KR100301066B1 - 비금속 도전물질로 구성된 음극판을 갖는 전자빔 조사장비 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비금속 도전물질로 이루어진 음극판을 갖는 전자빔 조사장비에 관하여 개시한다. 본 발명은 상부가 개구된 챔버와, 챔버의 개구부를 덮는 음극판과, 챔버의 바닥에 설치된 서셉터와, 음극판 아래에 설치된 그리드판과, 그리드판 아래에 설치된 가스주입링을 구비한다. 음극판은 챔버와 전기적으로 절연되고, 그리드판은 챔버 및 음극판과 전기적으로 절연된다. 또한, 음극판은 비금속 도전물질(non-metal conductive material)만으로 이루어진 단일 음극판(single cathode plate)이거나, 적어도 챔버의 바닥을 향하는 하부표면이 비금속 도전물질로 이루어진 2중 음극판(double cathode plate)일 수도 있다. 이에 따라, 음극판 및 그리드판에 적절한 전압을 인가하여 음극판으로부터 전자들을 방출시킬 때, 음극판으로부터 금속원자들이 함께 방출되는 현상을 방지할 수 있다.

Description

비금속 도전물질로 구성된 음극판을 갖는 전자빔 조사장비{Electron beam irradiation apparatus having a cathode plate composed of a non-metal conductive material}
본 발명은 반도체소자의 제조에 사용되는 전자빔 조사장비에 관한 것으로, 특히 비금속 도전물질로 구성된 음극판(cathode plate)을 갖는 전자빔 조사장비에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체소자는 도전막 및 절연막으로 구성된다. 도전막은 주로 배선을 형성하는 데 사용되고, 절연막은 서로 이웃하는 배선들을 전기적으로 절연시키는 데 사용된다.
한편, 고집적 반도체소자의 동작속도가 빨라짐에따라 다층 배선기술(multi-layered interconnection technology)이 점점 더 요구되고 있다. 이에 따라, 층간절연막(inter-layer dielctric film)의 평탄화 기술(planarization technology) 및 금속 층간절연막(inter-metal dielectric film)의 평탄화 기술이 매우 중요해지고 있다. 지금까지, 층간절연막의 평탄화 기술로서, 붕소(Boron) 및/또는 인(Phosphorus)과 같은 불순물이 함유된 산화막, 예컨대 BPSG(borophosphosilicate glass)막을 850℃ 이상의 고온에서 리플로우시키는 방법이 널리 사용되고 있다. 또한, 금속 층간절연막(inter-metal dielectric film)의 평탄화 기술로는 하부 금속배선이 형성된 반도체기판 상에 액체상태의 에스오지(SOG; spin on glass)막을 도포한 후 이를 500℃ 이하의 저온에서 큐어링(curing)시키는 방법이 널리 사용되고 있다. 상기 에스오지막을 큐어링시키는 방법으로는 자외선 조사 공정 또는 전자빔 조사 공정 등이 널리 사용된다.
전자빔 조사 공정은 자외선 조사 공정에 비하여 전자빔의 에너지를 조절하기가 용이하므로 에스오지막의 큐어링 공정 뿐만 아니라 포토레지스트막과 같은 감광막의 베이킹 공정에도 사용될 수 있다. 이러한 전자빔을 조사시키는 장비, 즉 전자빔 조사장비는 스퍼터링 장비와 유사하다.
종래의 전자빔 조사 장비는 밀폐된 챔버의 상부에 다수의 전자를 방출시키는(emitting) 음극판이 설치되고, 상기 음극판과 마주보는 위치, 즉 챔버의 바닥에는 웨이퍼가 놓여지는 서셉터(susceptor)가 설치된다. 상기 음극판은 도전성의 금속물질, 예컨대 알루미늄 또는 알루미늄 합금(aluminum alloy)으로 이루어진다. 상기 음극판 및 서셉터 사이에는 서셉터로부터 방출되는 전자들이 통과하는 그리드판(gid plate), 즉 양극판(anode plate)이 개재된다. 또한, 그리드판 및 서셉터 사이에는 챔버 내부로 공정가스, 예컨대 불활성 가스를 주입시키기 위한 가스 주입링이 설치된다.
상기한 종래의 전자빔 조사장비의 동작을 간단히 살펴보기로 한다.
먼저, 챔버 내부의 압력을 대기압보다 낮은 저압으로 유지시키고, 가스 주입링을 통하여 챔버 내부에 공정 가스를 주입시킨다. 또한, 상기 음극판에는 음의 고전압(negative high voltage), 예컨대 -500볼트 내지 -30,000볼트의 전압을 가하고, 상기 그리드판에는 음의 저전압(negative low voltage), 예컨대 -0볼트 내지 -100볼트의 전압을 인가한다. 이때, 상기 공정가스는 챔버 내부의 낮은 압력 및 자연적으로 발생하는 감마선(Gamma ray)에 의해 약하게나마 이온화되고, 상기 그리드판에 인가된 음의 저전압에 의해 상기 이온화된 공정가스중 양의 이온들이 그리드판을 향하여 이동한다. 계속해서, 상기 양의 이온들은 그리드판의 홀들을 통과하여 음의 고전압이 인가된 음극판을 향하여 가속된다. 상기 가속된 양의 이온들은 음극판 표면에 부딪히고, 이에 따라, 음극판으로부터 2차 전자들(secondary electrons)이 방출된다(emitted). 이때, 상기 전자들 이외에 음극판을 구성하는 금속재질의 원자, 즉 알루미늄 원자들도 방출될 수 있다. 음극판으로부터 방출된 전자들은 그리드판을 통과하여 이온화된 공정가스에 도달한다. 이때, 상기 전자들의 일부는 공정가스를 더욱 이온화시키어 양의 이온 및 음의 이온을 발생시키고, 나머지 전자들은 서셉터 상에 로딩된 웨이퍼 표면에 도달한다. 또한, 상기 음극판으로부터 방출된 금속원자, 즉 알루미늄 원자들도 웨이퍼 표면에 도달한다.
상술한 바와 같이 종래의 전자빔 조사장비는 전자들과 아울러 금속원자들을 발생시킨다. 이에 따라, 웨이퍼의 표면이 금속원자들로 오염된다. 특히, 금속배선이 형성되기 전에 종래의 전자빔 조사장비를 사용하여 포토레지스트막을 베이킹하거나 에스오지막을 큐어링시키는 경우에, 모스 트랜지스터의 전기적인 특성, 예컨대 소오스/드레인의 접합누설전류 특성이 저하되거나 문턱전압 특성 등이 변화된다. 이와 같이 웨이퍼 표면이 금속에 의해 오염되는 경우에 모스 트랜지스터의 전기적인 특성 및 신뢰성이 현저히 저하된다는 사실은 널리 알려져 있다. 또한, 금속원자들로 오염된 웨이퍼들을 세정액이 담긴 액조(bath)에 담구어 세정공정을 실시하는 경우에, 상기 액조 또한 금속원자들로 오염된다. 따라서, 금속원자들로 오염된 액조에 담겨지는 후속의 웨이퍼들 또한 금속원자들로 오염된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼 표면이 금속원자들에 의해 오염되는 현상을 방지할 수 있는 전자빔 조사장비를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 전자빔 조사장비의 개략 단면도이다.
도 2는 도 1의 가스 주입링의 사시도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명에 따른 전자빔 조사장비를 사용하여 반도체소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 상부가 개구된 챔버와, 상기 챔버의 개구부를 덮는 음극판과, 상기 챔버의 바닥에 설치된 서셉터와, 상기 음극판 아래에 설치된 그리드판과, 상기 그리드판 아래에 설치된 가스주입링을 구비한다. 상기 음극판은 챔버와 전기적으로 절연되고, 상기 그리드판은 챔버 및 음극판과 전기적으로 절연된다. 또한, 상기 음극판은 비금속 도전물질(non-metal conductive material)만으로 이루어진 단일 음극판(single cathode plate)이거나,적어도 챔버의 바닥을 향하는 하부표면이 비금속 도전물질로 이루어진 2중 음극판(double cathode plate)인 것이 바람직하다. 좀 더 구체적으로, 상기 음극판은 실리콘과 같은 비금속 도전물질만으로 이루어진 단일 음극판이거나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금(aluminum alloy)과 같은 금속으로 이루어진 상부 음극판(upper cathode plate) 및 실리콘과 같은 비금속 도전물질로 이루어진 하부 음극판(lower cathode plate)으로 구성된 2중 음극판일 수도 있다.
상기 챔버는 접지단자와 접속된다. 따라서, 상기 서셉터 및 그 위에 로딩되는 웨이퍼 역시 접지된다. 또한, 상기 챔버의 바닥의 소정영역 또는 상기 챔버의 측벽의 소정영역은 분기되어 진공펌프와 연결된다. 상기 진공펌프는 챔버 내의 압력을 대기압보다 낮은 저압으로 조절하는 기능을 갖는다.
상기한 전자빔 조사장비를 사용하여 웨이퍼 표면에 전자빔을 조사시키는 공정은 다음과 같이 실시된다.
먼저, 웨이퍼를 서셉터 상에 로딩시킨다. 상기 진공펌프를 동작시키어 챔버 내부를 대기압보다 낮은 저압상태로 조절한다. 상기 가스주입링을 통하여 챔버 내부로 공정가스를 주입시킨다. 또한, 상기 음극판에는 -500볼트 내지 -30,000볼트의 음의 고전압을 인가하고, 상기 그리드판에는 0볼트 내지 -500볼트의 음의 저전압을 인가한다. 이때, 챔버 내부에 주입된 공정가스는 자연적으로 발생하는 감마선에 의해 약하게나마 이온화되고, 이에 따라 양이온들 및 음이온들이 발생된다. 상기 양이온들은 그리드 전압 및 음극 전압에 의해 형성되는 전계에 기인하여 그리드판을 통과하고, 최종적으로 가속된 양이온들이 음극판에 충돌한다. 이에 따라, 상기 음극판 표면으로부터 2차 전자들이 방출된다. 이때, 상기 음극판의 하부표면, 즉 양이온들이 충돌하는 표면은 비금속 도전물질, 예컨대 실리콘으로 이루어지므로 상기 2차 전자들이 방출될 때 금속원자들이 방출되지 않는다. 상기 음극판으로부터 방출된 전자들은 그리드 전압 및 음극 전압에 의해 형성된 전계에 기인하여 일정 에너지를 갖고 웨이퍼 표면에 도달한다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 표면에 형성된 소정의 물질막, 예컨대 에스오지막은 큐어링됨과 아울러 실리콘 산화막과 유사한 특성을 갖는 물질막으로 변화된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 음극판의 하부표면이 비금속 물질로 이루어져, 음극판으로부터 금속원자가 방출되는 것을 억제시킬 수 있다. 이에 따라, 전자빔 조사공정을 실시하는 동안 웨이퍼 표면이 금속원자에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 전자빔 조사장비의 개략단면도이고, 도 2는 도 1에 보여진 가스주입링의 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 소정의 공정이 실시되는 공간을 제공하는 챔버(CB)는 그 상부에 개구부를 갖는다. 상기 개구부에는 챔버(CB)와 전기적으로 절연된 음극판(cathode plate; CP)이 설치된다. 상기 음극판(CP) 및 상기 챔버(CB) 사이에는 절연링(insulative ring; I)이 개재된다. 상기 음극판(CP)은 비금속 도전물질(non-metal conductive material), 예컨대 실리콘으로 이루어진 하나의 단일음극판(single cathode plate)이거나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 금속으로 이루어진 상부 음극판(upper cathode plate; CP1) 및 실리콘과 같은 비금속 도전물질로 이루어진 하부 음극판(lower cathode plate; CP2)으로 구성된 2중 음극판(double cathode plate)일 수도 있다. 상기 챔버(CB)는 접지된다.
상기 음극판(CP)의 하부에는 그리드판(grid plate; GP)가 설치되고, 그리드판(GP)의 하부에는 가스주입링(gas injection ring; GR)이 설치된다. 상기 가스주입링(GR)은 도 2에 도시된 바와 같이 도우넛츠 형태를 갖는다. 또한, 상기 가스주입링(GR)의 내측에는 가스주입링(GR)의 중심부의 하부를 향하여 불활성 가스와 같은 공정가스가 분출되도록 복수개의 홀(H)을 구비한다. 상기 그리드판(GP)은 음극판(CP) 및 챔버(CB)와 전기적으로 절연되도록 설치된다.
한편, 상기 음극판(CP)은 고전압 전원(high voltage power source; HVP)과 접속되고, 상기 그리드판(GP)은 저전압 전원(low voltage power source; LVP)과 접속된다. 여기서, 상기 고전압 전원(HVP)의 양극단자(positive terminal)는 접지되고, 음극단자(negative terminal)는 음극판(CP)과 접속된다. 이에 따라, 상기 음극판(CP)에는 음의 고전압(negative high voltage), 예컨대 -500볼트 내지 -30,000볼트 정도의 전압이 인가된다. 이와 마찬가지로, 상기 저전압 전원(LVP)의 양극단자는 접지되고, 음극단자는 그리드판(GP)과 접속된다. 이에 따라, 상기 그리드판(GP)에는 음의 저전압, 예컨대 0볼트 내지 -150볼트 정도의 전압이 인가된다.
상기 챔버(CB)의 바닥 상에는 웨이퍼가 놓이는 서셉터(S)가 설치되고, 상기 챔버(CB)의 바닥의 소정영역은 분기되어 진공펌프(P)와 연결된다. 상기진공펌프(P) 및 챔버(CB) 사이에는 밸브(V)가 개재된다. 상기 진공펌프(P)는 챔버(CB) 내부의 압력을 대기압보다 낮은 저압으로 조절하는 기능을 갖는다.
다음에, 상술한 전자빔 조사장비의 동작을 설명하기로 한다.
먼저, 포토레지스트막 또는 에스오지막과 같은 물질막이 도포된 웨이퍼를 상기 서셉터(S) 상에 로딩시킨다. 상기 진공펌프(P) 및 밸브(V)를 사용하여 챔버(CB) 내부를 소정의 압력, 예컨대 1 내지 200 mTorr의 저압상태로 조절한다. 상기 가스주입링(GR)을 통하여 공정가스, 예컨대 아르곤 가스 또는 질소 가스와 같은 공정가스를 챔버(CB) 내부로 주입시킨다. 또한, 상기 음극판(CP)에는 고전압 전원(HVP)을 사용하여 -500볼트 내지 -30,000볼트 정도의 음의 고전압을 인가하고, 상기 그리드판(GP)에는 저전압 전원(LVP)을 사용하여 0볼트 내지 -150볼트 정도의 음의 저전압을 인가한다. 이 경우에, 상기 챔버(CB) 내에 주입된 공정가스는 이온화되어 양이온들 및 음이온들이 발생되고, 상기 양이온들은 그리드판(GP)에 인가된 음의 저전압에 의해 형성되는 전계에 기인하여 그리드판(GP)을 향하여 이동한다. 상기 그리드판(GP)에 도달한 양이온들은 상기 음극판(CP)에 인가된 음의 고전압에 의해 형성되는 전계에 기인하여 그리드판(GP)의 홀들을 통과하여 가속된다. 상기 가속된 양이온들은 음극판(CP)의 하부표면에 충돌한다. 이에 따라, 음극판(CP)으로부터 2차 전자들(secondary electrons)이 방출된다. 이때, 상기 음극판(CP)의 하부면은 비금속 도전물질로 이루어져 있으므로, 종래의 기술과는 다르게 음극판(CP)으로부터 금속원자들이 방출되지 않는다.
상기 음극판(CP)으로부터 방출된 전자들은 음극판(CP) 및 그리드판(GP)에 각각 인가된 음의 고전압 및 음의 저전압에 의해 형성되는 전계에 기인하여 서셉터(S) 상에 로딩된 웨이퍼를 향하여 가속된다. 이때, 일부의 전자들은 그리드판(GP) 및 웨이퍼 사이의 공정가스 분자들을 이온화시키어 양이온들 및 음이온들을 더욱 발생시킨다. 이에 따라, 상기 음극판(CP)으로부터 지속적으로 전자들이 방출된다. 이때, 상기 그리드 전압 및 음극 전압이 변화되면 웨이퍼에 조사되는 전자들의 수 및 에너지가 변화한다. 따라서, 그리드 전압 및 음극 전압을 적절히 조절함으로써 웨이퍼 표면에 원하는 전류밀도 및 원하는 에너지를 갖는 전자빔을 조사시킬 수 있다. 상기 전자빔이 포토레지스트막에 조사되는 경우에 포토레지스트막은 경화되어 베이킹되는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 상기 전자빔이 에스오지막에 조사되는 경우에 에스오지막 역시 경화되어 큐어링된다(cured). 이때, 큐어링된(cured) 에스오지막은 실리콘 산화막과 유사한 특성을 보인다. 예를 들면, 큐어링된 에스오지막의 유전상수 및 식각률은 실리콘 산화막의 유전상수 및 식각률과 비슷하다.
한편, 에스오지막에 전자빔을 조사시킬 때 전자빔의 에너지를 적절히 조절하면, 큐어링되는 에스오지막의 두께를 조절할 수 있다. 이에 따라, 전자빔 조사공정을 사용하여 서로 다른 특성을 갖는 2중층의 물질막(double layered material film), 예컨대 큐어링되지 않은 에스오지막 및 큐어링된 에스오지막으로 구성되는 2중층의 에스오지막을 형성할 수도 있다.
상기한 전자빔 조사공정은 200℃ 이하의 저온에서 실시되므로 반도체 웨이퍼에 주입된 불순물은 더 이상 확산되지 않는다. 따라서, 모스 트랜지스터의 전기적인 특성이 변화하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 전자빔 조사장비를 사용하여 웨이퍼 표면에 전자빔을 조사시키는 경우에, 웨이퍼가 금속에 의해 오염되지 않으므로 반도체소자의 신뢰성 또한 현저히 개선시킬 수 있다. 결과적으로, 본 발명에 따른 전자빔 조사장비는 점차로 저온 공정이 요구되는 고집적 반도체소자를 제조하는 데 적합하다.
도 3 내지 도 6은 상기한 본 발명에 따른 전자빔 조사장비를 사용하여 반도체소자의 금속층간 절연막(inter-metal dielectric film)을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 그러나, 본 발명에 따른 전자빔 조사장비는 금속층간 절연막을 형성하는 공정 뿐만 아니라, 일반적인 층간절연막을 형성하는 공정 및 포토레지스트막을 베이킹하는 공정에도 사용될 수 있다. 이는, 본 발명에 따른 전자빔 조사장비를 사용하여 웨이퍼 표면에 전자빔을 조사시키는 경우에, 웨이퍼 표면이 금속원자들에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있음은 물론 200℃ 이하의 저온 공정이 가능하기 때문이다.
도 3을 참조하면, 반도체 웨이퍼(1) 상에 층간절연막(3)을 형성한다. 상기 층간절연막(3)의 소정영역 상에 하부 금속배선(5)을 형성한다. 상기 하부 금속배선(5)이 형성된 결과물 전면에 제1 캐핑 절연막(7), 예컨대 플라즈마 산화막을 형성한다. 상기 제1 캐핑 절연막(7)이 형성된 결과물 전면에 평탄화된 에스오지막(9)을 형성한다. 상기 평탄화된 에스오지막(9)은 액상의 에스오지를 스핀코팅 방식으로 도포하여 형성한다. 이때, 서로 이웃한 상기 하부 금속배선(5)들 사이의 요부는 평탄화된 에스오지막(9)으로 완전히 채워지고, 각 하부 금속배선(5) 상부에는얇은 에스오지막(9)이 잔존한다.
도 4를 참조하면, 상기 평탄화된 에스오지막(9) 표면에 도 1에 보여진 본 발명에 따른 전자빔 조사장비를 사용하여 전자빔(E)을 조사시킨다. 이때, 상기 하부 금속배선(5)의 상부에 잔존하는 얇은 에스오지막(9)은 큐어링되고 상기 하부 금속배선(5)들 사이에 채워진 에스오지막(9)은 큐어링되지 않도록 전자빔(E)의 에너지를 적절히 조절한다. 그 결과, 평탄화된 에스오지막(9)의 표면에 일정두께를 갖는 큐어링된 에스오지막(9')이 형성된다. 여기서, 에스오지막(9)을 큐어링시키면, 에스오지막(9)의 특성이 변한다. 다시 말해서, 큐어링된 에스오지막(9')은 실리콘 산화막과 유사한 특성을 갖는다. 좀 더 구체적으로, 초기의 에스오지막(9)은 실리콘 산화막에 비하여 낮은 유전상수 및 빠른 식각률을 보인다. 그러나, 큐어링된 에스오지막(9')은 실리콘 산화막과 거의 동일한 유전상수 및 식각률을 보인다. 따라서, 에스오지막(9)을 큐어링시키면, 유전상수는 높아지고 식각률은 낮아진다.
도 5를 참조하면, 상기 큐어링된 에스오지막(9') 상에 제2 캐핑절연막(11), 예컨대 플라즈마 산화막을 형성한다. 상기 제2 캐핑절연막(11), 큐어링된 에스오지막(9') 및 제1 캐핑절연막(7)을 연속적으로 식각하여 하부 금속배선(5)의 소정영역을 노출시키는 비아홀(13)을 형성한다. 이때, 상기 큐어링된 에스오지막(9')은 실리콘산화막, 즉 플라즈마 산화막으로 형성된 제1 및 제2 캐핑절연막(7, 11)과 거의 동일한 식각률을 보이므로 비아홀(13)은 정상적인 측벽 프로파일을 보인다. 또한, 하부 금속배선(5)들 사이에는 큐어링되지 않은 에스오지막(9)이 잔존하므로 하부 금속배선(5)들 사이의 기생 커패시턴스(parasitic capacitance)를 최소화시킬 수있다.
도 6을 참조하면, 상기 비아홀(13)이 형성된 결과물 전면에 비아홀(13)을 채우는 금속막을 형성하고, 상기 금속막을 패터닝하여 비아홀(13)을 덮는 상부 금속배선(15)을 형성한다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않고 당업자의 수준에서 그 변형 및 개량이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 음극판으로부터 금속원자들이 방출되는 현상을 근본적으로 억제시킬 수 있다. 이에 따라, 에스오지막 또는 포토레지스트막에 전자빔을 조사하는 동안 반도체 웨이퍼가 금속에 의해 오염되는 현상을 방지할 수 있으므로, 반도체소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 안정화시킬 수 있다.

Claims (6)

  1. 상부가 개구된 챔버;
    상기 챔버의 개구부를 덮되, 적어도 상기 챔버의 바닥을 향하는 하부표면이 비금속 도전물질로 이루어진 음극판;
    상기 음극판과 마주보는 챔버의 바닥 상에 설치되고, 그 위에 웨이퍼가 놓이는 서셉터;
    상기 음극판 및 상기 서셉터 사이에 설치된 그리드판; 및
    상기 그리드판 및 상기 서셉터 사이에 설치된 가스주입링을 포함하는 전자빔조사장비.
  2. 제1항에 있어서, 상기 음극판 및 상기 챔버는 서로 전기적으로 절연된 것을 특징으로 하는 전자빔 조사장비.
  3. 제1항에 있어서, 상기 그리드판은 상기 챔버 및 상기 음극판과 전기적으로 절연된 것을 특징으로 하는 전자빔 조사장비.
  4. 제1항에 있어서, 상기 비금속 도전물질은 실리콘인 것을 특징으로 하는 전자빔 조사장비.
  5. 제1항에 있어서, 상기 음극판은 금속으로 이루어진 상부 음극판 및 상기 비금속 도전물질로 이루어진 하부 음극판으로 구성된 것을 특징으로 하는 전자빔 조사장비.
  6. 제1항에 있어서, 상기 음극판은 상기 비금속 도전물질만으로 이루어진 단일 음극판인 것을 특징으로 하는 전자빔 조사장비.
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