KR100242993B1 - 반도체 메모리 - Google Patents

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KR100242993B1
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양동준
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김영환
현대반도체주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 메모리에 관한 것으로, 종래의 반도체 메모리는 Y-어드레스버퍼의 출력신호를 가지고 어드레스천이를 검출하였기 때문에 동작속도가 느린 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해 어드레스신호가 티티엘인터페이스부를 통해 입력되는 RAS계 어드레스 신호를 RAS계 제어신호에 따라 래치하는 X-어드레스버퍼수단과; 상기 어드레스 신호중 CAS계 어드레스신호를 CAS계 제어신호에 따라 래치하는 Y-어드레스버퍼수단과; 상기 RAS계 마지막 신호인 컬럼스타트신호에 의해 인에이블 제어를 받고 상기 입력되는 CAS계 어드레스 신호의 천이상태를 검출하는 어드레스천이검출수단으로 구성한 반도체 메모리를 창안한 것으로, 이와같이 CAS계 어드레스신호가 Y-어드레스버퍼에 래치될 때, 그와 동시에 그 티티엘인터페이스부로 부터 출력되는 CAS계 어드레스 신호를 직접 입력받아 어드레스천이를 검출 하도록 함으로써 TAA의 동작속도를 빠르게 할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 메모리
제1도는 종래 반도체 메모리의 개략적인 블럭 구성도.
제2도는 본 발명의 일 실시예시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 티티엘인터페이스부 200 : X-어드레스버퍼
300 : Y-어드레스버퍼 400 : 어드레스천이검출부
본 발명은 반도체 메모리에 관한 것으로, 특히 어드레스가 어드레스 버퍼를 통과하기 이전에 어드레스천이를 검출하도록 하여 어드레스 억세스 시간(tAA) 스피드를 빠르게 한 반도체 메모리에 관한 것이다.
제1도는 종래 반도체 메모리의 개략적인 블럭 구성도로서, 이에 도시한 바와같이 어드레스신호를 입력받는 티티엘(TTL)인터페이스부(100)와; 상기 티티엘인터페이스부(100)를 통해 출력되는 어드레스신호가 RAS(Row Address Strobe)계 어드레스신호이면 이를 RAS계 제어신호에 따라 처리하는 X-어드레스버퍼(200)와; 상기 티티엘인터페이스부(100)를 통해 출력되는 어드레스신호가 CAS(Column Address Strobe)계 어드레스신호이며 이를 CAS계 제어신호에 따라 처리하는 Y-어드레스버퍼(300)와; 상기 Y-어드레스버퍼(300)의 출력신호를 입력받아 어드레스천이를 검출하는 어드레스천이검출부(400)로 구성된다.
이와같이 구성된 종래 반도체 메모리의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 어드레스신호는 티티엘인터페이스(100)를 통해 입력되는데, 이 어드레스신호가 RAS계 신호이면 X-어드레스버퍼(200)에서 RAS계 제어신호에 따라 래치하고, CAS계 신호이면 Y-어드레스버퍼(300)에서 CAS계 제어신호에 따라 래치한다.
이때, 어드레스천이검출부(400)는 상기 Y-어드레스버퍼(300)의 출력신호를 입력받아 어드레스천이를 검출한다.
이상에서 설명한 바와같이 종래의 반도체 메모리는 Y-어드레스버퍼의 출력신호를 가지고 어드레스천이를 검출하였기 때문에 어드레스 억세스 동작속도가 느린 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해, 티티엘인터페이스로 부터 컬럼 어드레스가 Y-어드레스버퍼에 입력되어 래치될때, 그와 동시에 그 입력 컬럼 어드레스로 부터 어드레스 천이를 검출하도록 함으로써 어드레스 억세스 시간의 동작속도를 빠르게 한 반도체 메모리를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 반도체 메모리는 어드레스신호가 티티엘인터페이스부를 통해 입력되면 로우(Row) 어드레스 신호를 RAS계 제어신호에 따라 래치하는 X-어드레스버퍼수단과; 상기 컬럼 어드레스신호를 CAS계 제어신호에 따라 래치하는 Y-어드레스버퍼수단과; RAS계 마지막 신호인 칼럼스타트 신호에 의해 인에이블 제어를 받고 상기 입력되는 컬럼 어드레스신호의 천이상태를 검출하는 어드레스천이검출수단으로 구성한다.
이하, 본 발명의 작용 및 효과에 관하여 일 실시예를 들어 설명한다
제2도는 본 발명의 일 실시예시도로서, 이에 도시한 바와같이 어드레스신호를 입력받는 티티엘(TTL)인터페이스부(100)와; 상기 티티엘인터페이스(100)를 통해 출력되는 어드레스신호가 RAS계 어드레스신호이면 이를 RAS계 제어신호를 따라 처리하는 X-어드레스버퍼(200)와; 상기 티티엘인터페이스부(100)를 통해 출력되는 어드레스신호가 CAS계 어드레스신호이면 이를 CAS계 제어신호에 따라 처리하는 Y-어드레스버퍼(300)와; 상기 티티엘인터페이스부(100)를 통해 출력되는 어드레스신호를 입력받고 RAS계 마지막 신호인 컬럼 스타트 신호에 의해 인에이블 제어를 받아 CAS계 어드레스신호의 천이를 검출하는 어드레스천이검출부(400)로 구성한다.
이와같이 구성한 본 발명의 일 실시예의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 어드레스신호는 티티엘인터페이스(100)를 통해 입력되는데, 이때 X-어드레스버퍼(200)는 상기 어드레스신호가 RAS계 어드레스신호이면 RAS계 제어신호에 따라 이를 래치한다.
동시에 Y-어드레스버퍼(300)는 상기 어드레스신호가 CAS계 어드레스 신호이면 CAS계 제어신호에 따라 이를 래치한다.
그리고 어드레스천이검출부(400) 또는 상기 CAS계 어드레스신호가 Y-어드레스버퍼(300)에 입력되어 래치될때, 상기 티티엘인터페이스부(100)로 부터 출력되는 그 CAS계 어드레스신호를 직접 인가받아 CAS계 어드레스 신호의 천이를 검출하여 출력한다.
이때, 상기 어드레스천이검출부(400)는 RAS계의 마지막 신호인 컬럼 스타트신호에 의해 인에이블 제어를 받아 CAS계 어드레스신호의 천이를 검출하게 함으로써 필요없는 영역에서 어드레스천이검출 동작이 일어나지 않도록 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명은 티티엘 인터페이스부로 부터 출력되는 CAS계 어드레스신호가 Y-어드레스버퍼에 입력되어 래치될 때, 그와 동시에 그 티티엘인터페이스부로 부터 출력되는 CAS계 어드레스 신호를 직접 입력받아 그 CAS계 어드레스신호의 천이를 검출 하도록 함으로써 어드레스 억세스 시간(TAA)의 동작속도를 빠르게 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 어드레스신호가 티티엘인터페이스부를 통해 입력되면 상기 어드레스신호중 RAS계 어드레스 신호를 RAS계 제어신호에 따라 래치하는 X-어드레스버퍼수단과; 상기 어드레스 신호중 CAS계 어드레스신호를 CAS계 제어신호에 따라 래치하는 Y-어드레스버퍼수단과; 상기 RAS계 마지막 신호인 컬럼스타트 신호에 의해 인에이블 제어를 받고 상기 입력되는 CAS계 어드레스신호의 천이상태를 검출하는 어드레스천이검출수단으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
KR1019960066631A 1996-12-17 1996-12-17 반도체 메모리 KR100242993B1 (ko)

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KR100309466B1 (ko) * 1999-05-21 2001-09-26 김영환 메모리의 어드레스천이검출제어장치

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