KR100327430B1 - Method for fabricating solid state image sensor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화상의 셰이딩(Shading) 불량을 방지하도록 한 고체 촬상 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 폴리 게이트를 형성한 후 ONO(Oxide Nitride Oxide)구조의 게이트 절연막중 산화막과 질화막을 선택적으로 제거하고, 페리영역에 불순물 이온을 주입하기 전에 전면에 HLD막 및 질화막을 형성함으로써 페리영역에 불순물 이온을 주입하기 위해 포토레지스트의 도포시 수광부위에 스피드 보트(Speed Boat) 현상에 의한 줄무늬가 HLD막위에 생겨도 금속 차광막을 형성하기 위해 금속층을 패터닝할 때에 상기 줄무뉘가 형성된 HLD막을 동시에 제거하는데 그 특징이 있다.The present invention relates to a method for manufacturing a solid-state imaging device to prevent poor shading of an image, and after removing a poly gate, selectively removes an oxide film and a nitride film from a gate insulating film of an oxide Nitride Oxide (ONO) structure, Before implanting impurity ions into the ferry region, an HLD film and a nitride film are formed on the entire surface to inject impurity ions into the ferry region. When the metal layer is patterned to form the light shielding film, the stripped HLD film is simultaneously removed.
Description
본 발명은 고체 촬상 소자에 관한 것으로, 특히 화상의 셰이딩(Shading) 현상 개선에 적당한 고체 촬상 소자의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid state image pickup device, and more particularly, to a method for manufacturing a solid state image pickup device suitable for improving the shading phenomenon of an image.
여기서 셰이딩 현상이란 화상의 비교적 넓은 범위에 걸친 명암의 얼룩을 말한다. 텔레비젼에서는 렌즈의 중심부와 주변부에서의 빛의 양의 불균일, 촬상관의 감도 불균일 등으로 발생하는데 그 밖에도 전송로의 저감(低減) 차단이나 수상기의 특성에 기인하는 것도 있다. 팩시밀리에서는 평면 주사에 있어서의 렌즈 및 원고 조사(照射) 광원의 중심부와 주변부의 빛의 양의 차, 고체 촬상 소자의 감도 불균 등으로 인하여 발생한다.Shading phenomenon here refers to spots of contrast over a relatively wide range of images. In televisions, it is caused by the unevenness of the amount of light at the center and the periphery of the lens, the unevenness of the sensitivity of the imaging tube, and the like, but also due to the reduction of the transmission path and the characteristics of the receiver. In the facsimile, it is caused by the difference in the amount of light in the center and the peripheral portion of the lens and the document irradiation light source in the planar scanning, the sensitivity unevenness of the solid-state image sensor, and the like.
일반적으로 고체 촬상 소자는 광전 변환 소자와 전하 결합 소자를 사용하여 피사체를 촬상하여 전기적인 신호로 출력하는 장치를 말한다.In general, a solid-state imaging device refers to a device that photographs a subject using an photoelectric conversion device and a charge coupling device to output an electrical signal.
전하 결합 소자는 마이크로 렌즈를 통하여 칼라필터층을 거쳐 광전 변환 소자(포토 다이오드)에서 생성되어진 신호 전하를 기판내에서 전위의 변동을 이용하여 특정 방향으로 전송하는데 사용된다.The charge coupling device is used to transfer the signal charge generated in the photoelectric conversion device (photodiode) through the color filter layer through the microlens in a specific direction by using the variation of the potential in the substrate.
고체 촬상 소자는 복수개의 광전 변환 영역(PD)과, 그 광전 변환 영역들의 사이에 구성되어 상기의 광전 변환 영역에서 생성되어진 전하를 수직 방향으로 전송하는 수직 전하 전송 영역(VCCD : Vertical CCD)과, 상기 수직 전하 전송 영역에 의해 수직 방향으로 전송된 전하를 다시 수평 방향으로 전송하는 수평 전하 전송 영역(HCCD : Horizontal CCD)과, 그리고 상기 수평 전송된 전하를 센싱하고 증폭하여 주변 회로로 출력하는 플로우팅 디퓨전 영역으로 크게 구성된다.The solid-state imaging device includes a plurality of photoelectric conversion regions PD, a vertical charge transfer region (VCCD: Vertical CCD) configured between the photoelectric conversion regions to transfer charges generated in the photoelectric conversion regions in a vertical direction; A horizontal charge transfer region (HCCD: Horizontal CCD) for transferring the charges transferred in the vertical direction by the vertical charge transfer region back to the horizontal direction, and a floating for sensing, amplifying, and outputting the horizontal transferred charges to a peripheral circuit. It is largely composed of a diffusion region.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 고체 촬상 소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a manufacturing method of a conventional solid-state imaging device will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1a 내지 도 1e는 종래의 고체 촬상 소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.1A to 1E are process cross-sectional views showing a conventional method for manufacturing a solid-state imaging device.
도 1a에 도시한 바와 같이, 픽셀(Pixel)영역과 페리(Pheri)영역으로 정의된 반도체 기판(11)의 픽셀영역에 선택적으로 불순물 이온을 주입하여 복수개의 전하 전송 영역(BCCD)(12) 및 포토 다이오드영역(PD)(13)들을 형성한다.As shown in FIG. 1A, a plurality of charge transfer regions (BCCDs) 12 are formed by selectively implanting impurity ions into a pixel region of a semiconductor substrate 11 defined as a pixel region and a ferri region. Photodiode regions PD 13 are formed.
이어, 상기 반도체 기판(11)의 전면에 ONO막으로 이루어진 게이트 절연막(14)을 형성하고, 상기 게이트 절연막상에 폴리 실리콘층을 형성한 후 상기 전하 전송 영역(12)들 상측에만 남도록 패터닝하여 폴리 게이트(15)를 형성한다.Subsequently, a gate insulating film 14 formed of an ONO film is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 11, a polysilicon layer is formed on the gate insulating film, and then patterned to remain only on the charge transfer regions 12. The gate 15 is formed.
여기서 상기 폴리 게이트(15)는 절연층(도면에는 도시되지 않음)에 의해 서로 분리 구성되어 인가되는 클럭 신호에 의해 영상 전하를 일방향으로 이동시키는 제 1, 제 2 폴리 게이트를 형성한다.In this case, the poly gates 15 are separated from each other by an insulating layer (not shown) to form first and second poly gates which move image charges in one direction by a clock signal applied thereto.
상기 제 1, 제 2 폴리 게이트에서 어느 한 폴리 게이트는 도시되지 않았고, 상기 제 1, 제 2 폴리 게이트들은 서로 오버랩되고 트랜스퍼 클럭 신호가 인가되는 폴리 게이트는 포토다이오드 영역에 일부분이 오버랩되게 형성한다.One poly gate is not shown in the first and second poly gates, and the first and second poly gates overlap each other, and a poly gate to which a transfer clock signal is applied is formed to partially overlap the photodiode region.
도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(14)중 포토 다이오드영역(13) 부분과 오믹콘택(Ohmic Contact)부분의 산화막과 질화막을 제거하기 위해 마스크 작업을 실시하여 질화막을 스톱퍼(Stopper)로하여 산화막을 제거하고, 계속해서 질화막을 제거한다.As shown in FIG. 1B, a mask operation is performed to remove the oxide film and the nitride film of the photodiode region 13 and the ohmic contact portion of the gate insulating film 14, and the nitride film is a stopper. To remove the oxide film and subsequently to remove the nitride film.
이는 상기 포토 다이오드영역(13) 부분에 미치는 데미지를 최소화시킨다.This minimizes the damage to the portion of the photodiode region 13.
이어, 상기 반도체 기판(11)의 전면에 포토레지스트(16)를 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 상기 픽셀영역에만 포토레지스트(16)가 남도록 패터닝한다.Subsequently, after the photoresist 16 is coated on the entire surface of the semiconductor substrate 11, the photoresist 16 is patterned so that the photoresist 16 remains only in the pixel region in an exposure and development process.
그리고 상기 패터닝된 포토레지스트(16)를 마스크로 이용하여 페리영역에 n형 또는 p형 불순물 이온을 주입하여 산화막과 질화막이 제거된 반도체 기판(11)의 표면내에 오믹콘택 영역(17)을 형성한다.The n-type or p-type impurity ions are implanted into the ferry region using the patterned photoresist 16 as a mask to form an ohmic contact region 17 on the surface of the semiconductor substrate 11 from which the oxide film and the nitride film are removed. .
도 1c에 도시한 바와 같이, 상기 포토레지스트(16)를 제거하고, 상기 폴리 게이트(15)의 표면에 층간 절연막(18)을 형성하고, 상기 층간 절연막(18)을 포함한 전면에 HLD(High temperature Low pressure Deposition)막(19)을 2000Å 두께로 형성하며, 상기 HLD막(19)상에 질화막(20)을 1100Å 두께로 형성한다.As shown in FIG. 1C, the photoresist 16 is removed, an interlayer insulating film 18 is formed on the surface of the poly gate 15, and HLD (High temperature) is formed on the entire surface including the interlayer insulating film 18. Low pressure deposition) film 19 is formed to a thickness of 2000 kPa, the nitride film 20 is formed on the HLD film 19 to 1100 kPa thick.
도 1d에 도시한 바와 같이, OTR(Optical Tayloring) 마스크 작업을 실시하여 CDE(Chemical Dry Etching)를 이용해 페리영역의 질화막(20)을 선택적으로 제거하고, 전면에 BPSG막(21)을 형성한 후 페리영역의 상기 BPSG막(21) 및 HLD막(19)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하며, 상기 콘택홀의 내부 및 그에 인접한 BPSG막(21)상에 금속배선(22)을 형성한다.As shown in FIG. 1D, after performing OTR (Optical Tayloring) mask to selectively remove the nitride film 20 of the ferry region using CDE (Chemical Dry Etching), and after forming the BPSG film 21 on the front surface A contact hole is formed by selectively removing the BPSG film 21 and the HLD film 19 in the ferry region, and a metal wiring 22 is formed on the BPSG film 21 inside and adjacent to the contact hole.
도 1e에 도시한 바와 같이, 상기 반도체 기판(11)의 픽셀영역의 BPSG막(21) 및 질화막(20)을 선택적으로 제거하고, 상기 포토다이오드 영역(13)들 이외의 영역에 빛이 조사되는 것을 방지하기 위하여 전면에 금속층을 형성한 후 패터닝하여 상기 폴리 게이트(15)를 감싸도록 금속 차광층(23)을 형성한다.As shown in FIG. 1E, the BPSG film 21 and the nitride film 20 of the pixel region of the semiconductor substrate 11 are selectively removed, and light is irradiated to a region other than the photodiode regions 13. In order to prevent this, a metal layer is formed on the entire surface, and then patterned to form a metal light shielding layer 23 to surround the poly gate 15.
이후 공정은 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 금속 차광층(23)을 포함한 반도체 기판(11)의 전면에 평탄화막을 형성하고, 상기 평탄화막상에 상기 포토 다이오드영역(13)과 대응하게 마이크로 렌즈를 형성한다.Although not shown in the drawings, a planarization film is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 11 including the metal light blocking layer 23, and a microlens is formed on the planarization film to correspond to the photodiode region 13. .
한편, 종래의 고체 촬상 소자의 제조방법에서는 게이트 절연막(14)중 상부의 산화막과 질화막이 선택적으로 제거되어 표면에 단차가 발생한다.On the other hand, in the conventional method of manufacturing a solid-state imaging device, an oxide film and a nitride film of the upper portion of the gate insulating film 14 are selectively removed to generate a step on the surface.
이는 이후 진행되는 포토 공정중 포토레지스트 코팅(Coating)시 패턴 단차에 의해 스피드 보트 현상이 발생하고, 웨이퍼 전체적으로는 도 2에서와 같이 줄무늬(Striation)가 나타난다.This is caused by the speed boat phenomenon due to the pattern step during the photoresist coating (Coating) during the subsequent photo process, and the entire stripe as shown in Figure 2 (Striation) appears.
즉, 도 2는 포토레지스트 도포시 발생하는 줄무늬 형태를 나타낸 도면이다.That is, FIG. 2 is a view showing a stripe shape generated when the photoresist is applied.
그러나 상기와 같은 종래의 고체 촬상 소자의 제조방법에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.However, in the conventional method for manufacturing a solid-state imaging device as described above has the following problems.
즉, 폴리 게이트를 형성한 후 게이트 절연막을 구성하는 질화막을 제거하면 수광 부위가 기판의 표면 위에 산화막이 잔존하는 형태로 남게 되는데, 이후 포토 공정중 포토레지스트 코팅시 패턴 단차에 의해 스피드 보트(Speed Boat) 현상이 발생하고, 웨이퍼 전체적으로는 도 2에서와 같이 줄무늬(Striation)가 나타난다.That is, if the nitride film constituting the gate insulating film is removed after the poly gate is formed, the light receiving portion remains in the form of an oxide film remaining on the surface of the substrate. ) Phenomenon, and the stripe appears as shown in FIG.
이것은 포토레지스트를 제거한 후에도 이 모양 그대로 산화막위에 얼룩처럼 남게 되며, 이후 스텝의 포토 공정이 진행될수록 보다 선명하게 나타나기 때문에 칩을 화상 검사하면 셰이딩이 발생한다.This remains as a stain on the oxide film even after the photoresist is removed. As the photo process of the step proceeds more clearly, the shading occurs when the chip is inspected.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 포토레지스트 코팅(Coating)시 발생되는 줄무늬가 있는 수광부위의 절연막을 금속 차광막 형성시 동시에 제거하여 화상의 셰이딩 불량을 방지하도록 한 고체 촬상 소자의제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and solid-state imaging to prevent the shading defects of the image by simultaneously removing the insulating film of the light-receiving region with streaks generated during photoresist coating (Coating) when forming the metal light shielding film Its purpose is to provide a method for manufacturing a device.
도 1a 내지 도 1e는 종래의 고체 촬상 소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도1A to 1E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a conventional solid-state imaging device.
도 2는 포토레지스트 도포시 발생하는 줄무늬 형태를 나타낸 도면2 is a view showing a stripe shape generated when applying a photoresist
도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 의한 고체 촬상 소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of drawings
31 : 반도체 기판 32 : 전하 전송 영역31 semiconductor substrate 32 charge transfer region
33 : 포토 다이오드영역 34 : 게이트 절연막33 photodiode region 34 gate insulating film
35 : 폴리 게이트 36 : 층간 절연막35 poly gate 36 interlayer insulating film
37 : HLD막 38 : 질화막37: HLD film 38: nitride film
39 : 포토레지스트 40 : 오믹콘택 영역39: photoresist 40: ohmic contact area
41 : BPSG막 42 : 금속배선41: BPSG film 42: metal wiring
43 : 금속 차광막43: metal light shielding film
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 고체 촬상 소자의 제조방법은 픽셀영역과 페리영역으로 정의된 반도체 기판의 픽셀영역에 복수개의 전하 전송 영역 및 포토 다이오드영역을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판상에 산화막-질화막-산화막으로 적층된 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막상에 상기 전하 전송 영역과 대응하게 폴리 게이트를 형성하는 단계와, 상기 표면이 노출된 게이트 절연막중 상부의 산화막과 질화막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 반도체 기판의 전면에 HLD막 및 질화막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판의 페리영역의 질화막 및 HLD막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 반도체 기판의 페리영역의 소정부분에 불순물 이온을 주입하여 오믹콘택 영역을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판의 전면에 BPSG막을 형성하고 페리영역의 BPSG막을 선택적으로 제거하여 오믹콘택 영역의 표면이 소정부분 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀내부 및 그에 인접한 BPSG막상에 금속배선을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판의 픽셀영역의 BPSG막 및 질화막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 폴리 게이트를 감싸도록 HLD막상에 금속 차광막을 선택적으로 형성함과 동시에 노출된 HLD막을 표면으로부터 소정두께만큼 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solid-state imaging device, the method comprising: forming a plurality of charge transfer regions and a photodiode region in a pixel region of a semiconductor substrate defined by a pixel region and a ferry region; Forming a gate insulating film stacked on the substrate with an oxide-nitride-oxide film; forming a poly gate on the gate insulating film corresponding to the charge transfer region; And selectively removing the nitride film, forming an HLD film and a nitride film on the entire surface of the semiconductor substrate, selectively removing the nitride film and the HLD film of the ferry region of the semiconductor substrate, and the ferry of the semiconductor substrate. Implanting impurity ions into a predetermined portion of the region to form an ohmic contact region; Forming a BPSG film on the front surface of the conductor substrate and selectively removing the BPSG film of the ferry region to form a contact hole to expose a portion of the ohmic contact region; and forming a metal wiring on the BPSG film inside and adjacent to the contact hole Selectively removing the BPSG film and the nitride film of the pixel region of the semiconductor substrate, selectively forming a metal light shielding film on the HLD film so as to surround the poly gate, and simultaneously exposing the exposed HLD film by a predetermined thickness from the surface thereof. It characterized by including the step of removing.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 고체 촬상 소자의 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention with reference to the accompanying drawings in detail as follows.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 의한 고체 촬상 소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.3A to 3E are cross-sectional views showing a method of manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention.
도 3a에 도시한 바와 같이, 픽셀(Pixel)영역과 페리(Pheri)영역으로 정의된 반도체 기판(31)의 픽셀영역에 선택적으로 불순물 이온을 주입하여 복수개의 전하 전송 영역(BCCD)(32) 및 포토 다이오드영역(PD)(33)들을 형성한다.As shown in FIG. 3A, a plurality of charge transfer regions (BCCDs) 32 are formed by selectively implanting impurity ions into a pixel region of a semiconductor substrate 31 defined as a pixel region and a ferri region. Photodiode regions PD 33 are formed.
이어, 상기 반도체 기판(31)의 전면에 ONO막으로 이루어진 게이트 절연막(34)을 형성하고, 상기 게이트 절연막상에 폴리 실리콘층을 형성한 후 상기 전하 전송 영역(32)들 상측에만 남도록 패터닝하여 폴리 게이트(35)를 형성한다.Subsequently, a gate insulating film 34 formed of an ONO film is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 31, and a polysilicon layer is formed on the gate insulating film, and then patterned to remain only above the charge transfer regions 32. The gate 35 is formed.
여기서 상기 폴리 게이트(35)는 절연층(도면에는 도시되지 않음)에 의해 서로 분리 구성되어 인가되는 클럭 신호에 의해 영상 전하를 일방향으로 이동시키는 제 1, 제 2 폴리 게이트를 형성한다.Here, the poly gate 35 is formed by an insulating layer (not shown) to form first and second poly gates which move image charge in one direction by a clock signal applied thereto.
상기 제 1, 제 2 폴리 게이트에서 어느 한 폴리 게이트는 도시되지 않았고, 상기 제 1, 제 2 폴리 게이트들은 서로 오버랩되고 트랜스퍼 클럭 신호가 인가되는 폴리 게이트는 포토다이오드 영역에 일부분이 오버랩되게 형성한다.One poly gate is not shown in the first and second poly gates, and the first and second poly gates overlap each other, and a poly gate to which a transfer clock signal is applied is formed to partially overlap the photodiode region.
도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 폴리 게이트(35)의 표면에 층간 절연막(36)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(34)중 포토 다이오드영역(33) 부분과 오믹콘택(Ohmic Contact)부분의 산화막과 질화막을 제거하기 위해 마스크 작업을 실시하여 질화막을 스톱퍼(Stopper)로하여 산화막을 제거하고, 계속해서 질화막을 제거한다.As shown in FIG. 3B, an interlayer insulating film 36 is formed on the surface of the poly gate 35, and an oxide film of a portion of the photodiode region 33 and an ohmic contact portion of the gate insulating film 34 is formed. In order to remove the nitride film, a mask operation is performed to remove the oxide film using the nitride film as a stopper, and the nitride film is subsequently removed.
이는 상기 포토 다이오드영역(33) 부분에 미치는 데미지를 최소화시킨다.This minimizes the damage to the portion of the photodiode region 33.
도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 층간 절연막(36)을 포함한 전면에 HLD(Hightemperature Low pressure Deposition)막(37)을 2000Å 두께로 형성하며, 상기 HLD막(37)상에 질화막(38)을 1100Å 두께로 형성하고, 상기 질화막(38)상에 포토레지스트(39)를 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 상기 픽셀영역에만 포토레지스트(39)가 남도록 패터닝한다.As shown in FIG. 3C, a high temperature low pressure deposition (HLD) film 37 is formed on the entire surface including the interlayer insulating film 36 to a thickness of 2000 kPa, and a nitride film 38 is formed on the HLD film 37. After forming the film, the photoresist 39 is applied onto the nitride film 38, and then patterned so that the photoresist 39 remains only in the pixel region by exposure and development.
이어, 패터닝된 포토레지스트(39)를 마스크로 이용하여 상기 페리영역의 질화막(38) 및 HLD막(37)을 선택적으로 제거한다.Next, the nitride film 38 and the HLD film 37 of the ferry region are selectively removed using the patterned photoresist 39 as a mask.
그리고 페리영역에 n형 또는 p형 불순물 이온을 주입하여 산화막과 질화막이 제거된 반도체 기판(31)의 표면내에 오믹콘택 영역(40)을 형성한다.The n-type or p-type impurity ions are implanted into the ferry region to form an ohmic contact region 40 on the surface of the semiconductor substrate 31 from which the oxide film and the nitride film are removed.
도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 포토레지스트(39)를 제거하고, 전면에 BPSG막(41)을 형성한 후 픽셀영역의 상기 BPSG막(41)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하며, 상기 콘택홀의 내부 및 그에 인접한 BPSG막(41)상에 상기 오믹콘택 영역(40)과 연결되는 금속배선(42)을 형성한다.As shown in FIG. 3D, the photoresist 39 is removed, the BPSG film 41 is formed on the entire surface, and then the contact hole is formed by selectively removing the BPSG film 41 in the pixel region. A metal wiring 42 connected to the ohmic contact region 40 is formed on the BPSG film 41 in the contact hole and adjacent thereto.
도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 반도체 기판(31)의 픽셀영역의 BPSG막(41) 및 질화막(38)을 선택적으로 제거하고, 상기 포토다이오드 영역(33)들 이외의 영역에 빛이 조사되는 것을 방지하기 위하여 전면에 금속층을 형성한 후 패터닝하여 상기 폴리 게이트(35)를 감싸도록 금속 차광층(43)을 형성한다.As shown in FIG. 3E, the BPSG film 41 and the nitride film 38 of the pixel region of the semiconductor substrate 31 are selectively removed, and light is irradiated to a region other than the photodiode regions 33. In order to prevent this, a metal layer is formed on the entire surface, and then patterned to form a metal light shielding layer 43 to surround the poly gate 35.
여기서 상기 금속 차광층(43)을 형성하기 위하여 금속층을 패터닝할 때 HLD막(37)도 상부 표면으로부터 소정두께만큼 제거된다. 즉, 포토레지스트 코팅시 수광부위에 스피드 로트 현상에 의한 줄무늬 얼룩이 HLD막(37)위에 생겨도 금속 차광막(43) 형성시 이 HLD막(37)이 동시에 식각된다.In this case, when the metal layer is patterned to form the metal light shielding layer 43, the HLD film 37 is also removed from the upper surface by a predetermined thickness. That is, even if streaks due to the speed lot phenomenon occur on the light-receiving portion during the photoresist coating, the HLD film 37 is simultaneously etched when the metal light shielding film 43 is formed.
이후 공정은 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 금속 차광층(43)을 포함한 반도체 기판(31)의 전면에 평탄화막을 형성하고, 상기 평탄화막상에 상기 포토 다이오드영역(33)과 대응하게 마이크로 렌즈를 형성한다.Although not shown in the drawings, a planarization film is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 31 including the metal light blocking layer 43, and a microlens is formed on the planarization film to correspond to the photodiode region 33. .
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 고체 촬상 소자의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the manufacturing method of the solid-state imaging device according to the present invention has the following effects.
즉, 폴리 게이트를 형성한 후 패턴 단차에 의해 포토레지스트의 도포시 수광부위에 스피드 보트 현상에 의한 줄무늬가 HLD막위에 생겨도 금속 차광막을 형성하기 위해 금속층을 패터닝할 때에 이 HLD막이 동시에 제거됨으로써 줄무늬를 함께 제거할 수 있기 때문에 칩의 화상에 셰이딩 불량을 방지할 수 있다.That is, even if streaks due to speed boat phenomenon appear on the light-receiving site when the photoresist is applied by the pattern step after forming the poly gate, the HLD film is simultaneously removed when the metal layer is patterned to form the metal light shielding film. Since it can be removed, it is possible to prevent a poor shading on the image of the chip.
Claims (1)
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| KR1019990035980A KR100327430B1 (en) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | Method for fabricating solid state image sensor |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990035980A KR100327430B1 (en) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | Method for fabricating solid state image sensor |
Publications (2)
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|---|---|
| KR20010019538A KR20010019538A (en) | 2001-03-15 |
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ID=19609026
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR19990039832A (en) * | 1997-11-14 | 1999-06-05 | 구본준 | Manufacturing Method of Semiconductor Device |
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1999
- 1999-08-27 KR KR1019990035980A patent/KR100327430B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990039832A (en) * | 1997-11-14 | 1999-06-05 | 구본준 | Manufacturing Method of Semiconductor Device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010019538A (en) | 2001-03-15 |
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