KR100284779B1 - 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드 및 자기 디스크 장치 - Google Patents

스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드 및 자기 디스크 장치 Download PDF

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히토시 가나이
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아끼구사 나오유끼
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Abstract

본 발명의 스핀밸브 자기저항효과형 자기 헤드는, CoFe 층과 NiFe층의 이층, 또는 CoFe층과 NiFe계 합금층의 이층을 가지는 자유측자성층과 그 CoFe층에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층에 적층되는 고정측자성층과, 상기 고정측 자성층의 자화의 방향을 교환결합에 의해서 고정하는 반강자성층을 가지고 있다.

Description

스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드 및 자기 디스크 장치
제1(a)도는, 종래의 스팬밸브(spin valve) 자기저항효과 자기헤드의 일부를 절단한 사시도, 제1(b)도는 그 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드의 단면도.
제2도는, 종래의 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드의 자계의 변화와 전기저항 변화율과의 관계를 도시한 특성도.
제3도는, 종래의 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드의 자유측 자성층의 Co층의 막 두께를 얇게한 경우에서의 자계의 변화와 전기저항 변화율과의 관계를 도시한 특성도.
제4(a)도는, 본 발명의 실시형태의 일예를 나타내는 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드의 일부를 절단한 사시도, 제4(b)도는 그 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드의 단면도.
제5도는, 본 발명의 실시형태의 일예를 나타내는 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드의 자계의 변화와 전기저항 변화율과의 관계를 도시하는 특성도.
제6도는, 본 발명의 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드를 사용한 자기 디스크 장치의 일부를 도시한 단면도.
제7도는, 본 발명의 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드를 적용한 자기 디스크 장치의 내부를 도시하는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : Al2O3TiC기판 2 : 알루미나층
3 : 하지층 4 : 자유측자성층
4a : NiFe층 4b : CoFe층
5 : 비자성층 6 : 고정측자성층
7 : 반강자성층 8 : 전극단자
본 발명은 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드와 자기기록장치에 관한 것으로서, 보다 상세히는, 스핀밸브 자기저항효과에 의해서 자기매체로부터의 신호자계의 변화를 저항율의 변화로 변환하는 자기저항효과형 자기헤드와 이 자기저항효과형 자기헤드를 갖춘 자기기록 장치에 관한 것이다.
자기센서 또는 자기헤드에서는, 자성 재료로서 NiFe를 사용한 자기저항 효과 소자가 사용되어 있다. 그리하여, 자기 센서나 자기헤드의 보다 더 한층 고감도화가 요구되는 중에서, 큰 읽어내기 신호가 얻어지는 GMR층(giant magneto-resistive film)이 주목되어 있다. 그 중에서도 스핀밸브 자기저항 효과막(spin valve magneto-resistive film)은 비교적 용이하게 제작되고, 더욱이 낮은 자장에서의 전기저항의 변화율도 통상의 MR소자에 비하여 크기 때문에 최근 특히 주목되어 있다.
스핀밸브 자기저항효과를 이용한 자기헤드에 대하여는 USP 5,206,590, USP 5,159,513 등에 기재되어 있다.
그와 같은 자기저항효과형 자기헤드의 일예를 들면, 예를 들면 제1(a), 제2(b)도에 도시한 바와 같은 구조를 갖추고 있다.
도면에 있어서, Al2O3TiC 기판 11상의 알루미나층 12의 위에는, 탄탈륨으로서 되는 하지층 13, NiFe층 14a와 Co층 14b로서 되는 자유측 자성층 14,Cu로서 되는 비자성 금속층 15, Co로서 되는 고정측(pinned) 자성층 16 및 FeMn으로서 되는 반강자성층 17의 순서로 형성되어 있다. 더욱이, 제1(a), 제1(b)도에 있어서, 막두께방향을 Z 축 방향으로 하고 있다.
하지층 13에서 반강자성층 17까지는 평면장방형으로 패터닝되고, 그 최상층의 반강자성층 17의 양모서리쪽의 2개의 영역에는 Au로서 되는 2개의 전극단자 18이 형성되어 있다. 2개의 전극단자 18의 사이의 영역은, 신호검지 영역(센서영역) S로 된다. 더욱이 장방형 패턴중 단변(短邊)방향을 X 축방향, 장변(長邊)방향을 Y축 방향으로 하였다.
고정측자성층 16에서는, 반강자성층 17과의 교환결합에 의해서 자화용이방향(X축방향)으로 교환결합자계 Hua가 발생하고, 이에 의하여, 고정측 자성층 16의 자화는 X축 방향에 고정되어 그 자화의 방향이 X축 방향의 신호자계 Hsig에 의해서 변화하지 않도록 되어 있다.
더욱이, 자유측 자성층이란, 신호자계 Hsig에 의해서 자화 M1의 방향이 용이하게 변화하는 자성층을 의미한다. 또, 고정측 자성층이란, 외부신호자계 Hsig에 의해서 자화의 방향이 자유측 자성층의 변화에 비하여 변화하기 어려운 자성층을 의미한다.
이 소자에 있어서, 자유측자성층 14가 NiFe 층 14a와 Co층 14b의 2층으로 구성되어 있는 것은 다음의 이유 때문이다.
첫째로, 그와 같은 2층 구조를 취함으로써, 자유측 자성층 14를 NiFe안으로 구성하는 것보다 2배이상의 높은 자기저항효과력을 얻게 되기 때문이다. 둘째로, Co층 14b는, Cu로서 되는 비자성 금속층 15와 NiFe층 14a와의 열에 의한 상호확산을 방지하기 위한 버퍼 층으로 하여 기능 시키기 때문이다.
Co막 14b의 그 자체는 세미하드(semi-hard)자성막이다. 그러나, NiFe와 Co의 2층구조는 층끼리의 교환결합에 의해서 전체로 연질성을 가지므로, 그 2층구조는 자유측 자성층이 된다.
그와 같은 2층구조의 자유측 자성층 14의 자화 M1의 방향은, 신호자계 Hsig가 0인 경우에 고정측 자성층 16의 자화방향에 대하여 직교하는 방향(Y축 방향 또는 자화용이축방향)과 같게된다. 그리하여, 자유측 자성층 14의 자화 M1의 방향은, 신호자계 Hsig의 변화에 따라 그 방향을 바꾼다.
하지층 13에서 반강자성층 17까지의 다층구조의 전체의 전기저항은, 고정측 자성층 16의 자화방향과 자유측 자성층 14의 자화방향을 이루는 각도 θ의 여현(cosθ)에 비례하여 변화한다. 그 다층구조의 신호검지영역(센스영역) S에는, 전극단자 18의 한쪽에서 타방으로 향하여 정전류가 흘러, 그 전기 저항이 변화하면 전극단자 18사이의 전압이 변화한다. 전기저항치의 변화는, 그 전압치의 변화에 의하여 옴 법칙에 의해서 산출된다.
더욱이, 고정측 자성층 16과 자유측 자성층 14의 각각의 자화를 서로 직교시키는 이유는, 신호자계 Hsig에 대하여 전기저항을 선형으로 변화시키기 때문이다. 그런데 Cu로서 되는 비자성 금속층 15와 NiFe층 14a의 열에 의한 상호확산을 Co층 14b에 의해서 방지하기 위해서는, Co층 14b의 두께를 30Å 이상을 하는 것이 필요하게 된다.
본 발명자들은, 상기 자유측 자성층 14를 구성하는 Co층 14b의 막두께를 30Å 이상으로 한 경우의 스핀밸브 MR소자의 외부자계와 전기저항 변화율의 관계를 조사하였다.
실험으로 사용한 제1의 시료는, 제1(a), 제1(b)도에 도시한 스핀밸브 MR소자와 같은 구성층을 가지고 있고, Ta로서 되는 하지층 13의 막두께를 50Å, NiFe층 14a를 20Å, Co층 14b를 55Å, Cu로서 되는 비자성층 15의 막두께를 32Å, Co로서 되는 고정측 자성층 16의 막 두께를 55Å, FeMn으로서 되는 반강자성층 17의 막 두께를 150Å로 하고 있다.
실험의 결과, 제2도에 도시한 바와 같은 자기저항효과(MR) 특성을 얻게 되었다. 이 MR특성은, 외부자계의 크기를 200 에르스텟(Oe)와 200에르스텟(Oe)의 범위 내에서 연속적으로 상승 및 하강시켜서 얻어진 실험결과이다.
제2도에 있어서, 외부자계가 0이 되는 부근의 곡선의 상승점과 하강점의 자계의 차가 40 에르스텟(Oe)임을 알수 있다. 그 차는 보자력 Hc의 2배의 크기이므로, 제1의 시료의 보자력 Hc는 20에르스텟 (Oe)로 커져서, 신호자계에 대한 감도의 열화를 초래한다.
이와 같이 소자의 보자력 Hc가 커지는 것은, 자유측자성층 14가 막두께가 두꺼운 Co층 14b를 가지고 있기 때문이라고 생각된다.
이에 대하여, Co층 14b를 얇게하여 소자의 보자력 Hc를 작게하는 것을 시도 하였다.
실험에 사용한 제2의 시료는, 제1(a), 제1(b)도에 도시한 스핀밸브 MR소자와 같은 층구성을 가지고 있고, Ta로서 되는 하지층 13의 막두께를 50Å, NiFe층 14a를 55Å, Co층 14b를 20Å, Cu로서 되는 비자성층 15의 막두께가 26Å, Co로서 되는 고정측 자성층 16의 막두께가 55Å, FeMn으로서 되는 반강자성층 17의 막두께를 150Å으로 하고 있다.
실험의 결과, 제3도에 도시한 바와 같은 MR 특성을 얻게 되었고, 소자의 보자력 Hc가 6 에르스텟(Oe)으로 작게되어 저항변화율 △MR도 제2도에 비해서 커졌다.
그러나, Co층 14b를 20Å까지 얇게하면, 비자성금속층 15와 자유측자성층 14의 열에 의한 상호확산을 피할 수 없고, 자유측자성층 14의 연질자성의 성질이 저하된다는 결점이 있다.
본 발명의 목적으로 하는바는, 비자성 금속층과 자유층 자성층의 열에 의한 상호확산을 발생시키지 않고, 또한 높은 출력을 얻게되는 자기저항효과형 자기헤드와 이 자기헤드를 갖춘 자기기록장치를 제공함에 있다.
본 발명의 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드는, CoFe층과 NiFe층의 이층 구조, 또는 CoFe층과 NiFe계합금층의 이층구조로서 되는 자유측 자성층을 가지고 있다.
CoFe층의 막두께가 30Å이상 일지라도, 그와 같은 이층구조의 자유측자성층은 연질자성의 성질을 가지고 있다. 더욱이, CoFe층을 가지는 자유측자성층은, 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드의 보자력을 작게 하는 것이 실험에 의해서 확인 되었다. 다만, 보자력을 작게 하기 위해서는, NiFe층의 막두께를 10Å이상으로 하고, 또 CoFe층에서의 Co의 조성비를 90wt%, Fe의 조성비를 10wt%로 하는 것이 바람직하다.
CoFe층의 막두께를 30Å 이상으로 함으로써, 자유측 자성층과 비자성층의 열에 의한 상호확산을 확실히 방지하는 것이 가능하게 되고, 자유측 자성층의 연질자성이 유지된다.
또, CoFe층을 가지는 이층구조의 자유측 자성층에 의하면, 자계의 변화에 대한 자기헤드의 전기저항변화율도 커지는 것이, 실험에 의해서 확인되었다.
상기 NiFe계 합금층이, NiFeCr, NiFeNb 또는 NiFeRh인 경우에는, 자기헤드의 이방성자기저항효과(AMR 효과)에 의한 잡음을 작게하고, 더욱이, NiFe 보다 높은 비저항이 되어 자기 헤드의 전류이용효율을 높이고, 고출력화가 도모된다.
더욱이, 고정측 자성층을 자유측 자성층의 CoFe층과 같은 구성재료로서 형성함으로써, 각층을 형성 할때의 스퍼터의 타게트 재료의 소비량이 작아진다.
그리하여, 이하에 본 발명의 실시형태를 제4(a), 제4(b)도에 의하여 설명한다. 제4(a), 제4(b)도에 있어서, Al2O3TiC등의 기판 1상의 알루미나층 2의 상에는, 탄탈륨으로서 되는 하지층 3, NiFe층 4a와 Co90Fe10층 4b로서 되는 이층구조의 자유측자성층 4, Cu로서 되는 비자성금속층 5, Co90Fe10으로서 되는 고정측 자성층 6과 FeMn으로서 되는 반강자성층 7의 순서로 형성되어 있다. 도면에 있어서, 적층방향을 Z축 방향으로 하였다.
하지층 3에서 반강자성층 7까지는 평면장방형으로 패터닝되고, 그 최상층의 반강자성층 7의 양모서리의 2개의 영역에는 Au로서 되는 2개의 전극단자(리드단자) 8이 형성되어있다. 2개의 전극단자 8의 사이의 영역은 신호검지 영역(센스영역) S로 된다. 더욱이, 장방형패턴중 단변방향을 X축 방향으로 하고, 장변방향을 Y축 방향으로 하고 있다.
고정측자성층 6에서는, 반강자성층 7과의 교환결합에 의해서 자화용이방향(X축방향)으로 교환결합자계 Hua가 발생하고 있다. 이에 의하여, 고정측 자성층 6의 자화는 X축 방향에 고정되어, X축 방향으로 변화하는 신호자계 Hsig에 의해서 그 자화의 방향이 변화하지 않도록 되어 있다.
이와 같은 구조를 가지는 스핀밸브 자기저항효과 소자에 있어서, 자유측 자성층 4는, NiFe층 4a와 Co90Fe10층 4b의 2층으로 구성되어 있다. 자유측자성층 4는, NiFe층 4a와 Co90Fe10층 4b의 교환결합에 의해서 연질성을 가지고 있고, 동시에, NiFe층 4a와 Cu제의 비자성금속층 5의 열에 의한 상호확산을 방지하는 기능도 가진다.
Co90Fe10층 4b를 구성하는 CoFe자성체의 보자력 Hc는, Co의 조성비가 90, Fe의 조성비가 10인 경우에, 가장 작게되나, 수 %정도의 약간의 편차는 허용된다.
신호자계 Hsig 가 0인 경우의 2층구조의 자유측 자성층 4의 자화 M의 방향은, 고정측자성층 5의 자화방향으로 직교하는 Y축 방향(또는 자화용이축방향)이다. 그리하여, 자유측자성층 4의 자화의 방향은, 신호자계 Hsig에 의한 X축 방향의 자화성분이 가해서 방향을 바꾼다.
하지층 3에서 반강자성층 7까지의 다층구조의 전체의 전기저항은, 고정측 자성층 6의 자화방향과 자유측자성층 4의 자화방향으로 이루는 각 θ의 여현(cosθ)에 비례하여 변화한다. 그 다층구조의 센스영역 S에는, 전극단자 8의 한쪽에서 타방으로 향하여 전류가 흐르고, 그 전기저항이 변화하면 전극단자 8사이의 전압이 변화한다. 전기저항치의 변화는, 그 전압치의 변화에 의하여 옴 법칙에 의해서 산출된다.
다음에, 상기 구조의 스핀밸브 자기저항효과 소자의 MR특성에 대하여 설명한다. 상기 구조의 스핀밸브 자기저항효과 소자의 MR특성을 구한바, 제5도에 도시한 바와 같은 결과가 얻어진다. 이 MR특성은, 외부자계의 크기를 200 에르스텟(Oe)와 -200 에르스텟(Oe)의 범위내에서 연속적으로 상승 및 하강시켜서 얻어진 실험결과이다.
이 결과에 의하면, 스핀밸브 자기저항효과 소자의 보자력 Hc는 4 에르스텟(Oe)로 매우 작고, NiFe이 보자력에 거의 같게 된다. 더구나, 전기저항의 변화율 △MR은 제2도에 비해서 크고, 신호자계에 대한 감도가 양호하게 되었다.
이와 같은 소자의 보자력 Hc가 작게되는 것은, 2층 구조의 자유측 자성층 4에 Co90Fe10층 4b를 적용하고 있기 때문이다. 더욱이, 그 Co90Fe10층 4b의 막두께는 55Å이기 때문에, NiFe층 4a와 Cu제의 비자성층 6의 열에 의한 상호확산은 방지된다.
Co90Fe10층 4b를 구성하는 Fe와 Co의 각각은 고용은, Ni와 Cu의 고용을 100으로 한 경우에 4∼5로 극히 작으므로, Co90Fe10층 4b와 비자성층 6은 거의 상호확산 하지 않는다. 이 결과, 자유측 자성층 4의 연질자성은 양호하게 보지 된다.
더우기, 보자력 Hc를 작게 하기 위해서는 NiFe층 4a의 막두께를 10Å이상으로 할 필요가 있다. 그런데, 자유측자성층 4를 구성하는 2층의 자성층중, NiFe층 대신에 NiFeCr, NiFeNb, NiFeRh, NiFe 에 다른 원소를 가한 합금을 사용하여도 좋다. 그와같은 NiFe계 합금은, NiFe에 비해서 스핀밸브 자기저항효과의 잡음이 되는 이방성자기저항(AMR)효과가 매우 작아지므로 S/N비가 높아진다.
또, 그와같은 NiFe계 합금은 NiFe보다도 비저항이 높고, 소자의 전류이용효율을 높일수 있으므로 고출력화가 도모되는 이점도 있다.
다음에, 상기 스핀밸브 자기저항효과 소자가 적용되는 자기기록장치의 자기헤드와 자기기록매체의 개요를 제6도를 참조하여 설명한다.
제6도에 있어서, 기판 41의 위에는 재생용 헤드 42와 기록용 헤드 43이 인접하여 설치되어 있다. 재생용 헤드는 제1의 자기 실드층 44의 상에 절연막(도시하지 않음)을 통하여 형성된 스핀밸브 MR소자 45와, 스핀밸브 MR 소자 45에서 인출되는 전극단자(리드단자) 46과, 스핀밸브 MR소자 45 및 전극단자 46을 덮는 절연막 47과, 절연막 47상에 형성된 제2의 자기실드층 48을 가지고 있다. 스핀밸브 MR소사 45는, 제4(a), 제4(b)도에 도시한 구조가 채용된다. 더우기, 스핀밸브 MR소자 45는, 하지층 3의 위에, 반강자성층 7, 고정측자성층 6, 비자성층 5, 자유측 자성층 4의 순서로 형성한 것이라도 좋다.
기록용헤드 43은, 제2의 자기 실드층 48과 제3의 자기 실드층 49의 사이에 절연층 50을 통하여 형성된 코일 51을 가지고 있다.
제1∼제3의 자기실드층 44, 48, 50은 각각 연자성체로서 형성되고, 그들중 자기기록매체 52에 대향하는 부분에는, 각각 갭(gap)이 형성되어 있다.
이상, 기술한 바와 같이 본 발명에 의하면, CoFe층과 NiFe층의 이층구조, 또는 CoFe층과 NiFe계 합금층의 이층구조로서 되는 자유측자성층을 가지고 있으므로, CoFe층을 갖춤으로써 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드의 보자력을 작게할 수가 있다.
그 NiFe층을 막두께를 10Å이상으로하고, 또 CoFe층에서의 Co조성비를 95∼85Wt%, Fe의 조성비를 5∼15Wt%, 특히 CoFe층에서의 Co의 조성비를 90Wt%, Fe의 조성비를 10wt%로 함으로써, 그 보자력을 가장 작게 할수가 있다.
CoFe층의 막 두께를 30Å이상으로 하면, 자유측자성층과 비자성층의 열에 의한 상호확산을 학실히 방지하는 것이 가능케되고, 자유측자성층의 연질자성을 양호하게 보지할 수 가 있다.
또, CoFe층을 가지는 이층구조의 자유측자성층에 의하면, 자계의 변화에 대한 자기헤드의 전기저항변화율을 크게할 수가 있다.
상기 NiFe계 합금층이 NiFeCr, NiFeNb 또는 NiFeRh인 경우에는, 지기헤드의 AMR효과에 의한 잡음이 적게되고, 더욱이 NiFe보다 높은 비저항으로 되어 자기헤드의 전류이용효율을 높혀 고출력화가 도모된다.
자기 디스크 51과, 자기헤드를 가진 슬라이더 41과, 슬라이더 41을 지지하는 스프링아암 53을 가진 자기 디스크 장치는, 제7도에 도시하는 바와 같이 된다.

Claims (12)

  1. CoFe층과 NiFe층으로 이루어지는 자유측자성층과, 상기 자유측자성층의 하지층으로서, 자유측자성층과 직접 물리적으로 접촉하는, Ta로서 되는 하지층과, 상기 CoFe층상에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층상에 적층되는 고정측자성층과, 상기 고정측자성층의 자화의 방향을 상기 고정측자성층과 반강자성층 사이의 교환결합에 의해서 고정하는 반강자성층과, 상기 자유측자성층, 상기 비자성층, 상기 고정측자성층 및 상기 반강자성층에 전류를 흘리는 한쌍의 전극단자로 구성되어 있되, 상기 CoFe층의 조성비는 Co가 95∼85wt%, Fe가 5∼15wt%인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드.
  2. CoFe층과 NiFe계 합금층으로 이루어지는 자유측자성층과, 상기 자유측자성층의 하지층으로서, 자유측자성층과 직접 물리적으로 접촉하는, Ta로서 되는 하지층과, 상기 CoFe층상에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층상에 적층되는 고정측자성층과, 상기 고정측자성층의 자화의 방향을 상기 고정측자성층과 반강자성층 사이의 교한결합에 의해서 고정하는 반강자성층과, 상기 자유측자성층, 상기 비자성층, 상기 고정측자성층 및 상기 반강자성층에 전류를 흘리는 한쌍의 전극단자로 구성되어 있되, 상기 CoFe층의 조성비는 Co가 95∼85wt%, Fe가 5∼15wt%인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과 자기헤드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 NiFe계 합금층은, NiFe보다 이방성 자기저항효과가 작아지는 제3의 원소가 NiFe에 첨가된 합금인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드.
  4. 제2항에 있어서, 상기 NiFe계 합금층은, NiFeCr, NiFeNb 또는 NiFeRh인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 CoFe층의 조성비는, Co가 90wt%, Fe가 10wt%인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고정측자성층은, CoFe로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드.
  7. 제1항에 있어서, 상기 비자성층은, Cu로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드.
  8. 자기기록매체 및, 자기기록매체에 정보의 기록과 독출을 행하기 위한 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드로 구성되어 있되, 상기 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드는, CoFe층으로 되는 제1의 층과 NiFe층으로 되는 제2의 층의 이층으로 이루어지는 자유측자성층과, 상기 자유측자성층의 하지층으로서, 자유측자성층과 직접 물리적으로 접촉하는, Ta로서 되는 하지층과, 상기 CoFe층상에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층상에 적층되는 고정측자성층과, 상기 고정층자성층의 자화방향을 상기 고정측자성층과 반강자성층 사이의 교환결합에 의해서 고정하는 반강자성층과, 상기 자유측자성층, 상기 비자성층, 상기 고정측자성층 및 상기 반강자성층에 전류를 흘리는 한쌍의 전극단자로 구성되어 있고, 상기 CoFe층의 조성비는 Co가 95∼85wt%, Fe가 5∼15wt%인 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드인 것을 특징으로 하는 자기 디스크 장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 CoFe층의 조성비는, Co가 90wt%, Fe가 10wt%인 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드.
  10. 제2항에 있어서, 상기 고정측자성층은, CoFe로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드.
  11. 제2항에 있어서, 상기 비자성층은, Cu로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드.
  12. 자기기록매체 및, 자기기록매체에 정보의 기록과 독출을 행하기 위한 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드로 구성되어 있되, 상기 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드는, CoFe층으로 되는 제1의 층과 NiFe계 합금층으로 되는 제2의 층의 이층으로 이루어지는 자유측자성층과, 상기 자유측자성층의 하지층으로서, 자유측자성층과 직접 물리적으로 접촉하는, Ta로서 되는 하지층과, 상기 CoFe층상에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층상에 적층되는 고정측자성층과, 상기 고정측자성층의 자화방향을 상기 고정측자성층과 반강자성층 사이의 교환결합에 의해서 고정하는 반강자성층과, 상기 자유측자성층, 상기 비자성층, 상기 고정측자성층 및 상기 반강자성층에 전류를 흘리는 한쌍의 전극단자로 구성되어 있고, 상기 CoFe층의 조성비는 Co가 95∼85wt%, Fe가 5∼15wt%인 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드인 것을 특징으로 하는 자기 디스크 장치.
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