KR100308502B1 - 고전압 발생장치 - Google Patents
고전압 발생장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100308502B1 KR100308502B1 KR1019990025380A KR19990025380A KR100308502B1 KR 100308502 B1 KR100308502 B1 KR 100308502B1 KR 1019990025380 A KR1019990025380 A KR 1019990025380A KR 19990025380 A KR19990025380 A KR 19990025380A KR 100308502 B1 KR100308502 B1 KR 100308502B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pumping
- high voltage
- generating
- pulse signal
- level detecting
- Prior art date
Links
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 119
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
- 고전압의 전위레벨을 검출하는 레벨 검출수단과, 고전압 펌핑제어를 위한 소정의 펄스신호를 주기적으로 발생시키는 제1 발진수단 및, 상기 펄스신호의 제어하에 고전압 펌핑동작을 수행하는 제1 펌핑수단을 구비한 고전압 발생장치에 있어서;상기 레벨 검출수단 출력신호의 활성화 시간길이에 따라 고전압의 전위하강 정도를 판단하여 그 판단결과에 따라 펌핑 구동능력의 증감을 조절하는 펌핑 인에이블 제어신호를 발생시키는 펌핑 구동능력 조절수단과,상기 펌핑 구동능력 조절수단의 출력단에 연결되며, 상기 펌핑 인에이블 제어신호의 활성화여부에 따라 고전압 펌핑제어를 위한 소정의 펄스신호를 주기적으로 발생시키는 제2 발진수단과,상기 제2 발진수단으로부터 발생되는 펄스신호의 제어하에 고전압 펌핑동작을 수행하는 제2 펌핑수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 펌핑 구동능력 조절수단은 상기 레벨 검출수단의 출력신호를 전달받아 소정의 시간동안 딜레이시켜 전달하는 딜레이부와,상기 딜레이부의 출력신호와 상기 레벨 검출수단의 출력신호를 앤드조합하는 논리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 딜레이부는 상호 직렬연결된 다수의 인버터로 구성하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 논리부는 상호 직렬연결된 낸드게이트와 인버터로 구성하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
- 고전압의 전위레벨을 검출하는 레벨 검출수단과, 고전압 펌핑제어를 위한 소정의 펄스신호를 주기적으로 발생시키는 발진수단 및, 상기 펄스신호의 제어하에 고전압 펌핑동작을 수행하는 제1 펌핑수단을 구비한 고전압 발생장치에 있어서;상기 레벨 검출수단 출력신호의 활성화 시간길이에 따라 고전압의 전위하강 정도를 판단하여 그 판단결과에 따라 펌핑 구동능력의 증감을 조절하는 펌핑 인에이블 제어신호를 발생시키는 펌핑 구동능력 조절수단과,상기 펌핑 구동능력 조절수단의 출력단에 연결되며, 상기 펌핑 인에이블 제어신호와 상기 발진수단으로부터 발생되는 펄스신호를 조합하여 펌핑제어용 펄스신호를 발생시키는 펄스 발생수단과,상기 펄스 발생수단으로부터 발생되는 펄스신호의 제어하에 고전압 펌핑동작을 수행하는 제2 펌핑수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 펄스 발생수단은 앤드조합 논리소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 펌핑 구동능력 조절수단은 상기 레벨 검출수단의 출력신호를 전달받아 소정의 시간동안 딜레이시켜 전달하는 딜레이부와,상기 딜레이부의 출력신호와 상기 레벨 검출수단의 출력신호를 앤드조합하는 논리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 딜레이부는 상호 직렬연결된 다수의 인버터로 구성하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 논리부는 상호 직렬연결된 낸드게이트와 인버터로 구성하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990025380A KR100308502B1 (ko) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 고전압 발생장치 |
US09/603,050 US6320457B1 (en) | 1999-06-29 | 2000-06-26 | High level voltage generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990025380A KR100308502B1 (ko) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 고전압 발생장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010004677A KR20010004677A (ko) | 2001-01-15 |
KR100308502B1 true KR100308502B1 (ko) | 2001-11-01 |
Family
ID=19597088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990025380A KR100308502B1 (ko) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 고전압 발생장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6320457B1 (ko) |
KR (1) | KR100308502B1 (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100348215B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2002-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고전압 발생 회로 |
US6737907B2 (en) * | 2001-07-03 | 2004-05-18 | International Business Machines Corporation | Programmable DC voltage generator system |
JP2003022686A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
KR100456595B1 (ko) | 2002-04-25 | 2004-11-09 | 삼성전자주식회사 | 이중 전압 포트를 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는메모리 시스템 |
KR100432890B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2004-05-22 | 삼성전자주식회사 | 안정적으로 승압 전압을 발생하는 승압 전압 발생 회로 및그 승압 전압 제어 방법 |
KR100549345B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고전압 공급 회로 및 고전압 공급 방법 |
KR100576924B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2006-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고전압 발생 회로 |
KR100642631B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 전압 발생회로 및 이를 구비한 반도체 메모리 장치 |
JP4728777B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2011-07-20 | 株式会社東芝 | 電源回路 |
KR100728904B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-06-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 발생기 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
KR100780768B1 (ko) * | 2006-04-12 | 2007-11-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고전압 펌핑장치 |
US7852140B2 (en) * | 2008-08-08 | 2010-12-14 | Hynix Semiconductor Inc. | Internal voltage generation circuit and method thereof |
TWI481163B (zh) * | 2012-02-24 | 2015-04-11 | Novatek Microelectronics Corp | 充電幫浦裝置及其驅動能力調整方法 |
US8872552B2 (en) * | 2012-09-29 | 2014-10-28 | Infineon Technologies Austria Ag | High-side semiconductor-switch low-power driving circuit and method |
US10673147B2 (en) | 2016-11-03 | 2020-06-02 | Kymeta Corporation | Directional coupler feed for flat panel antennas |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2634241B2 (ja) | 1989-05-26 | 1997-07-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH05342868A (ja) | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | バックバイアス電圧発生装置 |
US5337284A (en) | 1993-01-11 | 1994-08-09 | United Memories, Inc. | High voltage generator having a self-timed clock circuit and charge pump, and a method therefor |
JPH06282985A (ja) | 1993-03-30 | 1994-10-07 | Hitachi Ltd | ダイナミック型ram |
JP2746117B2 (ja) | 1993-05-25 | 1998-04-28 | 日本電気株式会社 | 基板バイアス回路 |
US6031411A (en) * | 1993-06-28 | 2000-02-29 | Texas Instruments Incorporated | Low power substrate bias circuit |
US5511026A (en) | 1993-12-01 | 1996-04-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Boosted and regulated gate power supply with reference tracking for multi-density and low voltage supply memories |
KR0142403B1 (ko) | 1994-12-20 | 1998-07-15 | 김광호 | 반도체 메모리장치의 전원승압회로 |
US5602794A (en) * | 1995-09-29 | 1997-02-11 | Intel Corporation | Variable stage charge pump |
JPH10247386A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 昇圧電位供給回路及び半導体記憶装置 |
KR100273208B1 (ko) | 1997-04-02 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체메모리장치의고효율전하펌프회로 |
KR100293637B1 (ko) * | 1998-10-27 | 2001-07-12 | 박종섭 | 드레인 전압 펌핑 회로 |
-
1999
- 1999-06-29 KR KR1019990025380A patent/KR100308502B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-06-26 US US09/603,050 patent/US6320457B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010004677A (ko) | 2001-01-15 |
US6320457B1 (en) | 2001-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100308502B1 (ko) | 고전압 발생장치 | |
US6249445B1 (en) | Booster including charge pumping circuit with its electric power consumption reduced and method of operating the same | |
US6853567B2 (en) | Pumping voltage generator | |
US6097653A (en) | Circuit and method for selectively overdriving a sense amplifier | |
EP2562934B1 (en) | Oscillator circuits | |
US7071748B2 (en) | Charge pump clock for non-volatile memories | |
US5461591A (en) | Voltage generator for semiconductor memory device | |
US5687128A (en) | Power supply voltage boosting circuit of semiconductor memory device | |
KR100913957B1 (ko) | 반도체 소자 | |
KR20080100539A (ko) | 반도체 소자의 내부전압 발생기 및 발생방법 | |
KR20060075069A (ko) | 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생기 | |
US6831500B2 (en) | Noise-reduced voltage boosting circuit | |
KR100379555B1 (ko) | 반도체 소자의 내부 전원 발생기 | |
CN114079448A (zh) | 被配置为进行电源门控操作的器件 | |
KR20060095376A (ko) | 고전압 펌핑장치 | |
KR100398575B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 고전압 발생회로 | |
JP4159570B2 (ja) | オシレータ回路、該オシレータ回路を備えた半導体装置、及び該オシレータ回路を備えた半導体記憶装置 | |
JP3925788B2 (ja) | オシレータ回路、該オシレータ回路を備えた半導体装置および半導体記憶装置、および該オシレータ回路の制御方法 | |
JP3742345B2 (ja) | オシレータ回路、該オシレータ回路を備えた半導体装置、及び該オシレータ回路を備えた半導体記憶装置 | |
KR100312478B1 (ko) | 고전압 발생기 | |
KR100278269B1 (ko) | 클럭신호를이용한리셋신호검출회로 | |
KR100525099B1 (ko) | 반도체 장치용 고전압 발생기 | |
KR20050005037A (ko) | 반도체 장치용 차아지 펌핑회로 | |
KR20030037592A (ko) | 안정적으로 내부 전압을 발생하는 반도체 메모리 장치의내부 전압 발생 회로 | |
KR100239458B1 (ko) | 메모리 센스 앰프 구동 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120720 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130723 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140723 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150721 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160721 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170724 Year of fee payment: 17 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |