Al(%) N(%) Ti(%) 전기 저항성Ωm
0.0016 0.75 0.55 0.010 0.0010 0.65 0.0010 0.0010 30.0 × 10-8
충분히 처리된 판 냉간 압연전 조직의 입경 (㎛) 자기특성
μ15/60(Gauss/Oe) 비고
발명예발명예발명예비교예 6080150600 2300229023502250 표면성상악화
반 처리된 판 냉간 압연전 조직의 입경 (㎛) 자기특성
μ15/60(Gauss/Oe) 비고
발명예발명예발명예비교예 6080150600 2400235025502450 표면성상악화
상기는 높은 투자율 값을 가진 무방향성 전자강판이 적당한 입경을 얻기위한 열간 압연판 소둔 효과에 의해 제조될 수 있음을 관찰할 수 있었다.
실시예 5
표 5에 나타낸 성분의 슬라브가 무방향성 전자강판을 제조하기 위해 사용되었다. 각각의 슬라브는 보통 방법으로 가열되었고 2.3mm의 최종 두께로 열간압연되었다. 상기 열간 압연판은 950℃의 Ac1점 이하의 온도에서 어닐링되었다. 상기 어닐링 시간은 냉간 압연전 다른 입경을 얻기위해 변하였다.
그 후 각각의 어닐링된 판은 산세처리되었고 무딘 롤(dull roll)을 사용하여 0.50mm의 최종 두께로 냉간 압연되었다. 상기 냉간 압연판은 700℃에서 20초동안 연속 어닐링로에서 어닐링되었고 스킨-패스 압연에 의해 0.47mm의 최종 두께로 마무리되었다. 에프스틴(Epstein) 시편이 750℃에서 2 시간동안 수요가 상당의 어닐링되어, 각 판으로부터 절단되었고, 그 후 자기 특성이 측정되었다.
표 8은 발명예와 비교예의 열간 압연판 어닐링 온도 및 측정된 자기 특성을 나타내었다. 상기 비교예들은 표면 상태의 뚜렷한 악화로 인하여 사용하기에 부적당하였다.
충분히 처리된 판 냉간 압연전 조직의 입경 (㎛) 자기특성
μ15/60(Gauss/Oe) 비고
발명예발명예발명예비교예 75140250620 1650170018001790 표면성상악화
상기는 높은 투자율 값을 가진 무방향성 전자강판이 적당한 입경을 얻기위한 열간 압연판 소둔 효과에 의해 제조될 수 있음을 관찰할 수 있었다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 높은 투자율 및 우수한 자기 특성을 나타내는 무방향성 전자강판을 제조하는 일이 가능하다.

Claims (4)

  1. 강은, 중량 %로,
    0.1% ≤ Si ≤ 1.0%,
    0.1% ≤ Mn ≤ 0.8%,
    0.4% ≤ Al ≤ 1.0%,
    Fe 및 불가피한 불순물의 잔부를 포함하고,
    αγ 변태를 가지며, 전기저항율이 10×10-8Ωm 이상 32×10-8Ωm 이하이고, 투자율 μ15/60이 1500(Gauss/Oe) 이상인 것을 특징으로 하는 투자율이 우수한 무방향성 전자강판.
  2. 강은, 중량 %로,
    0.1% ≤ Si ≤ 1.0%
    0.1% ≤ Mn ≤ 0.8%
    0.4% ≤ Al ≤ 1.0%,
    Fe 및 불가피한 불순물의 잔부를 포함하고,
    αγ 변태를 가지며, 전기저항율이 10×10-8Ωm 이상 32×10-8Ωm 이하이고, 열간 압연판 단면적에서 관찰된 입경의 재결정 집합조직이 5㎛ 이상 50㎛ 이하이고, 열간 압연판 단면적에서 관찰된 가공 조직의 면적율이 80% 이하인 것을 특징으로 하는 무방향성 전자강판용 열간 압연판.
  3. 강은, 중량 %로,
    0.1% ≤ Si ≤ 1.0%
    0.1% ≤ Mn ≤ 0.8%
    0.4% ≤ Al ≤ 1.0%,
    Fe 및 불가피한 불순물의 잔부를 포함하고,
    αγ 변태를 가지며, 전기저항율이 10×10-8Ωm 이상 32×10-8Ωm 이하이고, 결정립경이 50㎛ 이상 500㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 무방향성 전자강판용 열간 압연판.
  4. 중량 %로,
    0.1% ≤ Si ≤ 1.0%
    0.1% ≤ Mn ≤ 0.8%
    0.4% ≤ Al ≤ 1.0%,
    Fe 및 불가피한 불순물의 잔부를 포함하고,
    αγ 변태를 가지며, 전기 저항율이 10×10-8Ωm 이상 32×10-8Ωm 이하인 강을,
    마무리 열간 압연에 있어서 850℃ 이상과 1050℃ 이하와 또한 (Ar3+ Ar1)/2 이하인 열간 마무리 온도에서 열간 압연하는 단계를 포함하는 투자율이 우수한 무방향성 전자강판 제조방법.
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